DE112009003685T5 - P-SiC-Halbleiter - Google Patents

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Abstract

Ein p-SiC-Halbleiter beinhaltet einen SiC-Kristall, der Aluminium und Titan als Dotierstoffe enthält, wobei die Atomanzahlkonzentration von Titan kleiner oder gleich der Atomanzahlkonzentration von Aluminium ist. Es wird bevorzugt, dass die Aluminiumkonzentration und die Titankonzentration die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%. Noch bevorzugter erfüllen die Aluminiumkonzentration und die Titankonzentration die nachstehend angeführten Beziehungen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ (Konzentration für Titan) ≤ 1 × 1018/cm3.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft einen SiC-Halbleiter, und insbesondere einen p-SiC-Halbleiter mit niedrigem Widerstand.
  • 2. Stand der Technik
  • In der Vergangenheit war es schwer, einen p-SiC-Halbleiter mit geringem Widerstand zu erhalten. Die Druckschrift JP-A-2005-507360 beschreibt beispielsweise ein Verfahren für den Erhalt eines semi-isolierenden SiC-Einkristalls mit hohem Widerstand durch Verwendung einer Kombination aus hochkonzentrierten intrinsischen Fehlern in tiefen Energieniveaus und Akzeptoren (Ti und B) auf tiefen Energieniveaus. Ein Verfahren zur Herstellung eines p-SiC-Einkristalls durch Aluminiumdotierung nach einem abgewandelten Lely-Verfahren (Sublimationsverfahren) ist in dem Artikel T. L. Staubinger et al., Material Science Forum, 389–393, 2002, Seite 131 beschrieben. Das Kristallwachstum mit hochkonzentrierter Aluminiumdotierung kann jedoch die Kristallinität nachteilig beeinflussen. Die Druckschrift JP-A-2008-100890 beschreibt ein Herstellungsverfahren, bei dem die verwendete Flüssiglegierung beim Wachsen eines Siliziumcarbideinkristalls durch ein Flüssigphasenwachstumsverfahren eine Si-Al-M-Legierung ist (wobei M beispielsweise Ti ist). Aluminium und Titan werden jedoch für den Erhalt eines hochqualitativen Siliziumcarbideinkristalls verwendet, und es ist weder ein Verfahren zur Steuerung der Mengen von diesen Elementen, die in den Kristall gemischt werden, noch die Eigenschaften des Kristalls in dieser Druckschrift beschrieben.
  • Die Gründe, warum die Herstellung eines p-SiC-Halbleiters schwierig ist, sind wie folgt.
  • Weil in einem SiC-Kristall die Beweglichkeit von Löchern, welche p-Ladungsträger sind, im Vergleich zu Elektronen, die n-Ladungsträger sind, niedriger ist, ist es schwieriger, ein p-SiC-Substrat mit geringem Widerstand zu erhalten, als ein n-SiC-Substrat mit geringem Widerstand zu erhalten.
  • Aluminium und Bor sind repräsentative Akzeptoren für p-SiC. Die Ionisationsenergie von Aluminium und Bor ist jedoch höher als die von Stickstoff, der ein Donator für n-SiC ist. Somit ist es schwierig, ein p-SiC-Substrat mit geringem Widerstand zu erhalten.
  • Es ist möglich, ein Verfahren zur Erhöhung der Aluminiumdotierungsmenge zu verwenden, um den Widerstand zu verringern. Dies führt jedoch zu einer Reduktion in der Beweglichkeit, und die Kristallinität des SiC-Einkristalls kann ebenfalls reduziert werden.
  • Somit besteht ein Bedarf für ein Verfahren zur unabhängigen Steuerung der in den SiC-Einkristall eingeführten Aluminiummenge und der darin eingeführten Titanmenge.
  • Die Druckschriften JP-A-2007-13154 , JP-A-2008-505833 , WO 2004/090969 , JP-A-10-70273 sowie JP-A-2006-237319 beschreiben, dass Aluminium und Titanatome in einen SiC-Einkristall eingeführt werden. Diese Druckschriften lehren jedoch nicht, wie der Widerstand reduziert wird.
  • ERFINDUNGSZUSAMMENFASSUNG
  • Die Erfindung stellt einen p-SiC-Halbleiter mit geringem Widerstand bereit.
  • Nach einer Ausgestaltung der Erfindung beinhaltet ein p-SiC-Halbleiter einen SiC-Kristall, der als Dotierstoffe Aluminium und Titan enthält, wobei die Konzentration der Atomanzahl für Titan kleiner gleich der Konzentration der Atomanzahl für Aluminium ist.
