JP6651390B2 - トレンチmosバリアショットキーダイオードを備える半導体装置 - Google Patents
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Description
・比較的高濃度にドーピングされた部分ブロックを含む、第1導電型の半導体ブロックを形成するステップと、
・エッチングによって前記半導体ブロックに少なくとも1つのトレンチを形成するステップと、
・前記トレンチの少なくとも1つの壁部に酸化物層を形成するステップと、
・好ましくは前記トレンチの底部の領域において、前記酸化物層の少なくとも一部を除去するステップと、
・好ましくは前記底部の前記領域において、前記第1導電型の導電率を高めるドーパント材料を前記半導体ブロックに使用及びドーピングして、前記第1導電型の半導体ブロックを形成するステップと、
・前記少なくとも1つのトレンチの残りの容積の少なくとも一部を、金属によって又は前記第2導電型の多結晶半導体材料によって充填するステップと、
・前記導電性のコンタクト材料の反対側に位置する、前記半導体ブロックの一方の側において、前記第1導電型の前記半導体ブロックの上に、第2導電型の半導体材料からなる層を形成するステップと、
・前記第2導電型の前記半導体材料からなる前記層の上に、及び、前記金属の上に又は前記トレンチの前記残りの容積の少なくとも一部を充填する多結晶半導体材料の上に、金属層を形成するステップと、
・前記半導体ブロックの前記部分ブロックに、導電性のコンタクト材料、特に金属層を形成するステップと、
・前記半導体装置のボンディング及び/又はパッケージング及び/又はコンタクトのような追加的な製造工程を実施するステップと、
を含むことを特徴とする。
・例えばエピタキシャル方法と、これに並行して又はこれに後続して実施されるドーピングとによって、比較的高濃度にドーピングされている第1導電型の第1半導体ブロック(「部分ブロック」)を形成するステップと、
・例えばエピタキシャル方法によって、前記第1半導体ブロックと同一の導電型を有するが、前記第1半導体ブロックよりもドーピング濃度が低い、前記第1半導体ブロックに隣接する第2半導体ブロックを形成するステップと、
又はこれに代えて、
まず、比較的低濃度のドーピングを有する第2半導体ブロックを形成し、次いで、前記第2半導体ブロックの部分ブロックをさらにより高濃度に追加ドーピングすることによって、前記部分ブロックにおいて、比較的高濃度にドーピングされた第1半導体ブロックを形成するステップと、
・エッチングによって前記半導体ブロックに少なくとも1つのトレンチを形成するステップと、
・前記トレンチの少なくとも1つの壁部に酸化物層を形成するステップと、
・好ましくは前記トレンチの底部の領域において、前記酸化物層の少なくとも一部を除去するステップと、
・好ましくは前記トレンチの前記底部の前記領域において、第2導電型の半導体材料を使用して、前記第2導電型の導電率を高めるドーパント材料をドーピングすることによって、前記第2導電型の前記領域を形成するステップと、
・前記少なくとも1つのトレンチの残りの容積の少なくとも一部を、金属によって、又は、好ましくは、前記第2導電型の多結晶半導体材料によって、充填するステップと、
・比較的高濃度にドーピングされた前記部分ブロックの反対側に位置する、前記半導体ブロックの一方の側において、前記第1導電型の前記半導体ブロックの上に、第2導電型の半導体材料からなる層からなる層を形成するステップと、
・前記第2導電型の前記半導体材料からなる前記層の上に、及び、前記金属の上に又は前記トレンチの前記残りの容積の少なくとも一部を充填する前記多結晶半導体材料の上に、金属層を形成するステップと、
・前記金属層の反対側に位置する、前記半導体ブロックの側に、導電性のコンタクト材料、特に金属又は金属層を形成するステップと、
・前記半導体装置のボンディング及び/又はパッケージング及び/又はコンタクトのような追加的な製造工程を実施するステップと、
を有することを特徴とする、方法を含む。
例2:しかしながら、p型薄層を特に薄く形成し且つ充分に低濃度にドーピングした場合には、このp型薄層は、ショットキーコンタクトに対してほぼ完全に透過性になる。半導体装置10の第1の面16(「表面」)に設けられた金属層14は、「金属層14/p型薄層(半導体材料26)/n型エピタキシャル層(半導体ブロック12)」の積層体と共にショットキーコンタクトを形成する。この場合、「金属層14/p型薄層(半導体材料26)/n型エピタキシャル層(半導体ブロック12)/n+基板(部分ブロック34)」の積層体は、ショットキーダイオードと同等に機能する。この場合、逆方向電流は比較的大きくなり、高電流密度の場合における順方向電圧は比較的高くなり、スイッチング損失は比較的小さくなる。
(a)従来の高電圧ショットキーダイオードと比較して:
・高電流密度の範囲における順方向電圧を特に低くすることが可能である。なぜなら、集積されたPNダイオードの高注入によって、低濃度にドーピングされた領域の導電率が著しく増加しているからである。
・ショットキーコンタクトの真下にあるp型薄層と組み合わせたトレンチ構造を用いてショットキー効果を遮断することにより、漏れ電流が比較的小さくなる。さらには、PNダイオードのクランプ機能により比較的高いロバスト性がもたらされる。
・高電流密度の場合における高注入と組み合わせたショットキーコンタクトの適切な障壁高さにより、高電流密度に至るまでの順方向電圧が比較的低くなる。
・スイッチング損失が比較的小さい。なぜなら、順方向動作時に、ショットキーコンタクトシステム(ショットキーコンタクトの真下にあるp型薄層と組み合わせたショットキーコンタクト)を介して低濃度にドーピングされた領域に注入及び蓄積されるキャリアがより少なくなるからである。
・より高注入により、高電流密度の場合における順方向電圧がより小さくなる。ショットキー効果の効果的な遮断により、漏れ電流がより小さくなる。
・高電流密度の場合における順方向電圧がほぼ同じであり且つスイッチング損失がほぼ同じである場合に、漏れ電流が特に小さい。
Claims (12)
- トレンチMOSバリアショットキーダイオードを備える半導体装置(10)であって、
前記半導体装置(10)は、第1導電型の半導体ブロック(12)を有し、
前記半導体ブロック(12)は、金属層(14)によって被覆された第1の面(16)と、少なくとも部分的に、金属及び/又は第2導電型の半導体材料によって充填された、前記第1の面(16)に延在する少なくとも1つのトレンチ(18)とを有し、
前記トレンチ(18)は、少なくとも1つの壁部(20)を有し、
前記壁部(20)は、少なくとも部分的に酸化物層(22)を有する、
半導体装置(10)において、
前記金属層(14)によって被覆された前記第1の面(16)の、前記トレンチ(18)に隣接して位置する少なくとも1つの領域(24)は、前記金属層(14)と前記半導体ブロック(12)との間に位置する、第2導電型の第1半導体材料からなる層(26)を備えており、
前記少なくとも1つのトレンチ(18)の底部(38)の少なくとも1つの領域(36)は、第2導電型の前記半導体材料である第2半導体材料からなる層(40)によって充填されており、
前記金属層(14)は、前記酸化物層(22)、前記第2導電型の前記第1半導体材料からなる前記層(26)、及び、前記第2導電型の前記第2半導体材料からなる層(40)によって、前記半導体ブロック(12)から離隔されている、
ことを特徴とする半導体装置(10)。 - 前記金属層(14)によって被覆された前記第1の面(16)の反対側に位置する、前記半導体ブロック(12)の第2の面(30)は、導電性材料からなるコンタクト層(28)によって被覆されており、
前記コンタクト層(28)に隣接する、前記半導体ブロック(12)の部分ブロック(34)は、前記第1導電型の前記半導体ブロック(12)のその他の部分よりも高濃度にドーピングされている
請求項1に記載の半導体装置(10)。 - 前記第2導電型の前記第1半導体材料からなる層(26)は、10nm乃至500nmの層厚(27)を有する
請求項1又は2に記載の半導体装置(10)。 - 前記第2導電型の前記第1半導体材料からなる層(26)のドーピング濃度は、1016原子/cm3乃至1017原子/cm3である
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置(10)。 - 前記少なくとも1つのトレンチ(18)の深さ(42)は、1μm乃至4μmである
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置(10)。 - 前記少なくとも1つのトレンチ(18)の深さ(42)は、2μmである
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置(10)。 - 前記半導体ブロック(12)は、少なくとも2つのトレンチ(18)を有する
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置(10)。 - 各2つのトレンチ(18)の間の内法間隔(46)に対する、前記トレンチ(18)の深さ(42)の比は、2以上である
請求項7に記載の半導体装置(10)。 - 前記第1導電型は、n型であり、前記第2導電型は、p型であり、
又は、
前記第1導電型は、p型であり、前記第2導電型は、n型である
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置(10)。 - トレンチMOSバリアショットキーダイオードを備える半導体装置(10)を製造する方法であって、
・高濃度にドーピングされた部分ブロック(34)を含む、第1導電型の半導体ブロック(12)を形成するステップと、
・前記部分ブロック(34)とは反対側の第1の面(16)において、エッチングによって前記半導体ブロック(12)に少なくとも1つのトレンチ(18)を形成するステップと、
・前記トレンチ(18)の少なくとも1つの壁部(20)に酸化物層(22)を形成するステップと、
・前記トレンチ(18)の底部(38)の領域(36)において、前記酸化物層(22)の少なくとも一部を除去するステップと、
・前記底部(38)の前記領域(36)において、第2導電型の半導体材料を充填して、前記底部(38)の前記領域(36)に前記第2導電型の前記半導体材料からなる層(40)を形成するステップと、
・前記少なくとも1つのトレンチ(18)の残りの容積の少なくとも一部を、金属によって又は第2導電型の多結晶半導体材料によって充填して、前記金属からなる層(14a)又は前記第2導電型の前記多結晶半導体材料からなる層(41)を形成するステップと、
・前記半導体ブロック(12)の前記第1の面(16)において、前記第1導電型の前記半導体ブロック(12)の上に、前記第2導電型の第1半導体材料からなる層(26)を形成するステップと、
・前記第2導電型の前記第1半導体材料からなる前記層(26)の上に、及び、前記金属からなる層(14a)の上に又は前記トレンチ(18)の前記残りの容積の前記少なくとも一部を充填した前記第2導電型の前記多結晶半導体材料からなる前記層(41)の上に、金属層(14)を形成するステップと、
・前記半導体ブロック(12)の前記第1の面(16)とは反対側の第2の面(30)において、前記部分ブロック(34)上に、導電性材料からなるコンタクト層(28)を形成するステップと、
を含み、
前記金属層(14)は、前記酸化物層(22)、前記第2導電型の前記第1半導体材料からなる前記層(26)、及び、前記第2導電型の前記半導体材料からなる層(40)によって、前記半導体ブロック(12)から離隔されるように形成されている、
ことを特徴とする、方法。 - 前記導電性材料からなるコンタクト層(28)は、金属層である、
請求項10に記載の方法。 - ・前記半導体装置(10)のボンディング、パッケージング及びコンタクト形成のうちの少なくとも1つを含む追加的な製造工程を実施するステップをさらに含む、
請求項10又は11に記載の方法。
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