JP2008519448A - 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は請求項1の上位概念記載の半導体デバイスおよびその製造方法に関する。本発明の半導体デバイスはトレンチ構造を備えたジャンクションバリア型ショットキーダイオードである。当該の半導体デバイスは車両の搭載電源においてツェナーダイオードとして使用されるのに特に良好に適している。
本発明の請求項1記載の半導体デバイスは低い順方向電圧、低い阻止電流および高いローバスト性を有する。
以下に、添付図を参照しながら本発明の実施例について詳細に説明する。図1には従来のジャンクションバリア型ショットキーダイオードが示されている。図2には従来のトレンチMOSバリア型ショットキーダイオードが示されている。図3には本発明の半導体デバイスの第1の実施例が示されている。図4には本発明の半導体デバイスの第2の実施例が示されている。図5には本発明の半導体デバイスの第3の実施例が示されている。図6には本発明の半導体デバイスの第4の実施例が示されている。図7には本発明の半導体デバイスの第5の実施例が示されている。図8には本発明の製造方法の第1の実施例のフローチャートが示されている。図9には本発明の製造方法の第2の実施例のフローチャートが示されている。図10には本発明の製造方法の第3の実施例のフローチャートが示されている。図11には本発明の製造方法の第4の実施例のフローチャートが示されている。
本発明によって得られる利点をより良く理解してもらうために、まず公知の半導体デバイスを簡単に説明する。図1には、従来のジャンクションバリア型ショットキーダイオードJBSの形態の半導体デバイス10が示されている。この半導体デバイス10は、n+型基板1、n型層2、このn型層内へ拡散された少なくとも2つのp型ウェル3、および、チップの前面および後面のコンタクト層4,5から成る。電気的に見ると、JBSはPNダイオードすなわちアノードとしてのp型ウェル3とカソードとしてのn型層2とのあいだのPN接合領域と、ショットキーダイオードすなわちアノードとしてのコンタクト層4とカソードとしてのn型層2とのあいだのショットキーバリアとのコンビネーションである。チップの後面のコンタクト層5はカソード電極として用いられ、チップの前面のコンタクト層4はp型ウェル3に対するオーミックコンタクトでありかつn型層2に対するショットキーコンタクトであるアノード電極として用いられる。ショットキーダイオードの順方向電圧がPNダイオードの電圧よりも小さいので、電流はショットキーダイオードの領域のみを通って順方向に流れる。そのため、JBSでの順方向電流に対する単位面積当たりの有効面積は従来のプレーナ形ショットキーダイオードでの順方向電流に対する単位面積当たりの有効面積よりも格段に小さい。阻止方向では電圧が上昇するにつれて空間電荷領域が拡大し、JBSのブレークダウン電圧よりも小さい電圧では隣接する2つのp型ウェル間の領域の中央付近で衝突する。これにより、高い阻止電流の原因となるショットキー効果が部分的に遮蔽され、阻止電流が低減される。こうした遮蔽作用は構造パラメータ、例えばp型ドーパント拡散の侵入深さXjp、p型ウェル間の距離Wnおよびp型ウェルの幅Wpなどに強く依存する。JBSのp型ウェルを実現する技術として、通常は、p型ドーパントインプランテーションおよびこれに続くp型ドーパント拡散が行われる。x方向の水平拡散すなわちその深さがy方向の垂直拡散となる拡散により、2次元のxy平面に対して垂直なz方向に有限な長さを有し、その径が侵入深さXjpに相応する円筒状のp型ウェルが生じる。空間電荷領域が径方向に拡大するため、この形態のp型ウェルではショットキー効果に対して有効な遮蔽作用がほとんど得られない。また、水平拡散も相応に幅広となるので、より深くp型ドーパントを拡散させるのみで遮蔽作用を増大することは不可能である。また、p型ウェル間の距離Wnをこれ以上小さくすることもきわめて難しい。たとえそうして遮蔽作用を増大したとしても、順方向電流に対する有効面積も小さくなってしまうからである。
Claims (35)
- PNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードを含むことを特徴とする半導体デバイス(30,40,50,60,70)。
- PNダイオードはクランプ素子として用いられる、請求項1記載の半導体デバイス。
- ショットキーダイオードおよびPNダイオードから成るコンビネーション部を含む半導体デバイス(30,40,50,60,70)において、PNダイオードのブレークダウン電圧(BV_pn)はショットキーダイオードのブレークダウン電圧(BV_schottly)よりも低い、請求項1または2記載の半導体デバイス。
- 当該の半導体デバイスは数100A/cm2のオーダーの高い電流密度、例えば約400A/cm2〜600A/cm2のブレークダウンモードで駆動可能である、請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 当該の半導体デバイス(30,40,50,60,70)は第1の導電型の基板(1)を含み、該基板(1)上に第1の導電型の層(2)が配置されており、該第1の導電型の層(2)内に複数のトレンチ(7,7b)が設けられており、該トレンチ(7,7b)は少なくとも部分的に第2の導電型の物質で充填されており、当該の半導体デバイス(30,40,50,60,70)の前面および後面にコンタクト層(4,5)が配置されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(30)はn+型基板(1)を含み、該n+型基板(1)上にn型層(2)が配置されており、該n型層(2)内に少なくとも2つのトレンチ(7)が設けられており、該トレンチ(7)がp型ドープ材料で充填されてp型ドープ領域(8)が形成されており、n+型基板(1)およびn型層(2)はそれぞれ1つずつコンタクト層(4,5)を支持しており、該コンタクト層(4,5)は半導体デバイス(30)の前面および後面の全面を覆っている、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(40)はn+型基板(1)を含み、該n+型基板(1)上にn型層(2)が配置されており、該n型層(2)内に少なくとも2つのトレンチ(7)が設けられており、該トレンチ(7)の壁面および底面がp型ドープ材料でカバーされてp型ドープ領域(9)が形成されており、n+型基板(1)およびn型層(2)がそれぞれ1つずつコンタクト層(4,5)を支持しており、第2のコンタクト層(5)は半導体デバイス(40)の後面の全面を覆っており、第1のコンタクト層(4)は半導体デバイス(40)の前面の全面を覆いかつトレンチ(7)を充填している、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- p型ドープ領域(9)は拡散により形成される、請求項7記載の半導体デバイス。
- p型ドープ領域(9)の厚さは約0.2μmである、請求項7または8記載の半導体デバイス。
- トレンチ(7)の深さ(DtO)は約1μm〜3μmである、請求項1から9までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 当該の半導体デバイスがPN階段接合領域を有している、請求項1から10までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(50)はn+型基板(1)を含み、該n+型基板(1)上にn型層(2)が配置されており、該n型層(2)内に少なくとも2つのトレンチ(7)が設けられており、該トレンチ(7)が多くとも部分的にp型ドープ物質で充填されて内部に所定の厚さ(Dp)のp型ドープ領域(8)が形成されており、n+型基板(1)およびn型層(2)はそれぞれコンタクト層(4,5)を支持しており、第1のコンタクト層(4)は半導体デバイス(50)の前面を完全に覆いかつトレンチ(7)を完全に充填している、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(60)はn+型基板(1)を含み、該n+型基板(1)上にn型層(2)が配置されており、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7,7b)が設けられており、該トレンチ(7,7b)がp型ドープ物質で充填されて内部に第1のp型ドープ領域(8,8b)が形成されており、さらにトレンチ(7b)に接して第2のp型ドープ領域(10)が形成されており、ここで第2のp型ドープ領域のn型層(2)への侵入深さ(Xjp_edge)はトレンチ(7,7b)の深さ(Dt)よりも大きく、n+型基板(1)およびn型層(2)はそれぞれコンタクト層(4,5)を支持しており、第1のコンタクト層(4)は半導体デバイス(50)の前面を多くとも部分的に覆っている、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(60)の前面のうち第1のコンタクト層(4)によって覆われていない部分領域が酸化層(11)によって覆われている、請求項13記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイス(70)はn+型基板(1)を含み、該n+型基板(1)上にn型層(2)が配置されており、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7,7b)が設けられており、該トレンチ(7,7b)がp型ドープ物質で充填されて内部に第1のp型ドープ領域(8,8b)が形成されており、さらにトレンチ(7b)に接して第2のp型ドープ領域(10)が形成されており、ここで第2のp型ドープ領域のn型層(2)への侵入深さ(Xjp_edge)はトレンチ(7,7b)の深さ(Dt)よりも大きく、第2のp型ドープ領域は半導体デバイス(70)の縁にまで達しており、n+型基板(1)およびn型層(2)はそれぞれコンタクト層(4,5)を支持しており、該コンタクト層(4,5)は半導体デバイス(70)の前面および後面を完全に覆っている、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスのブレークダウン電圧はp型ドープ領域(8,9,10)およびn型層(2)によって形成されたPNダイオードのブレークダウン電圧(BV_pn)によって定められる、請求項1から15までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- p型ドープ領域(8,8b)はp型ドープされたSiまたはPoly‐Siから成る、請求項1から16までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 各p型ドープ領域(9,10)は1回の拡散プロセスにより形成される、請求項1から17までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- コンタクト層(4,5)は金属から成る、請求項1から18までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- コンタクト層(4,5)は多層に構成されている、請求項1から19までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- PNダイオードのブレークダウンが発生する場合、該ブレークダウンは有利にはトレンチ(7,7b)の底面の領域で発生する、請求項1から20までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- トレンチ(7)は条片状またはアイランド状に構成されている、請求項1から21までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- 請求項1から22までのいずれか1項記載の半導体デバイスをツェナーダイオードとして使用することを特徴とする半導体デバイスの使用。
- 請求項1から22までのいずれか1項記載の半導体デバイスを車両の搭載電源、例えば車両のジェネレータシステムにおいて使用することを特徴とする半導体デバイスの使用。
- ブレークダウン電圧が10V〜50V、例えば12V〜40Vである、請求項1から22までのいずれか1項記載の半導体デバイス。
- n+基板上にn型層を被着し、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7)を形成し、該トレンチ(7)をp型ドープされたSiまたはPoly‐Siによって充填してp型ドープ領域(8)を形成し、n+型基板(1)およびn型層(2)およびp型ドープ領域(8)をそれぞれコンタクト層(4,5)で覆うことを特徴とする半導体デバイス(30)の製造方法。
- n+型基板(1)上にn型層(2)を被着し、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7)を形成し、該トレンチ(7)の壁面および底面にp型ドープ物質を拡散させてp型ドープ領域(9)を形成し、n+型基板(1)およびn型層(2)をそれぞれコンタクト層(4,5)によって覆い、その際にトレンチ(7)をコンタクト層(4)の材料によって完全に充填することを特徴とする半導体デバイス(40)の製造方法。
- n+型基板(1)上にn型層(2)を被着し、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7)を形成し、該トレンチ(7)をp型ドープされたSiまたはPoly‐Siによって多くとも部分的に充填してp型ドープ領域(8)を形成し、n+型基板(1)およびn型層(2)をそれぞれコンタクト層(4,5)によって覆い、その際にトレンチ(7)をコンタクト層(4)によって完全に充填することを特徴とする半導体デバイス(50)の製造方法。
- n+型基板(1)上にn型層(2)を被着し、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7,7b)を形成し、該トレンチ(7)をp型ドープされたSiまたはPoly‐Siによって充填して第1のp型ドープ領域(8)を形成し、さらにトレンチ(7b)に直接に接するように第2のp型ドープ領域(10)をn型層(2)内に形成し、ここで第2のp型ドープ領域(10)の侵入深さ(Xjp_edge)がトレンチ(7,7b)の深さ(Dt)よりも大きくなるようにし、n+型層およびn型層(2)をそれぞれコンタクト層(4,5)によって覆い、その際にデバイスの前面の一部をコンタクト層(4)で覆い、デバイスの前面のうちコンタクト層(4)によって覆われない領域を酸化層(11)によって覆うことを特徴とする半導体デバイス(60)の製造方法。
- n+型基板(1)上にn型層(2)を被着し、該n型層(2)内に複数のトレンチ(7,7b)を形成し、該トレンチ(7)をp型ドープされたSiまたはPoly‐Siによって充填して第1のp型ドープ領域(8)を形成し、さらにトレンチ(7b)に直接に接するように第2のp型ドープ領域(10)をn型層(2)内に形成し、ここで第2のp型ドープ領域(10)の侵入深さ(Xjp_edge)がトレンチ(7,7b)の深さ(Dt)よりも大きくなりかつ第2のp型ドープ領域(10)が当該の半導体デバイスの縁にまで達するようにし、n+型基板(1)およびn型層(2)をそれぞれコンタクト層(4,5)によって完全に覆うことを特徴とする半導体デバイス(70)の製造方法。
- 第2のp型ドープ領域(10)を拡散プロセスにより形成する、請求項29または30記載の方法。
- p型ドープ領域(9,10)を形成するためにp型ドープ物質を気相から析出する、請求項26から31までのいずれか1項記載の方法。
- p型ドープ領域(9,10)を形成するためにp型ドープ物質をイオンインプランテーションにより打ち込む、請求項26から31までのいずれか1項記載の方法。
- ドープ物質としてホウ素またはホウ素イオンを用いる、請求項26から33までのいずれか1項記載の方法。
- n+型基板(1)上にn型層(2)をエピタキシプロセスにより形成する、請求項26から34までのいずれか1項記載の方法。
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