KR20130033838A - 잉곳 제조 장치 - Google Patents

잉곳 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130033838A
KR20130033838A KR1020110097771A KR20110097771A KR20130033838A KR 20130033838 A KR20130033838 A KR 20130033838A KR 1020110097771 A KR1020110097771 A KR 1020110097771A KR 20110097771 A KR20110097771 A KR 20110097771A KR 20130033838 A KR20130033838 A KR 20130033838A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
guide member
ingot
crucible
seed crystal
manufacturing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020110097771A
Other languages
English (en)
Inventor
허선
손창현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110097771A priority Critical patent/KR20130033838A/ko
Publication of KR20130033838A publication Critical patent/KR20130033838A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/002—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 원료를 수용하는 도가니; 및 상기 원료 상에 위치하는 가이드 부재를 포함하고, 상기 가이드 부재는 금속을 포함한다.

Description

잉곳 제조 장치{APPARATUS FOR FABRICATING INGOT}
본 기재는 잉곳 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.
SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다.
SiC의 경우, 종자정을 사용하여 승화재결정법에 의해 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법이 제시되어 있다. 원료가 되는 탄화규소 분말을 도가니 내에 수납하고 그 상부에 종자정이 되는 탄화규소 단결정을 배치한다. 상기 원료와 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 도가니 내의 원료가 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장된다.
이러한 도가니 내부에 탄화규소 가스가 종자정으로 집속되기 위해 가이드 부재가 위치하고, 이러한 가이드 부재는 일반적으로 그라파이트 소재로 구성된다. 그러나, 이러한 그라파이트 소재의 가이드 부재를 사용할 경우, 상기 단결정과 상기 가이드 부재가 확실히 분리되지 않고 붙어서 성장할 수 있고, 냉각 공정 시 단결정 내부에 응력이 작용할 수 있다. 이는 단결정에 크랙(crack)을 유발할 수 있다. 또한, 단결정 성장이 고온에서 이루어지기 때문에 가이드 부재의 일부에서 손상이 발생하며 이 손상된 일부분은 단결정 내에 유입되어 다양한 결함을 형성하게 되는 원인이 된다.
실시예는 고품질의 잉곳을 성장시킬 수 있다.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 원료를 수용하는 도가니; 및 상기 원료 상에 위치하는 가이드 부재를 포함하고, 상기 가이드 부재는 금속을 포함한다.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치는 가이드 부재를 포함하고, 상기 가이드 부재는 금속을 포함한다. 상기 가이드 부재가 종래의 흑연을 포함하는 것이 아니므로, 잉곳 성장 중 가이드 부재로부터 카본 불순물(carbon particle)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 잉곳으로의 불순물 유입 가능성을 감소시킬 수 있고, 고품질의 잉곳을 성장시킬 수 있다. 종래에는 상기 가이드 부재로써 그라파이트 소재를 사용하였기 때문에, 고온의 성장 공정 중 카본 불순물이 발생하였고, 이러한 카본 불순물이 잉곳에 유입되어 잉곳의 품질 저하를 초래하였다.
특히 상기 가이드 부재는 열처리된 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 가이드 부재는 탄화탄탈륨(TaC)을 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 가이드 부재가 잉곳 성장 중 변형되는 것을 방지할 수 있고, 상기 가이드 부재의 변형으로 인한 잉곳의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 가이드 부재가 탄화탄탈륨을 포함하여, 탄소 가스의 손실없이 안정적으로 4H-SiC 잉곳을 성장시킬 수 있다.
또한, 잉곳 성장 후 냉각 공정 시, 상기 가이드 부재에 압축 현상이 발생하여도 이미 열처리된 금속을 포함하므로 잉곳에 압력을 가하지 못하고 먼저 깨질 수 있다. 즉, 잉곳에 손상 없이 냉각 공정을 수행할 수 있다. 즉, 상기 가이드 부재로 인해 잉곳에 응력이 미치는 것을 방지할 수 있다. 종래에는 상기 가이드 부재와 잉곳의 열팽창계수 차이로 인하여 냉각 공정 시 가이드 부재로 인해 잉곳에 압력이 가해졌다. 이는 잉곳 내에 응력으로 작용하게 되고, 이러한 응력이 임계점 이상 가해지게 되면 잉곳에 크랙(crack)을 유발하게 된다. 또한, 잉곳에 크랙이 발생하지 않더라도 추후 가공 공정에서 크랙을 유발하는 원인이 될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 잉곳 제조 장치에 포함되는 가이드 부재를 도시한 사시도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 도가니(100), 상부 덮개(140), 종자정 홀더(170), 가이드 부재(180), 단열재(200), 석영관(400) 및 발열 유도부(500)를 포함한다.
상기 도가니(100)는 원료(130)를 수용할 수 있다. 상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 원료(130)는 탄화규소 화합물을 포함할 수 있다. 상기 도가니(100)는 탄화규소 분말(SiC powder) 또는 폴리카보실란(polycarbosilane) 을 수용할 수 있다.
상기 도가니(100)는 상기 원료(130)를 수용할 수 있도록 원통형의 형상을 가질 수 있다.
상기 도가니(100)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
일례로, 상기 도가니(100)는 흑연으로 제작될 수 있다.
또한, 도가니(100)는 흑연에 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 상기 물질은, 탄화규소 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물 또는 금속 질화물을 이용할 수 있다. 특히, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 탄소를 포함하는 탄화물이 도포될 수 있다. 또한, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 질소를 포함하는 질화물이 도포될 수 있다.
상기 도가니(100)의 상부에 상부 덮개(140)가 위치할 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100)를 밀폐시킬 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100) 내에서 반응이 일어날 수 있도록 밀폐시킬 수 있다.
상기 상부 덮개(140)는 흑연을 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 상부 덮개(140)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상기 상부 덮개(140)의 하단부에 종자정 홀더(170)가 위치한다. 즉, 상기 종자정 홀더(170)는 상기 원료(130) 상에 배치된다.
상기 종자정 홀더(170)는 종자정(160)을 고정시킬 수 있다. 상기 종자정 홀더(170)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다.
상기 종자정(160)은 상기 종자정 홀더(170)에 부착된다. 상기 종자정(160)이 상기 종자정 홀더(170)에 부착됨으로써, 성장된 잉곳이 상기 상부 덮개(140)에까지 성장되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 종자정(160)은 상기 상부 덮개(140)에 직접 부착될 수 있다.
이어서, 상기 가이드 부재(180)는 상기 도가니(100) 내부에 배치한다. 상기 가이드 부재(180)는 잉곳이 성장하는 부분에 위치할 수 있다. 즉, 상기 가이드 부재(180)는 상기 도가니(100) 및 상기 종자정 홀더(170) 사이에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 상기 가이드 부재(180)는 상기 원료(130) 및 상기 종자정(160) 사이에 위치할 수 있다.
상기 가이드 부재(180)는 경사면을 포함한다. 상기 경사면을 통해 승화된 탄화규소 가스를 가이드할 수 있다. 즉, 상기 가이드 부재(180)는 승화된 탄화규소 가스의 이동통로를 좁게 하여 승화된 탄화규소 가스의 확산을 상기 종자정(160)으로 집속시킬 수 있다. 이를 통해 잉곳의 성장률을 높일 수 있다. 또한, 상기 가이드 부재(180)를 통해 잉곳의 직경을 확장시킬 수 있다.
상기 가이드 부재(180)는 내경 및 외경을 갖는 링 형상일 수 있다. 상기 가이드 부재(180)는 상기 원료(130) 및 상기 종자정(160) 사이를 둘러쌀 수 있다.
상기 가이드 부재(180)의 내경은 상기 종자정(160)으로 갈수록 작아질 수 있다. 이를 통해, 상기 승화된 탄화규소 가스가 종자정(160)으로 집속될 수 있다.
상기 가이드 부재(180)는 금속을 포함한다. 구체적으로, 상기 가이드 부재(180)는 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 지르코늄(Zr) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 가이드 부재(180)가 종래의 흑연을 포함하는 것이 아니므로, 잉곳 성장 중 가이드 부재(180)로부터 카본 불순물(carbon particle)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 잉곳으로의 불순물 유입 가능성을 감소시킬 수 있고, 고품질의 잉곳을 성장시킬 수 있다. 종래에는 상기 가이드 부재(180)로써 그라파이트 소재를 사용하였기 때문에, 고온의 성장 공정 중 카본 불순물이 발생하였고, 이러한 카본 불순물이 잉곳에 유입되어 잉곳의 품질 저하를 초래하였다.
특히 상기 가이드 부재(180)는 열처리된 금속을 포함할 수 있다. 즉, 상기 가이드 부재(180)는 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 지르코늄(Zr) 및 텅스텐(W)을 포함하는 탄화물을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 가이드 부재(180)는 탄화탄탈륨(TaC)을 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 가이드 부재(180)가 잉곳 성장 중 변형되는 것을 방지할 수 있고, 상기 가이드 부재(180)의 변형으로 인한 잉곳의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 가이드 부재(180)가 탄화탄탈륨을 포함하여, 탄소 가스의 손실없이 안정적으로 4H-SiC 잉곳을 성장시킬 수 있다.
일례로, 상기 가이드 부재(180)로 탄탈륨을 사용하는 경우, 탄탈륨을 2000 ℃ 이상의 고온에서 5시간 이상 열처리를 진행하게 되면 원래 물질이 가졌던 탄성이 제거되고 취성이 발생하게 된다. 따라서, 이러한 가이드 부재(180)는 잉곳 성장 시에 변형이 일어나지 않을 수 있다.
또한, 잉곳 성장 후 냉각 공정 시, 상기 가이드 부재(180)에 압축 현상이 발생하여도 이미 열처리된 금속을 포함하므로 잉곳에 압력을 가하지 못하고 먼저 깨질 수 있다. 즉, 잉곳에 손상 없이 냉각 공정을 수행할 수 있다. 즉, 상기 가이드 부재(180)로 인해 잉곳에 응력이 미치는 것을 방지할 수 있다. 종래에는 상기 가이드 부재(180)와 잉곳의 열팽창계수 차이로 인하여 냉각 공정 시 가이드 부재(180)로 인해 잉곳에 압력이 가해졌다. 이는 잉곳 내에 응력으로 작용하게 되고, 이러한 응력이 임계점 이상 가해지게 되면 잉곳에 크랙(crack)을 유발하게 된다. 또한, 잉곳에 크랙이 발생하지 않더라도 추후 가공 공정에서 크랙을 유발하는 원인이 될 수 있다.
이어서, 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)를 둘러싼다. 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 상기 단열재(200)는 탄화규소의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 펠트를 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 단열재(200)는 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 사용할 수 있다. 또한, 상기 단열재(200)는 복수의 층으로 형성되어 상기 도가니(100)를 둘러쌀 수 있다.
이어서, 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 위치한다. 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 끼워진다. 상기 석영관(400)은 상기 발열 유도부(500)에서 단결정 성장장치의 내부로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 상기 석영관(400)은 내부가 빈 중공형의 관일 수 있다. 상기 석영관(400)의 내부 공간에 냉각수가 순환될 수 있다. 따라서, 상기 석영관(400)은 단결정의 성장 속도, 성장 크기 등을 보다 정확하게 제어할 수 있다.
상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 외부에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100) 및 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료를 원하는 온도로 가열할 수 있다.
상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 또한, 상기 도가니(100)의 내부 중심부에서 외곽 방향을 따라 온도가 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(160)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 단결정으로 성장된다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 원료를 수용하는 도가니; 및
    상기 원료 상에 위치하는 가이드 부재를 포함하고,
    상기 가이드 부재는 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 텅스텐(W) 및 이를 포함하는 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 적어도 어느 하나 포함하는 잉곳 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는 탄화탄탈륨(TaC)을 포함하는 잉곳 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 원료 상에 종자정이 위치하고,
    상기 가이드 부재는 상기 원료 및 상기 종자정 사이에 위치하는 잉곳 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는 내경 및 외경을 갖는 링 형상인 잉곳 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는 경사면을 포함하는 잉곳 제조 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 가이드 부재의 내경은 상기 종자정으로 갈수록 작아지는 잉곳 제조 장치.
KR1020110097771A 2011-09-27 2011-09-27 잉곳 제조 장치 KR20130033838A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110097771A KR20130033838A (ko) 2011-09-27 2011-09-27 잉곳 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110097771A KR20130033838A (ko) 2011-09-27 2011-09-27 잉곳 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130033838A true KR20130033838A (ko) 2013-04-04

