JP2008505833A - 低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)選択された金属、特に、バナジウム、でのドーピングによって、残留浅準位不純物を相殺するべくSiCバンドギャップ内に深準位を形成する方法(米国特許5,611,955)、
(2)残留浅準位不純物を相殺するべく、既存(native)格子点欠陥に関連する深準位を使用する方法(米国特許6,218,680及び6,396,080;更に、St. G. Mueller, Mat Sci. Forum, V. 389-393 (2002) pp.23-28)、そして
(3)深準位不純物ドーピングと既存 (native)格子点欠陥の利用との組み合わせによって残留浅準位不純物を相殺する方法(特許出願公開2003/0079676A1)。半絶縁性SiC技術を記載しているその他の有用な参考文献として、H.M. Hobgoodほか, Appl. Phys. Lett., 66 (1995), p.1364; A.O. Evwareyeほか, J. Appl. Phys, 76 (1994) pp. 5769-5762; J. Schneider ほか, Appl. Physics Letters, 56 (1990) pp. 1184-1186が挙げられる。
(a)典型的なSiC結晶を相殺するために必要な多量のドーパントによって、電子挙動が重大な損傷を受ける可能性があること、
(b)高ドーピング濃度で比抵抗と容量とを制御することは技術的に難しく、材料イールドのばらつきや処理コストの高騰をもたらす可能性があること、
(c)高濃度では、ドーパント原子の一部だけが電気的に活性であり、その残りは結晶転位及びマイクロパイプの周りで「クラウド(clouds)」、クラスタを形成し(M. Bickermannほか, J. Crystal Growth, 254 (2003) pp.390-399を参照)、そのようなドーパントの不均一な分布によって応力と、更なる欠陥と、その結果としてのデバイスイールドの低下がもたらされ得ること、そして
(d)高濃度の相殺用元素とヘビードーピングによって引き起こされる欠陥によって、基材の熱伝導率が低下し、従って、デバイス出力パワーが制限されてしまうこと、
等が挙げられる。基材中に高濃度で含まれる場合、バナジウムは、エピタキシャルデバイス構造において、不要な捕獲、p−n結合ピンチング(pinching)、バックゲーティングをもたらす可能性がある。
(1)SiC結晶中に既存(native)格子点欠陥の性質、半絶縁性の形成におけるそれらの作用、が不明確であること、
(2)SiCの高温熱化学性によって実際に内在格子点欠陥を順向制御することが困難であり、製造の困難と高い製造コストをもたらすこと、
(3)成長によって誘導されたもの及び照射によって導入されたものを含む内在欠陥は、多くの場合不安定であり、時間経過に伴って焼鈍されてしまうこと、更に、照射によって誘導された欠陥のいくつかは基材特性に対して有害でありうること、
(4)深準位の既存格子点欠陥が優性になって、高レベルの相殺を引き起こすためには、ホウ素及び窒素が1015cm−3以下のレベルで、意図されないバックグラウンド不純物の極めて低い濃度が必要とされ、この要件を実際に満たすことは非常に困難であること、そして
(5)大きなソース対シード温度差(300−350℃)や通常の成長温度よりも高い温度などの、極めて高度な結晶純度の達成を目的とする前記第2方法(米国特許6,218,680及び6,396,080)に教示の具体的手段は、結晶の組成均一性を損なわせ、結晶欠陥の形成(炭素含有物、マイクロパイプ、二次粒子)を促進する可能性があること、があげられる。
(1)SiC基材の電気挙動を支配するために充分な量であるが、沈殿物及びその他構造欠陥の形成を回避するために充分少量である制御された濃度の金属ドーピング含むSiC単結晶。
(2)浅準位不純物濃度よりも高く、好ましくは少なくともその2倍である濃度の金属ドーピングを含むSiC単結晶。
(3)二つの主要浅準位不純物、ホウ素及び窒素、のバックグラウンド濃度が5×1016cm−3以下、好ましくは、1×1016cm−3以下で、残留ホウ素の濃度が好ましくは窒素のそれを上回るSiC単結晶。及び、
(4)アルミニウム及び遷移金属を含む、他のバックグラウンド不純物元素がそれぞれ5×1014cm−3以下の低濃度であるSiC単結晶。
(a)室温で少なくとも106Ω・cm、好ましくは108Ω・cm以上、最も好ましくは109Ω・cm以上の比抵抗、そして5pF/mm2以下、好ましくは1pF/mm2以下の容量であること。
(b)浅準位不純物(ホウ素と窒素)の濃度が5×1016cm−3、好ましくは1×1016cm−3以下で、好ましくは、ホウ素の濃度が窒素の濃度を上回ること。
(c)アルミニウムや遷移金属などの他の意図されないバックグラウンド不純物の濃度が1×1015cm−3、好ましくは5×1014cm−3以下であること。及び、
(d)純浅準位不純物濃度を超え、好ましくはこの純浅準位不純物濃度の少なくとも2倍である深準位捕獲ドーパントの濃度、これにより、前記深準位捕獲ドーパントが基材の電気特性を支配すること。バナジウムが、好適な深準位金属ドーパントであること。
(a)意図されないバックグラウンド汚染物質の濃度が低く、好ましくは、グロー放電質量分光法(GDMS)等の通常の分析手段の検出限界以下であり、特に、ソース中にホウ素が2×1015cm−3、以下である炭化ケイ素ソース材料の準備。
(b)前記ソース材料内に、最終結晶中の残留浅準位不純物を相殺するための充分な量の深準位相殺ドーパントの導入。
(c)ホウ素を低い量、好ましくは、0.05重量ppm以下、で含むように、昇華成長炉のグラファイト部を、周知の方法で純化すること。
(d)昇華成長を行って、高純度で、少なくとも1×106Ω・cm、好ましくは1×108Ω・cm、最も好ましくは1×109Ω・cm以上の比抵抗を示す低濃度の外来深準位の単ポリタイプ型結晶を作ること。
(e)比抵抗を示す結晶から作られる基材は、基材領域に亘って少なくとも±15%以上に均一である比抵抗を示すこと。及び、
(f)結晶から作られた基材は、5pF/mm2以下、好ましくは1pF/mm2以下の容量を示すこと。
1)ソースから生じる最終結晶のバックグラウンド汚染が最小化される、特に、合成された超高純度SiCソース材料中の不純物量がそれらのGDMS検出限界以下、具体的には、2×1015cm−3以下、である、
2)最終結晶のホウ素によるバックグラウンド汚染が最小化される、特に、低ホウ素含有率、好ましくは0.05重量ppmのホウ素含有率、の高純度グラファイトパーツが、高温領域部材及びルツボとして使用される、
3)最終結晶の窒素によるバックグラウンド汚染が最小化される、特に、SiC結晶の成長が、窒素の導入を最小化し、好ましくはそれをホウ素のそれ以下にするために充分に高い温度と、低減された圧力下で行われる、
4)クレームされる方法は、最終結晶の深準位電気相殺を作り出す、特に、所定量の深準位ドーパント、好ましくは、バナジウム元素又は炭化バナジウムなどのバナジウム化合物、が前記超高純度SiCソース材料に添加され、前記ドーパントは、結晶中の、浅準位不純物濃度よりも高く、好ましくは、この浅準位不純物濃度の少なくとも2倍の深準位元素(バナジウム)濃度を達成するのに充分な慎重に制御された量、添加される、
5)結晶中の沈殿物及びその他の構造欠陥を形成を回避するために特別な手段が講じられる、特に、前記ソースに添加される深準位金属(即ち、バナジウム)の量は、結晶中のドーパント濃度がその溶解限度よりも遥かに低くなるように構成される。
本発明により、高比抵抗、低容量及び高熱伝導性を備える、6H SiCのバナジウムドーピングされた半絶縁性単結晶が、物理気相輸送(PVT)成長法を使用して製造される。PVT成長アセンブリの略図が図1に示されている。成長容器及び高温領域のその他のコンポーネントは、高密度グラファイトから形成され、ホウ素含有率を、好ましくは、0.05重量ppm以下に、低下させるべく周知の工業的処理によって精製される。低ホウ素含有グラファイトの典型的な不純物含有率を表1に示す。
表1.SiC結晶成長に使用されたグラファイトの純度、GDMS,wppm
表2. 合成された多結晶SiCソースの純度、GDMS,cm−3
表6. 米国特許5,611,955の教示によって成長された結晶と本発明によって成長された結晶との比較
Claims (25)
- 室温で少なくとも1×106Ω・cmの比抵抗を有し、内部に深準位ドーパントと低濃度のバックグラウンド不純物とを有した1つの単結晶炭化ケイ素ポリタイプを含む、半導体デバイスに使用される組成物であって、
前記深準位ドーパントが、SiCバンドギャップのエッジから少なくとも0.3eVの深さでのエネルギ準位を有し、
前記深準位ドーパントが周期表族IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIBに含まれる元素であり、
前記深準位ドーパントの濃度がSiC中での溶解限度以下であり、
ホウ素と窒素との浅準位不純物の濃度が5×1016cm−3以下、好ましくは、1×1016cm−3以下であり、
アルミニウムやチタンなどのその他の意図されないバックグラウンド不純物の濃度が1×1015cm−3以下、好ましくは、5×1014cm−3以下であり、
前記深準位ドーパントの濃度が、浅準位アクセプタと浅準位ドナーとの濃度の間の差以上で、好ましくは、この差の2倍以上であり、
前記浅準位ドナーの濃度が浅準位アクセプタの濃度よりも低い、
半導体デバイス用の組成物。 - 請求項1の組成物であって、前記深準位ドーパントは、周期表族IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIBに含まれる元素、又はこれらの元素の組み合わせの少なくとも1つである、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記選択された深準位ドーパントはバナジウムである、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記選択された深準位ドーパントはチタンである、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記深準位ドーパントは、気相から、炭化ケイ素の蒸着中に導入される、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記炭化ケイ素ポリタイプは、2H、4H、6H、3C及び12Rのいずれか1つである、組成物。
