JPH0192367A - スパッタ装置 - Google Patents
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- JPH0192367A JPH0192367A JP24987087A JP24987087A JPH0192367A JP H0192367 A JPH0192367 A JP H0192367A JP 24987087 A JP24987087 A JP 24987087A JP 24987087 A JP24987087 A JP 24987087A JP H0192367 A JPH0192367 A JP H0192367A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、成膜室にガス導入系と排気系が接続されてい
るスパッタ装置に関し、特にその成膜室の圧力を安定に
して膜の応力等を高精度に制御することのできる膜形成
装置に関するものである。
るスパッタ装置に関し、特にその成膜室の圧力を安定に
して膜の応力等を高精度に制御することのできる膜形成
装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体集積回路の成膜工程では、蒸着、スパッタ
リング等の膜形成技術が使用されている。Ｘ線マスク製
造の場合にも、Ｘ線吸収体としてのＴａ膜を形成するの
にスパッタリングが用いられている。
リング等の膜形成技術が使用されている。Ｘ線マスク製
造の場合にも、Ｘ線吸収体としてのＴａ膜を形成するの
にスパッタリングが用いられている。
半導体集積回路の成膜においては、主として膜の純度等
が非常に重要であり、スパッタ装置もこの要求を満たす
ように設計されている。
が非常に重要であり、スパッタ装置もこの要求を満たす
ように設計されている。
第５図に従来のスパッタ装置の構成例を示す。
ここで、１はターゲット、２は試料台、３はこれらター
ゲット１および試料台２を収容した真空容器である。４
は試料台２に取付けた試料である。
ゲット１および試料台２を収容した真空容器である。４
は試料台２に取付けた試料である。
５は真空容器３へのガス導入系、６は真空容器３に対す
る排気系である。７はターゲット１に高周波電圧を印加
する高周波電源である。８はターゲット１と試料台２と
の間に発生したプラズマ、９−１．９−２．９−３は接
地線、１０は排気のコンダクタンスを変えるための可変
オリフィス、１１は試料４をさえぎるシャッタ、１２は
排気系６に設けた主バルブである。
る排気系である。７はターゲット１に高周波電圧を印加
する高周波電源である。８はターゲット１と試料台２と
の間に発生したプラズマ、９−１．９−２．９−３は接
地線、１０は排気のコンダクタンスを変えるための可変
オリフィス、１１は試料４をさえぎるシャッタ、１２は
排気系６に設けた主バルブである。
この装置を動作するには、真空容器３内をタライオポン
ブ等に接続された排気系６を通して真空にする。最近は
真空容器３内の水分等を除去するために、排気系にタラ
イオボンブ等が使用される場合が多い。このようにして
、真空容器３内を十分排気した後、ガス導入系５からガ
スが導入され、所望の圧力に真空容器３が保たれるよう
に、可変オリフィスｌＯを調整する。まず、シャッタ１
１を閉じた状態で高周波電源７を動作させ、プラズマ８
を形成する。その後、シャッタ１１を開き、試料４に膜
を形成する。このとき、純度の良い膜を形成するために
は、ガス導入系５から導入するガス流量を比較的多くす
ることが必要であり、たとえば、２０〜４０５［＋ＣＭ
（標準状態で１分間に流れるガス流量）程度とする。
ブ等に接続された排気系６を通して真空にする。最近は
真空容器３内の水分等を除去するために、排気系にタラ
イオボンブ等が使用される場合が多い。このようにして
、真空容器３内を十分排気した後、ガス導入系５からガ
スが導入され、所望の圧力に真空容器３が保たれるよう
に、可変オリフィスｌＯを調整する。まず、シャッタ１
１を閉じた状態で高周波電源７を動作させ、プラズマ８
を形成する。その後、シャッタ１１を開き、試料４に膜
を形成する。このとき、純度の良い膜を形成するために
は、ガス導入系５から導入するガス流量を比較的多くす
ることが必要であり、たとえば、２０〜４０５［＋ＣＭ
（標準状態で１分間に流れるガス流量）程度とする。
