JP3654923B2 - ウェハの保管方法及びその輸送方法 - Google Patents

ウェハの保管方法及びその輸送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3654923B2
JP3654923B2 JP2972694A JP2972694A JP3654923B2 JP 3654923 B2 JP3654923 B2 JP 3654923B2 JP 2972694 A JP2972694 A JP 2972694A JP 2972694 A JP2972694 A JP 2972694A JP 3654923 B2 JP3654923 B2 JP 3654923B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
cleaning agent
storing
freezing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2972694A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07240356A (ja
Inventor
嘉治 太田
直子 市江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nomura Micro Science Co Ltd
Original Assignee
Nomura Micro Science Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nomura Micro Science Co Ltd filed Critical Nomura Micro Science Co Ltd
Priority to JP2972694A priority Critical patent/JP3654923B2/ja
Publication of JPH07240356A publication Critical patent/JPH07240356A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3654923B2 publication Critical patent/JP3654923B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウェハを、洗浄剤、例えば、超純水、イソプロピルアルコール
(以下IPAという)等により洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することを可能にしたウェハの保管方法及び輸送方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体集積回路の製造工程においては、ウェハへの不所望な付着物を除去するため、超純水、イソプロピルアルコール等を用いてウェハの洗浄を行う洗浄工程が設けられている。
【0003】
そして、このようなウェハの洗浄工程において、超純水等により最終洗浄されたウェハは、リンサードライヤー等の乾燥装置により乾燥された後、収納容器に収納され、次工程の作業場所、保管場所等に搬送されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の半導体集積回路の製造工程においては、ウェハを洗浄、乾燥した後、収納容器に収容して搬送及び保管を行っている。
【0005】
しかしながら、このようにしてウェハの搬送及び保管を行うと、搬送及び保管の際に微細な塵等がウェハ表面に付着することがある。ところが、半導体集積回路の集積度がますます高まる今日において、ウェハ表面上の塵等の汚染は、半導体集積回路の高集積化や高歩留まりに極めて大きな悪影響を与えるようになっており、このような塵等の付着を防止して清浄度を維持することが望まれている。また、ウェハ表面上に雰囲気中の、有機溶剤等の蒸気が付着することもあり、半導体集積回路の集積度がますます高まる近年、大きな問題となっている。
【0006】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、ウェハを洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することのできるウェハの保管方法及び輸送方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエハの保管方法は、ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容するウエハキャリア収容工程と、前記ウエハキャリア収容工程でウエハを収容したウエハキャリアを冷凍庫に保管する冷凍保管工程とを有することを特徴とする。
【0008】
上記ウェハの保管方法において、洗浄剤としては、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物を用いることができる。
【0009】
また、本発明のウエハの輸送方法は、ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容して冷凍手段を備えた断熱容器に収納する断熱容器収納工程と、
前記断熱容器収納工程でウエハキャリアを収納した断熱容器を目的地まで搬送する搬送工程とを有することを特徴とする。
【0010】
上記ウェハの輸送方法において、洗浄剤としては、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物を用いることができる。
【0011】
また、上記ウェハの輸送方法において、冷凍手段としては、収納容器に収容された寒剤を用いることができる。
【0012】
また、上記ウェハの輸送方法において、冷凍手段としては、収納容器に装着されたペルチェ電気素子を用いることができる。
【0013】
【作用】
本発明のウェハの保管方法及びその輸送方法によれば、ウェハ洗浄後、ウェハ表面の洗浄剤を急冷して凍結させ、洗浄剤の凍結層でウェハの表面を覆った状態で、このウェハを保管及び輸送する。
【0014】
これによって、最終洗浄時の清浄度を維持した状態で、ウェハを保管及び輸送することができ、雰囲気中の、有機溶剤等の蒸気や塵等の付着を防止することができる。そして、後工程でさらに処理を施す際等に、ウェハ表面の洗浄剤の凍結層を、超純水の流水等で融解し、除去することにより、清浄度を維持した状態で直ちに後工程の処理等を実施することができる。
【0015】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】
図1に、本実施例における各工程を示す。同図に示す、洗浄工程では、複数枚のウェハを、バスケット等に並列配置し、このバスケットごと超純水洗浄槽、あるいは所定の洗浄液が収容された洗浄液槽に順次浸漬して洗浄を行う。通常、この洗浄工程における最終洗浄は、超純水洗浄あるいは、IPA洗浄である。
【0017】
そして、最終洗浄が終了すると、次に、凍結装置によるウェハの冷却工程が実施される。この冷却工程は、例えば、図2に示すように、1または複数枚のウェハ22をクランプ21により挟持し、液体窒素23等が収容された凍結槽24に浸漬することにより実施する。
【0018】
すなわち、ウェハ22の表面に、洗浄剤である超純水等が付着させたまま、この状態で、急冷することにより、ウェハ表面を超純水等の凍結層で覆う。このように、ウェハ22の表面が、超純水等の凍結層によって覆われることにより、最終洗浄時の清浄度が保たれる。
【0019】
そして、このように、表面に超純水等の凍結層が形成された状態で、ウェハ22を、保管、輸送する。
【0020】
図3は、上述したようにして、急冷されたウェハを搬送するための収納容器の構成を示すものである。
【0021】
同図において、31は表面に超純水等の凍結層が形成されたウェハであり、32は洗浄された複数のウェハ31を並列配置する樹脂等からなるウェハキャリア、33はウェハキャリア32を収容し搬送するための断熱材等からなる収納容器である。
【0022】
また、同図において、34は低温状態を維持するために冷凍手段として洗浄剤の凍結層の凝固点より低い温度に保持することのできるドライアイス等の寒剤、35は収納容器の上部開口を閉塞する断熱材等からなる蓋である。
【0023】
上述したようにして超純水等の凍結層が形成されたウエハ31は、ウエハキャリア32に複数枚収納される。そして、長期間保管するような場合は、このウエハキャリア32を、冷凍庫等に収納して保管する。
【0024】
また、ウェハキャリア32を搬送する際には、ウェハキャリア32を図3に示したような収納容器33に収納して搬送を行う。これによって、ウェハ31を、次工程等に、表面に超純水等の凍結層が形成されたままの状態で搬送することができる。
【0025】
そして、搬送先である次工程等において、ウェハ31に所定の処理を施す際には、超純水等をウェハ31に接触させて、ウェハ31の表面を覆う洗浄剤の凍結層を融解する。
【0026】
これによって、ウェハ31を、洗浄した後の清浄度を維持したまま保管、輸送することができ、再度洗浄等を行うことなく、直ちに後工程の処理等を実施することが可能となる。したがって、歩留まりの向上と、生産性の向上を図ることができる。
【0027】
なお、上記した冷却工程においては、液体窒素等の液体不活性ガスの他、アセトン−ドライアイス等も使用できる。また、ノズル等から液体窒素等の液体不活性ガスまたはアセトン−ドライアイス等で冷却したガスをウェハ表面上に噴射して凍結させる方法もある。
【0028】
また、ウェハ22を凍結させる際、複数枚を束ねた状態で急冷し、これらのウェハを一体的に凍結させることも可能であり、これらのウェハ22が棒状に凍結された状態で保管することも可能である。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のウェハの保管方法及びその輸送方法によれば、ウェハを洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図。
【図2】本発明の一実施例の冷却工程を示す図。
【図3】本発明の一実施例のウェハ搬送装置の構成を示す図。

