JP3362539B2 - ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法 - Google Patents
ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハの洗浄方法、リ
ンス処理方法及び半導体の製造方法に関する。
ンス処理方法及び半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、図４を参照して半導体ウェーハ
（シリコンウェーハ）の洗浄方法（ディップ式洗浄方
法）の従来例について説明する。１は洗浄槽を示し、こ
の洗浄槽１内に洗浄液（薬品）２を入れる。複数枚の半
導体ウェーハ３を、隣接するウェーハ３の鏡面（表面）
ａとその反対側の面（裏面）ｂとが互いに対向する如
く、互いに所定の一定間隔を以て互いに平行になるよう
にウェーハキャリア４に取付ける。このウエーハキャリ
ア４に取付けられた複数枚のウェーハ３を、洗浄液２の
中に所定時間浸漬して、特にその鏡面ａの洗浄を行う。
（シリコンウェーハ）の洗浄方法（ディップ式洗浄方
法）の従来例について説明する。１は洗浄槽を示し、こ
の洗浄槽１内に洗浄液（薬品）２を入れる。複数枚の半
導体ウェーハ３を、隣接するウェーハ３の鏡面（表面）
ａとその反対側の面（裏面）ｂとが互いに対向する如
く、互いに所定の一定間隔を以て互いに平行になるよう
にウェーハキャリア４に取付ける。このウエーハキャリ
ア４に取付けられた複数枚のウェーハ３を、洗浄液２の
中に所定時間浸漬して、特にその鏡面ａの洗浄を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のウエーハ
の洗浄方法では、次のような欠点がある。ウェーハ３の
裏面ｂは、各半導体製造装置内におけるウェーハ３の搬
送、加工処理時のウェーハ３の搬送用ベルトへの取付
け、真空チャッキング、静電チャッキング等の際、金
属、セラミックス、有機材料等からなる物体に頻繁に直
接に接触するために、鏡面ａに比べて１０3 〜１０6 程
度の汚染レベルを有する。
の洗浄方法では、次のような欠点がある。ウェーハ３の
裏面ｂは、各半導体製造装置内におけるウェーハ３の搬
送、加工処理時のウェーハ３の搬送用ベルトへの取付
け、真空チャッキング、静電チャッキング等の際、金
属、セラミックス、有機材料等からなる物体に頻繁に直
接に接触するために、鏡面ａに比べて１０3 〜１０6 程
度の汚染レベルを有する。
【０００４】このため、ウェーハ３の裏面ｂの汚染物質
Ｄが洗浄液２中に浮遊し、隣接するウエーハ３の鏡面ａ
に付着して、その鏡面ａが汚染されることになる。又、
同じ洗浄液を用いてウェーハ３の洗浄処理を重ねて行う
と、汚染物質が洗浄液中に蓄積されるため、その汚染物
質によってウェーハ３の鏡面ａが汚染される。その結
果、ウェーハ３の鏡面ａの洗浄度は低下してしまい、最
終的には半導体素子の信頼性や歩留り等の低下を招来す
る。
Ｄが洗浄液２中に浮遊し、隣接するウエーハ３の鏡面ａ
に付着して、その鏡面ａが汚染されることになる。又、
同じ洗浄液を用いてウェーハ３の洗浄処理を重ねて行う
と、汚染物質が洗浄液中に蓄積されるため、その汚染物
質によってウェーハ３の鏡面ａが汚染される。その結
果、ウェーハ３の鏡面ａの洗浄度は低下してしまい、最
終的には半導体素子の信頼性や歩留り等の低下を招来す
る。
【０００５】図５はスプレー式のウェーハの洗浄方法を
示すが、この場合においても、ウェーハ３の裏面の汚染
が問題となる。図５において、ウェーハ３はホルダー９
に保持され、モータ等によって駆動される回転軸１０の
回転によって回転せしめられる。このホルダー９に保持
されて回転せしめられるウェーハ３に、上側及び下側の
ノズル１１Ａ、１１Ｂ、又は、上側若しくは下側のノズ
ル１１Ａ、１１Ｂから排出される洗浄液２が吹き付けら
れて、ウェーハ３の鏡面（表面）の洗浄が行われる。こ
の場合にはおいて、ウェーハ３の裏面の汚染物質が洗浄
液２を介して鏡面に付着して、これを汚染することにな
る。
示すが、この場合においても、ウェーハ３の裏面の汚染
が問題となる。図５において、ウェーハ３はホルダー９
に保持され、モータ等によって駆動される回転軸１０の
回転によって回転せしめられる。このホルダー９に保持
されて回転せしめられるウェーハ３に、上側及び下側の
ノズル１１Ａ、１１Ｂ、又は、上側若しくは下側のノズ
ル１１Ａ、１１Ｂから排出される洗浄液２が吹き付けら
れて、ウェーハ３の鏡面（表面）の洗浄が行われる。こ
の場合にはおいて、ウェーハ３の裏面の汚染物質が洗浄
液２を介して鏡面に付着して、これを汚染することにな
る。
【０００６】かかる点に鑑み、本発明は、ウェーハの洗
浄すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれのないウェーハの洗浄方法及び半導体の製造
方法を提案しようとするものである。
浄すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれのないウェーハの洗浄方法及び半導体の製造
方法を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるウェーハの
洗浄方法は、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に
液体の凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成さ
れたウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄す
る。
洗浄方法は、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に
液体の凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成さ
れたウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄す
る。
【０００８】この場合、洗浄液で洗浄されたウェーハ
は、更に、リンス液でリンス処理される。凍結層の液体
は、リンス液の他に、洗浄液の希釈液が可能である。
は、更に、リンス液でリンス処理される。凍結層の液体
は、リンス液の他に、洗浄液の希釈液が可能である。
【０００９】本発明によるウェーハのリンス方法は、ウ
ェーハのリンス処理すべき面の反対側の面上に液体の凍
結層を形成した後、その液体の凍結層の形成されたウェ
ーハのリンス処理すべき面をリンス液を用いてリンス処
理する。本発明による半導体の製造方法は、ウェーハの
洗浄すべき面の反対側の面上に液体の凍結層を形成した
後、その液体の凍結層の形成されたウェーハの洗浄すべ
き面を洗浄液を用いて洗浄することを含むものである。
ェーハのリンス処理すべき面の反対側の面上に液体の凍
結層を形成した後、その液体の凍結層の形成されたウェ
ーハのリンス処理すべき面をリンス液を用いてリンス処
理する。本発明による半導体の製造方法は、ウェーハの
洗浄すべき面の反対側の面上に液体の凍結層を形成した
後、その液体の凍結層の形成されたウェーハの洗浄すべ
き面を洗浄液を用いて洗浄することを含むものである。
【００１０】
【作用】本発明によるウェーハの洗浄方法によれば、ウ
ェーハの洗浄すべき面の反対側の面上は、液体の凍結層
で被覆されているので、ウェーハの洗浄すべき面が、そ
の半体側の面に付着している汚染物質によって汚染され
るおそれはない。
ェーハの洗浄すべき面の反対側の面上は、液体の凍結層
で被覆されているので、ウェーハの洗浄すべき面が、そ
の半体側の面に付着している汚染物質によって汚染され
るおそれはない。
【００１１】
【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の実施例を
詳細に説明する。図３において、３は半導体ウェーハ
（シリコンウェーハ）を示し、ａはその鏡面（表面）、
ｂは裏面である。図３（Ａ）に示す如く、ウェーハ３の
裏面ｂが上側になるように配して、ノズル８からリンス
液（例えば、純水）を排出して、ウェーハ３の裏面ｂ上
に垂らし、図３（Ｂ）に示す如く、ウェーハ３の裏面ｂ
の全面をリンス液５で覆う。しかる後、リンス液５で覆
われたウェーハ３を、冷蔵装置内で、又は、冷却板をウ
ェーハ３上のリンス液５に近接又は接触させて、図３
（Ｃ）に示す如く、ウェーハ３の裏面ｂ上に、リンス液
の凍結層５ｆを被着形成する。
詳細に説明する。図３において、３は半導体ウェーハ
（シリコンウェーハ）を示し、ａはその鏡面（表面）、
ｂは裏面である。図３（Ａ）に示す如く、ウェーハ３の
裏面ｂが上側になるように配して、ノズル８からリンス
液（例えば、純水）を排出して、ウェーハ３の裏面ｂ上
に垂らし、図３（Ｂ）に示す如く、ウェーハ３の裏面ｂ
の全面をリンス液５で覆う。しかる後、リンス液５で覆
われたウェーハ３を、冷蔵装置内で、又は、冷却板をウ
ェーハ３上のリンス液５に近接又は接触させて、図３
（Ｃ）に示す如く、ウェーハ３の裏面ｂ上に、リンス液
の凍結層５ｆを被着形成する。
【００１２】リンス液としては、例えば、ＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）、アセトン等の有機溶剤が可能で
ある。
プロピルアルコール）、アセトン等の有機溶剤が可能で
ある。
【００１３】しかる後、図１に示す如く、複数枚の半導
体ウェーハ３を、隣接するウェーハ３の鏡面（表面）ａ
と、その反対側の面（裏面）ｂ、即ち、リンス液の凍結
