JP2008141191A - 低温ＡＬＤＳｉＯ２ - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 244
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 30
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 13
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen pentaoxide Chemical compound [O-][N+](=O)O[N+]([O-])=O ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical group CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- -1 alkoxy silane Chemical compound 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- XREKLQOUFWBSFH-UHFFFAOYSA-N dimethyl 2-acetylbutanedioate Chemical compound COC(=O)CC(C(C)=O)C(=O)OC XREKLQOUFWBSFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)silyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- OENLEHTYJXMVBG-UHFFFAOYSA-N pyridine;hydrate Chemical compound [OH-].C1=CC=[NH+]C=C1 OENLEHTYJXMVBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
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Abstract
【課題】一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積法によって堆積する方法であって、触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積しつつ、水を酸化源として利用することができる方法を提供する。
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。
【選択図】図３
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。
【選択図】図３
Description
発明の分野
[0001]本発明の実施態様は、一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積する方法に関する。
[0001]本発明の実施態様は、一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積する方法に関する。
関連技術の説明
[0002]半導体処理、フラットパネルディスプレイ処理、又は他の電子デバイス処理の分野において、気相堆積法は、材料を基板上に堆積するのに重要な役割を果たしてきた。電子デバイスの形状は縮小し続け、デバイスの密度は増大し続けているので、特徴部のサイズとアスペクト比は、より挑戦的になってきている。従って、材料のコンフォーマルな堆積によりこれらのデバイスを形成することがますます重要になってきている。
[0002]半導体処理、フラットパネルディスプレイ処理、又は他の電子デバイス処理の分野において、気相堆積法は、材料を基板上に堆積するのに重要な役割を果たしてきた。電子デバイスの形状は縮小し続け、デバイスの密度は増大し続けているので、特徴部のサイズとアスペクト比は、より挑戦的になってきている。従って、材料のコンフォーマルな堆積によりこれらのデバイスを形成することがますます重要になってきている。
[0003]従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）は、約０.１５μｍまでのデバイスの形状とアスペクト比でうまくいくことが分かっているが、より挑戦的なデバイス形状には代わりの堆積技術が要求される。非常に注目を受けている技術の１つは、ＡＬＤである。ＡＬＤプロセスの間、反応ガスが、基板を収容するプロセスチャンバ内に連続的に導入される。一般的に、第１の反応種が、プロセスチャンバ内に脈動され、基板表面上に吸着する。次いで、第２の反応物が、プロセスチャンバ内に脈動され、第１の反応種と反応して、堆積物質を形成する。各反応ガスの分配の間に、パージステップが行われることがある。パージステップは、反応ガスの分配の間に、キャリヤガス又は脈動での連続的なパージである。
[0004]ＡＬＤによる二酸化ケイ素の形成は、当技術分野で知られている方法である。ＡＬＤによる二酸化ケイ素の形成において、シリコン前駆体がチャンバ内に脈動され、その後酸化剤源が脈動される。水を酸化剤源として用いるとき、水の穏やかな反応性のため、ＡＬＤプロセスは、典型的に、高温及びより長い露出時間を要求する。
[0005]それゆえ、ＡＬＤにおいて低温で水を用いて二酸化ケイ素を堆積する方法及び装置が、当技術分野において必要とされている。
[0006]本発明は、一般的に二酸化ケイ素ＡＬＤ法を含む。触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積する間、水を酸化剤源として利用することができる。基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬工程にさらすのがよい。更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じるのがよい。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。
[0007]一実施態様では、本発明は二酸化ケイ素堆積法を含み、前記方法は、基板をチャンバ内に位置決めするステップと、基板をシリコン前駆体にさらすステップと、基板をピリジン浸漬液にさらすステップと、基板を酸化剤源にさらすステップと、を含む。
[0008]他の実施態様では、本発明は、二酸化ケイ素堆積法を含み、前記方法は、基板をチャンバ内に位置決めするステップと、基板をシリコン前駆体にさらすステップと、基板を酸化剤源とピリジンにさらすステップであって、ピリジンと酸化剤源が別々の入口を通してチャンバ内に流れる前記ステップと、を含む。
[0009]更に他の実施態様では、本発明は、二酸化ケイ素堆積法を含み、前記方法は、基板をチャンバ内に位置決めする方法と、基板をヘキサクロロジシランにさらすステップと、基板をＨ２Ｏとピリジンにさらすステップであって、ピリジンとＨ２Ｏが別々の入口を通してチャンバ内に流れる前記ステップと、を含む。
[0010]本発明の上述した特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本発明のより詳細な記載を実施形態を参照して示し、実施形態の幾つかを添付図面に示す。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示し、それゆえ本発明の範囲を限定すると考えてはならず、本発明は他の効果的に等しい実施形態も含むことが留意されなければならない。
[0017]理解を容易にするために、可能な場合は、図面間で共通である同一要素を示すために、同一の符号を用いた。一実施形態に開示された要素は、特に記載することなしに他の実施形態に有益に利用することができることを意図する。
[0018]本発明は、一般的に二酸化ケイ素ＡＬＤ法を含む。ピリジンを触媒として与えることによって、低温で堆積する間、水を酸化源として利用することができる。基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬工程にさらす。更に、チャンバに入る前の相互作用を減じるために水を別々のコンジットを通してピリジンとともにチャンバに並流させる。変形例では、ピリジンは、ピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流してもよい。
[0019]図１Ａは、本発明の一実施形態による装置１００の概略図である。装置１００は、真空チャンバ１０２を含む。装置１００は、基板１０４が配置される１以上のサセプタ１０６を収容するバッチ装置１００であるのがよい。一実施形態では、装置１００は単一基板１０４装置であるのがよい。処理量を増すために同時に１枚より多い基板１０４を処理するのが有益である。バッチ処理が提示する難題の１つは、ウエハ間の均一性を維持することである。
[0020]前駆体をインジェクタプレナム１０８を通して装置１００に供給する。インジェクタプレナム１０８は、プレナム壁１１０及びインジェクションプレート１１４を備え、これらは一緒にインジェクションプレナムチャンバ１２２を囲み、プレナムチャンバ１２２を構成する。インジェクションプレート１１４は、複数の孔１１６を有し、孔１１６を通して前駆体ガス、パージガス、及びキャリヤガスが真空チャンバ１０２内に流れる。インジェクションプレート１１４は、真空チャンバ１０２がインジェクタプレナム１０８の低圧側部１１２となるように、インジェクタプレナム１０８を真空チャンバ１０２から分離する。前駆体、パージガス、及びキャリヤガスを、コンジット１１８ａ-１１８ｃを通してインジェクタプレナム１０８に導入する。
[0021]装置１００は、排気プレナム１２４を通して排気することができる。排気プレナムは、排気プレナムチャンバ１２８を取り囲み、排気プレナムチャンバ１２８を構成する、排気プレート１２６及びプレナム壁１３０を備えるのがよい。複数の孔１３２が排気プレート１２６に存在するのがよい。ガスは、排気口１３６を通して排気プレナム１２４から排気される。
[0022]付加的なガスをコンジット１３４を通して排気プレナム１２４に導入するのがよい。付加的なガスは、反応副生成物を軽減し又は転換することができ、さもなければ反応生成物が排気プレナム１２４及び真空チャンバ１０２の表面上に凝集する。スロットルバルブ１３８が、真空チャンバ１０２の圧力を制御することができる。
[0023]ＡＬＤによって二酸化ケイ素を形成する場合、シリコン前駆体を装置１００に分配する。シリコン含有材料を堆積するために有用なシリコン前駆体の例は、シラン、アルキルシラン、アミノシラン、アルキルアミノシラン、シラノール、又はアルコキシシランを含む。例えばシリコン前駆体は、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｓｉ、（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ、（Ｍｅ２Ｎ）２ＳｉＨ２、（Ｍｅ２Ｎ）ＳｉＨ３、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｓｉ、（Ｅｔ２Ｎ）３ＳｉＨ、（ＭｅＥｔＮ）４Ｓｉ、（ＭｅＥｔＮ）３ＳｉＨ、Ｓｉ（ＮＣＯ）４、ＭｅＳｉ（ＮＣＯ）３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＭｅＳｉＣｌ３、ＨＳｉＣｌ３、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２、Ｈ２ＳｉＣｌ２、ＭｅＳｉ（ＯＨ）３、Ｍｅ２Ｓｉ（ＯＨ）２、（ＭｅＯ）４Ｓｉ、（ＥｔＯ）４Ｓｉ、又はこれらの誘導体を含む。シリコン前駆体として有用な他のアルキルアミノシラン化合物は、（ＲＲ’Ｎ）４-ｎＳｉＨｎ（Ｒ又はＲ’は独立して水素、メチル、エチル、プロピル、又はブチルであり、ｎ＝０-３である）を含む。他のアルコキシシランは、一般化学式（ＲＯ）４-ｎＳｉＬｎ、Ｒ＝メチル、エチル、プロピル、又はブチル、Ｌ＝Ｈ、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ及びこれらの混合物）によって記載することができる。また、本発明の幾つかの実施形態において高級シランをシリコン前駆体として用いるのがよい。高級シランは、同一出願人に譲渡された米国特許出願公開第２００４/０２２４０８９号（この開示内容は本願明細書に全体で援用されている）に開示される。幾つかの実施形態では、シリコン前駆体は、トリス（ジメチルアミノ）シラン（（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ又はトリスＤＭＡＳ）、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン（（Ｍｅ２Ｎ）４Ｓｉ又はＴＤＭＡＳ）又は他のジアルキルアミノシランを含み、他の実施形態では、シリコン前駆体は、シラン（ＳｉＨ４）を含む。更に他の実施形態では、シリコン前駆体はヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）を含む。
[0024]ＡＬＤ法で二酸化ケイ素を形成するための酸化源は、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、酸素原子（Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、五酸化二窒素（Ｎ２Ｏ５）、二酸化窒素（ＮＯ２）、水（Ｈ２Ｏ）、これらの誘導体又はこれらの組み合わせを含む。例示的実施形態では、酸化源は水（Ｈ２Ｏ）を含む。
[0025]水を酸化源として用いる場合、触媒を供給して、ＡＬＤを触媒が存在しないときに起こるよりも高速且つ低温で進めることができる。用いることができる触媒の例は、アンモニアとピリジンを含む。ピリジンと水は、相互作用する。それゆえ、水とピリジンが同一の入力コンジットを通してチャンバに一緒に並流するとき、水及びピリジンは、チャンバに達する前に相互作用する。水及びピリジンが相互作用する場合、ピリジンは、もはや触媒として効果的に機能せず、従って、ＡＬＤ堆積速度は増大しない。
[0026]チャンバに達する前の水とピリジンの相互作用を防ぐために、ピリジン及び水をインジェクタプレナムを分離する別々の供給コンジットを用いてチャンバに並流させるのがよい。図１Ｂは、本発明の一実施形態によるインジェクタプレナム１０８ａ-ｃの概略図である。図１Ｂに示すように、各コンジット１１８ａ-１１８ｃは、別々のインジェクタプレナム１０８ａ-１０８ｃに供給される。そのため、ピリジンと水がチャンバに達するまでピリジン-水相互作用を防止することができる。
[0027]ＨＣＤＳのようなシリコン前駆体は、ピリジンと相互作用しない。それゆえ、シリコン前駆体とピリジンは、同一のコンジットとインジェクタプレナムを用いてチャンバに並流させることができる。一実施形態では、ピリジンとシリコン前駆体は、同一のコンジットとインジェクタプレナムを用いてチャンバに流すことができる。他の実施形態では、ピリジン及びシリコン前駆体を、別々のコンジット及びインジェクタプレナムを用いてチャンバに流してもよい。
[0028]ピリジンと水を別々のインジェクタプレナム及びコンジットを用いてチャンバに並流させる代わりとして、水をチャンバに導入する前に基板をピリジン浸漬液にさらす。ピリジン浸漬は、他の前駆体又は水のような酸化剤を導入することなしに基板をピリジンにさらすことを含む。基板は、基板をピリジンで飽和させるのに十分な時間、ピリジンにさらすのがよい。一実施形態では、ピリジン浸漬は、１０秒を超えて行う。ピリジン浸漬を行うことによって、十分な触媒がチャンバ内及び基板表面に存在することができ、水前駆体を導入するとき、触媒が確実に存在するようにする。ピリジンが既にチャンバ内にあるので、水がチャンバに達する前に、水と相互作用することによって全てのピリジンが消費されることはない。ピリジン浸漬を行う場合、付加的なピリジンを酸化剤及びシリコン前駆体と並流させるのがよい。一実施形態では、ピリジン浸漬を行い、シリコン前駆体及び続いて水をチャンバに分配するとき、ピリジンをチャンバ内に流し続ける。他の実施形態では、ピリジン浸漬を行い、水分配及びシリコン前駆体分配中、ピリジン分配を停止する。ピリジンにより、ほぼ室温から約１６０℃までのような低温で反応を生じることができる。一実施形態では、温度は約７５℃である。
[0029]図２は、本発明の一実施形態による堆積方法のフローチャート２００である。最初に、１以上の基板をプロセスチャンバ内に配置することができる（ステップ２１０）。次いで基板をピリジン浸漬液にさらすことができる（ステップ２２０）。ピリジン浸漬は、少なくとも１０秒間行う。ピリジン浸漬に続いて、ＨＣＤＳの脈動をチャンバに導入し、ピリジンをチャンバ内に流し続ける（ステップ２３０）。変形例では、ピリジン流を、ピリジン浸漬の後、停止し、次いでＨＣＤＳとともにチャンバ内に脈動させるのがよい。
[0030]ＨＣＤＳの脈動に続いて、パージガスをチャンバ内に導入することによって、チャンバをパージすることができる（ステップ２４０）。用いることができるパージガスの例は、アルゴンのような不活性ガスを含む。一実施形態では、パージガスは窒素を含むのがよい。チャンバを排気して、パージガス及びチャンバ内に存在する全ての残留ＨＣＤＳとピリジンを除去することができる。一実施形態では、パージステップのみ行い、排気は行わない。変形例では、パージステップを除去し、チャンバを排気してＨＣＤＳ及びピリジンを除去してもよい。一実施形態では、パージガス導入の前と後の両方で排気を行うのがよい。他の実施形態では、パージ及び排気の両方を繰り返すのがよい。排気及び/又はパージは、複数回行うのがよい。更に他の実施形態では、パージ及び排気を、１つのステップに結合してもよい。
[0031]排気及び/又はパージに続いて、基板を第２のピリジン浸漬液にさらすことができる（ステップ２５０）。第２のピリジン浸漬は、上述した第１のピリジン浸漬に示される同一の処理条件下で行う。ピリジン浸漬に続いて、Ｈ２Ｏの脈動をチャンバに導入し、ピリジンをチャンバ内に流し続ける（ステップ２６０）。変形例では、ピリジン流を、ピリジン浸漬の後に停止し、次いでＨ２Ｏとともにチャンバ内に脈動させるのがよい。ピリジンが浸漬ステップから既にチャンバ内に存在するので、触媒として働くための十分なピリジンが存在する。基板をＨ２Ｏにさらすことに続いて、第２の排気及び/又はパージサイクル（ステップ２７０）を上述した条件下で行うのがよい。
[0032]チャンバを排気及び/又はパージした後、ＳｉＯ２層の厚さを測定して所定のＳｉＯ２厚さに達しているか決定する（ステップ２８０）。もし、所定の厚さに達していなかったならば、堆積シーケンスを繰り返す。もし、所定の厚さに達していれば、次いで処理を終了する（ステップ２９０）。
[0033]図３は、本発明の他の実施形態による堆積方法のフローチャート３００である。最初に、１以上の基板をプロセスチャンバ内に配置する（ステップ３１０）。次いで基板をピリジン浸漬液にさらす（ステップ３２０）。ピリジン浸漬は、少なくとも１０秒間行うのがよい。ピリジン浸漬に続いて、ＨＣＤＳの脈動をチャンバに導入し、ピリジンはチャンバに分配されない（ステップ３３０）。変形例では、ピリジン流を、ピリジン浸漬の後に停止し、次いでＨＣＤＳとともにチャンバ内に脈動させるか又はピリジンを分配し続けてもよい。
[0034]ＨＣＤＳの脈動に続いて、上述したようにチャンバをパージ及び/又は排気するのがよい（ステップ３４０）。排気及び/又はパージに続いて、基板を第２のピリジン浸漬液にさらすことができる（ステップ３５０）。第２のピリジン浸漬は、上述した第１のピリジン浸漬に示される同一の処理条件下で行う。ピリジン浸漬に続いて、ピリジンの流れを停止し、Ｈ２Ｏの脈動をチャンバに導入することができる（ステップ３６０）。基板をＨ２Ｏにさらすことに続いて、第２の排気及び/又はパージサイクル（ステップ３７０）を上述した条件下で行うのがよい。
[0035]チャンバを排気及び/又はパージした後、ＳｉＯ２層の厚さを測定して所定のＳｉＯ２厚さに達しているか決定する（ステップ３８０）。もし、所定の厚さに達していなかったならば、堆積シーケンスを繰り返す。もし、所定の厚さに達していれば、次いで処理を終了する（ステップ３９０）。
[0036]図４は、本発明の更に他の実施形態による堆積方法のフローチャート４００である。最初に、１以上の基板をプロセスチャンバ内に配置することができる（ステップ４１０）。次いで基板をＨＣＤＳ及びピリジンの脈動にさらすことができる（ステップ４２０）。ＨＣＤＳ及びピリジンの脈動に続いて、上述した方法で、パージガスをチャンバ内に導入することによってチャンバをパージすることができる（ステップ４３０）。
[0037]排気及び/又はパージに続いて、基板をＨ２Ｏ及びピリジンの同時に発生する脈動にさらすことができる（ステップ４４０）。Ｈ２Ｏとピリジンは、異なるコンジットラインを通して、また、異なる入口を通してチャンバ内に並流する。異なるコンジットと異なる入口を利用することによって、Ｈ２Ｏとピリジンは、チャンバに達するまで互いにさらされない。もしピリジンとＨ２Ｏを同一のコンジットを通して並流させるならば、ピリジンとＨ２Ｏはチャンバに達する前に相互作用する。Ｈ２Ｏとピリジンが、チャンバに入る前に相互作用する場合、触媒としてのピリジンの効果が減じられるので、触媒が使い物にならなくなる。
[0038]基板をＨ２Ｏにさらすことに続いて、第２の排気及び/又はパージサイクル（ステップ４５０）を上述した条件下で行うのがよい。チャンバを排気及び/又はパージした後、ＳｉＯ２層の厚さを測定して所定のＳｉＯ２厚さに達しているか決定することができる（ステップ４６０）。もし、所定の厚さに達していなかったならば、堆積シーケンスを繰り返す。もし、所定の厚さに達していれば、次いで処理を終了する（ステップ４７０）。
[0039]図５は、本発明の更に他の実施形態による堆積方法のフローチャート５００である。最初に、１以上の基板をプロセスチャンバ内に配置することができる（ステップ５１０）。次いで基板をピリジン浸漬液にさらすことができる（ステップ５２０）。ピリジン浸漬は、少なくとも１０秒間行うのがよい。ピリジン浸漬に続いて、ＨＣＤＳの脈動をチャンバに導入し、ピリジンをチャンバ内に流し続ける（ステップ５３０）。変形例では、ピリジン流を、ピリジン浸漬の後、停止し、次いでＨＣＤＳとともにチャンバ内に脈動させてもよい。ＨＣＤＳの脈動に続いて、上述したようにチャンバをパージ及び/又は排気することができる（ステップ５４０）。
[0040]排気及び/又はパージに続いて、基板を第２のピリジン浸漬にさらすのがよい（ステップ５５０）。第２のピリジン浸漬は、上述した第１のピリジン浸漬に示される同一の処理条件下で行う。ピリジン浸漬に続いて、Ｈ２Ｏの脈動をチャンバに導入し、ピリジンをチャンバ内に流し続ける（ステップ５６０）。変形例では、ピリジン浸漬の後、ピリジン流を止め、次いでＨ２Ｏとともにチャンバ内に脈動させる。一実施形態では、ピリジン及びＨ２Ｏを図４に関して上述した別々のコンジットを通して供給する。基板をＨ２Ｏへさらすことに続いて、第２の排気及び/又はパージサイクル（ステップ５７０）を上述した条件下で行うのがよい。
[0041]チャンバを排気及び/又はパージした後、ＳｉＯ２層の厚さを測定して所定のＳｉＯ２厚さに達しているか決定することができる（ステップ５８０）。もし、所定の厚さに達していなかったならば、堆積シーケンスを繰り返す。もし、所定の厚さに達していれば、次いで処理を終了する（ステップ５９０）。
[0042]基板の処理について述べるとき、複数の基板を処理できることが理解されなければならない。例えば、約２枚の基板、約２５枚の基板、約５０枚の基板、又は約１００枚の基板をバッチチャンバ内で処理することができる。更に、ピリジン浸漬は約１秒から約９０分間、又は約１分から約２０分間行うのがよい。変形例では、ピリジン浸漬を約３０秒から約６０分間、又は約２０分から約４０分間行ってもよい。更に他の変形例では、ピリジン浸漬を約１分から約４０分間行ってもよい。
[0043]ピリジン浸漬を与え及び/又はピリジンとＨ２Ｏを別々のコンジットラインを通して並流させることによって、ピリジンが触媒として確実に働くのに十分なピリジンがチャンバ、従って基板表面に達する。Ｈ２Ｏ酸化雰囲気で触媒としてピリジンを利用することによって、ＳｉＯ２ＡＬＤを１６０℃未満で増大した速度で行うことができる。
[0044]上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなしに本発明の他の及び更なる実施形態を構成することができ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。
１００…装置、１０２…真空チャンバ、１０４…基板、１０６…サセプタ、１０８…インジェクタプレナム、１０８ａ…インジェクタプレナム、１０８ｂ…インジェクタプレナム、１０８ｃ…インジェクタプレナム、１１０…プレナム壁、１１２…低圧側部、１１４…インジェクションプレート、１１６…孔、１１８ａ…コンジット、１１８ｂ…コンジット、１１８ｃ…コンジット、１１８ｄ…コンジット、１２０…ガスフロー、１２２…注入プレナムチャンバ、１２４…排気プレナム、１２６…排気プレート、１２８…排気プレナムチャンバ、１３０…プレナム壁、１３２…孔、１３４…コンジット、１３６…排気ポート。
Claims (20)
- 二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板をピリジン浸漬液にさらすステップと、
（ｄ）該少なくとも１枚の基板を酸化源にさらすステップと、
を含む方法。 - 該堆積方法が、原子層堆積法である、請求項１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をパージガスにさらすステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップが、少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体とピリジンにさらすステップを含む、請求項１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらす前に該基板をピリジン浸漬液にさらすステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板を酸化源にさらすステップが、該少なくとも１枚の基板を酸化源とピリジンにさらすステップを含む、請求項１に記載の方法。
- 該酸化源と該ピリジンが別々の入口を通して該チャンバ内に流れる、請求項６に記載の方法。
- 該シリコン前駆体が、ヘキサクロロジシランを含む、請求項１に記載の方法。
- 該酸化剤がＨ２Ｏを含む、請求項１に記載の方法。
- （ｂ）-（ｄ）を少なくとも１回繰り返すステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板を酸化源とピリジンにさらすステップであって、該ピリジンと該酸化源が別々の入口を通してチャンバ内に流れる前記ステップと、
を含む前記方法。 - 該堆積方法が、原子層堆積法である、請求項１１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をパージガスにさらすステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップが、少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体とピリジンにさらすステップを含む、請求項１１に記載の方法。
- 該シリコン前駆体と該ピリジンが、別々の入口を通してチャンバ内に流れる、請求項１４に記載の方法。
- 該シリコン前駆体がヘキサクロロジシランを含む、請求項１１に記載の方法。
- 該酸化源がＨ２Ｏを含む、請求項１１に記載の方法。
- （ｂ）及び（ｃ）のステップを少なくとも１回繰り返すステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
- 該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらす前に該少なくとも１枚の基板をピリジン浸漬液にさらすステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
- 二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をヘキサクロロジシランにさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板をＨ２Ｏとピリジンにさらすステップであって、ピリジンとＨ２Ｏが別々の入口を通して該チャンバ内に流れる前記ステップと、
を含む前記方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/559,491 | 2006-11-14 | ||
| US11/559,491 US7749574B2 (en) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Low temperature ALD SiO2 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012086105A Division JP5449439B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-05 | 低温ＡＬＤＳｉＯ２ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008141191A true JP2008141191A (ja) | 2008-06-19 |
| JP2008141191A5 JP2008141191A5 (ja) | 2010-12-02 |
| JP5004765B2 JP5004765B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=38805604
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007292395A Expired - Fee Related JP5004765B2 (ja) | 2006-11-14 | 2007-11-09 | 低温ＡＬＤＳｉＯ２ |
| JP2012086105A Expired - Fee Related JP5449439B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-05 | 低温ＡＬＤＳｉＯ２ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012086105A Expired - Fee Related JP5449439B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-04-05 | 低温ＡＬＤＳｉＯ２ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7749574B2 (ja) |
| EP (1) | EP1925691A1 (ja) |
| JP (2) | JP5004765B2 (ja) |
| KR (1) | KR100980900B1 (ja) |
| CN (1) | CN101182633A (ja) |
| TW (1) | TWI383064B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016058676A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JPWO2015136673A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 |
| JP2018525524A (ja) * | 2015-08-10 | 2018-09-06 | ルクセンブルク インスティトゥート オブ サイエンス アンド テクノロジー（リスト） | 室温での原子層堆積によって生成されたＳｉＯ２薄膜 |
| JP2020181938A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社トリケミカル研究所 | 酸化珪素膜形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8232176B2 (en) | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
