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- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 32
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 7
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- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N BeO Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 claims 3
- 241000216690 Gracula religiosa Species 0.000 claims 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating Effects 0.000 claims 1
Claims (27)
- 高熱伝導率を有し、電気的抵抗経路に接触するように構成された第1の電気絶縁体と、
前記第1の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の導電体と
を備えるヒート・シンク。 - 前記第1の電気絶縁体により、電気的な絶縁がもたらされると同時に、前記電気的抵抗経路と周囲の材料の間の熱伝導が妨げられることが少なくなる、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 前記第1の電気絶縁体と熱接触し、ヒート・シンク・コンタクトを取り囲む高熱伝導率の絶縁体をさらに備える、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 前記電気的抵抗経路から、前記高熱導電率の絶縁体または前記高熱伝導率の導電体を介して前記ヒート・シンク・コンタクトに向かって形成された熱経路をさらに備える、請求項3に記載のヒート・シンク。
- 前記電気的抵抗経路は、前記高熱伝導率の導電体の上部に形成される、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 前記高熱伝導率の導電体の上に形成された窒化物層と、
前記窒化物層の上に形成された高熱伝導率の第2の絶縁体と、
ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第1の電気絶縁体に入るように形成された熱経路と、をさらに備える、請求項5に記載のヒート・シンク。 - 前記熱経路は、前記電気的抵抗経路の下に設けられ、かつ、前記ヒート・シンク・コンタクトの2つの間にまたがる金属基板を含む、請求項6に記載のヒート・シンク。
- 前記熱経路は、前記ヒート・シンク・コンタクトの両側に設けられる、請求項7に記載のヒート・シンク。
- 前記金属基板は、前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に配置された第2の電気絶縁体を含む、請求項7に記載のヒート・シンク。
- 前記熱経路は、前記ヒート・シンク・コンタクトの両側に設けられる、請求項6に記載のヒート・シンク。
- 前記第1の電気絶縁体は、Al2O3、CeO2、CoO、またはBeOの少なくともいずれか1つを含む、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 前記第1導電体は、銅およびタングステンの少なくともいずれか1つを含む、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の第2の電気絶縁体と、前記第2の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の第2の導電体とをさらに備える、請求項1に記載のヒート・シンク。
- ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第1の電気絶縁体に入るように形成された熱経路をさらに備える、請求項1に記載のヒート・シンク。
- 第1基板内に配置された電気的抵抗経路と、
前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の電気絶縁体と、
前記電気絶縁体に隣接して配置された第2基板と、
前記電気絶縁体と熱接触して前記第2基板内に配置された高熱伝導率の導電体と
を備える、抵抗器。 - 前記電気絶縁体は、Al2O3、CeO2、CoO、またはBeOの少なくともいずれか1つを含み、
前記導電体は、銅またはタングステンの少なくともいずれか1つを含む、請求項15に記載の抵抗器。 - 前記電気絶縁体および前記導電体と熱接触して配置された高熱伝導率の第2の電気絶縁体をさらに備える、請求項15に記載の抵抗器。
- 前記第2の電気絶縁体の長手方向の長さは、前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に配置される、請求項17に記載の抵抗器。
- 前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の第2の電気絶縁体と、前記第2の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の第2の導電体とをさらに備える、請求項15に記載の抵抗器。
- 熱経路は、ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第1の電気絶縁体に入るように形成される、請求項15に記載の抵抗器。
- 第1の導電体および第2の導電体に隣接して高熱伝導率の電気絶縁体膜を備える、集積回路内の熱界面であって、前記高熱伝導率の電気絶縁体膜は、Al2O3、CeO2、CoO、またはBeOの少なくともいずれか1つを含み、前記第1の導電体は抵抗器を含み、前記第2の導電体は金属を含む、熱界面。
- 前記第2の導電体は、前記第1の導電体から、前記高熱伝導率の電気絶縁体膜を通過してヒート・シンクに熱を伝えるように構成される、請求項21に記載の熱界面。
- 抵抗器を冷却する方法であって、
電気的抵抗経路と熱接触して高熱伝導率の第1の電気絶縁体を形成するステップと、
前記第1の電気絶縁体に隣接して基板を形成するステップと、
前記第1の電気絶縁体と熱接触して第2基板内に高熱伝導率の第1の導電体を形成するステップと
を含む、方法。 - 前記第1の電気絶縁体および前記第1導電体と熱接触して高熱伝導率の第2の電気絶縁体を形成するステップをさらに備える、請求項23に記載の方法。
- 前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に、前記第2の電気絶縁体の長手方向の長さを形成するステップをさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 電気的抵抗経路と熱接触して高熱伝導率の第2の電気絶縁体を形成し、前記第1の電気絶縁体と熱接触して高熱伝導率の第2の導電体とを形成するステップをさらに含む、請求項23に記載の方法。
- ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第1の電気絶縁体に入る熱経路を形成するステップをさらに含む、請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/905,546 US7310036B2 (en) | 2005-01-10 | 2005-01-10 | Heat sink for integrated circuit devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006196894A JP2006196894A (ja) | 2006-07-27 |
JP2006196894A5 true JP2006196894A5 (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=36652694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006001619A Pending JP2006196894A (ja) | 2005-01-10 | 2006-01-06 | ヒート・シンク、抵抗器、抵抗器の冷却方法(集積回路デバイス用ヒート・シンク) |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7310036B2 (ja) |
JP (1) | JP2006196894A (ja) |
CN (1) | CN100431141C (ja) |
TW (1) | TWI391958B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102097920B (zh) * | 2010-11-10 | 2014-02-12 | 中电普瑞科技有限公司 | 一种用于大功率电力电子功率器件的吸收电路 |
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US8912630B2 (en) | 2012-04-11 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit including thermal gate, related method and design structure |
US20140124880A1 (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-08 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive random access memory |
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CN105226044B (zh) | 2014-05-29 | 2018-12-18 | 联华电子股份有限公司 | 集成电路及形成集成电路的方法 |
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FR3059465A1 (fr) * | 2016-11-30 | 2018-06-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Systeme microelectronique a dissipation de chaleur |
US10405418B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-09-03 | Industrial Technology Research Institute | Differential signal transmitting circuit board |
US10475725B2 (en) | 2017-11-08 | 2019-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Structure to enable higher current density in integrated circuit resistor |
US11637068B2 (en) | 2020-12-15 | 2023-04-25 | Globalfoundries U.S. Inc. | Thermally and electrically conductive interconnects |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US584134A (en) | 1897-06-08 | Churn | ||
US594590A (en) | 1897-11-30 | Hydraulic elevator | ||
US530497A (en) | 1894-12-11 | Street-sign | ||
US702224A (en) | 1901-07-11 | 1902-06-10 | Oscar Schmidt | Musical instrument. |
US732109A (en) | 1902-04-26 | 1903-06-30 | Ebbin Patterson | Rotary pump. |
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-
2005
- 2005-01-10 US US10/905,546 patent/US7310036B2/en active Active
-
2006
- 2006-01-04 TW TW095100293A patent/TWI391958B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-01-06 JP JP2006001619A patent/JP2006196894A/ja active Pending
- 2006-01-10 CN CNB2006100058332A patent/CN100431141C/zh active Active
-
2007
- 2007-07-13 US US11/777,389 patent/US7994895B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 US US11/848,263 patent/US8230586B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-01 US US13/460,871 patent/US8881379B2/en not_active Expired - Fee Related
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