  • Bei der vorstehenden Ausgestaltung kann die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan die nachstehend angeführte Beziehung erfüllen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%.
  • Bei der vorstehend beschriebenen Ausgestaltung können die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: 5 × 1018/cm3 ≤ (Konzentration für Aluminium) ≤ 1 × 1020/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%.
  • Bei der vorstehend beschriebenen Ausgestaltung können die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan die nachstehend aufgeführten Beziehungen erfüllen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ (Konzentration für Titan) ≤ 1 × 1018/cm3.
  • Bei der vorstehend beschriebenen Ausgestaltung können die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: 5 × 1018/cm3 ≤ (Konzentration für Aluminium) ≤ 1 × 1020/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ (Konzentration für Titan) ≤ 1 × 1018/cm3.
  • Erfindungsgemäß enthält ein Siliziumcarbideinkristall als Akzeptoren Titan sowie Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan ist kleiner gleich der Atomanzahlkonzentration für Aluminium, so dass es möglich ist, den spezifischen Widerstand im Vergleich zu dem Fall zu reduzieren, wenn nur Aluminium hinzugefügt wird.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorstehenden und weiteren Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind aus der nachstehenden Beschreibung von Beispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher ersichtlich. Es zeigen:
  • 1 eine graphische Darstellung der Variation des spezifischen Widerstands mit der Änderung in der Titankonzentration für jeweilige Aluminiumkonzentrationen in einem Siliziumcarbideinkristall, dem Aluminium- und Titanatome erfindungsgemäß hinzugefügt worden sind.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Erfindungsgemäß wird bevorzugt, dass die Atomanzahlkonzentration von Aluminium und die Atomanzahlkonzentration von Titan die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%.
  • Noch bevorzugter ist, dass die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan die nachstehenden Beziehungen erfüllen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ (Konzentration für Titan) ≤ 1 × 1018/cm3.
  • Es ist nicht nötig, das Verfahren für das Einbringen von Aluminium und Titan auf ein bestimmtes Verfahren zu beschränken. Beispielsweise kann eine Gasphasenabscheidung (Sublimationsvorgang, chemische Gasphasenabscheidung (CVD), usw.), ein Epitaxiewachstumsverfahren, ein Flüssigphasenwachstumsverfahren, ein Ionenimplantationsverfahren usw. verwendet werden.
  • Es wurde eine Probe hergestellt, die durch Einbringen von Aluminium- und Titanatomen in einen Siliziumcarbideinkristall durch Ionenkoimplantation erhalten wurde. Zu Vergleichszwecken wurde außerdem eine Probe ausgebildet, die durch Einbringen nur von Aluminium in einen Siliziumcarbideinkristall erhalten wurde.
  • <Implantationsprobe>
  • Um 8 Grad verkipptes n-4H-SiC(0001)-Substrat mit einer n-Epitaxieschicht (Dotierstoffmenge: etwa 5 × 1015/cm3) <Ionenimplantationsbedingungen>
    Implantationstiefe: 200 nm
    Neigungswinkel: 0°
    Implantationswinkel: 0°
    Implantationssubstrattemperatur: 500°C
    <Hochtemperaturausheilung nach Implantation>
    Heiztemperatur: 1750°C
    Heizzeit: 20 Minuten
  • Die Atomanzahlkonzentration für Aluminium und die Atomanzahlkonzentration für Titan wurden durch Sekundärionenmassenspektrometrie (SIMS) für jede der Proben gemessen, in die Ionen implantiert worden sind. Danach wurde der spezifische Widerstand jeder Probe bestimmt, indem eine Hall-Effekt-Messung durch das van der Pauw-Verfahren durchgeführt worden ist. Das Ergebnis ist gesammelt in Tabelle 1 gezeigt. In Tabelle 1 sind außerdem die Verbesserungsraten für den spezifischen Widerstand gezeigt, die unter Verwendung der nachfolgenden Gleichung erhalten werden. Verbesserungsrate (%) = {1 – (ρ2/ρ1)} × 100 ρ1: spezifischer Widerstand (Ω·cm) der Probe, wenn nur Aluminium eingebracht worden ist
