JP2008252605A - 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素アレイ部30の上部側の光学的黒画素領域(VOPB)の画素行33Aをゲイン1倍の補正用画素行として、画素行33Bをゲイン8倍の補正用画素行としてそれぞれ用い、これら補正用画素行33A,33Bの各画素から取得した画素信号を、カラム処理部50を通すことによってP相とD相との間のゲイン誤差を補正するためのゲイン1倍の補正値とゲイン8倍の補正値として得る一方、これら補正値を用いてマルチプレクサ81においてゲイン誤差の補正処理を行うようにする。
【選択図】図7
Description
単位画素20は、光電変換素子、例えばフォトダイオード21と、例えば転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24および選択トランジスタ25の4つのトランジスタを有する回路構成となっている。ここでは、これらトランジスタ22〜25として、例えばNチャネルのMOSトランジスタを用いた場合を例に挙げている。
画素アレイ部30は、m行×n列の単位画素20の集合体であり、m行×n列の画素配置に対して画素列ごとに垂直信号線31が配線され、画素行ごとに単位画素20を駆動する複数の駆動線32が配線されている。
垂直駆動部40は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素アレイ部30の各画素20を行単位で選択走査しつつ、選択行の画素20に対して、リセットトランジスタ23のリセット駆動、転送トランジスタ22の転送駆動および選択トランジスタ25の選択駆動を行なう。
カラム処理部50は、画素アレイ部30の画素列ごとに配された回路部分によって構成されている。
電流負荷回路部51は、電流源511、キャパシタ512および2つのMOSトランジスタ513,514によって構成され、垂直駆動部40によって選択された画素行の各単位画素20から、P相信号およびD相信号を電流の形で取り出し、これらを画素信号として比較回路部52に伝達する。
比較回路部52は、プログラマブルゲインアンプ(PGA;Programmable Gain Amplifier)等からなる可変ゲイン増幅器521、比較器522、キャパシタ523、ローパスフィルタ(LPF)524、バッファ525、ゲイン検出器526およびゲインフラグ保持回路527を有する構成となっている。
図3は、カウンタ/ラッチ回路部53の具体的な構成の一例を示すブロック図である。カウンタ/ラッチ回路部53は、後述するPLL(Phase Locked Loop)回路61から供給される同期信号pll_ckをカウントし、比較回路部52からフラグ信号が供給された時点で同期信号pll_ckによるカウント動作を停止し、画像信号レベルVslをデジタル値で確定させる。
図1に説明を戻す。参照信号生成部60は、PLL回路61、カウンタ62およびDAC(デジタル−アナログ変換器)63を有する構成となっている。
水平走査部70は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、カラム処理部50の特定の列のカウンタ/ラッチ回路部53に保持されている画素信号レベルのデジタル値をデジタル信号処理部80へ転送させる制御信号を、該当する列のカウンタ/ラッチ回路部53に供給する。
デジタル信号処理部80は、マルチプレクサ81およびDSP(Digital Signal Processor;デジタル信号処理)回路82を有する構成となっている。
システムコントローラ90は、DSP回路82から供給されるフィードバック制御信号に従い、画素アレイ部30の周辺の各回路部を制御する信号を発生する。具体的には、システムコントローラ90は、垂直駆動部40の駆動制御を行なうタイミング信号、電流負荷回路部51の電流源511の制御を行なう制御信号p_iload、2つのMOSトランジスタ513,514の制御を行なう制御信号p_vini,p_vsun、水平走査部70の制御を行なう制御信号などを発生する。
ところで、CMOS型固体撮像装置では、低照度、高照度に関係なく、単位画素20から垂直信号線31を通して供給されるアナログ画素信号Vslをデジタル画素データに変換する際の量子ノイズは常に一定である。このため、低照度の光源下で撮像された物体では、カラム処理部50内の比較器522自体のランダムノイズの影響も重畳されて、S/Nが悪くなり、画面のちらつきが顕著となる。
Nn=√Ns
但し、Nsは単位画素20に入射した光子数、Nnは光ショットノイズの原因となる光子数である。
ここで、デジタルCDS処理を行なう際の問題点について考える。比較回路部52において、ゲインを1倍に設定するか8倍に設定するかはD相の時点でないと判断できない。このため、P相のゲインを何倍に設定するかが大きな問題となる。
そこで、本実施形態では、デジタルCDS処理機能をカラム処理部50に持たせるとともに、カラム処理部50内の比較器522の入力側に可変ゲイン増幅器521を設け、画素信号の大きさ(レベル)に応じて可変ゲイン増幅器521のゲインを設定する構成を採るCMOS型固体撮像装置10において、以下のような構成およびその動作により、P相とD相との間で発生するゲインずれに起因する縦筋を無くし、画質の向上を図ることを特徴としている。
光学的黒画素領域の画素信号を用いてゲイン設定以外は通常の有効画素領域の画素と同じ条件で取り込む。この方法では、通常読み出しと同じ環境で読み出しができるので、比較器522の光学的黒画素領域の画素信号と有効画素領域の画素信号との間のミスマッチは起こりにくいと考えられる。
方法1で光学的黒画素領域の画素信号を読み出す際に、単位画素20の転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23および選択トランジスタ25をオン状態に固定した状態でP相とD相との間のゲイン誤差を出力させることにより、単位画素20によって発生する、画素によるばらつきや暗電流の影響を排除することもできる。
方法1,2を用いて、特定のゲイン設定に対して光学的黒画素領域の複数行の画素から画素信号を取得し、これらの平均値を取って補正値とする。この方法3を用いることにより、画素に特有の誤差としてでてくる暗電流、増幅トランジスタ24の特性ばらつき、コンタクト不良による黒点の影響を軽減させることが可能になる。
別途、垂直信号線31に一定電圧を与えるスイッチ回路を接続し、このスイッチ回路から与えられる一定電圧を基にしてP相とD相との間のゲイン誤差の補正値を取得する。一定電圧としては、光学的黒画素領域の画素信号レベルに相当する電圧、即ち有効画素領域の画素信号レベルの基準となる電圧を与えるようにすればよい。
以下に、P相とD相との間のミスマッチによって発生するゲインずれに起因する縦筋ノイズ成分を無くための具体的な実施例について説明する。
図7は、実施例1に係るCMOS型固体撮像装置10の構成の概略を示すブロック図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。
図8は、実施例1に係るマルチプレクサ81Aの具体的な構成の一例を示すブロック図である。図8に示すように、本例に係るマルチプレクサ81Aは、電流−電圧変換回路811、セレクタ812、可変ゲイン増幅器521の切り替えゲインの数に対応した2つのラインメモリ813A,813B、2つの加算器814A,814B、デジタルアンプ815、2つのクランプ回路816A,816Bおよび出力回路817を有する構成となっている。
上記実施例1では、ゲイン1倍、8倍を行単位で判断し、ゲイン誤差の補正処理を行単位で行うとしたが、ゲイン1倍、8倍を画素単位で判断し、ゲイン誤差の補正処理を画素単位で行うようにすることも可能である。
上記実施例1では、画素アレイ部30の上部側の光学的黒画素領域の画素行33Aをゲイン1倍の補正値を得るための画素行として、画素行33Bをゲイン8倍の補正値を得るための画素行としてそれぞれ用いるとしたが、図12に示すように、画素アレイ部30の下部側の光学的黒画素領域にも、ゲイン1倍の補正値を得るための画素行33Cと、ゲイン8倍の補正値を得るための画素行33Dを設けるようにすることも可能である。
図13は、実施例2に係るCMOS型固体撮像装置10の構成の概略を示すブロック図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。
図14は、実施例2に係るマルチプレクサ81Bの具体的な構成の一例を示すブロック図であり、図中、図8と同等部分には同一符号を付して示している。
上記実施例2では、画素アレイ部30の左側の光学的黒画素領域の画素行34Aをゲイン1倍の補正値を得るための画素列として、画素列34Bをゲイン8倍の補正値を得るための画素列としてそれぞれ用いるとしたが、図16に示すように、画素アレイ部30の右側の光学的黒画素領域にも、ゲイン1倍の補正値を得るための画素列34Cと、ゲイン8倍の補正値を得るための画素列34Dを設けるようにすることも可能である。
図18は、本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図18に示すように、本発明に係る撮像装置100は、レンズ群101を含む光学系、固体撮像装置102、カメラ信号処理回路であるDSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107および電源系108等を有し、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107および電源系108がバスライン109を介して相互に接続された構成となっている。
Claims (14)
- 光電変換素子を含む単位画素が行列状に2次元配置されてなり、前記単位画素のリセット時の第1信号と前記光電変換素子で光電変換して得た電荷に応じた第2信号とを画素信号として信号線に出力する画素アレイ部と、
前記単位画素から出力され、前記信号線を通して供給される前記画素信号の大きさに応じた複数のゲインで当該画素信号を増幅する可変ゲイン増幅器と、前記可変ゲイン増幅器で増幅された前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器とを含む信号処理部と、
前記信号線に対して前記画素信号の基準となる基準信号を供給する信号供給部と、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記信号供給部から前記信号線に供給され、前記信号処理部を経た前記基準信号を前記複数のゲインに対応してそれぞれ保持する複数の記憶部と、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記画素アレイ部の有効画素領域の各単位画素から前記信号線に出力され、前記信号処理部を経た画素信号から前記複数の記憶部にそれぞれ前記複数のゲインに対応して保持されている前記基準信号を減算する補正部と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記信号線に接続され、当該信号線に対して前記基準信号を選択的に供給するスイッチ回路である