Claims (6)

  1. ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、
    前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、
    前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容するウエハキャリア収容工程と、
    前記ウエハキャリア収容工程でウエハを収容したウエハキャリアを冷凍庫に保管する冷凍保管工程と
    を有することを特徴とするウエハの保管方法。
  2. 前記洗浄剤が、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物である請求項1記載のウェハの保管方法。
  3. ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、
    前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、
    前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容して冷凍手段を備えた断熱容器に収納する断熱容器収納工程と、
    前記断熱容器収納工程でウエハキャリアを収納した断熱容器を目的地まで搬送する搬送工程と
    を有することを特徴とするウエハの輸送方法。
  4. 前記洗浄剤が、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物である請求項3記載のウェハの輸送方法。
  5. 請求項3または4記載の輸送方法において、冷凍手段が収納容器に収納された寒剤であるウェハの輸送方法。
  6. 請求項3または4記載の輸送方法において、冷凍手段が収納容器に装着されたペルチェ電気素子であるウェハの輸送方法。
JP2972694A 1994-02-28 1994-02-28 ウェハの保管方法及びその輸送方法 Expired - Fee Related JP3654923B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2972694A JP3654923B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 ウェハの保管方法及びその輸送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2972694A JP3654923B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 ウェハの保管方法及びその輸送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07240356A JPH07240356A (ja) 1995-09-12
JP3654923B2 true JP3654923B2 (ja) 2005-06-02

Family

ID=12284116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2972694A Expired - Fee Related JP3654923B2 (ja) 1994-02-28 1994-02-28 ウェハの保管方法及びその輸送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3654923B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7867337B2 (en) 2005-12-13 2011-01-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1048756A4 (en) * 1998-10-05 2006-06-21 Ebara Corp DEVICE FOR PLATING SUBSTRATES
JP4567622B2 (ja) * 2006-03-15 2010-10-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体ウェハの保管方法
JP4767138B2 (ja) 2006-09-13 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法
JP4895774B2 (ja) 2006-11-24 2012-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5715831B2 (ja) 2011-01-20 2015-05-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7867337B2 (en) 2005-12-13 2011-01-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07240356A (ja) 1995-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10121646B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5494526A (en) Method for cleaning semiconductor wafers using liquified gases
JP3194036B2 (ja) 乾燥処理装置及び乾燥処理方法
US6342104B1 (en) Method of cleaning objects to be processed
US4883775A (en) Process for cleaning and protecting semiconductor substrates
JPH0677203A (ja) 乾燥処理装置
JPH03145130A (ja) 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法
JPH11257851A (ja) 乾燥装置及び乾燥方法
US6354311B1 (en) Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus
US20100218791A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3654923B2 (ja) ウェハの保管方法及びその輸送方法
JP3486462B2 (ja) 減圧・常圧処理装置
JPH1022257A (ja) 乾燥処理装置
US6692579B2 (en) Method for cleaning semiconductor structures using hydrocarbon and solvents in a repetitive vapor phase/liquid phase sequence
US6544033B1 (en) Wafer carrier
JP3171821B2 (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JPH04259222A (ja) 洗浄装置
US6202423B1 (en) Non-damage transport system by ice condensation
JP2890081B2 (ja) 処理装置及び処理方法
TWI837947B (zh) 半導體晶圓用乾冰洗淨裝置及半導體晶圓之洗淨方法
JPH05267269A (ja) 真空乾燥方法および装置
JP3257064B2 (ja) 低温処理装置および低温処理方法
JPH0382016A (ja) 被処理体ボート及びそれを用いた縦型熱処理装置
JP2917327B2 (ja) 被処理体の洗浄方法
JP3362539B2 (ja) ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040309

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Effective date: 20050301

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050302

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A521 Written amendment

Effective date: 20040510

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees