JP2008244017A5 - - Google Patents

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本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
本願発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、ルテニウム膜を有する半導体装置の製造方法であって、基板を還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、前記還元性ガス雰囲気にビス（２−メトキシキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５ヘキサジエン）ルテニウム錯体を供給して前記基板にルテニウム膜を形成する工程と、前記ルテニウム膜をさらに加熱する工程と、を備えることを要旨とする。
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記ルテニウム膜を水素雰囲気の下で加熱することを特徴とする。
請求項９に記載の発明によれば、ルテニウム膜の低抵抗化をさらに促進させることができる。
上記したように、本発明によれば、ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明を具体化した一実施形態に用いる半導体装置の製造装置を模式的に示す平面図。 同じく、Ｒｕチャンバの構成を示す概略断面図。 同じく、製造装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。 Ｒｕ膜の埋め込み性を示すＴＥＭ断面像。 抵抗値評価用のＲｕ膜を示すＴＥＭ断面像。 熱処理条件に対するＲｕ膜の抵抗値を示す図。 半導体装置を示す部分断面図。

Claims (1)

  1. 請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記ルテニウム膜を水素雰囲気の下で加熱すること、
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
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