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部の一部を遮光したとき、この遮光状態にある単位画素である
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部の周縁部に遮光されて設けられる光学的黒画素領域の単位画素である
ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部における前記信号線の配線方向の一方側の周縁部に設けられた前記光学的黒画素領域の単位画素である
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記光学的黒画素領域の複数行の単位画素であり、
前記複数の記憶部は、前記複数行の単位画素の各画素信号の平均値を保持する
ことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部における前記信号線の配線方向の両側の周縁部に設けられた前記光学的黒画素領域の単位画素である
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記両側の周縁部の前記光学的黒画素領域について各々複数行の単位画素であり、
前記複数の記憶部は、前記各々複数行の単位画素の各画素信号の平均値を保持する
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部における前記信号線の配線方向に直交する方向の一方側の周縁部に設けられた前記光学的黒画素領域の単位画素である
ことを特徴とする請求項5または7記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記光学的黒画素領域の複数列の単位画素であり、
前記複数の記憶部は、前記複数列の単位画素の各画素信号の平均値を保持する
ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記画素アレイ部における前記信号線の配線方向に直交する方向の両側の周縁部に設けられた前記光学的黒画素領域の単位画素である
ことを特徴とする請求項5または7記載の固体撮像装置。 - 前記信号供給部は、前記両側の周縁部の前記光学的黒画素領域について各々複数列の単位画素であり、
前記複数の記憶部は、前記各々複数列の単位画素の各画素信号の平均値を保持する
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 光電変換素子を含む単位画素が行列状に2次元配置されてなり、前記単位画素のリセット時の第1信号と前記光電変換素子で光電変換して得た電荷に応じた第2信号とを画素信号として信号線に出力する画素アレイ部と、
前記単位画素から出力され、前記信号線を通して供給される前記画素信号の大きさに応じた複数のゲインで当該画素信号を増幅する可変ゲイン増幅器と、前記可変ゲイン増幅器で増幅された前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器とを含む信号処理部とを備え、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記信号線に前記画素信号の基準となる基準信号を供給し、前記信号処理部を経た前記基準信号を前記複数のゲインに対応した複数の記憶部にそれぞれ保持し、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記画素アレイ部の有効画素領域の各単位画素から前記信号線に出力され、前記信号処理部を経た画素信号から前記複数の記憶部にそれぞれ前記複数のゲインに対応して保持している前記基準信号を減算する
ことを特徴とする固体撮像装置の信号処理方法。 - 光電変換素子を含む単位画素が行列状に2次元配置されてなり、前記単位画素のリセット時の第1信号と前記光電変換素子で光電変換して得た電荷に応じた第2信号とを画素信号として信号線に出力する画素アレイ部と、
前記単位画素から出力され、前記信号線を通して供給される前記画素信号の大きさに応じた複数のゲインで当該画素信号を増幅する可変ゲイン増幅器と、前記可変ゲイン増幅器で増幅された前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器とを含む信号処理部と、
前記信号線に対して前記画素信号の基準となる基準信号を供給する信号供給部と、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記信号供給部から前記信号線に供給され、前記信号処理部を経た前記基準信号を前記複数のゲインに対応してそれぞれ保持する複数の記憶部と、
前記可変ゲイン増幅器が前記複数のゲインにそれぞれ設定されているときに、前記画素アレイ部の有効画素領域の各単位画素から前記信号線に出力され、前記信号処理部を経た画素信号から前記複数の記憶部にそれぞれ前記複数のゲインに対応して保持されている前記基準信号を減算する補正部と
を備えることを特徴とする撮像装置。
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