    ρ2: spezifischer Widerstand (Ω·cm) der Probe, wenn Aluminium und Titan eingebracht worden sind
    Aluminiumkonzentration (/cm3) Titankonzentration (/cm3) Titan/Aluminium-Konzentrationsverhältnis (%) Spezifischer Widerstand (Ω·cm) Verbesserungsrate des spezifischen Widerstands (*) Wirkung Probennr.
    2 × 1017 Nicht implantiert 0 3,61 – – Vergleichsbelspiel 1
    5 × 1016 25 4,21 –17% Negativ Vergleichsbeispiel 2
    5 × 1018 Nicht implantiert 0 1,03 – – Vergleichsbeispiel 3
    1 × 1017 2 0,93 +10% Positiv Beispiel 1
    1 × 1018 20 0,80 +22% Positiv Beispiel 2
    5 × 1018 100 1,23 –19% Negativ Vergleichsbeispiel 4
    1 × 1019 200 1,51 –47% Negativ Vergleichsbeispiel 5
    1 × 1020 Nicht implantiert 0 0,25 – – Vergleichsbeispiel 6
    1 × 1016 0,01 0,23 +8% Positiv Beispiel 3
    1 × 1017 0,1 0,22 +12% Positiv Beispiel 4
    1 × 1018 1 0,20 +20% Positiv Beispiel 5
    1 × 1018 5 0,22 +12% Positiv Beispiel 6
    1 × 1019 10 0,23 +8% Positiv Beispiel 7
    5 × 1020 Nicht implantiert 0 0,077 – – Vergleichsbeispiel 7
    1 × 1016 0,002 0,078 –1% Negativ Vergleichsbeispiel 8
    1 × 1017 0,02 0,075 +3% Positiv Beispiel 8
    1 × 1016 0,2 0,071 +8% Positiv Beispiel 9
    Tabelle 1 (*) +: verbessert –: verschlechtert
  • In Tabelle 1 sind die Verbesserungsraten für den spezifischen Widerstand für jeweilige Konzentrationen von Aluminium und Titan gezeigt. In Tabelle 2 geben die schattierten Zellen an, dass die Konzentrationen von Aluminium und Titan innerhalb eines wie folgt definierten Bereichs liegen: (Konzentration von Aluminium) ≥ 5 × 18/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration von Titan)/(Konzentration von Aluminium) ≤ 20%, und die durch dicke Linien umgebenen Zellen geben an, dass die Konzentrationen für Aluminium und Titan innerhalb eines wie folgt definierten Bereichs liegen: (Konzentration für Aluminium) ≥ 5 × 1018/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ (Konzentration für Titan) ≤ 1 × 1018/cm3.
    Figure 00070001
    Tabelle 2: Verbesserungsrate
  • Tabelle 3 zeigt das Verhältnis (%) der Titankonzentration zur Aluminiumkonzentration, und Tabelle 4 zeigt die Beziehungen zwischen den jeweiligen Verhältnissen und die Probenummern.
    Figure 00070002
    Tabelle 3: Kombinationen aus Aluminium- und Titan-Konzentrationen
    Figure 00080001
    Tabelle 4: Probennummern
  • 1 zeigt die Variation des spezifischen Widerstands mit der Änderung in der Titankonzentration, wenn die Aluminiumkonzentration 1 × 1020/cm3 bzw. 5 × 1020/cm3 beträgt. Es zeigt sich deutlich, dass, wenn die Aluminiumkonzentration 1 × 1020/cm3 ist, der spezifische Widerstand monoton abnimmt, wenn die Titankonzentration ansteigt. Wenn die Aluminiumkonzentration 5 × 1020/cm3 beträgt, ist die Abnahme im spezifischen Widerstand mit dem Anstieg in der Titankonzentration gering, weil die Aluminiumkonzentration hoch ist, und der Absolutwert des spezifischen Widerstands daher relativ gering ist, selbst wenn kein Titan hinzugefügt wird. Es wird jedoch davon ausgegangen, dass es insgesamt die Tendenz einer graduellen Abnahme gibt.
  • Erfindungsgemäß wird durch Einbringen von sowohl Aluminium als auch Titan ein p-SiC-Halbleiter bereitgestellt, dessen Widerstand im Vergleich zu dem Fall reduziert ist, in dem nur Aluminium hinzugefügt wird.
  • Während die Erfindung vorstehend unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben ist, versteht sich, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen Beispiele beschränkt ist. Die Erfindung soll im Gegenteil verschiedene Abwandlungen und Äquivalente abdecken.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005-507360 A [0002]
    • JP 2008-100890 A [0002]
    • JP 2007-13154 A [0008]
    • JP 2008-505833 A [0008]
    • WO 2004/090969 [0008]
    • JP 10-70273 A [0008]
    • JP 2006-237319 A [0008]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Artikel T. L. Staubinger et al., Material Science Forum, 389–393, 2002, Seite 131 [0002]