第６図は、ガス導入系５からのガス導入量が１０５ｃ（
：Ｍで５０％変動した時に、排気容量１０００ｆｌ／
ｓ精 のポンプを備えた容１Ｊ１１０ｆｌの真空客器３におけ
るガス圧変動を示している。このときのガス導入量はｓ
ｉｎ関数の形で変化しているが、真空容器３内のカス圧
もｓｉｎ関数の形で変動している。
：Ｍで５０％変動した時に、排気容量１０００ｆｌ／
ｓ精 のポンプを備えた容１Ｊ１１０ｆｌの真空客器３におけ
るガス圧変動を示している。このときのガス導入量はｓ
ｉｎ関数の形で変化しているが、真空容器３内のカス圧
もｓｉｎ関数の形で変動している。
第７図は、第６図に示したガス圧変動が定常状態になっ
た１０分後を基準に取り、その定常状態ての真空容器内
のガス圧の変動量を％で表示した結果を示す。この場合
のガス圧変動も、ｓｉｎ関数の形を取り、その変動量は
５０％に達する。すなわち、ガス導入量の変動がそのま
ま真空容器のガス圧変動に対応している。
た１０分後を基準に取り、その定常状態ての真空容器内
のガス圧の変動量を％で表示した結果を示す。この場合
のガス圧変動も、ｓｉｎ関数の形を取り、その変動量は
５０％に達する。すなわち、ガス導入量の変動がそのま
ま真空容器のガス圧変動に対応している。
［発明が解決しようとする問題点コ
このような設計思想に基づいて作らねたスパッタ装置で
は、ガス導入量の変動がそのまま真空容器のガス圧変動
に現われてくるので、真空容器内の圧力に敏感に依存す
る膜の内部応力を再現性良くかつ高精度に制御するのは
困難であった。
は、ガス導入量の変動がそのまま真空容器のガス圧変動
に現われてくるので、真空容器内の圧力に敏感に依存す
る膜の内部応力を再現性良くかつ高精度に制御するのは
困難であった。
以上述べたように、従来は、半導体集積回路の製造を対
象に高純度の膜を形成するためにスパッタ装置を用いて
いるのが、膜の内部応力を高精度に再現性良く制御する
のは困難であった。
象に高純度の膜を形成するためにスパッタ装置を用いて
いるのが、膜の内部応力を高精度に再現性良く制御する
のは困難であった。
さらにまた、プラズマ８における圧力を測定し、その測
定結果に基づき、フィードバック制御系を介して可変オ
リフィスｌＯを制御することも考えられるが、この場合
は、放電によるノイズがフィードバック制御系に混入し
、制御が安定に行なわれない欠点がある。
定結果に基づき、フィードバック制御系を介して可変オ
リフィスｌＯを制御することも考えられるが、この場合
は、放電によるノイズがフィードバック制御系に混入し
、制御が安定に行なわれない欠点がある。
そこて、本発明の目的は、成膜室に対するガス導入系お
よび成膜室からの排気系に圧力調整手段を設け、以て、
成膜中の成膜室の圧力の変動を極力抑制できるようにし
て、成膜条件を精密に制御てきるようにしたスパッタ装
置を提供することにある。
よび成膜室からの排気系に圧力調整手段を設け、以て、
成膜中の成膜室の圧力の変動を極力抑制できるようにし
て、成膜条件を精密に制御てきるようにしたスパッタ装
置を提供することにある。
本発明の他の目的は、上述した圧力調整手段に加えて、
ガス導入系および排気系にこれら系を所望のコンタクタ
ンスに調整できるような機構を設けて、成膜中の成膜室
の圧力の変動を一層抑制できるようにして、成膜条件を
精密に制御できるようにしたスパッタ装置を提供するこ
とにある。
ガス導入系および排気系にこれら系を所望のコンタクタ
ンスに調整できるような機構を設けて、成膜中の成膜室
の圧力の変動を一層抑制できるようにして、成膜条件を
精密に制御できるようにしたスパッタ装置を提供するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明は、成膜室に
ガス導入系および排気系が接続されているスパッタ装置
において、これらガス導入系および打１気系の少なくと
も一方に圧力調整手段、たとえば圧力調整用容器を設け
たことを特徴とする。
ガス導入系および排気系が接続されているスパッタ装置
において、これらガス導入系および打１気系の少なくと
も一方に圧力調整手段、たとえば圧力調整用容器を設け
たことを特徴とする。
本発明の他の形態は、成膜室にガス導入系およりの変動
を緩和する圧力調整手段を設け、およびガス導入系およ
び排気系の少なくとも一方に系におけるコンダクタンス
を調整する手段を設けたことを特徴とする。
