JPH11269351A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents

光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置

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JPH11269351A
JPH11269351A JP10073621A JP7362198A JPH11269351A JP H11269351 A JPH11269351 A JP H11269351A JP 10073621 A JP10073621 A JP 10073621A JP 7362198 A JP7362198 A JP 7362198A JP H11269351 A JPH11269351 A JP H11269351A
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悟志 奥田
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成哉 駒田
Kuniharu Hattori
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 内部応力が小さく、しかも、耐熱性、耐湿性
に優れたエポキシ樹脂組成物およびそれを用いて光半導
体素子を封止して得られる光半導体装置を提供する。 【解決手段】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。 (A)エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)チオール。。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子封止用
エポキシ樹脂組成物(以下、単にエポキシ樹脂組成物と
いう。)およびそれを用いた光半導体装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来から、受光素子および発光素子等の
光半導体素子の封止材料としては、透明性、耐湿性およ
び耐熱性に優れていなければならないという観点から、
一般にビスフェノールA型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂等のエポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤を含有して
成るエポキシ樹脂組成物が使用されている。
【0003】しかしながら、上記エポキシ樹脂組成物を
封止材料として用いると、このエポキシ樹脂組成物の硬
化時の硬化収縮、または、エポキシ樹脂と光半導体素子
の線膨張係数の差に起因する歪みにより内部応力が発生
し、それが原因で光半導体素子が劣化し、例えば、光半
導体素子が発光素子の場合、その輝度が低下するという
問題が生じる。このような問題を解決するため、エポキ
シ樹脂のシリコーン変性、硬化剤のアルコール変性等に
よりエポキシ樹脂組成物の硬化体の弾性率を低下させて
内部応力を低下させる方法(方法1)や、エポキシ樹脂
組成物に特定の硬化触媒(例えば、テトラ−n−ブチル
ホスホニウムブロマイド等のリン系触媒)を含有させる
ことによりエポキシ樹脂組成物の硬化体とリードフレー
ムとの接着性を低下させることにより光半導体素子にか
かる応力を低減する方法(方法2)が提案されている。
(エポキシ樹脂組成物の硬化体とリードフレームとの接
着性を低下させることにより、光半導体素子にかかる応
力が低減することは、有限要素法による応力解析で確認
することができる。)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法1では光半導体装置の耐熱性が低下し、また、上記方
法2ではエポキシ樹脂組成物の硬化体とリードフレーム
の界面に水分、フラックス等が浸入し、リードフレーム
(通常、鉄または42アロイに銀めっきしたものが用い
られている。)が錆びて光半導体装置の外観が不良とな
ったり、場合によっては、光半導体素子が腐食する(光
半導体装置の耐湿性の低下)という欠点があった。
【0005】そこで、本発明はこのような事情に鑑みな
されたもので、内部応力が小さく、しかも、耐熱性、耐
湿性に優れたエポキシ樹脂組成物およびそれを用いて光
半導体素子を封止して得られる光半導体装置の提供を目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のエポキシ樹脂組成物は下記の(A)〜
(C)成分を含有するという構成をとり、(C)成分と
しては、n−アルキルチオール、さらには、n−ドデシ
ルチオールが好ましい。 (A)エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)チオール。
【0007】また、本発明の光半導体装置は、上記エポ
キシ樹脂組成物により光半導体素子を封止して成るもの
である。
【0008】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。
【0009】本発明のエポキシ樹脂組成物は、下記の
(A)〜(C)成分を含有して成るものであって、通
常、粉末状、もしくはこの粉末を打錠したタブレット状
になっている。 (A)エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)チオール。
【0010】本発明において、(A)成分であるエポキ
シ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシ
アヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エ
ポキシ樹脂、水添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
脂肪族系エポキシ樹脂、グシシジルエーテル型エポキシ
樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、低吸水率硬化
体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシ
クロ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があ
げられ、これらは単独で使用してもあるいは併用しても
よい。上記各種エポキシ樹脂の中でも、光半導体封止
後、エポキシ樹脂組成物の硬化体が変色しにくいという
点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを用いるこ
とが好ましい。
【0011】このようなエポキシ樹脂としては、一般
に、エポキシ当量100〜1000、軟化点120℃以
下のものが用いられる。
【0012】本発明において、(B)成分である硬化剤
としては、エポキシ樹脂組成物の硬化体が変色しにくい
という点から、特に、酸無水物系硬化剤を用いることが
好ましい。
【0013】酸無水物系硬化剤としては、分子量140
〜200程度のものが好ましく用いられ、例えば、無水
フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水
ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒ
ドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジッ
ク酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡
黄色の酸無水物があげられる。これらは単独で使用して
もあるいは併用してもよい。そして、上記酸無水物系硬
化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル
酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無
水フタル酸を用いることが好ましい。
【0014】さらに、上記酸無水物系硬化剤以外に、従
来公知のアミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、また
は、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メ
チルヘキサヒドロフタル酸等のカンルボン酸類等の硬化
剤を単独で使用してもあるいは併用してもよい。
【0015】上記エポキシ樹脂((A)成分)と硬化剤
((B)成分)の配合割合は、例えば、硬化剤として酸
無水物系硬化剤を用いる場合、上記エポキシ樹脂中のエ
ポキシ基1当量に対して酸無水物における酸無水物当量
を、0.5〜1.5当量となるように設定することが好
ましい。特に好ましくは0.7〜1.2当量である。即
ち、上記配合割合において、酸無水物当量が0.5当量
未満では、得られるエポキシ樹脂組成物の硬化後の色相
が悪くなり、逆に、1.5当量を超えると、耐湿性が低
下する傾向が見られるからである。なお、硬化剤
((B)成分)として、酸無水物系硬化剤以外に前記の
アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、または、ヘキサ
ヒドロフタル酸、カンルボン酸類等の硬化剤を単独で使
用あるいは併用する場合においても、その配合割合は、
上記酸無水物を使用した配合割合(当量比)に準ずる。
【0016】本発明において、(C)成分であるチオー
ルとしては、n−アルキルチオールが好ましく、さらに
は、炭素数9〜15のn−アルキルチオールが好まし
く、中でも特に、n−ドデシルチオールが好ましい。上
記チオールの配合量は、エポキシ樹脂組成物全体100
重量部(以下「部」と略す。)に対して、0.25〜
2.0部の範囲に設定することが好ましく、より好まし
くは0.25〜0.80部である。
【0017】本発明のエポキシ樹脂組成物は、必要によ
り、硬化促進剤を含有することができる。硬化促進剤と
しては、例えば、三級アミン類、イミダゾール類、四級
アンモニウム塩および有機金属塩類、リン化合物等があ
げられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用い
られる。そして、上記硬化促進剤の中でも、三級アミン
類、イミダゾール類を用いることが好ましい。
【0018】上記硬化促進剤の配合量は、前記エポキシ
樹脂((A)成分)100部に対して0.05〜7.0
部の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは
0.2〜3.0部である。すなわち、硬化促進剤の配合
量が0.05部未満では、充分な硬化促進効果が得られ
ず、7.0部を超えると、エポキシ樹脂組成物の硬化体
に変色が見られるおそれがあるからである。
【0019】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
上記エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤以外に、エ
ポキシ樹脂組成物の硬化体の透明性を損なわない範囲で
あれば必要に応じて従来から用いられている劣化防止
剤、変性剤、離型剤、染料、顔料等の従来公知の各種添
加剤を適宜に配合することができる。