Claims (5)

  1. P-SiC-Halbleiter mit einem SiC-Kristall, der als Dotierstoffe Aluminium und Titan enthält, wobei eine Atomanzahlkonzentration von Titan kleiner oder gleich einer Atomanzahlkonzentration von Aluminium ist.
  2. P-SiC-Halbleiter nach Anspruch 1, wobei die Konzentration von Aluminium und die Konzentration von Titan die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: Konzentration von Aluminium ≥ 5 × 1018/cm3; und 0,01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%.
  3. P-SiC-Halbleiter nach Anspruch 2, wobei die Aluminiumkonzentration und die Titankonzentration die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: 5 × 1018/cm3 ≤ Konzentration für Aluminium ≤ 1 × 1020/cm3; und 0.01% ≤ (Konzentration für Titan)/(Konzentration für Aluminium) ≤ 20%.
  4. P-SiC-Halbleiter nach Anspruch 1, wobei die Aluminiumkonzentration und die Titankonzentration die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: Konzentration für Aluminium ≥ 5 × 1018/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ Konzentration für Titan ≤ 1 × 1018/cm3.
  5. P-SiC-Halbleiter nach Anspruch 4, wobei die Aluminiumkonzentration und die Titankonzentration die nachstehend angeführten Beziehungen erfüllen: 5 × 1018/cm3 ≤ Konzentration für Aluminium ≤ 1 × 1020/cm3; und 1 × 1017/cm3 ≤ Konzentration für Titan ≤ 1 × 1018/cm3.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014189010A1 (ja) * 2013-05-20 2014-11-27 日立化成株式会社 炭化珪素単結晶及びその製造方法
JP6380267B2 (ja) * 2015-07-09 2018-08-29 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶及びその製造方法
CN113279065B (zh) * 2021-04-01 2022-01-11 浙江大学杭州国际科创中心 一种IVB族原子和铝共掺制备p型4H-SiC的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1070273A (ja) 1996-07-19 1998-03-10 Siemens Ag 炭化珪素上のｍｉｓ構造体の製造法
WO2004090969A1 (ja) 2003-03-24 2004-10-21 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2005507360A (ja) 2001-10-29 2005-03-17 オクメティック オーワイジェー 高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶
JP2006237319A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 New Japan Radio Co Ltd ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法
JP2007013154A (ja) 2005-06-27 2007-01-18 General Electric Co <Ge> 半導体デバイス及びその製作方法
JP2008505833A (ja) 2004-07-07 2008-02-28 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 低ドーピング半絶縁性ＳｉＣ結晶と方法
JP2008100890A (ja) 2006-10-20 2008-05-01 Sumitomo Metal Ind Ltd ＳｉＣ単結晶の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2650730B2 (ja) * 1988-08-08 1997-09-03 シャープ株式会社 炭化珪素半導体を用いたｐｎ接合型発光ダイオード
US5281831A (en) * 1990-10-31 1994-01-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical semiconductor device
JPH04206578A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Toshiba Corp 炭化珪素半導体素子
JP2000277448A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk 結晶材料の製造方法および半導体素子
US6599644B1 (en) * 2000-10-06 2003-07-29 Foundation For Research & Technology-Hellas Method of making an ohmic contact to p-type silicon carbide, comprising titanium carbide and nickel silicide
GB0215150D0 (en) * 2002-07-01 2002-08-07 Univ Hull Photoelectric cell
JP4419937B2 (ja) 2005-09-16 2010-02-24 住友金属工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
JP4697235B2 (ja) * 2008-01-29 2011-06-08 トヨタ自動車株式会社 ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたｐ型ＳｉＣ半導体単結晶

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1070273A (ja) 1996-07-19 1998-03-10 Siemens Ag 炭化珪素上のｍｉｓ構造体の製造法
JP2005507360A (ja) 2001-10-29 2005-03-17 オクメティック オーワイジェー 高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶
WO2004090969A1 (ja) 2003-03-24 2004-10-21 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2008505833A (ja) 2004-07-07 2008-02-28 トゥー‐シックス・インコーポレイテッド 低ドーピング半絶縁性ＳｉＣ結晶と方法
JP2006237319A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 New Japan Radio Co Ltd ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法
JP2007013154A (ja) 2005-06-27 2007-01-18 General Electric Co <Ge> 半導体デバイス及びその製作方法
JP2008100890A (ja) 2006-10-20 2008-05-01 Sumitomo Metal Ind Ltd ＳｉＣ単結晶の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Artikel T. L. Staubinger et al., Material Science Forum, 389-393, 2002, Seite 131

Also Published As

Publication number Publication date
US20110210341A1 (en) 2011-09-01
WO2010058264A1 (en) 2010-05-27
US8399888B2 (en) 2013-03-19
JP2010123794A (ja) 2010-06-03
CN102224592A (zh) 2011-10-19
JP5521317B2 (ja) 2014-06-11
CN102224592B (zh) 2013-05-22
DE112009003685B4 (de) 2020-03-19

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