JP4546563B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
(付記1)
ノイズ信号と、ノイズ信号を含むデータ信号とからデータ信号の信号レベルを生成する読み出し回路を備えた半導体集積回路であって、
前記読み出し回路は、
前記データ信号の値を複数回サンプリングするサンプリング回路と、
前記サンプリング回路によってサンプリングされた複数回のサンプリング結果を平均化する平均化回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記2)
付記1記載の半導体集積回路において、
ノイズ信号およびノイズ信号を含むデータ信号の信号レベルをサンプリングするサンプリングホールド部と、
前記サンプリングホールド部にサンプリングされた信号レベルをクランプするクランプ部とを備え、
前記読み出し回路は、前記サンプリングホールド部および前記クランプ部の少なくともいずれかに備えられていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記3)
付記1記載の半導体集積回路において、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する複数のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記スイッチ部は、前記サンプリングキャパシタによるサンプリング期間を互いに重複し、かつサンプリング終了タイミングを互いにずらして設定することを特徴とする半導体集積回路。
(付記4)
付記1記載の半導体集積回路において、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する複数のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記スイッチ部は、前記サンプリングキャパシタによるサンプリング期間を、互いに重複しないためにずらして設定することを特徴とする半導体集積回路。
(付記5)
付記1記載の半導体集積回路において、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する一対のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記スイッチ部は、前記信号レベルを前記サンプリングキャパシタの一方に保持し、その後、前記サンプリングキャパシタの他方への前記信号レベルの保持と、一対の前記サンプリングキャパシタを互いに接続する動作とを交互に繰り返すことを特徴とする半導体集積回路。
(付記6)
付記5記載の半導体集積回路において、
前記サンプリングキャパシタの他方の容量値は、前記サンプリングキャパシタの一方の容量値より大きいことを特徴とする半導体集積回路。
(付記7)
付記1記載の半導体集積回路において、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する複数のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記読み出し回路は、
第1入力が入力スイッチを介して前記信号レベルの受信ノードに接続され、出力がフィードバックスイッチを介して第2入力に接続された差動増幅器と、
前記第1入力に供給される前記信号レベルを保持するために、一端が前記第1入力に接続された複数の第1キャパシタと、
前記差動増幅器の出力から前記第2入力にフィードバックされる前記信号レベルを保持するために、基準電圧線と前記第2入力との間に配置された複数の第2キャパシタと、
ノイズ信号を含むデータ信号の信号レベルとノイズ信号の信号レベルとの一方および他方が前記第1および第2キャパシタにそれぞれ保持された後、順次変化する電圧を前記第1キャパシタの他端に与える電圧供給回路と、
前記電圧供給回路が電圧の出力を開始してから前記差動増幅器の出力レベルが反転するまでの時間を、真のデータ信号の信号レベルとして検出する検出回路とを備え、
前記サンプリングキャパシタは、前記第1および第2キャパシタの少なくともいずれかであり、
前記スイッチ部は、前記第1および第2キャパシタを前記第1および第2入力にそれぞれ接続するために配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記8)
付記7記載の半導体集積回路において、
前記検出回路は、
カウンタ値が順次変化するカウンタと、
前記電圧供給回路が電圧の出力を開始してから前記差動増幅器の出力レベルが反転するまでの間に変化したカウンタ値を、真の画素データ信号の信号レベルとして出力する出力回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
(付記9)
付記1記載の半導体集積回路において、
受光素子を各々有する複数の画素を備え、
前記読み出し回路は、前記画素から読み出されるノイズ信号と、ノイズ信号を含むデータ信号とから真のデータ信号を生成することを特徴とする半導体集積回路。
(付記10)
付記9記載の半導体集積回路において、
前記画素は、マトリックス状に配置され、水平方向に並ぶ画素行毎に信号が読み出され、
前記読み出し回路は、垂直方向に並ぶ画素列毎に形成され、
さらに、画素列毎に形成され、前記読み出し回路の出力に接続されたA/D変換器を備えていることを特徴とする半導体集積回路。
Claims (3)
- ノイズ信号と、ノイズ信号を含むデータ信号とからデータ信号の信号レベルを生成する読み出し回路を備えた半導体集積回路であって、
前記読み出し回路は、
前記データ信号の値を複数回サンプリングするサンプリング回路と、
前記サンプリング回路によってサンプリングされた複数回のサンプリング結果を平均化する平均化回路とを備え、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する一対のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記スイッチ部は、前記信号レベルを前記サンプリングキャパシタの一方に保持し、その後、前記サンプリングキャパシタの他方への前記信号レベルの保持と、一対の前記サンプリングキャパシタを互いに接続する動作とを交互に繰り返し、
前記サンプリングキャパシタの他方の容量値は、前記サンプリングキャパシタの一方の容量値より大きいことを特徴とする半導体集積回路。 - ノイズ信号と、ノイズ信号を含むデータ信号とからデータ信号の信号レベルを生成する読み出し回路を備えた半導体集積回路であって、
前記読み出し回路は、
前記データ信号の値を複数回サンプリングするサンプリング回路と、
前記サンプリング回路によってサンプリングされた複数回のサンプリング結果を平均化する平均化回路とを備え、
前記サンプリング回路は、基準電圧線と前記データ信号の信号レベルの伝達経路との間に並列に配置され、信号レベルをそれぞれ保持する複数のサンプリングキャパシタを備え、
前記平均化回路は、前記サンプリングキャパシタにそれぞれ接続された複数のスイッチを有し、信号レベルを互いに異なるタイミングで前記サンプリングキャパシタに順次保持させるために動作し、かつ前記サンプリングキャパシタに保持された信号レベルを平均化するために前記スイッチをオンすることで前記サンプリングキャパシタを互いに接続するスイッチ部を備え、
前記読み出し回路は、
第1入力が入力スイッチを介して前記信号レベルの受信ノードに接続され、出力がフィードバックスイッチを介して第2入力に接続された差動増幅器と、
前記第1入力に供給される前記信号レベルを保持するために、一端が前記第1入力に接続された複数の第1キャパシタと、
前記差動増幅器の出力から前記第2入力にフィードバックされる前記信号レベルを保持するために、基準電圧線と前記第2入力との間に配置された複数の第2キャパシタと、
ノイズ信号を含むデータ信号の信号レベルとノイズ信号の信号レベルとの一方および他方が前記第1および第2キャパシタにそれぞれ保持された後、順次変化する電圧を前記第1キャパシタの他端に与える電圧供給回路と、
前記電圧供給回路が電圧の出力を開始してから前記差動増幅器の出力レベルが反転するまでの時間を、真のデータ信号の信号レベルとして検出する検出回路とを備え、
前記サンプリングキャパシタは、前記第1および第2キャパシタの少なくともいずれかであり、
前記スイッチ部は、前記第1および第2キャパシタを前記第1および第2入力にそれぞれ接続するために配置されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2記載の半導体集積回路において、
前記検出回路は、
カウンタ値が順次変化するカウンタと、
前記電圧供給回路が電圧の出力を開始してから前記差動増幅器の出力レベルが反転するまでの間に変化したカウンタ値を、真の画素データ信号の信号レベルとして出力する出力回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
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