JP2005120230A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂をマトリックス成分とし、これに下記の(a)を分散させてなるエポキシ樹脂複合物。
(a)中性子小角散乱(SANS)によって測定される、平均粒径が5〜40nmである二酸化ケイ素粒子。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂をマトリックス成分とし、これに下記の(a)を分散させてなるエポキシ樹脂複合物。
(a)中性子小角散乱(SANS)によって測定される、平均粒径が5〜40nmである二酸化ケイ素粒子。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量650)
トリグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量100)
4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(x)とヘキサヒドロ無水フタル酸(y)の混合物(混合重量比x:y=7:3)(酸無水当量164)
Hanze−Chemi社製、NANOPOX XP 22/0504 〔ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量190)、固形分50重量%、二酸化ケイ素粒子の平均粒径15nm〕
Hanze−Chemi社製、NANOPOX XP 22/0316 〔脂環式エポキシ樹脂(エポキシ当量150)、固形分50重量%、二酸化ケイ素粒子の平均粒径15nm〕
Hanze−Chemi社製、NANOPOX XP 20/0540 〔ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量212)、固形分60重量%、二酸化ケイ素粒子の平均粒径15nm〕
CaOの組成を有し、フレーム処理により得られた球状ガラス粉末(SiO2 :57.0重量%、B2 O3 :3.0重量%、SrO:6.5重量%、Al2 O3 :15.0重量%、CaO:18.0重量%、平均粒径35μmで最大粒径75μmの粒径分布を有する、屈折率:1.56)
メルカプト含有シランカップリング剤(信越化学社製、KBM−803)
2−エチル−4−メチルイミダゾール
9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−フォスファフェナンタレン−10−オキシド
下記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、110℃で溶融混合して冷却固化した後、粉砕しタブレット状に打錠することにより目的とするエポキシ樹脂組成物を作製した。
各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの硬化体を作製した(硬化条件:150℃×2時間)。そして、上記硬化体を用いて、波長589.3nmの光透過率を、25℃、60℃および100℃の各温度条件下、島津製作所社製の分光光度計UV3101を使用して光透過率を測定した。
各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの硬化体を作製した(硬化条件:150℃×2時間)。そして、上記硬化体を用いて、熱分析装置(島津製作所社製、TMA−50)により、2℃/分の昇温速度で、ガラス転移温度より低い温度での線膨張係数(α1)を測定した。
各エポキシ樹脂組成物を用いて、GaP系LEDをポッティング(150℃×2時間)により直径5mmの砲弾型ランプとして封止し、さらに150℃で3時間硬化させることにより、光半導体装置を作製した。そして、1サイクルが−25℃×30分/125℃×30分という熱サイクル条件で、200サイクル後におけるワイヤー切れ不良率(%)を測定した。なお、各光半導体装置のサンプル数(n数)は24個とした。
Claims (3)
- 下記の(A)成分を含有することを特徴とする光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂をマトリックス成分とし、これに下記の(a)を分散させてなるエポキシ樹脂複合物。
(a)中性子小角散乱(SANS)によって測定される、平均粒径が5〜40nmである二酸化ケイ素粒子。 - 上記(A)成分中の二酸化ケイ素粒子(a)の含有割合が、エポキシ樹脂組成物全体の5〜50重量%の範囲に設定されている請求項1記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または2記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置。
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