層５ｆとが互いに対向する如く、互いに所定の一定間隔
を以て互いに平行になるようにウェーハキャリア４に取
付ける。このウエーハキャリア４に取付けられた複数枚
のウェーハ３を、洗浄液（薬品）（希釈成分としての純
水を含む）２の中に浸漬して、特に、ウェーハ３の鏡面
ａの洗浄を行う。尚、図１では、上述の図４と対応する
部分に、同一符号を付してある。
体ウェーハ３を、隣接するウェーハ３の鏡面（表面）ａ
と、その反対側の面（裏面）ｂ、即ち、リンス液の凍結
層５ｆとが互いに対向する如く、互いに所定の一定間隔
を以て互いに平行になるようにウェーハキャリア４に取
付ける。このウエーハキャリア４に取付けられた複数枚
のウェーハ３を、洗浄液（薬品）（希釈成分としての純
水を含む）２の中に浸漬して、特に、ウェーハ３の鏡面
ａの洗浄を行う。尚、図１では、上述の図４と対応する
部分に、同一符号を付してある。
【００１４】ウェーハ３の裏面ｂはリンス液の凍結層５
ｆで被覆されているので、ウェーハ３の裏面ｂが汚染さ
れていても、その汚染物質が洗浄液２を介して、隣接す
るウェーハ３の鏡面ａ上に付着してこれを汚染するおそ
れはない。
ｆで被覆されているので、ウェーハ３の裏面ｂが汚染さ
れていても、その汚染物質が洗浄液２を介して、隣接す
るウェーハ３の鏡面ａ上に付着してこれを汚染するおそ
れはない。
【００１５】ウェーハ３上のリンス液の凍結層５ｆの表
面は、例えば、常温の、あるいは常温より多少高い温度
の洗浄液２によって温められて、洗浄液２中で溶解する
が、洗浄が終了するまでは、ウェーハ３の裏面ｂが露呈
しないように、洗浄液２の温度、洗浄時間、ウエーハ３
上のリンス液の凍結層５ｆの厚さ等を設定するものとす
る。
面は、例えば、常温の、あるいは常温より多少高い温度
の洗浄液２によって温められて、洗浄液２中で溶解する
が、洗浄が終了するまでは、ウェーハ３の裏面ｂが露呈
しないように、洗浄液２の温度、洗浄時間、ウエーハ３
上のリンス液の凍結層５ｆの厚さ等を設定するものとす
る。
【００１６】上述の洗浄液２としては、例えば、ＳＣ−
１：ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、ＳＣ−２：Ｈｃｌ
−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、ＨＦ−Ｈ2 Ｏ、ＮＨ4 −ＨＦ−Ｈ
2 Ｏ、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、有機レジスト剥
離液等である。
１：ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、ＳＣ−２：Ｈｃｌ
−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、ＨＦ−Ｈ2 Ｏ、ＮＨ4 −ＨＦ−Ｈ
2 Ｏ、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ、有機レジスト剥
離液等である。
【００１７】洗浄液２によって洗浄された複数枚のウェ
ーハ（その各裏面ｂは全てリンス液の凍結層５ｆで被覆
されている）３は、ウェーハキャリア４に取付けられた
状態で、リンス槽６に入れられたリンス液（純水）７の
中に浸漬してリンス処理が行われる。そして、全てのウ
ェーハ３上に残存しているリンス液の凍結層５ｆの全て
が、例えば、常温の、あるいは常温より多少高い温度の
リンス液液２によって温められて、リンス２中に溶解す
るまでリンス処理を行う。尚、リンス液７内でウェーハ
３の裏面ｂが露出しても、その裏面ｂ上の汚染物質が隣
接するウェーハ３の鏡面（表面）ａに転移することはな
い。
ーハ（その各裏面ｂは全てリンス液の凍結層５ｆで被覆
されている）３は、ウェーハキャリア４に取付けられた
状態で、リンス槽６に入れられたリンス液（純水）７の
中に浸漬してリンス処理が行われる。そして、全てのウ
ェーハ３上に残存しているリンス液の凍結層５ｆの全て
が、例えば、常温の、あるいは常温より多少高い温度の
リンス液液２によって温められて、リンス２中に溶解す
るまでリンス処理を行う。尚、リンス液７内でウェーハ
３の裏面ｂが露出しても、その裏面ｂ上の汚染物質が隣
接するウェーハ３の鏡面（表面）ａに転移することはな
い。
【００１８】リンス処理が完了した複数枚のウェーハ３
は、ウェーハキャリア４に取付けられた状態で、ＩＰＡ
乾燥装置等の乾燥装置（図示せず）に入れられて乾燥せ
しめられる。
は、ウェーハキャリア４に取付けられた状態で、ＩＰＡ
乾燥装置等の乾燥装置（図示せず）に入れられて乾燥せ
しめられる。
【００１９】尚、リンス処理によって、ウェーハ３の裏
面ｂのリンス液の凍結層５ｆが完全にリンス液５中に溶
解しないうちに、そのウェーハ３を乾燥装置に入れて乾
燥することもでき、その場合の乾燥装置としてはＩＰＡ
蒸発乾燥装置が好適である。ここで、ＩＰＡはイソプロ
ピルアルコール（isopropyl alcohol)を意味する。ウェ
ーハ３の裏面ｂ上に、リンス液の凍結層５ｆ又はリンス
液５が残存していたとしても、これらはＩＰＡに溶解し
て完全に除去される。
面ｂのリンス液の凍結層５ｆが完全にリンス液５中に溶
解しないうちに、そのウェーハ３を乾燥装置に入れて乾
燥することもでき、その場合の乾燥装置としてはＩＰＡ
蒸発乾燥装置が好適である。ここで、ＩＰＡはイソプロ
ピルアルコール（isopropyl alcohol)を意味する。ウェ
ーハ３の裏面ｂ上に、リンス液の凍結層５ｆ又はリンス
液５が残存していたとしても、これらはＩＰＡに溶解し
て完全に除去される。
【００２０】次に、このウェーハ３のＩＰＡ乾燥の仕方
を説明する。ＩＰＡを沸点（８５°Ｃ）まで加熱し、そ
のＩＰＡの蒸気の中にウェーハを投入する。これによ
り、ウェーハの表面の水分は、ＩＰＡ蒸気に溶解し、液
滴となってウェーハから落ちる。最終的には、ウェーハ
の表面はＩＰＡ蒸気のみとなり、これをＩＰＡ蒸気中か
ら取り出すと、ウェーハ自体の予熱によってＩＰＡが気
化する。かくして、ウェーハの表面の水分が除去され、
即ち、ウェーハの乾燥が行われる。
を説明する。ＩＰＡを沸点（８５°Ｃ）まで加熱し、そ
のＩＰＡの蒸気の中にウェーハを投入する。これによ
り、ウェーハの表面の水分は、ＩＰＡ蒸気に溶解し、液
滴となってウェーハから落ちる。最終的には、ウェーハ
の表面はＩＰＡ蒸気のみとなり、これをＩＰＡ蒸気中か
ら取り出すと、ウェーハ自体の予熱によってＩＰＡが気
化する。かくして、ウェーハの表面の水分が除去され、
即ち、ウェーハの乾燥が行われる。
【００２１】尚、リンス液の凍結層５のリンス液の代わ
りに、洗浄液２の希釈液、その他の液体（化学的に安定
で揮発性のある液体）であっても良い。一般的には、リ
ンス液は、洗浄液の希釈液である場合が多い。
りに、洗浄液２の希釈液、その他の液体（化学的に安定
で揮発性のある液体）であっても良い。一般的には、リ
ンス液は、洗浄液の希釈液である場合が多い。
【００２２】本発明は、図５にて説明したスプレー式の
洗浄の場合にも適用でき、又、そのスプレー式は、枚葉
スプレー式、又は、バッチスプレー式であっても良い。
洗浄の場合にも適用でき、又、そのスプレー式は、枚葉
スプレー式、又は、バッチスプレー式であっても良い。
【００２３】本発明による洗浄方法の対象であるウェー
ハは、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハに限らず、
Ｇａ−Ａｓ等の化合物半導体ウェーハ、液晶表示装置に
用いられるガラスウェーハ等でも良い。
ハは、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハに限らず、
Ｇａ−Ａｓ等の化合物半導体ウェーハ、液晶表示装置に
用いられるガラスウェーハ等でも良い。
【００２４】尚、上述の洗浄−リンス処理−乾燥からな
る１連の工程のうち、洗浄処理を省略して、ウェーハを
洗浄することなく、ウェーハを直ちにリンス処理を行
い、しかる後、乾燥するようにしても良い。その場合に
は、ウェーハ上の凍結層は、リンス処理時のみに液化し
て除去されるか、又は、リンス処理及び乾燥時に亘って
液化して除去される。
る１連の工程のうち、洗浄処理を省略して、ウェーハを
洗浄することなく、ウェーハを直ちにリンス処理を行
い、しかる後、乾燥するようにしても良い。その場合に
は、ウェーハ上の凍結層は、リンス処理時のみに液化し
て除去されるか、又は、リンス処理及び乾燥時に亘って
液化して除去される。
【００２５】因みに、ＩＰＡ乾燥を採用する際、ＩＰＡ
を凍結層の液体として採用するときは、ＩＰＡが洗浄時
に洗浄液と化学反応を起こすので、ＩＰＡは使えない。
を凍結層の液体として採用するときは、ＩＰＡが洗浄時
に洗浄液と化学反応を起こすので、ＩＰＡは使えない。
【００２６】
【発明の効果】上述せる本発明によるウェーハの洗浄方
法によれば、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に
液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成され
たウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄するよ
うにしたので、ウェーハの洗浄すべき面が、その反対側
の面からの汚染物質で汚染されるおそれがなくなる。
法によれば、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に
液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成され
たウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄するよ
うにしたので、ウェーハの洗浄すべき面が、その反対側
の面からの汚染物質で汚染されるおそれがなくなる。
【００２７】本発明によるウェーハの洗浄方法における
凍結層の液体として、リンス液又は洗浄液の希釈液を使
用することにより、洗浄時の洗浄液、洗浄後のリンス処
理時のリンス液、リンス処理後の乾燥に使用する乾燥用
液（ＩＰＡ等）との間で化学反応を起こすおそれはな
く、洗浄時、リンス処理時、乾燥時に、ウェーハの面上
の凍結層が液化して除去される。
凍結層の液体として、リンス液又は洗浄液の希釈液を使
用することにより、洗浄時の洗浄液、洗浄後のリンス処
理時のリンス液、リンス処理後の乾燥に使用する乾燥用
液（ＩＰＡ等）との間で化学反応を起こすおそれはな
く、洗浄時、リンス処理時、乾燥時に、ウェーハの面上
の凍結層が液化して除去される。
【００２８】上述せる本発明によるウェーハの洗浄方法
によれば、ウェーハのリンス処理すべき面の反対側の面
上に液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成
されたウェーハのリンス処理すべき面をリンス液を用い
てリンス処理するようにしたので、ウェーハのリンス処
理すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれはなくなる。
によれば、ウェーハのリンス処理すべき面の反対側の面
上に液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成
されたウェーハのリンス処理すべき面をリンス液を用い
てリンス処理するようにしたので、ウェーハのリンス処
理すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれはなくなる。
【００２９】本発明によるウェーハのリンス処理方法に
よれば、ウェーハのリンス処理すべき面の反対側の面上
に液体の凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成
されたウェーハのリンス処理すべき面をリンス液を用い
てリンス処理するようにしたので、ウェーハのリンス処
理すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれがなくなる。
よれば、ウェーハのリンス処理すべき面の反対側の面上
に液体の凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成
されたウェーハのリンス処理すべき面をリンス液を用い
てリンス処理するようにしたので、ウェーハのリンス処
理すべき面が、その反対側の面からの汚染物質で汚染さ
れるおそれがなくなる。
【００３０】本発明によるウェーハのリンス処理方法に
おける凍結層の液体として、リンス液又は洗浄液の希釈
液を使用することにより、洗浄後のリンス処理時のリン
ス液、リンス処理後の乾燥に使用する乾燥用液（ＩＰＡ
等）との間で化学反応を起こすおそれはなく、洗浄時、
リンス処理時、乾燥時に、ウェーハの面上の凍結層が液
化して除去される。本発明による半導体の製造方法によ
れば、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に液体の
凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成されたウ
ェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄することを
含むようにしたので、ウェーハの洗浄すべき面が、その
反対側の面からの汚染物質で汚染されるおそれがなくな
る。
おける凍結層の液体として、リンス液又は洗浄液の希釈
液を使用することにより、洗浄後のリンス処理時のリン
ス液、リンス処理後の乾燥に使用する乾燥用液（ＩＰＡ
等）との間で化学反応を起こすおそれはなく、洗浄時、
リンス処理時、乾燥時に、ウェーハの面上の凍結層が液
化して除去される。本発明による半導体の製造方法によ
れば、ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上に液体の
凍結層を形成した後、その液体の凍結層の形成されたウ
ェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄することを
含むようにしたので、ウェーハの洗浄すべき面が、その
反対側の面からの汚染物質で汚染されるおそれがなくな
る。
【図１】本発明によるウェーハの洗浄方法の１工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明によるウェーハの洗浄方法の他の１工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明によるウェーハの洗浄方法の前工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来のウェーハの洗浄方法の工程を示す断面図
である。
である。
【図５】他の従来のウェーハの洗浄方法の工程を示す断
面図である。
面図である。
１ 洗浄槽
２ 洗浄液
３ ウェーハ
４ ウェーハキャリア
５ｆ リンス液の凍結層
６ リンス槽
７ リンス液
８ ノズル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上
に液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成さ
れたウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄する
ことを特徴とするとするウェーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のウェーハの洗浄方法に
おいて、 上記洗浄液で洗浄されたウェーハは、更に、リンス液で
リンス処理されることを特徴とするウェーハの洗浄方
法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のウェーハの洗浄
方法において、 上記凍結層の液体はリンス液であることを特徴とするウ
ェーハの洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載のウェーハの洗浄
方法において、 上記凍結層の液体は上記洗浄液の希釈液であることを特
徴とするウェーハの洗浄方法。 - 【請求項５】 ウェーハのリンス処理すべき面の反対側
の面上に液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の
形成されたウェーハのリンス処理すべき面をリンス液を
用いてリンス処理することを特徴とするとするウェーハ
のリンス処理方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載のウェーハのリンス処理
方法において、 上記凍結層の液体はリンス液であることを特徴とするウ
ェーハのリンス処理方法。 - 【請求項７】 ウェーハの洗浄すべき面の反対側の面上
に液体の凍結層を形成した後、該液体の凍結層の形成さ
れたウェーハの洗浄すべき面を洗浄液を用いて洗浄する
ことを含むことを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01095195A JP3362539B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01095195A JP3362539B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203853A JPH08203853A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3362539B2 true JP3362539B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=11764510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01095195A Expired - Fee Related JP3362539B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | ウェーハの洗浄方法、リンス処理方法及び半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3362539B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6216274B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2017-10-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP01095195A patent/JP3362539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08203853A (ja) | 1996-08-09 |
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