JP2010202459A - 6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 - Google Patents
6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010202459A JP2010202459A JP2009049768A JP2009049768A JP2010202459A JP 2010202459 A JP2010202459 A JP 2010202459A JP 2009049768 A JP2009049768 A JP 2009049768A JP 2009049768 A JP2009049768 A JP 2009049768A JP 2010202459 A JP2010202459 A JP 2010202459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- carbide single
- type semi
- insulating silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】高抵抗率を有し、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供する。
【解決手段】6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置によって製造される6H形半絶縁性炭化珪素単結晶は、真性点欠陥を有し、真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターである。Rセンターの数は、ドナーとアクセプターとの数の差の絶対値よりも多くする。これにより、容量過渡分光法によって測定されるRセンターが余剰になったドーパントを補償する。また、Rセンターは熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。したがって、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。
【選択図】なし
【解決手段】6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置によって製造される6H形半絶縁性炭化珪素単結晶は、真性点欠陥を有し、真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターである。Rセンターの数は、ドナーとアクセプターとの数の差の絶対値よりも多くする。これにより、容量過渡分光法によって測定されるRセンターが余剰になったドーパントを補償する。また、Rセンターは熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。したがって、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。
【選択図】なし
Description
本発明は、余剰ドーパントを真正点欠陥により補償する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶に関する。
炭化珪素は、炭化珪素は、4H形、6H形、15R形などの結晶多形を有している。炭化珪素は、化学的に安定で、上述の結晶多形によって特有の半導体特性を有する。
また、炭化珪素は、汎用の珪素、ガリウム砒素(GaAs)などと比較して、耐熱性や絶縁破壊性などが優れていることから、パワーデバイス、高周波デバイスへの適用が注目されている。特に、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶は、青色発光素子として用いられる。
エレクトロニクス分野では、半導体材料の電気伝導度は、用途に併せて制御されている。特に、高周波デバイスに適用される半導体材料には、寄生容量の低減効果、素子分離等の点から、高抵抗率(半絶縁性)が必要とされる。
炭化珪素単結晶の半絶縁化については、炭化珪素単結晶にドープされたドナー(例えば、窒素)とアクセプター(例えば、硼素、アルミニウム)のうち、残存するドーパントを、深い準位の不純物、または真性点欠陥によって補償する方法が開示されている(例えば、非特許文献1参照)。
FEDレビュー Vol.1、No.16、2002年3月14日 「大口径・高品質SiCバルク単結晶開発の現状」 大谷昇ら
まず、非特許文献1では、炭化珪素単結晶にバナジウムを添加して半絶縁化する方法では、バナジウムを均一にドープすることが困難なため、比抵抗が均一な半導体ウェハを製造することが困難であるとも報告されている。
また、従来の炭化珪素単結晶の半絶縁化の方法では、次のような問題点もあった。すなわち、浅い準位の真性点欠陥が多いと、電子デバイスが完成するまでの熱履歴により、炭化珪素単結晶の比抵抗が大きく変化する。すなわち、完成後の炭化珪素単結晶の比抵抗が製造時の熱履歴によって変動するという欠点があった。
そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、高抵抗率を有し、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。まず、本発明の第1の特徴は、ドーパントとして、ドナーである第1不純物と、アクセプターである第2不純物とがドープされる6H形半絶縁性炭化珪素単結晶であって、真性点欠陥を有し、前記真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターであり、前記Rセンターの数は、前記第1不純物と第2不純物との差の絶対値よりも多いことを要旨とする。
本発明の第1の特徴によれば、容量過渡分光法によって測定されるRセンターが余剰になったドーパントを補償する。Rセンターは、熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。このため、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。
従って、炭化珪素単結晶の高抵抗化を実現することができ、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供することができる。
本発明の第2の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、比抵抗が1.0×103Ω・cmよりも大きいことを要旨とする。
ここで、容量過渡容量分光法とは、DLTS(深い準位過渡容量分光法)、ICTS(等温容量過渡分光法)である。また、Rセンターは、DLTS、またはICTSによって測定可能な、1.2eV付近にエネルギー準位を持つ真正点欠陥である。Rセンターは、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶のミッドギャップに近いエネルギー準位である。