を緩和する圧力調整手段を設け、およびガス導入系およ
び排気系の少なくとも一方に系におけるコンダクタンス
を調整する手段を設けたことを特徴とする。
［作 用］
本発明では、成膜室とガス導入系との間に圧力の変動を
緩和する圧力調整用容器、成膜室と排気系との間に圧力
の変動を緩和する圧力調整用容器を設け、要すれば、こ
れらガス導入系および／または排気系にコンダクタンス
調整手段、たとえば可変オリフィスを設けて、これらガ
ス導入系および排気系を所望のコンダクタンスを持つよ
うに調節できるようにしたので、成膜室の圧力を高精度
に制御でき、しかも、精密に設定で籾、成膜室の圧力を
安定に保持することができる。
緩和する圧力調整用容器、成膜室と排気系との間に圧力
の変動を緩和する圧力調整用容器を設け、要すれば、こ
れらガス導入系および／または排気系にコンダクタンス
調整手段、たとえば可変オリフィスを設けて、これらガ
ス導入系および排気系を所望のコンダクタンスを持つよ
うに調節できるようにしたので、成膜室の圧力を高精度
に制御でき、しかも、精密に設定で籾、成膜室の圧力を
安定に保持することができる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
１鳳■上
第１図は本発明の一実施例を示し、ここで、１はターゲ
ット、２は試料台、３は真空容器、４は試料、５はガス
導入系、６は排気系、７は高周波電源、８はプラズマ、
９−１．９−２．９−３は接地線、 １１はシャッタ、
１２は主バルブであり、以上の構成は第５図の従来例と
同様である。
ット、２は試料台、３は真空容器、４は試料、５はガス
導入系、６は排気系、７は高周波電源、８はプラズマ、
９−１．９−２．９−３は接地線、 １１はシャッタ、
１２は主バルブであり、以上の構成は第５図の従来例と
同様である。
さらに、第１図において、ｌｏｔは排気系６とは別個に
真空容器３に接続した所望のコンダクタンスを有する排
気用の管、１０２は排気管１０１に接続されて、排気系
６の変動を緩和するための圧力調整用容器５１０３はこ
の容器！０２に接続され、所望のコンダクタンスを有す
る排気用の管であって、その他端を排気系６に接続する
０以上の部分１０１〜１０３によって排気系６を側路す
る第２の排気系を構成する。１０４は排気管１０１によ
る排気を行うか否かを制御するように排気管１０１に取
りつけた補助バルブ、１０５は排気系６に取りつけた排
気ポンプである。
真空容器３に接続した所望のコンダクタンスを有する排
気用の管、１０２は排気管１０１に接続されて、排気系
６の変動を緩和するための圧力調整用容器５１０３はこ
の容器！０２に接続され、所望のコンダクタンスを有す
る排気用の管であって、その他端を排気系６に接続する
０以上の部分１０１〜１０３によって排気系６を側路す
る第２の排気系を構成する。１０４は排気管１０１によ
る排気を行うか否かを制御するように排気管１０１に取
りつけた補助バルブ、１０５は排気系６に取りつけた排
気ポンプである。
１０６は所望のコンダクタンスを有するガス導入管であ
って、真空容器３に接続される。１０７はこのガス導入
管１０Ｂに接続した圧力調整用容器である。１０８，１
０９はコンダクタンス調整機構としての可変オリフィス
であり、それぞれ、ガス導入管！０６および排気管１０
１に設ける。
って、真空容器３に接続される。１０７はこのガス導入
管１０Ｂに接続した圧力調整用容器である。１０８，１
０９はコンダクタンス調整機構としての可変オリフィス
であり、それぞれ、ガス導入管！０６および排気管１０
１に設ける。
この装置を動作させるにあたっては、補助バルブ１０４
を閉じた状態で主バルブ！２を開き、排気ポンプ１０５
で真空容器３を排気して真空にする０次に、主バルブ１
２を閉じ、補助バルブ１０４を開いた状態でガス導入系
５からガスを導入する。真空容器３内が所定の圧力に達
した後、高周波電源７に電力を投入し、プラズマ８を生
成する。放電開始後、プラズマが安定に生成される状態
でシャッタ１１を間き、試料台２上の試料４に鰻を形成
する。
を閉じた状態で主バルブ！２を開き、排気ポンプ１０５
で真空容器３を排気して真空にする０次に、主バルブ１
２を閉じ、補助バルブ１０４を開いた状態でガス導入系
５からガスを導入する。真空容器３内が所定の圧力に達
した後、高周波電源７に電力を投入し、プラズマ８を生
成する。放電開始後、プラズマが安定に生成される状態
でシャッタ１１を間き、試料台２上の試料４に鰻を形成
する。
第２図は、ガス導入量１０ｓｅｃｓで変動量５０％とし
た時のガス圧の変動を示す、ここで、Ａ、Ｂ、Ｃは、そ
れぞれ、圧力調整用容器１０７．真空容器３、圧力調整
用容器１０２のガス圧である。ここで、真空容器３の容
積を７０β、ガス導入系５の圧力調整用容器１０７の容
積を８１、排気系６の圧力調整用容器１０２の容積を４
２とした。真空客器３とガス導入系５の圧力調整用容器
１０７どの間のガス導入管＋０１ｉの内径は０．５ｃｍ
、この管１０６の長さは２０ｃｍ、真空客器３と排気
系６の圧力調整用容器１０２どの間の排気管１０１の内
径は３ＣＩ１１％この管１０１の長さは２０ｃ＋ｎ、排
気系６の圧力調整用容器１０２とポンプ１０５ との間
の排気管１０３の内径は５ｃｍ、この管１０３の長さは
２０ｃｍとした。
た時のガス圧の変動を示す、ここで、Ａ、Ｂ、Ｃは、そ
れぞれ、圧力調整用容器１０７．真空容器３、圧力調整
用容器１０２のガス圧である。ここで、真空容器３の容
積を７０β、ガス導入系５の圧力調整用容器１０７の容
積を８１、排気系６の圧力調整用容器１０２の容積を４
２とした。真空客器３とガス導入系５の圧力調整用容器
１０７どの間のガス導入管＋０１ｉの内径は０．５ｃｍ
、この管１０６の長さは２０ｃｍ、真空客器３と排気
系６の圧力調整用容器１０２どの間の排気管１０１の内
径は３ＣＩ１１％この管１０１の長さは２０ｃ＋ｎ、排
気系６の圧力調整用容器１０２とポンプ１０５ との間
の排気管１０３の内径は５ｃｍ、この管１０３の長さは
２０ｃｍとした。
この場合、可変オリフィス１０８および１０９はいずれ
も全開にした。したがって、多管の長さと内径で各コン
ダクタンスは与えられる。ポンプ１０５の排気容量は１
０００ｆｆｉ ／ ｓとした。ここで、圧力調整用容器
！０７．真空容器３、圧力調整用容器１０２のガス圧変
動は極めて少なかった。
も全開にした。したがって、多管の長さと内径で各コン
ダクタンスは与えられる。ポンプ１０５の排気容量は１
０００ｆｆｉ ／ ｓとした。ここで、圧力調整用容器
！０７．真空容器３、圧力調整用容器１０２のガス圧変
動は極めて少なかった。
第３図に、真空客器３内のガス圧変動が定常状態になっ
た１０分後を基準にしてガス圧変Ｔ＃Ｊ量を％で示す、
第３図かられかるように、ガス圧が定常状態に落着くま
で８分近くかかるが、その後の変動量は１５％以内であ
り、従来例（第７図）における５０％に比べて変動量は
大幅に低減した。
た１０分後を基準にしてガス圧変Ｔ＃Ｊ量を％で示す、
第３図かられかるように、ガス圧が定常状態に落着くま
で８分近くかかるが、その後の変動量は１５％以内であ
り、従来例（第７図）における５０％に比べて変動量は
大幅に低減した。
この結果から明らかなように、従来の技術に比べて、本
発明を用いることにより、膜を形成する真空容器内のガ
ス圧変動を大幅に低減でき、膜形成中のガス圧を高精度
に制御できる。したがって、本発明によれ、ば、高融点
金属の応力を高精度に制御できる。
発明を用いることにより、膜を形成する真空容器内のガ
ス圧変動を大幅に低減でき、膜形成中のガス圧を高精度
に制御できる。したがって、本発明によれ、ば、高融点
金属の応力を高精度に制御できる。
夾鳳頂ユ
第４図は本発明の他の実施例であって、ここで、１はタ
ーゲット、２は試料台、３は真空容器、４は試料、５は
ガス導入系、６は排気系、７は高周波電源、８はプラズ
マ、９−１．９−２゜９−３は接地線５１１はンヤッタ
、１２は主バルブであり、以上の構成は第５図の従来例
と同様である。
ーゲット、２は試料台、３は真空容器、４は試料、５は
ガス導入系、６は排気系、７は高周波電源、８はプラズ
マ、９−１．９−２゜９−３は接地線５１１はンヤッタ
、１２は主バルブであり、以上の構成は第５図の従来例
と同様である。
さらに、第１図において、１０１は排気系６とは別個に
真空容器３に接続した所望のコンダクタンスを有する排
気用の管、１０２は排気管１０１に接続されて、排気系
６の変動を緩和するための圧力調整用容器、１０３はこ
の容器１０２に接続され、所望のコンダクタンスを有す
る排気用の管であって、その他端を排気系６に接続する
。以上の部分１０１〜１０３によって排気系６を側路す
る第２の排気系を構成する。１０４は排気管１０１によ
る排気を行うか否かを制御するように排気管１０１に取
りつけた補助バルブ、１０５は排気系６に取りつけた排
気ポンプである。
真空容器３に接続した所望のコンダクタンスを有する排
気用の管、１０２は排気管１０１に接続されて、排気系
６の変動を緩和するための圧力調整用容器、１０３はこ
の容器１０２に接続され、所望のコンダクタンスを有す
る排気用の管であって、その他端を排気系６に接続する
。以上の部分１０１〜１０３によって排気系６を側路す
る第２の排気系を構成する。１０４は排気管１０１によ
る排気を行うか否かを制御するように排気管１０１に取
りつけた補助バルブ、１０５は排気系６に取りつけた排
気ポンプである。
本実施例では、ガス導入系５に対しては、第１図の実施
例とは異なり、圧力調整用容器およびコンダクタンス調
整機構を設けない。
例とは異なり、圧力調整用容器およびコンダクタンス調
整機構を設けない。
この装置を動作させるには、補助バルブ１０４を閉じた
状態で主バルブ１２を開き、排気ポンプ１０５で真空容
器３を排気して真空にする。次に、主バルブ１２を閉じ
、補助バルブ１０４を開いた状態でガス導入系５からカ
スを導入する。真空容器３内が所定の圧力に達した後、
高周波電源７に電力を投入し、プラズマ８を生成する。
状態で主バルブ１２を開き、排気ポンプ１０５で真空容
器３を排気して真空にする。次に、主バルブ１２を閉じ
、補助バルブ１０４を開いた状態でガス導入系５からカ
スを導入する。真空容器３内が所定の圧力に達した後、
高周波電源７に電力を投入し、プラズマ８を生成する。
放電開始後、プラズマが安定に生成される状態でシャッ
タ１１を開と、試料台２上の試料４に膜を形成する。
タ１１を開と、試料台２上の試料４に膜を形成する。
この例では、排気系６の側においてのみガス圧を調整し
、コンダクタンスを調整するようにしたが、この場合で
もポンプ１０５の排気能力の変動を大幅に低減でき、真
空容器３のガス圧も高精度に保つことが可能になる。
、コンダクタンスを調整するようにしたが、この場合で
もポンプ１０５の排気能力の変動を大幅に低減でき、真
空容器３のガス圧も高精度に保つことが可能になる。
更に、圧力調整用容器の体積、真空容器の容積、並ひに
これら両容器の間を接続する管のコンダクタンスを最適
化することにより、導入ガス量が５０％変動しても、真
空容器の圧力変動を５％以下に抑えることができ、変動
量を従来例に対して約１／１０に低下させることができ
る。
これら両容器の間を接続する管のコンダクタンスを最適
化することにより、導入ガス量が５０％変動しても、真
空容器の圧力変動を５％以下に抑えることができ、変動
量を従来例に対して約１／１０に低下させることができ
る。
実際の装置では、導入ガス量が５０％も変動することは
ないので、本発明のスパッタ装置を用いれば、１ ／
１０００Ｔｏｒｒのガス圧制御も可能となる。
ないので、本発明のスパッタ装置を用いれば、１ ／
１０００Ｔｏｒｒのガス圧制御も可能となる。
なお、第１図または第４図に示した実施例では、排気系
６に排気管１０１および１０３と圧力調整用容器１０２
による第２の排気系を側路させて配置したが、このよう
にする代わりに、排気系６自体の途中に圧力調整用容器
１０２および要すれば可変オリフィス１０９を配置する
構成とすることもできる。
６に排気管１０１および１０３と圧力調整用容器１０２
による第２の排気系を側路させて配置したが、このよう
にする代わりに、排気系６自体の途中に圧力調整用容器
１０２および要すれば可変オリフィス１０９を配置する
構成とすることもできる。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明のスパッタ装置によれば、
圧力の変動を緩和する作用をもつ圧力調整用容器および
コンダクタンス調整機構により膜形成中のガス圧を高精
度に制御できるので、膜形成中のガス圧に依存する膜の
性質（応力、電気抵抗、密度等）を高精度に制御でと、
以て所望の膜を形成することができる。
圧力の変動を緩和する作用をもつ圧力調整用容器および
コンダクタンス調整機構により膜形成中のガス圧を高精
度に制御できるので、膜形成中のガス圧に依存する膜の
性質（応力、電気抵抗、密度等）を高精度に制御でと、
以て所望の膜を形成することができる。
具体的には、Ｘ線露光用マスクの吸収パタンに用いるＴ
ａ、 Ｗ等の高融点金属による低応力で高い密度の膜を
形成することが可能になる。あるいはまた、ＬＳＩの配
線材料の低応力化が可能となり、歩留まりの向上が期待
できる。このほか、ＧａＡｓ等の配線材料にも適用可能
となる。
ａ、 Ｗ等の高融点金属による低応力で高い密度の膜を
形成することが可能になる。あるいはまた、ＬＳＩの配
線材料の低応力化が可能となり、歩留まりの向上が期待
できる。このほか、ＧａＡｓ等の配線材料にも適用可能
となる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は第１
図示の装置における圧力調整容器および真空容器内のガ
ス圧の時間変化を示す図、第３図は第１図示の装置にお
けるガス圧変動量（％）を示す図、 第４図は本発明の別の実施例を示す構成図、第５図は従
来のスパッタ装置の構成例を示す構成図、 第６図は従来のスパッタ装置での導入ガス流士が変動し
たときの真空容器内のガス圧の時間変化を示す図、 第７図は第６図のガス圧の変動量（％）を示す図である
。 １・・・ターゲット、 ２・・・試料台、 ３・・・真空容器、 ４・・・試料、 ５・・・ガス導入系、 ６・・・排気系、 ７・・・高周波電源、 ８・・・プラズマ、 ９−１．９−２．９−３・・・接地線、ｌＯ・・・排気
のコンダクタンスを変えるための可変オリフィス、 １１・・・シャッタ、 １２・・・主バルブ、 １０１・・・所望のコンダクタンスを得る排気管、 １０２・・・排気系の変動を緩和するための圧力調整容
器、 １０３・・・所望のコンダクタンスを得る排気管、 １０４・・・補助バルブ、 １０５・・・排気ポンプ、 １０６・・・所望のコンダクタンスを有するガス導入管
、 １０７・・・圧力調整容器、 １０８．１０９・・・コンダクタンス調整機構。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理大 弁理士谷 義− ４１枦Ｓ明 ０ イ、セコ σフ博ぐ−ｊ３ぎｈイ３「
すｄフ講ｉく２図従来預りにお・げ力真会＄絡内のがス
灰を示す図第 ６ 汝ｌ
図示の装置における圧力調整容器および真空容器内のガ
ス圧の時間変化を示す図、第３図は第１図示の装置にお
けるガス圧変動量（％）を示す図、 第４図は本発明の別の実施例を示す構成図、第５図は従
来のスパッタ装置の構成例を示す構成図、 第６図は従来のスパッタ装置での導入ガス流士が変動し
たときの真空容器内のガス圧の時間変化を示す図、 第７図は第６図のガス圧の変動量（％）を示す図である
。 １・・・ターゲット、 ２・・・試料台、 ３・・・真空容器、 ４・・・試料、 ５・・・ガス導入系、 ６・・・排気系、 ７・・・高周波電源、 ８・・・プラズマ、 ９−１．９−２．９−３・・・接地線、ｌＯ・・・排気
のコンダクタンスを変えるための可変オリフィス、 １１・・・シャッタ、 １２・・・主バルブ、 １０１・・・所望のコンダクタンスを得る排気管、 １０２・・・排気系の変動を緩和するための圧力調整容
器、 １０３・・・所望のコンダクタンスを得る排気管、 １０４・・・補助バルブ、 １０５・・・排気ポンプ、 １０６・・・所望のコンダクタンスを有するガス導入管
、 １０７・・・圧力調整容器、 １０８．１０９・・・コンダクタンス調整機構。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理大 弁理士谷 義− ４１枦Ｓ明 ０ イ、セコ σフ博ぐ−ｊ３ぎｈイ３「
すｄフ講ｉく２図従来預りにお・げ力真会＄絡内のがス
灰を示す図第 ６ 汝ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）成膜室にガス導入系および排気系が接続されている
スパッタ装置において、前記ガス導入系および前記排気
系の少なくとも一方に圧力の変動を緩和する圧力調整手
段を設けたことを特徴とするスパッタ装置。 ２）成膜室にガス導入系および排気系が接続されている
スパッタ装置において、前記ガス導入系および前記排気
系の少なくとも一方に圧力の変動を緩和する圧力調整手
段を設け、および前記ガス導入系および前記排気系の少
なくとも一方に当該系におけるコンダクタンスを調整す
る手段を設けたことを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24987087A JPH0192367A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24987087A JPH0192367A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192367A true JPH0192367A (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=17199416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24987087A Pending JPH0192367A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0192367A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1000138C2 (nl) * | 1995-04-13 | 1996-10-15 | Od & Me Bv | Inrichtingen voor het bewerken van een substraat alsmede werkwijze geschikt voor toepassing bij dergelijke inrichtingen. |
| US6478923B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Vacuum operation apparatus |
| KR100800401B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2008-02-01 | 주식회사 유진테크 | 고주파 구동 유도 결합 플라즈마를 이용한 웨이퍼 표면처리장치 |
| JP2008130874A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Nissan Motor Co Ltd | 電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104476A (en) * | 1976-03-01 | 1977-09-01 | Hitachi Ltd | Ion spattering apparatus |
| JPS56120130A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-21 | Toshiba Corp | Spattering device |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP24987087A patent/JPH0192367A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104476A (en) * | 1976-03-01 | 1977-09-01 | Hitachi Ltd | Ion spattering apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0737758A1 (en) * | 1995-04-13 | 1996-10-16 | ODME International B.V. | Devices and method for processing a substrate |
| US6113749A (en) * | 1995-04-13 | 2000-09-05 | Odme International B.V. | Sputtering method in multi-chambered device |
| US6478923B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Vacuum operation apparatus |
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| JP2008130874A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Nissan Motor Co Ltd | 電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 |
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