【0020】上記劣化防止剤としては、フェノール系化
合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン
系化合物等の従来公知のものがあげられる。
【0021】上記変性剤としては、従来公知のグリコー
ル類、シリコーン類、アルコール類等があげられる。
【0022】上記離型剤としては、ステアリン酸、ベヘ
ン酸、モンタン酸およびその金属塩、ポリエチレン系、
ポリエチレン−ポリオキシエチレン系、カルナバ等の従
来公知のものがあげられる。そして、上記離型剤の中で
も、ポリエチレン−ポリオキシエチレン系が、エポキシ
樹脂組成物の硬化体の透明性が良好となるので、好まし
い。
【0023】なお、光分散性が必要な場合には、上記成
分以外にさらに充填剤を配合してもよい。上記充填剤と
しては、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミ
ナ粉末、炭酸カルシウム等の無機質充填剤等が挙げられ
る。
【0024】本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、
次のようにして製造することができる。即ち、上記
(A)〜(C)成分及び必要に応じて、硬化促進剤、劣
化防止剤、変性剤、染料、顔料、充填剤等を所定の割合
で配合する。そして、これを常法に準じてドライブレン
ド法または溶融ブレンド法を適宜採用して混合、混練す
る。ついで、冷却・粉砕し、さらに必要に応じて打錠す
ることによりエポキシ樹脂組成物を製造することができ
る。
【0025】このような、エポキシ樹脂組成物を用いて
の光半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、
例えばトランスファーモールド等の公知のモールド方法
により行うことができる。
【0026】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化
体は、厚み1mmにおいて、分光光度計の測定により、
波長600nmの光透過率が70%以上のものが好まし
く、特に好ましくは80%以上である。
【0027】次に、実施例について比較例と併せて説明
する。
【実施例1〜3、比較例1〜2】表1に従って、各原料
を配合し、ミキシングロールで溶融混練(80〜130
℃)を行い、熟成した後、室温で冷却して粉砕すること
により目的とする微粉末状のエポキシ樹脂組成物を得
た。
【0028】上記のエポキシ樹脂組成物を用い、リード
フレーム(鉄に銀めっきしたもの)に設置した光半導体
素子GaAs(チップサイズ:0.3mm角)をトラン
スファー成形(成形条件:150℃×4分間)により封
止し、さらに、120℃×16時間の条件でアフターキ
ュアすることにより光半導体装置を得た(パッケージサ
イズ:4mm角)。そして、実際の使用条件を想定し
て、リードフレームの露出した部分を塩素系フラックス
で洗浄した後、半田めっきを施した。このようにして得
られた光半導体装置について、低温通電(−30℃/5
mA)し、100,300,500時間後の初期の輝度
に対する輝度保持率を測定した。その結果を表2に示
す。
【0029】さらに、上記の光半導体装置について、8
5℃/85%で168h保存後のリードフレームの錆の
状況を観察し、錆による外観不良率を求めた。その結果
を表2に示す。
【0030】また、上記の光半導体装置を蛍光液中に2
時間、真空ポンプで減圧しながら放置後、リードフレー
ムと樹脂の界面に浸入した蛍光液の距離を測定した。そ
の結果を表2に示す。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】以上のように、本発明のエポキシ樹脂組
成物は、その成分としてチオール、好ましくは、n−ア
ルキルチオール、さらに好ましくは、n−ドデシルチオ
ールを含んでいるため、エポキシ樹脂組成物の硬化体と
リードフレームの界面の接着性が低下し、内部応力が低
減されるので、例えば、光半導体素子が発光素子の場
合、長期間にわたる使用においても輝度が低下すること
がない。さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物により封
止して得られる光半導体装置は、高温高湿下で長時間に
わたって使用した場合、たとえ、エポキシ樹脂組成物の
硬化体とリードフレームの界面に水分、フラックス等が
浸入しても、リードフレームが錆びて外観が不良となっ
たり、光半導体素子が腐食することがない。
フロントページの続き (72)発明者 服部 邦晴 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(C)成分を含有する光
    半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂。 (B)硬化剤。 (C)チオール。
  2. 【請求項2】 (C)成分のチオールがn−アルキルチ
    オールである請求項1に記載の光半導体素子封止用エポ
    キシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 (C)成分のチオールがn−ドデシルチ
    オールである請求項1に記載の光半導体素子封止用エポ
    キシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】請求項1〜3に記載の光半導体素子封止用
    エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子を封止して成
    る光半導体装置。
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