また、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶には、第1不純物、第2不純物、真性点欠陥のほか、深いエネルギー準位を持つ不純物が悪影響を及ぼさない程度に含まれている。
本発明の第3の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記第1不純物は、窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせであり、前記第2不純物は、ホウ素、アルミニウムの少なくとも一方であることを要旨とする。
本発明の第4の特徴は、本発明の第3の特徴に係り、前記第1不純物は窒素であり、前記第2不純物はホウ素であり、前記窒素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下の値であり、前記ホウ素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下であることを要旨とする。
本発明の特徴によれば、高抵抗率を有し、熱履歴によらず安定した比抵抗を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供することを目的とする。
次に、本発明に係る6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の実施形態について、図面を参照しながら説明する。具体的には、(1)製造装置の構成、(2)6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造方法、(3)6H形半絶縁性炭化珪素単結晶、(4)作用・効果、(5)その他の実施形態について説明する。
(1)製造装置の構成
図1は、実施形態に係る6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1の構成図である。図1に示すように、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1は、黒鉛製坩堝10と、黒鉛製坩堝10を覆う加熱炉20と、加熱炉20の外周に配置された誘電加熱コイル30と、加熱炉20内に供給するアルゴンガスボンベ91と、アルゴンガスを純化した後に加熱炉20内に供給するアルゴン(Ar)ガス純化装置90とを備える。
図1は、実施形態に係る6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1の構成図である。図1に示すように、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1は、黒鉛製坩堝10と、黒鉛製坩堝10を覆う加熱炉20と、加熱炉20の外周に配置された誘電加熱コイル30と、加熱炉20内に供給するアルゴンガスボンベ91と、アルゴンガスを純化した後に加熱炉20内に供給するアルゴン(Ar)ガス純化装置90とを備える。
黒鉛製坩堝10は、支持棒40により、加熱炉20の内部に固定される。
黒鉛製坩堝10は、断熱材(不図示)で覆われている。黒鉛製坩堝10は、反応容器本体50と、蓋部60とを有する。反応容器本体50は、炭化珪素を含む種結晶70と、種結晶70の成長に用いられる昇華用原料80とを収容する。
反応容器本体50は、少なくとも内部が円筒状である。反応容器本体50の内側には、種結晶70が配設される。具体的に、種結晶70は、蓋部60の内側表面61に接着される。蓋部60は、反応容器本体50に螺合により着脱自在に設けられる。
反応容器本体50の内部は、例えば、アルゴン等の不活性ガスが充填されて、不活性雰囲気になっている。反応容器本体50の内部の圧力及び温度は、変更可能である。
種結晶70は、6H形の炭化珪素単結晶である。また、昇華用原料80は、炭化珪素を含む炭化珪素原料である。黒鉛製坩堝10の内部が所定の温度条件及び圧力条件になると、昇華用原料80は、昇華し、種結晶70上に再結晶し、炭化ケイ素単結晶を形成する。炭化ケイ素単結晶は、はじめは凸面状に成長し、やがて、反応容器本体50の内壁に従って成長する。最後には円筒状の炭化珪素単結晶が形成される。
(2)6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造方法
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1を用いて、炭化珪素単結晶を製造する際には、黒鉛製坩堝10の内部に昇華用原料80を配置した後、種結晶70と昇華用原料80とが対向させる。そして、Arガス純化装置90により純化されたアルゴンガスボンベ91内部のアルゴンガスを加熱炉20内に供給しながら、アルゴンガス雰囲気下で昇華用原料80が昇華する温度(2500℃程度)に黒鉛製坩堝10を加熱する。これにより、昇華用原料80が昇華し、種結晶70の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1を用いて、炭化珪素単結晶を製造する際には、黒鉛製坩堝10の内部に昇華用原料80を配置した後、種結晶70と昇華用原料80とが対向させる。そして、Arガス純化装置90により純化されたアルゴンガスボンベ91内部のアルゴンガスを加熱炉20内に供給しながら、アルゴンガス雰囲気下で昇華用原料80が昇華する温度(2500℃程度)に黒鉛製坩堝10を加熱する。これにより、昇華用原料80が昇華し、種結晶70の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造方法は、高純度化されたアルゴンガス雰囲気下において、炭化珪素単結晶を気相成長させる。そのため、炭化珪素単結晶の内部に含まれる窒素濃度が低く、炭化珪素単結晶の抵抗率が高い。
(3)6H形半絶縁性炭化珪素単結晶
上述した6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1によって製造される6H形半絶縁性炭化珪素単結晶について説明する。
上述した6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1によって製造される6H形半絶縁性炭化珪素単結晶について説明する。
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶は、真性点欠陥を有し、真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターである。Rセンターの数は、ドナーとアクセプターとの数の差の絶対値よりも多い。
容量過渡容量分光法とは、DLTS(深い準位過渡容量分光法)、ICTS(等温容量過渡分光法)である。また、Rセンターとは、DLTS又はICTSによって測定可能な1.2eV付近にエネルギー準位を持つ真正点欠陥である。Rセンターは、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶のミッドギャップに近いエネルギー準位である。
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶は、ドナーとして、窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせを含む。また、アクセプターとしてホウ素又はアルミニウムの少なくとも一方を含む。実施形態において、ドナーは、第1不純物を構成する。また、アクセプターは、第2不純物を構成する。
本実施形態において、好ましくは、ドナーは窒素であり、アクセプターはホウ素である。窒素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下の値である。また、ホウ素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下である。すなわち、Rセンターの数は、窒素の濃度とホウ素の濃度との差の絶対値よりも多い。
また、上述の構成を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の比抵抗は、1.0×103Ω・cmよりも大きい。
また、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶には、ドナー、アクセプター、真性点欠陥のほか、深いエネルギー準位を持つ不純物が半絶縁性に対して悪影響を及ぼさない程度に含まれていてもよい。
(4)作用・効果
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1は、ドナーとして、窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせを有し、アクセプターとしてホウ素又はアルミニウムの少なくとも1つ有し、更に真性点欠陥を有する。真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターであり、Rセンターの数は、ドナー(窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせ)とアクセプター(ホウ素又はアルミニウムの少なくとも一つ)との差の絶対値よりも多い。
6H形半絶縁性炭化珪素単結晶の製造装置1は、ドナーとして、窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせを有し、アクセプターとしてホウ素又はアルミニウムの少なくとも1つ有し、更に真性点欠陥を有する。真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターであり、Rセンターの数は、ドナー(窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせ)とアクセプター(ホウ素又はアルミニウムの少なくとも一つ)との差の絶対値よりも多い。
このように、製造装置1により製造された6H形半絶縁性炭化珪素単結晶では、Rセンターが余剰になったドーパントを補償する。Rセンターは、6H形半絶縁性炭化珪素単結晶のミッドギャップ付近にエネルギー準位を有し、熱的に安定なため、炭化珪素単結晶が完成するまでの熱履歴の影響を受けにくい。このため、炭化珪素単結晶が製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。
従って、炭化珪素単結晶の高抵抗化を実現することができ、熱履歴の影響を受けることなく安定した比抵抗を有する6H形半絶縁性炭化珪素単結晶を提供することができる。
従来の電子スピン共鳴(EPR)では、特定の欠陥は検出できても、実効エネルギー値を正確に測定できない為、半絶縁性に有効な真性点欠陥の同定や数量の把握は困難であった。
これに対して、本実施形態では、真性点欠陥の数、すなわち容量過渡分光法によって測定されるRセンターを、ドナー(窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせ)とアクセプター(ホウ素又はアルミニウムの少なくとも一つ)との差の絶対値よりも多くすることにより、電子デバイスが製造されるまでの温度条件によらず、安定して余剰ドーパントを補償することができる。
(5)その他の実施形態
上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上述したように、本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
このように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1…製造装置、 10…黒鉛製坩堝、 20…加熱炉、 30…誘電加熱コイル、 40…支持棒、 50…反応容器本体、 60…蓋部、 61…内側表面、 70…種結晶、 80…昇華用原料、 90…アルゴンガス純化装置、 91…アルゴンガスボンベ
Claims (4)
- ドーパントとして、ドナーである第1不純物と、アクセプターである第2不純物とがドープされる6H形半絶縁性炭化珪素単結晶であって、
真性点欠陥を有し、
前記真性点欠陥のうち最も多く含まれる真性点欠陥は、容量過渡分光法によって測定されるRセンターであり、
前記Rセンターの数は、前記第1不純物と前記第2不純物との差の絶対値よりも多い6H形半絶縁性炭化珪素単結晶。 - 比抵抗が1.0×103Ω・cmよりも大きい請求項1に記載の6H形半絶縁性炭化珪素単結晶。
- 前記第1不純物は、窒素、リン、砒素のうち少なくとも1つ、又はこれらの元素の組み合わせであり、
前記第2不純物は、ホウ素、アルミニウムの少なくとも一方である請求項1に記載の6H形半絶縁性炭化珪素単結晶。 - 前記第1不純物は窒素であり、前記第2不純物はホウ素であり、
前記窒素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下の値であり、
前記ホウ素の濃度は、1立方センチあたり5.0×1016個以下である請求項3に記載の6H形半絶縁性炭化珪素単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009049768A JP2010202459A (ja) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009049768A JP2010202459A (ja) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010202459A true JP2010202459A (ja) | 2010-09-16 |
Family
ID=42964336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009049768A Pending JP2010202459A (ja) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010202459A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003500321A (ja) * | 1999-05-18 | 2003-01-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素 |
JP2005508821A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム優位でない半導体炭化ケイ素 |
JP2005314217A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
JP2006001764A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Honda Motor Co Ltd | 三次元網目構造を備えたセラミック成形体の製造方法およびセラミック成形体 |
JP2008505833A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法 |
-
2009
- 2009-03-03 JP JP2009049768A patent/JP2010202459A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003500321A (ja) * | 1999-05-18 | 2003-01-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素 |
JP2005508821A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム優位でない半導体炭化ケイ素 |
JP2005314217A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
JP2006001764A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Honda Motor Co Ltd | 三次元網目構造を備えたセラミック成形体の製造方法およびセラミック成形体 |
JP2008505833A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | 低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5779171B2 (ja) | SiC単結晶の昇華成長方法及び装置 | |
KR100897312B1 (ko) | 탄화규소단결정의 제조방법 | |
JP4547031B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP4585359B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6760721B2 (ja) | バナジウムでドープしたSiC塊状単結晶の製造方法及びバナジウムでドープしたSiC基板 | |
EP2940196B1 (en) | Method for producing n-type sic single crystal | |
JP5031651B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP2008001532A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP2008110907A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット | |
KR100749860B1 (ko) | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 | |
Wang et al. | High‐Quality and Wafer‐Scale Cubic Silicon Carbide Single Crystals | |
JP6869077B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
US20110086213A1 (en) | Method of producing a silicon carbide bulk single crystal with thermal treatment, and low-impedance monocrystalline silicon carbide substrate | |
JP6335716B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP4673528B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法 | |
KR20130000294A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
JP2010202459A (ja) | 6h形半絶縁性炭化珪素単結晶 | |
JP2017154953A (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP5573753B2 (ja) | SiC成長装置 | |
KR20130033838A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR100738440B1 (ko) | 저저항 반도전 탄화규소 단결정 성장방법 | |
KR20120138112A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
KR100741848B1 (ko) | 탄화규소 단결정 성장 장치 | |
US11629433B2 (en) | SiC single crystal production apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20120216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20130129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131001 |