- 請求項1の組成物であって、製造された基材の基材領域に渡る比抵抗均一性は、±15%以内である、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記基材の容量は1pF/mm2以下である、組成物。
- 請求項1の組成物であって、前記熱伝導性は、320W/(m・K)以上、好ましくは350W/(m・K)以上、最も好ましくは400W/(m・K)以上である、組成物。
- 半導体デバイス用の組成物であって、
炭化ケイ素半導体材料を含み、
バンドエッジからマイナス0.3eVのエネルギ準位の浅準位ドーパントの濃度が1×1016cm−3以下であり、
前記深準位ドーパントは、周期表族IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIBに含まれる元素を含み、前記深準位ドーパントの濃度は2×1016cm−3以下である、組成物。 - 個々の浅準位ドナー窒素とリン、及び個々の浅準位アルミニウムとホウ素が、少なくとも5×1016cm−3以下、好ましくは、標準GDMS測定の検出限界以下である、特別に作成されたソース材料から作られた請求項10に記載の組成物。
- 請求項10に記載の組成物であって、前記選択された深準位ドーパントは、1×1016cm−3の濃度で含まれる、組成物。
- 請求項10に記載の組成物であって、前記選択された深準位ドーパントは、1×1016cm−3の濃度で含まれるバナジウムである、組成物。
- 請求項10に記載の組成物であって、前記ドーパントは、気相から、炭化ケイ素の蒸着中に導入される、組成物。
- 1×106Ω・cm以上の比抵抗を有する炭化水素半絶縁性結晶を含む、半導体デバイス用の組成物であって、
少なくとも0.3eVの深さを有する深準位ドーパントの濃度が1×1016cm−3であり、
0.3eV以下の深さを有する浅準位ドーパントの濃度が1×1016cm−3であり、
基材容量が1pF/mm2以下である、組成物。 - 炭化ケイ素の半絶縁性単結晶を製造する方法であって、
炭化水素ソース材料の温度以下で、且つ、該ソースからの昇華された炭化水素及び深準位種がシード上で凝縮する温度にまで炭化ケイ素シード結晶を加熱する工程と、
当該過熱する工程を行いながら、所定のただし少量の深準位捕捉元素を含有する特殊純化された前記炭化水素ソース材料を加熱昇華させる工程と、
成長温度及び成長圧力を、高純度環境及び結晶への前記深準位元素の導入を維持する範囲に維持する工程と、
当該維持する工程の間、前記ソースと前記シードとを、意図的にドーピングされた結晶が所望の量、前記シード上で成長するまで加熱し続ける工程と、
を有する方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記炭化ケイ素ソース材料は、浅準位不純物、特に、ホウ素と窒素とを、1×1016cm−3以下、好ましくは、GDMS等の標準分析手段の検出限界以下、の濃度で含む、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記ソース粉体は、周期表族IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIBに含まれる金属元素の1つから選択される深準位捕捉元素を含む、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記ソース粉体中の前記深準位捕捉元素の濃度は、最終結晶中の残留キャリアを相殺するのに充分であって、当該結晶中での溶解限度以下となるように選択される、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記深準位元素はバナジウムである、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、昇華成長炉のグラファイト部分は、前記炭化ケイ素成長での前記浅準位キャリア濃度を少なくとも5×1016cm−3、好ましくは1×1016cm−3以下に低減させるべく高度に精製される、方法。
- 請求項16の方法であって、高純度で、少なくとも1×106Ω・cm、好ましくは少なくとも1×108Ω・cm、最も好ましくは少なくとも1×109Ω・cmの高い比抵抗を示す低濃度の深準位の単ポリタイプ結晶を作るために昇華成長を行う、方法。
- 請求項16の方法であって、結晶から作られる基材は、基材領域に渡って少なくとも±15%で均一である比抵抗を示す、方法。
- 請求項16の方法であって、結晶から作られる基材は、5pF/mm2以下、好ましくは1pF/mm2以下の容量を示す、方法。
- 請求項16の方法であって、結晶から作られる基材は、320W/(m・K)以上、好ましくは、400W/(m・K)以上の熱伝導性を示す、方法。
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