|
US2821517A
(en)
*
|
1954-03-08 |
1958-01-28 |
Westinghouse Electric Corp |
Polyesteramide-siloxane resin and insulated product prepared therefrom
|
|
US4507384A
(en)
*
|
1983-04-18 |
1985-03-26 |
Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation |
Pattern forming material and method for forming pattern therewith
|
|
US4668755A
(en)
*
|
1984-08-10 |
1987-05-26 |
General Electric Company |
High molecular weight siloxane polyimides, intermediates therefor, and methods for their preparation and use
|
|
US5137751A
(en)
*
|
1990-03-09 |
1992-08-11 |
Amoco Corporation |
Process for making thick multilayers of polyimide
|
|
US5183534A
(en)
*
|
1990-03-09 |
1993-02-02 |
Amoco Corporation |
Wet-etch process and composition
|
|
JPH05218008A
(ja)
*
|
1992-02-04 |
1993-08-27 |
Hitachi Chem Co Ltd |
ポリイミド系樹脂膜パターンの製造法
|
|
JPH0669186A
(ja)
*
|
1992-05-29 |
1994-03-11 |
Toray Ind Inc |
シリカ系被膜のパターン加工方法
|
|
US5985704A
(en)
*
|
1993-07-27 |
1999-11-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a semiconductor device
|
|
JPH07133350A
(ja)
*
|
1993-11-12 |
1995-05-23 |
Fujitsu Ltd |
ポリパーフルオロアルキレンシロキサン樹脂とその製造方法および層間絶縁膜の製造方法
|
|
EP0701121A4
(en)
*
|
1994-03-11 |
1997-09-03 |
Kawasaki Steel Co |
ASSESSMENT PROCESS FOR PRODUCING INSULATION COATING USED Siloxanes COATING LIQUID USED FOR THE PRODUCTION OF INSULATION COATING, PROCESS FOR PRODUCING THE LIQUID, METHOD FOR PRODUCING THE ISOLATION COATING FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES BY THE APPLICATION OF THE ABOVE PROCEDURES
|
|
JPH08222550A
(ja)
*
|
1995-02-16 |
1996-08-30 |
Sony Corp |
塗布絶縁膜の平坦化方法
|
|
JPH1083080A
(ja)
*
|
1996-06-26 |
1998-03-31 |
Dow Corning Asia Kk |
紫外線硬化性組成物およびこれを用いた硬化物パターンの形成方法
|
|
JPH1116883A
(ja)
*
|
1997-06-20 |
1999-01-22 |
Dow Chem Japan Ltd |
ベンゾシクロブテン樹脂層のウェットエッチング処理方法
|
|
JP3301370B2
(ja)
*
|
1997-12-11 |
2002-07-15 |
信越化学工業株式会社 |
ポリシランパターン形成基板の製造方法
|
|
TWI234787B
(en)
*
|
1998-05-26 |
2005-06-21 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
Silica-based coating film on substrate and coating solution therefor
|
|
JP2004509468A
(ja)
*
|
2000-09-13 |
2004-03-25 |
シップレーカンパニー エル エル シー |
電子デバイスの製造
|
|
JP2003086372A
(ja)
*
|
2001-09-10 |
2003-03-20 |
Toshiba Corp |
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
|
|
JP2003100865A
(ja)
*
|
2001-09-21 |
2003-04-04 |
Catalysts & Chem Ind Co Ltd |
半導体基板の製造方法および半導体基板
|
|
JP2003179055A
(ja)
*
|
2001-12-11 |
2003-06-27 |
Hitachi Chem Co Ltd |
膜形成方法及び半導体素子の製造方法
|
|
WO2003063205A2
(en)
*
|
2002-01-17 |
2003-07-31 |
Silecs Oy |
Poly(organosiloxane) materials and methods for hybrid organic-inorganic dielectrics for integrated circuit applications
|
|
JP4741177B2
(ja)
*
|
2003-08-29 |
2011-08-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法
|
|
US7492090B2
(en)
*
|
2003-09-19 |
2009-02-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and method for manufacturing the same
|
|
US7520790B2
(en)
*
|
2003-09-19 |
2009-04-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method of display device
|
|
CN100499035C
(zh)
*
|
2003-10-03 |
2009-06-10 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件的制造方法
|
|
CN1839468B
(zh)
*
|
2003-10-08 |
2010-11-24 |
霍尼韦尔国际公司 |
使用甲硅烷基化剂修复低k介电材料的损伤
|
|
US7314785B2
(en)
*
|
2003-10-24 |
2008-01-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method thereof
|
|
US7259110B2
(en)
*
|
2004-04-28 |
2007-08-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of display device and semiconductor device
|
|
US7687404B2
(en)
*
|
2004-05-14 |
2010-03-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing display device
|
|
US8217396B2
(en)
*
|
2004-07-30 |
2012-07-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
|
|
JP4798330B2
(ja)
*
|
2004-09-03 |
2011-10-19 |
Jsr株式会社 |
絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、およびその形成方法
|
|
US7439111B2
(en)
*
|
2004-09-29 |
2008-10-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
KR101123094B1
(ko)
*
|
2004-10-13 |
2012-03-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
에칭 방법 및 반도체장치의 제조방법
|
|
US7547627B2
(en)
*
|
2004-11-29 |
2009-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
|
KR20060068348A
(ko)
*
|
2004-12-16 |
2006-06-21 |
삼성코닝 주식회사 |
실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법
|
|
JP4586655B2
(ja)
*
|
2005-07-05 |
2010-11-24 |
東レ株式会社 |
感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
|
|
JP4687315B2
(ja)
*
|
2005-08-04 |
2011-05-25 |
東レ株式会社 |
感光性樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
|
|
JP5208405B2
(ja)
*
|
2005-12-27 |
2013-06-12 |
東京エレクトロン株式会社 |
基板の処理方法及びプログラム
|