KR101882317B1 - 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 42
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 46
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 10
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000585359 Homo sapiens Suppressor of tumorigenicity 20 protein Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100029860 Suppressor of tumorigenicity 20 protein Human genes 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- -1 silicon carbide compound Chemical class 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
- C30B23/005—Controlling or regulating flux or flow of depositing species or vapour
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 원료를 장입하는 도가니; 상기 도가니의 상부에 위치하고, 종자정을 고정하는 홀더를 포함하고, 상기 도가니는 원료 수용부와 가스 룸(gas room)을 포함하고, 상기 가스 룸의 제 1 측벽 두께와 제 2 측벽 두께는 서로 다르다.
Description
본 기재는 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.
SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다.
SiC의 경우, 종자정을 사용하여 승화재결정법에 의해 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법이 제시되어 있다. 원료가 되는 탄화규소 분말을 도가니 내에 수납하고 그 상부에 종자정이 되는 탄화규소 단결정을 배치한다. 상기 원료와 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 도가니 내의 원료가 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장된다.
이러한 단결정 성장이 완료된 후에는 탄화규소 단결정을 슬라이싱 하는 가공을 거쳐 웨이퍼를 제조할 수 있다.
그러나, 이러한 단결정 성장은 탄화규소 단결정은 중심인 볼록한 형태로 단결정이 성장된다. 통상 에피 성장을 진행하기 위해서는 오프-엑시스(off-axis)로 가공된 웨이퍼가 사용되기 때문에, 상기 단결정은 오프-엑시스로 슬라이싱할 때 상기 단결정의 볼록한 부분 즉, 캡(cap) 부분의 손실이 커질 수 있다.
이에 따라, 상기 탄화규소 단결정의 형상을 변경하여 가공시 손실을 적게 하고, 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있는 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법의 필요성이 요구된다.
실시예는 단결정의 수율을 향상시킬 수 있는 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 도가니; 상기 도가니의 상부에 위치하고, 종자정을 고정하는 홀더를 포함하고, 상기 도가니는 원료 수용부 및 가스 룸을 포함하고, 상기 가스 룸은 고온부 및 저온부를 포함한다.
실시예에 따른 단결정 성장 방법은, 도가니에 원료를 장입하는 단계; 상기 도가니를 가열하는 단계; 및 상기 원료가 승화되어 상기 도가니의 상부에 위치하는 홀더에 고정된 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 도가니는 상기 원료를 수용하는 원료 수용부 및 상기 원료의 승화가 일어나는 가스 룸을 포함하고, 상기 가스 룸은 고온부 및 저온부를 포함한다.
실시예에 따른 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법은, 도가니 내에서 가스 룸 부분의 도가니 두께가 서로 다를 수 있다. 이에 따라, 상기 가스 룸 부분에서 두께가 두꺼운 부분은 온도가 높고, 두께가 얇은 부분은 상대적으로 온도가 낮게 형성되어 상기 가스 룸 부분에서 도가니의 좌우 부분으로 온도 구배가 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 두께가 두꺼운 부분보다, 상기 두께가 얇은 부분으로 가스들이 더 많이 이동되므로, 단결정 성장이 한쪽으로 치우져서 성장될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 오프-액시스(off-axis)로 단결정을 슬라이싱(slicing)할 때, 종래 단결정 캡(cap) 부분의 의한 손실을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 단결정 성장의 공정 효율 및 공정 비용을 저감할 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼의 수량도 증가시킬 수 있어 단결정의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 단결정 성장 장치의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 따라 종자정에 단결정이 성장된 것을 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 단결정 성장 장치의 도가니의 상부를 도시한 도면이다.
도 4(a)는 종래 단결정 성장 장치에 따라 제조된 탄화규소 단결정을 도시한 도면이다.
도 4(b)는 실시예예 따른 단결정 성장 장치에 따라 제조된 탄화규소 단결정을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 단결정 성장 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 따라 종자정에 단결정이 성장된 것을 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 단결정 성장 장치의 도가니의 상부를 도시한 도면이다.
도 4(a)는 종래 단결정 성장 장치에 따라 제조된 탄화규소 단결정을 도시한 도면이다.
도 4(b)는 실시예예 따른 단결정 성장 장치에 따라 제조된 탄화규소 단결정을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 단결정 성장 방법의 공정 흐름도를 도시한 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 제1 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 단결정 성장 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 단결정 성장 장치에 의해 웨이퍼에 단결정이 성장된 것을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 단결정 성장 장치(10)는, 도가니(100), 상부 덮개(130), 종자정 홀더(160), 단열재(200), 석영관(400) 및 발열 유도부(500)를 포함한다.
상기 도가니(100)는 원료(120)를 수용할 수 있다.
상기 도가니(100)는 상기 원료(120)를 수용할 수 있도록 원통형의 형상을 가질 수 있다.
상기 도가니(100)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
일례로, 상기 도가니(100)는 흑연으로 제작될 수 있다.
또한, 도가니(100)는 흑연에 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 상기 물질은, 탄화규소 단결정(171)이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물 또는 금속 질화물을 이용할 수 있다. 특히, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 탄소를 포함하는 탄화물이 도포될 수 있다. 또한, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 질소를 포함하는 질화물이 도포될 수 있다.
상기 원료(120)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 구체적으로는, 상기 원료(120)는 규소, 탄소, 산소 및 수소를 포함하는 화합물일 수 있다. 상기 원료(120)는 탄화규소 분말(SiC powder) 또는 폴리카보실란(polycarbosilane)일 수 있다.
상기 도가니(100)에 대해서는 이하에서 좀 더 자세히 설명한다.
이어서, 상기 도가니(100)의 상부에 상부 덮개(130)가 위치할 수 있다. 상기 상부 덮개(130)는 상기 도가니(100)를 밀폐시킬 수 있다. 상기 상부 덮개(130)는 흑연을 포함할 수 있다.
상기 상부 덮개(130)의 하단부에 종자정 홀더(160)가 위치한다. 상기 종자정 홀더(160)는 종자정(170)을 고정시킬 수 있다. 상기 종자정 홀더(160)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다.
상기 종자정(170)은 상기 종자정 홀더(160)에 부착된다. 상기 종자정(170)이 상기 종자정 홀더(160)에 부착됨으로써, 성장된 단결정(171)이 상기 상부 덮개(140)에까지 성장되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 종자정(170)은 상기 상부 덮개(130)에 직접 부착될 수 있다.
이어서, 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)를 둘러싼다. 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 상기 단열재(200)는 탄화규소의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 펠트를 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 단열재(200)는 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 사용할 수 있다. 또한, 상기 단열재(200)는 복수의 층으로 형성되어 상기 도가니(100)를 둘러쌀 수 있다.
이어서, 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 위치한다. 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 끼워진다. 상기 석영관(400)은 상기 발열 유도부(500)에서 단결정 성장장치의 내부로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 상기 석영관(400)은 내부가 빈 중공형의 관일 수 있다. 상기 석영관(400)의 내부 공간에 냉각수가 순환될 수 있다.
상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 외부에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100) 및 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료를 원하는 온도로 가열할 수 있다.
상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 또한, 상기 도가니(100)의 내부 중심부에서 외곽 방향을 따라 온도가 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료(130)의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(170)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 단결정(190)으로 성장된다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 도가니에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 상기 도가니(100)는 원료를 수용하는 원료 수용부 및 상기 원료의 승화가 일어나는 가스 룸을 포함한다. 또한, 상기 가스 룸은 고온부 및 저온부를 포함한다.
상기 가스 룸은 온도가 높게 형성되는 고온부 및 상기 고온부에 비해 온도가 낮게 형성되는 저온부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 갈수록 상기 가스 룸의 두께가 작아질 수 있다. 일례로, 상기 고온부의 두께는 0.75cm 내지 5cm 일 수 있고, 상기 저온부의 두께는 0.5cm 내지 2cm 일 수 있다. 상기 두께 범위에서 상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 갈수록 상기 가스 룸의 두께는 작아진다.
도 3은 상기 도가니(100)의 상면을 도시한 도면이다.
도 3에 도시되어 있듯이, 상기 도가니(100)의 두께는 일정하지 않고, 두께가 두꺼운 부분(T1)과 두께가 얇은 부분(T2)을 포함한다. 즉, 실시예에 따른 도가니(100) 바람직하게는, 상기 도가니(100)의 가스 룸은 한쪽 영역으로 갈수록 두께가 커지거나 또는 작아지는 형상을 가진다. 앞서 설명하였듯이, 상기 두께의 차이에 의해 상기 가스 룸 내에는 고온부와 저온부를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 상기 두께의 차이로 인해 상기 가스룸의 온도는 달라질 수 있다. 즉, 상기 두께가 두꺼운 부분은 온도가 높게 형성되는 고온부일 수 있고, 상기 두께가 얇은 부분은 온도가 낮게 형성되는 저온부일 수 있다.
이에 따라, 상기 가스 룸에서 온도 차이에 의한 온도 구배가 발생하여, 상기 원료에 의해 승화되는 가스의 흐름이 변경될 수 있다. 즉, 상기 두께가 두꺼운 고온부에서 상기 두께가 얇은 저온부 방향으로 가스가 이동될 수 있다.
이에 따라, 상기 온도 구배에 의해 상기 홀더에 고정된 종자정에 성장되는 단결정의 좌우 방향이 불균일한 두께를 가지면서 성장될 수 있다. 즉, 상기 고온부에서 상기 저온부로 가스 들이 이동하게 되므로, 상기 저온부 방향의 단결정이 상기 고온부 방향의 단결정에 비해 두껍게 성장될 수 있다. 따라서, 도 2에 도시되어 있듯이, 상기 단결정 성장은 한쪽으로 치우쳐서 비대칭으로 성장될 수 있다.
도 4를 참조하면, 도 4a는 종래의 단결정 형상을 도시한 도면이고, 도 4b는 실시예에 따른 단결정 형상을 도시한 도면이다. 도 4a 및 도 4b에 도시되어 있듯이, 종래의 탄화규소 단결정(20)은 가운데가 볼록한 형상으로 대칭적인 형상을 가지므로, 웨이퍼(30)를 제조하기 위해 상기 탄화규소 단결정을 슬라이싱 할때, 많은 손실 영역 부분이 생길 수 있다, 그러나, 실시예에 따른 탄화규소 단결정(20)은 대칭 형상이 아닌 한쪽이 치우친 비대칭 형상을 가지므로, 상기 탄화규소 단결정을 슬라이싱 하여 웨이퍼(30)를 제조할 때, 손실 영역을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 단결정은 슬라이싱할 때, 탄화규소 단결정의 손실 영역을 감소할 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼의 수량도 함께 증가할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 단결정 성장 방법을 설명한다. 보다 명확하고 간결한 설명을 위해 앞서 설명한 단결정 성장 장치와 동일하거나 유사한 내용의 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 실시예에 따른 단결정 성장 방법은, 도가니에 원료를 장입하는 단계(ST10); 도가니를 가열하는 단계(ST20); 및 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계(ST30)을 포함한다. 또한, 상기 도가니는 상기 원료를 수용하는 원료 수용부 및 상기 원료의 승화가 일어나는 가스 룸을 포함하고, 상기 가스 룸은 고온부 및 저온부를 포함할 수 있다.
도가니에 원료를 장입하는 단계(ST10)에서는, 상기 도가니(100)의 원료 수용부에 원료를 장입할 수 있다. 상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 원료(130)는 탄화규소 화합물을 포함할 수 있다. 상기 도가니(100)는 탄화규소 분말(SiC powder) 또는 폴리카보실란(polycarbosilane) 을 수용할 수 있다.
도가니를 가열하는 단계(ST20); 및 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계(ST30)에서는 상기 도가니(100) 외부에 위치하는 발열 유도부(500)에 의해 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 외부에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료를 원하는 온도로 가열할 수 있다.
상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료의 승화가 일어난다.
또한, 상기 도가니(100) 내부에서는 상기 가스 룸에서 도가니(100)의 좌우 방향으로 온도 구배가 발생한다. 즉, 상기 도가니(100) 내에서 상부 및 하부 방향의 온도구배와 함께, 도가니(100)의 측면 방향의 온도 구배가 함께 발생할 수 있다. 즉, 상기 두께가 두꺼운 부분(T1)인 고온부에서 상기 두께가 얇은 부분(T2)인 저온부 방향으로 온도 구배가 발생하여 상기 승화된 가스가 상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 이동동될 수 있다. 즉, 상기 두께가 두꺼운 부분(T1)에서 상기 두께가 얇은 부분(T2)으로 상기 승화된 가스가 이동할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 단결정 성장 방법은, 상기 탄화규소 단결정의 모양을 비대칭적으로 성장시킬 수 있다.
상기 고온부의 온도는 상기 저온부의 온도보다 15℃ 내지 150℃ 만큼 클 수 있다. 상기 고온부와 저온부의 온도 차이가 15℃ 미만이거나, 150℃를 초과하는 경우에는 온도구배가 잘 발생되지 않거나, 또는 온도 구배가 너무 커서 원하지 않은 단결정 형상이 성장될 수 있다.
또한, 상기 고온부의 온도는 단결정 성장 온도를 포함하는 2000℃ 내지 2500℃일 수 있다.
앞서 설명하였듯이, 상기 가스 룸 내에서의 온도 구배로 인해 상기 원료의 승화로 인한 가스는 상기 도가니(100)의 하부에서 상기 상부 즉, 종자정 쪽으로 이동하고, 또한, 상기 가스는 상기 가스 룸에서 상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 이동될 수 있다. 이에 따라, 상기 승화된 가스가 상기 저온부 방향으로 더 많이 이동하게 되므로, 상기 종자정에 형성되는 단결정의 형상은 대칭 형상인 아닌 어느 한쪽으로 치우쳐서 성장되는 비대칭 형상으로 성장될 수 있다. 즉, 고온부보다 저온부의 탄화규소 단결정이 더 크게 성장될 수 있다. 즉, 저온부의 탄화규소 단결정의 두께가 고온부의 탄화규소 단결정의 두께보다 더 크게 성장될 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 단결정 성장방법에 의해 성장되는 탄화규소 단결정은 대칭 형상이 아닌 한쪽이 치우친 비대칭 형상을 가지므로, 상기 탄화규소 단결정을 슬라이싱 하여 웨이퍼를 제조할 때, 손실 영역을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 단결정은 슬라이싱할 때, 탄화규소 단결정의 손실 영역을 감소할 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼의 수량도 함께 증가할 수 있어, 단결정의 수율을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법은 도가니(100) 내의 가스 룸 부분의 도가니(100) 두께가 서로 다르다. 이에 따라, 상기 두께에 의해 상기 가스 룸 내에 고온부 및 저온부가 형성되고, 상기 고온부 및 상기 저온부에 의해 상기 가스 룸 내에서 온도구배가 발생한다.
이에 따라, 상기 고온부 즉, 두께가 두꺼운 부분에서, 상기 저온부 즉, 두께가 얇은 부분으로 가스들이 이동되므로, 단결정 성장이 한쪽으로 치우져서 성장될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 단결정 성장 장치는, 오프-액시스(off-axis)로 단결정을 슬라이싱(slicing)할 때, 종래 단결정 캡(cap) 부분의 의한 손실을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 단결정 성장의 공정 효율 및 공정 비용을 저감할 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼의 수량도 증가시킬 수 있어 단결정 수율을 향상시킬 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (13)
- 도가니;
상기 도가니의 상부에 위치하고, 종자정을 고정하는 홀더를 포함하고,
상기 도가니는 원료 수용부 및 가스 룸을 포함하고,
상기 가스 룸은 고온부 및 상기 고온부보다 온도가 낮은 저온부를 포함하고,
상기 도가니에서, 상기 원료 수용부의 폭은 상기 가스 룸의 폭보다 크고,
상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 갈수록 상기 가스 룸의 두께가 작아지는 단결정 성장 장치. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 고온부의 두께는 0.75㎝ 내지 5㎝이고,
상기 저온부의 두께는 0.5㎝ 내지 2㎝ 인 단결정 성장 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 가스 룸에서 상기 원료의 승화가 일어나는 단결정 성장 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 홀더는 탄소를 포함하고,
상기 종자정은 탄화규소를 포함하는 단결정 성장 장치. - 도가니에 원료를 장입하는 단계;
상기 도가니를 가열하는 단계; 및
상기 원료가 승화되어 상기 도가니의 상부에 위치하는 홀더에 고정된 종자정에 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고,
상기 도가니는 상기 원료를 수용하는 원료 수용부 및 상기 원료의 승화가 일어나는 가스 룸을 포함하고,
상기 가스 룸은 고온부 및 상기 고온부보다 온도가 낮은 저온부를 포함하고,
상기 도가니에서, 상기 원료 수용부의 폭은 상기 가스 룸의 폭보다 크고,
상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 갈수록 상기 가스 룸의 두께가 작아지는 단결정 성장 방법. - 삭제
- 제 6항에 있어서,
상기 고온부의 온도는 상기 저온부의 온도보다 15℃ 내지 150℃ 만큼 큰 단결정 성장 방법. - 제 6항에 있어서,
상기 고온부의 온도는 2000℃ 내지 2500℃인 단결정 성장 방법. - 제 6항에 있어서,
상기 홀더는 탄소를 포함하고,
상기 종자정은 탄화규소를 포함하는 단결정 성장 방법. - 제 6항에 있어서,
상기 저온부의 탄화규소 단결정의 두께가 상기 고온부의 탄화규소 단결정의 두께보다 큰 단결정 성장 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 고온부에서 상기 저온부 방향으로 갈수록 상기 종자정에 성장하는 단결정의 두께가 커지는 단결정 성장 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 고온부의 온도는 상기 저온부의 온도보다 15℃ 내지 150℃ 만큼 큰 단결정 성장 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110142882A KR101882317B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110142882A KR101882317B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130074705A KR20130074705A (ko) | 2013-07-04 |
| KR101882317B1 true KR101882317B1 (ko) | 2018-07-27 |
Family
ID=48988744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110142882A KR101882317B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 단결정 성장 장치 및 단결정 성장 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101882317B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101525694B1 (ko) * | 2013-11-08 | 2015-06-03 | 오씨아이 주식회사 | 탄화규소 분말 및 탄화규소 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004131376A (ja) | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶、その製造方法および製造装置 |
| JP2009051701A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06191998A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-12 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の成長方法およびその成長装置 |
| US7192482B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-03-20 | Cree, Inc. | Seed and seedholder combinations for high quality growth of large silicon carbide single crystals |
-
2011
- 2011-12-26 KR KR1020110142882A patent/KR101882317B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004131376A (ja) | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶、その製造方法および製造装置 |
| JP2009051701A (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130074705A (ko) | 2013-07-04 |
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