JP2008130952A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リンス液供給部62は温度調整部623を備える。温度調整部623は、DIWを常温より低い温度に冷却する。この温度調整部623は、例えば10℃以下にDIWを冷却しており、さらに5℃以下に冷却する方が好ましい。なお、温度調整部623は、DIWを0℃以上に保っており、これによってDIWが凝固しないようにしている。そして、リンス液供給管96に供給された冷却されているDIWは、リンス液吐出ノズル97から基板の表面に向けて吐出されて液膜を形成する。また、液供給管25を介して液吐出ノズル27から基板の裏面に向けて冷却されたDIWが吐出されて、裏面に液膜が形成される。液膜が冷却されているため、冷却ガスが基板の表面および裏面に向けて吐出されると、短時間で凍結する。
【選択図】図3
Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfおよび裏面Wbに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、この基板処理装置は、基板Wの表面Wfおよび裏面Wbに液膜を形成し、各液膜を凍結させて凍結膜を生成し、それらの凍結膜を基板Wの表面Wfおよび裏面Wbから除去することにより、基板Wに対して洗浄処理を施す装置である。
water、以下「DIW」という)が用いられている。
図7はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態の制御構成を示すブロック図、図8は第2実施形態のリンス液供給部の構成を示す模式図、図9は脱気溶解モジュールの構成を示す模式図である。この第2実施形態は、基板Wの表面Wfのみに凍結膜を生成している点と、リンス液供給部62に代えてリンス液供給部620を備えている点とで、第1実施形態と大きく相違している。なお、第2実施形態の処理チャンバーの構成は図1に示す処理チャンバー1と同様であり、以下では、第1実施形態と同一物には同一符号を付している。また、第2実施形態の動作は、基板Wの表面Wfのみに凍結膜を生成している点を除いて、第1実施形態と全く同様に行われる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1、第2実施形態では、遮断部材9の下面に設けられたリンス液吐出ノズル97から吐出されるDIWにより、基板Wの表面Wfに液膜11fを形成しているが、これに限られない。図11はリンス液吐出の変形形態を示す図で、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B線断面図、(c)は(a)のC矢視図である。
Claims (9)
- 冷却された液体を基板に供給して該基板上に液膜を形成する液膜形成手段と、
前記基板上の前記液膜を凍結させる凍結手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記凍結手段は、
前記液膜を構成する液体の凝固点より低い温度を有する冷却ガスを前記基板の表面に向けて局部的に吐出する冷却ガス吐出手段と、
前記冷却ガス吐出手段を前記基板の表面に沿って前記基板に対して相対移動させる相対移動機構とを備え、
前記冷却ガス吐出手段から冷却ガスを吐出させながら前記相対移動機構により前記冷却ガス吐出手段を前記基板に対して相対移動させて前記液膜を凍結させる請求項1記載の基板処理装置。 - 前記液膜形成手段は、前記冷却された液体を供給する液供給管と、該液供給管内の液体を前記基板に向けて吐出する液吐出ノズルとを備え、
前記凍結手段は、前記冷却ガス吐出手段に前記冷却ガスを導くガス供給管をさらに備え、
前記液供給管の少なくとも一部と前記ガス供給管の少なくとも一部とが近傍に並んで配設される請求項2記載の基板処理装置。 - 前記相対移動機構は、前記液吐出ノズルと前記冷却ガス吐出手段とを一体的に前記基板に対して相対移動させる請求項3記載の基板処理装置。
- 前記液膜形成手段は、前記基板に供給する液体の温度を常温より低い温度に調整する温度調整部を備える請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記液体は純水または脱イオン水からなり、前記温度調整部は前記液体の温度を0〜10℃に冷却する請求項5記載の基板処理装置。
- 前記凍結手段により凍結された前記液膜を前記基板から除去する除去手段をさらに備える請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記液膜形成手段は、前記基板に供給する液体中における気体の溶解量を調整する溶解量調整部をさらに備える請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 冷却された液体を基板に供給して該基板上に液膜を形成する液膜形成工程と、
前記基板上の前記液膜を凍結させる凍結工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
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