| US7749574B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature ALD SiO2 |
| US7867923B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
| US7858535B2 (en) * | 2008-05-02 | 2010-12-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing defect formation on silicon dioxide formed by atomic layer deposition (ALD) processes and methods of fabricating semiconductor structures |
| US8357435B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
| US20100112191A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Micron Technology, Inc. | Systems and associated methods for depositing materials |
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| US8197915B2 (en) * | 2009-04-01 | 2012-06-12 | Asm Japan K.K. | Method of depositing silicon oxide film by plasma enhanced atomic layer deposition at low temperature |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US20110008972A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-13 | Daniel Damjanovic | Methods for forming an ald sio2 film |
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| SG182336A1 (en) | 2010-01-06 | 2012-08-30 | Applied Materials Inc | Flowable dielectric using oxide liner |
| WO2011084752A2 (en) | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Applied Materials, Inc. | In-situ ozone cure for radical-component cvd |
| CN102844848A (zh) | 2010-03-05 | 2012-12-26 | 应用材料公司 | 通过自由基成分化学气相沉积的共形层 |
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- 2007-11-09 EP EP07021810A patent/EP1925691A1/en not_active Withdrawn
- 2007-11-12 CN CNA2007101703305A patent/CN101182633A/zh active Pending
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| US20080113097A1 (en) | 2008-05-15 |
| JP5449439B2 (ja) | 2014-03-19 |
| US20100227061A1 (en) | 2010-09-09 |
| KR100980900B1 (ko) | 2010-09-07 |
| TWI383064B (zh) | 2013-01-21 |
| KR20080043705A (ko) | 2008-05-19 |
| JP2012142611A (ja) | 2012-07-26 |
| US7749574B2 (en) | 2010-07-06 |
| EP1925691A1 (en) | 2008-05-28 |
| CN101182633A (zh) | 2008-05-21 |
| US7897208B2 (en) | 2011-03-01 |
| TW200831699A (en) | 2008-08-01 |
| JP5004765B2 (ja) | 2012-08-22 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
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|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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