Family

ID=48436135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110097771A KR20130033838A (ko) 2011-09-27 2011-09-27 잉곳 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130033838A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049432A (ko) * 2014-10-27 2016-05-09 오씨아이 주식회사 탄화규소 잉곳의 열처리 방법
KR20160058352A (ko) * 2014-11-14 2016-05-25 오씨아이 주식회사 잉곳 제조 장치
CN106012002A (zh) * 2016-06-04 2016-10-12 山东大学 一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049432A (ko) * 2014-10-27 2016-05-09 오씨아이 주식회사 탄화규소 잉곳의 열처리 방법
KR20160058352A (ko) * 2014-11-14 2016-05-25 오씨아이 주식회사 잉곳 제조 장치
CN106012002A (zh) * 2016-06-04 2016-10-12 山东大学 一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法
CN106012002B (zh) * 2016-06-04 2018-06-19 山东大学 一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5124402B2 (ja) 炭化珪素単結晶材の焼鈍方法
KR20120138445A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20120140547A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20120135735A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130014272A (ko) 잉곳 제조 장치
KR101882318B1 (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130033838A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130014274A (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
KR20130074712A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130022596A (ko) 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법
KR20120121454A (ko) 종자정 고정 장치 및 이를 포함하는 잉곳 제조 장치
KR20130006841A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130000294A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20120134247A (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
JP6861557B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
KR20120135743A (ko) 잉곳 제조 장치 및 원료 제공 방법
KR101882317B1 (ko) 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법
KR101886271B1 (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
KR20130070479A (ko) 단결정 성장 장치
KR20130020488A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130064649A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130053743A (ko) 잉곳 제조 장치 및 이의 온도 제어 방법
KR20130117178A (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130000298A (ko) 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
KR20130014273A (ko) 잉곳 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid