JP2008130874A - 電極膜/炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜/炭化珪素構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明に係る電極膜/炭化珪素構造体では、SiC基板10の表面に形成された絶縁膜11に開口した接触窓12により露出したSiC基板10の表面に接し、絶縁膜11のSiC基板対向面に延伸させて設けた電極13は、微細直方結晶を積上げた微細積木構造を有する。
【選択図】図1
Description
第1の実施形態に係る電極膜/炭化珪素構造体である電極/SiC構造体について図1を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る電極/SiC構造体の構成を示す断面図である。ここで、図1(a)はある方向の要部断面図である。図1(b1)または(b2)は図1(a)の紙面に垂直方向の断面図である。第1の実施形態では、ある方向の断面が図1(a)であれば、垂直方向の断面形態が図1(b1)または(b2)の何れであっても等しく適用できる。
ショットキバリアダイオードの陽極として使われるものならば、表面側にn−層をホモエピタキシャル成長させた低抵抗4H−SiC基板である。なお、本発明は、特に4H−SiC基板に限定されることなく、6H、3C、15Rなど全ての晶系(Hは六方晶、Cは立方晶、Rは菱面体晶を意味する)のSiC単結晶基板、同各晶系基板のすべての結晶面およびSiC多結晶基板にも適用できる。
形成方法 電子ビーム蒸着
基板温度 40℃以下
ソース カーボン製るつぼに充填した純度99.9999%のNi
ソース=基板間距離 30cm
成膜中の圧力 10−7Torr(1.333×10−5Pa)未満
成膜速度 0.5nm/秒
また、微細積木構造金属電極膜13aは直流マグネトロンスパッタリングでも作製することができる。成膜条件の一例を示すと次のとおりである。
形成手段 直流マグネトロンスパッタ法
基板温度 40℃以下
ターゲット 純度99.999%のNi
ターゲット=基板間距離 40cm
成長室の背圧 10−8Torr(1.333×10−6Pa)未満
スパッタリングガス 超高純化Ar
成膜中の圧力 5×10−3Torr(0.6667Pa)
成膜速度 1nm/秒
接触窓12により露出したSiC基板10の表面および絶縁膜11の全面に、金属電極膜13aが形成されたところで、周知のフォトリソグラフィとエッチング法で金属電極膜13aをパタニングし、電極13を形成すると、図1(a)に示した電極/SiC構造体が完成する。
次に、第2の実施形態に係る電極/SiC構造体について、第1の実施形態に係る電極/SiC構造体と異なる点を中心に図3乃至図4を参照して説明する。また、第2の実施形態に係る電極/SiC構造体について、第1の実施形態に係る電極/SiC構造体と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。なお、第2の実施形態に係る電極/SiC構造体は、第1の実施形態に係る電極/SiC構造体と基本的には同じ構造を有している。第2の実施形態に係る電極/SiC構造体が第1の実施形態と異なる点は、金属電極膜15aをヘテロエピタキシャル膜として形成している点だけである。すなわち、第2の実施形態では、上述したように、電極15が剥離する原因が、下地であるSiC基板10および絶縁膜14と電極15との密着力不足にあると捉えて、電極15とSiC基板10との界面および電極15と絶縁膜14との界面での密着力を強化することにより、電極15の剥離を防止しようとするものである。よって、第1の実施形態と同様の効果を取得できる。
形成方法 電子ビーム蒸着
前洗浄から蒸着開始までの時間 15分未満(望ましくは10分以下)
基板温度 100℃以下
ソース カーボン製るつぼに充填した純度99.9999%のNi
ソース=基板間距離 30cm
成膜中の圧力 5×10−8Torr(6.667×10−6Pa)未満
成膜速度 0.2nm/秒
また、金属電極膜15aは直流マグネトロンスパッタリングでも作製することができる。成膜条件の一例を示すと次のとおりである。
形成手段 直流マグネトロンスパッタ法
前洗浄から蒸着開始までの時間 15分未満(望ましくは10分以下)
基板温度 100℃以下
ターゲット 純度99.999%のNi
ターゲット=基板間距離 40cm
成長室の背圧 5×10−8Torr(6.667×10−6Pa)未満
スパッタリングガス(ハイドロカーボン等及び水分除去処理済み)
超高純化Ar
成膜中の圧力 5×10−3Torr(0.6667Pa)
成膜速度 0.5nm/秒
上述したように、接触窓12により露出したSiC基板10の表面に対して金属電極膜15aはヘテロエピタキシャル成長する。(なお、ヘテロエピタキシャル成長の実際例は次の第3の実施形態で示す)。接触窓12により露出したSiC基板10の表面および絶縁膜11の全面に、金属電極膜15aが形成されたところで、周知のフォトリソグラフィとエッチング法で金属電極膜15aをパタニングし、電極15を形成すると、図3(a)に示した電極/SiC構造体が完成する。
次に、第3の実施形態に係る電極/SiC構造体について、第1および第2の実施形態に係る電極/SiC構造体と異なる点を中心に図6乃至図9を参照して説明する。また、第3の実施形態に係る電極/SiC構造体について、第1および第2の実施形態に係る電極/SiC構造体と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。ここで、上述した第1の実施形態に係る発明と第2の実施形態に係る発明は互いに独立した発明であるので、両発明を組合せた構成がより完璧な解決法となりうることは明らかである。そこで、第3の実施形態に係る電極/SiC構造体は、上記両発明を組合せた構造体としている。具体的には、電極17を、SiC基板10の表面に対するヘテロエピタキシャル膜から形成される下部電極18および微細積木構造を有する上部電極19からなる積層構造としている。よって、第1および第2の実施形態と同様の効果を取得できる。
13a 金属電極膜、14 絶縁膜、15 電極、15a 金属電極膜、
16、16a 熱酸化膜、17 電極、17a 金属電極膜、18 下部電極、
18a 下部金属電極膜、19 上部電極、19a 上部金属電極膜
Claims (24)
- 半導体炭化珪素基板と、
前記半導体炭化珪素基板の少なくとも1主面に形成された絶縁膜と、
前記1主面を部分的に露出させるために、前記絶縁膜に開口した接触窓と、
前記接触窓により露出した前記1主面に接し、前記絶縁膜の1主面対向面に延伸させて設けた電極膜とを含む電極膜/炭化珪素構造体において、
前記電極膜は微細結晶を積上げた微細積木構造を有することを特徴とする電極膜/炭化珪素構造体。 - 前記電極膜の前記微細結晶の一辺長は2.5nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 前記電極膜は、隣接する前記微細結晶を緻密に接して積上げられ、かつ、前記微細結晶の積上げ方向に対して法線方向に伸縮自在であることを特徴とする請求項1または2に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 前記電極膜は、炭化珪素から引っ張り応力を受ける材料で構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 前記電極膜は、Ni膜、Co膜、前記Ni膜および前記Co膜を含む合金膜、前記Ni膜および前記Co膜を含む混合膜または前記Ni膜および前記Co膜を含む積層膜であることを特徴とする請求項4に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 半導体炭化珪素基板と、
前記半導体炭化珪素基板の少なくとも1主面に形成された絶縁膜と、
前記1主面を部分的に露出させるために、前記絶縁膜に開口した接触窓と、
前記接触窓により露出した前記1主面に接し、前記絶縁膜の1主面対向面に延伸させて設けた電極膜とを含む電極膜/炭化珪素構造体において、
前記電極膜は、前記露出した前記1主面にヘテロエピタキシャル成長させて形成することを特徴とする電極膜/炭化珪素構造体。 - 前記電極膜と前記半導体炭化珪素基板との界面に、グラファイト、有機物、水分(−OH基)、ハイドロカーボン(−CxHy基)またはフロロカーボン(−CxFy基)の異物の内、少なくとも1以上の異物を挟持することなく形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 前記電極膜は、炭化珪素から引っ張り応力を受ける材料で構成されることを特徴とする請求項6または7に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 前記電極膜は、Ni膜、Co膜、前記Ni膜および前記Co膜を含む合金膜、前記Ni膜および前記Co膜を含む混合膜または前記Ni膜および前記Co膜を含む積層膜であることを特徴とする請求項8に記載の電極膜/炭化珪素構造体。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体を具有することを特徴とする炭化珪素ショットキバリアダイオード。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体を具有することを特徴とする金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体に含まれる電極膜の成膜最適化方法において、
前記電極膜に働く応力が軽減する方向に前記電極膜の成膜条件を順次変化させることによって、前記電極膜を成膜することを特徴とする電極膜の成膜最適化方法。 - 少なくとも成膜条件を変化させたとき、前記電極膜の応力が急減する段階を経ていることを特徴とする請求項12に記載の電極膜の成膜最適化方法。
- 請求項7乃至9のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体を製造する電極膜/炭化珪素構造体の製造方法において、
前記半導体炭化珪素基板の1主面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に前記接触窓を開口し、前記1主面を部分的に露出させる接触窓開口工程と、
前記異物を除去する異物除去プロセスの実行後、前記絶縁膜と前記接触窓を覆うように前記電極膜を被着する電極膜被着工程と、
前記被着した電極膜をパタニングする電極膜パタニング工程とを含むことを特徴とする電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。 - 前記異物除去プロセスは、前記絶縁膜形成工程の実行前に前記半導体炭化珪素基板の両面を酸化し熱酸化膜を形成するプロセスを含むことを特徴とする請求項14に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記異物除去プロセスは、前記接触窓開口工程で使用したフォトリソグラフィ材料に由来する異物を除去するプロセスを含むことを特徴とする請求項14または15に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記異物除去プロセスは、発生期の酸素を生じる溶液への前記半導体炭化珪素基板の浸漬または活性酸素雰囲気への前記半導体炭化珪素基板の暴露によって実行されることを特徴とする請求項16に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記異物除去プロセスは、前記電極膜の被着直前に、少なくとも前記接触窓により露出した前記1主面を洗浄する洗浄プロセスと、
前記1主面の洗浄後、少なくとも前記1主面を100℃以上の乾燥雰囲気に短時間晒すプロセスを含むことを特徴とする請求項14乃至17のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。 - 前記電極膜被着工程は、前記洗浄プロセスの実行後、少なくとも15分以内に開始されることを特徴とする請求項18に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記電極膜被着工程の開始時間は、前記洗浄プロセスの実行後、10分以内であることを特徴とする請求項19に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記電極膜被着工程は、少なくとも8×10−8Torr以下の圧力に設定した真空蒸着で実行されることを特徴とする請求項14乃至19のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記電極膜被着工程の圧力は、5×10−8Torr以下であることを特徴とする請求項21に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記電極膜被着工程は、少なくとも8×10−8Torr以下の背圧に設定し、かつ、水蒸気、ハイドロカーボンまたはフロロカーボンを除去した高純度ガスによるスパッタリング蒸着で実行されることを特徴とする請求項14乃至19のいずれかに記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
- 前記電極膜被着工程の背圧は、5×10-8Torr以下であることを特徴とする請求項23に記載の電極膜/炭化珪素構造体の製造方法。
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