JP2008166363A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 半導体チップを準備する工程と、
   接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、が形成された基板を準備する工程と、
   前記基板上かつ前記ソルダーレジストの内側に前記半導体チップを固定して、前記半導体チップを前記接続部に接続する工程と、
   前記半導体チップを樹脂で覆う工程と、を有し、
   前記基板を準備する工程において、前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在するように前記基板が準備されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
2. 前記半導体チップを樹脂で覆う工程は、前記ソルダーレジストの内側に向けて樹脂を流し込む工程を含み、
   前記樹脂を流し込む工程において、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部に重なる部分を超えて流れ出た前記樹脂の流れは、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端によって止まることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
3. 前記樹脂を流し込む工程において、前記樹脂の流れは、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部と前記配線パターンとのどちらにも重ならない部分によって止まることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
4. 前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端が前記ソルダーレジストの外周端よりも曲率半径が小さい円弧状となるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
5. 前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端の長さが、前記ソルダーレジストの外周端と交差する前記配線パターンの部分の長さ以上になるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
6. 前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部が前記配線パターンの両側に配置されるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
7. 前記基板を準備する工程において、前記接続部を取り囲む環状の前記ソルダーレジストが複数形成されるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
8. 半導体チップと、
   前記半導体チップに接続された接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記半導体チップ及び前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、を有する基板と、
   前記半導体チップを封止する樹脂と、
   を備える半導体モジュールであって、
   前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在することを特徴とする半導体モジュール。
9. 前記樹脂は、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端と、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部と前記配線パターンとのどちらにも重ならない部分とを超えて流れ出していないことを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュール。
10. 前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端が前記ソルダーレジストの外周端よりも曲率半径が小さい円弧状であることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体モジュール。
11. 前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端の長さが、前記ソルダーレジストの外周端と交差する前記配線パターンの部分の長さ以上であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
12. 前記配線パターン延在部が前記配線パターンの両側に配置されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
13. 前記半導体チップ及び前記接続部を取り囲む環状の前記ソルダーレジストが複数配置されることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体モジュール。