JPS6154627A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS6154627A JPS6154627A JP17668084A JP17668084A JPS6154627A JP S6154627 A JPS6154627 A JP S6154627A JP 17668084 A JP17668084 A JP 17668084A JP 17668084 A JP17668084 A JP 17668084A JP S6154627 A JPS6154627 A JP S6154627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- discharge
- gas
- processing
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法に係り、特にプラズマを利
用して試料をエツチング処理並びに成膜処理するのに好
適なプラズマ処理方法に関するものである。
用して試料をエツチング処理並びに成膜処理するのに好
適なプラズマ処理方法に関するものである。
プラズマを利用して試料をエツチング処理並びに成膜処
理するプラズマ処理方法としては、真空容器内を真空排
気装置により所定圧力まで減圧排気し、減圧排気された
真空容器内に処理ガスを所定流量で導入すると共に真空
容器内の圧力を所定の処理圧力に厳密に調節し、その後
、放電を開始して処理ガスをプラズマ化し、このプラズ
マを利用して試料をエツチング処理又は成膜処理する方
法が知られている。（特公昭５６−５０６０号公報、特
開昭５７−２７９１４号公報、特開昭５７−１４５３２
１号公報、特開昭５７−２１１６１３号公報、特開昭５
８−１７３８２６号公報）このようなプラズマ処理方法
では、真空容器内の圧力が厳密調節が必要な所定の処理
圧力に調節された後に放電を開始するようにされている
ため、真空容器内への処理ガスの導入開始から放電開始
までに要する間開が長々かかり、スループット（処理試
料個数／処理時間）の向上を阻害するという問題がある
。
理するプラズマ処理方法としては、真空容器内を真空排
気装置により所定圧力まで減圧排気し、減圧排気された
真空容器内に処理ガスを所定流量で導入すると共に真空
容器内の圧力を所定の処理圧力に厳密に調節し、その後
、放電を開始して処理ガスをプラズマ化し、このプラズ
マを利用して試料をエツチング処理又は成膜処理する方
法が知られている。（特公昭５６−５０６０号公報、特
開昭５７−２７９１４号公報、特開昭５７−１４５３２
１号公報、特開昭５７−２１１６１３号公報、特開昭５
８−１７３８２６号公報）このようなプラズマ処理方法
では、真空容器内の圧力が厳密調節が必要な所定の処理
圧力に調節された後に放電を開始するようにされている
ため、真空容器内への処理ガスの導入開始から放電開始
までに要する間開が長々かかり、スループット（処理試
料個数／処理時間）の向上を阻害するという問題がある
。
本発明の目的は、真空容器内への処理ガスの導入開始か
ら放電開始までに要する時間を短縮してスループットを
向上できるプラズマ処理方法な提供することにある。
ら放電開始までに要する時間を短縮してスループットを
向上できるプラズマ処理方法な提供することにある。
本発明は、所定圧力に減圧排気された真空容器内への処
理ガスの導入開始後、真空容器内の圧力が所定の処理圧
力以下の圧力で放電を開始し、該放電後に真空容器内の
圧力を所定の処理圧力に調節することを特徴とするもの
で、処理ガス導入による所定の処理圧力への調節を不要
にすることで、真空容器内への処理ガスの導入開始から
放電開始までに要する時間を短縮してスループットを向
上させるようにするものである。
理ガスの導入開始後、真空容器内の圧力が所定の処理圧
力以下の圧力で放電を開始し、該放電後に真空容器内の
圧力を所定の処理圧力に調節することを特徴とするもの
で、処理ガス導入による所定の処理圧力への調節を不要
にすることで、真空容器内への処理ガスの導入開始から
放電開始までに要する時間を短縮してスループットを向
上させるようにするものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、真空容器（図示省略）内の圧力が所定圧力Ｐ０
に減圧排気された後に、真空容器内には処理ガスが所定
流量で導入を開始される。この場合、まず、真空容器内
の圧力は、所定の処理圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２を目
標とし、例えば、真空容器内の圧力を検知する圧力計（
図示省略）と真空容器内を真空排気する真空排気系を真
空排気装置（図示省略）等と構成する、例えば、可変コ
ンダクタンスバルブ（図示省略）との連動により調節さ
れる。真空容器内の圧力が圧力Ｐ、に調節された時点で
、真空容器内では放電が開始される。この放電により真
空容器内の圧力は、圧力Ｐ２から所定の処理圧力Ｐ１の
許容範囲＋△Ｐ、を超える圧力に上昇し、その後、真空
容器内の圧力は、圧力計と可変コンダクタンスバルブと
の連動によりＰ、±△Ｐ ｒ （△Ｐ。
に減圧排気された後に、真空容器内には処理ガスが所定
流量で導入を開始される。この場合、まず、真空容器内
の圧力は、所定の処理圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ２を目
標とし、例えば、真空容器内の圧力を検知する圧力計（
図示省略）と真空容器内を真空排気する真空排気系を真
空排気装置（図示省略）等と構成する、例えば、可変コ
ンダクタンスバルブ（図示省略）との連動により調節さ
れる。真空容器内の圧力が圧力Ｐ、に調節された時点で
、真空容器内では放電が開始される。この放電により真
空容器内の圧力は、圧力Ｐ２から所定の処理圧力Ｐ１の
許容範囲＋△Ｐ、を超える圧力に上昇し、その後、真空
容器内の圧力は、圧力計と可変コンダクタンスバルブと
の連動によりＰ、±△Ｐ ｒ （△Ｐ。
はＰ、に対して数チ以内）に調節される。真空容器内の
圧力は、真空容器内での試料（図示省略）のプラズマ処
理中Ｐ１±△Ｐ、に維持される。なお、放電による真空
容器内の圧力上昇分は、処理ガスの種類、流量、放電電
力等の条件により決まり、したがって、これら条件の選
定によって圧力Ｐ２は設定される。また、圧力Ｐ２の許
容範囲△Ｐ２は、所定の処理圧力Ｐ１の許容範囲△Ｐ、
のように厳密にする必要はな鳴、圧力Ｐ２の１０〜２０
チ程度で良い。
圧力は、真空容器内での試料（図示省略）のプラズマ処
理中Ｐ１±△Ｐ、に維持される。なお、放電による真空
容器内の圧力上昇分は、処理ガスの種類、流量、放電電
力等の条件により決まり、したがって、これら条件の選
定によって圧力Ｐ２は設定される。また、圧力Ｐ２の許
容範囲△Ｐ２は、所定の処理圧力Ｐ１の許容範囲△Ｐ、
のように厳密にする必要はな鳴、圧力Ｐ２の１０〜２０
チ程度で良い。
本実施例のようなプラズマ処理方法では、次のような効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
（１）真空容器内への処理ガスの導入開始から放電・
３ 開始までに要する時間を短縮できるため、スループット
を向上できる。
３ 開始までに要する時間を短縮できるため、スループット
を向上できる。
（２）放電開始から真空容器内の圧力が所定の処理圧力
に調節されるまでの時間が短か曵なるため、試料のプラ
ズマ処理精度を向上できる。
に調節されるまでの時間が短か曵なるため、試料のプラ
ズマ処理精度を向上できる。
なお、上記したプラズマ処理プロセスは、実際上、繰り
返して実施される。このような場合は、所定の処理圧力
を得るための可変コンダクタンスバルブの開度は、はぼ
一定となる。そこで、一つ前の同一条件のプラズマ処理
プロセスでの可変コンダクタンスバルブの開度な記憶さ
せ、真空容器内の上記した圧力調節の開始時点で、まず
、記憶させていた値に可変コンダクタンスバルブの開度
な設定する。その後、所定時間経過後に真空容器内の圧
力を測定し、この圧力が上記したＰ２±△Ｐ２になった
のを確認し放電を開始する。放電開始後、所定時間経過
した後は可変コンダクタンスバルブによる圧力のフィー
ドバック制御を開始する。なお、この場合、プラズマ処
理プロセス毎の変動が少ない場合は、可変コンダクタン
スバルブの開度４ ・ として適当な設定値を用いても良い。
返して実施される。このような場合は、所定の処理圧力
を得るための可変コンダクタンスバルブの開度は、はぼ
一定となる。そこで、一つ前の同一条件のプラズマ処理
プロセスでの可変コンダクタンスバルブの開度な記憶さ
せ、真空容器内の上記した圧力調節の開始時点で、まず
、記憶させていた値に可変コンダクタンスバルブの開度
な設定する。その後、所定時間経過後に真空容器内の圧
力を測定し、この圧力が上記したＰ２±△Ｐ２になった
のを確認し放電を開始する。放電開始後、所定時間経過
した後は可変コンダクタンスバルブによる圧力のフィー
ドバック制御を開始する。なお、この場合、プラズマ処
理プロセス毎の変動が少ない場合は、可変コンダクタン
スバルブの開度４ ・ として適当な設定値を用いても良い。
本発明は、以上説明したように、所定圧力に減圧排気さ
れた真空容器内への処理ガスの導入開始後、真空容器内
の圧力が所定の処理圧力以下で放電を開始し、該放電後
に真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節することで
、処理ガス導入による所定の処理圧力への調節を不要に
できるので、所定圧力に減圧排気された真空容器内への
処理ガスの導入開始から放電開始までに要する時間を短
縮できスループットを向上できるという効果がある。
れた真空容器内への処理ガスの導入開始後、真空容器内
の圧力が所定の処理圧力以下で放電を開始し、該放電後
に真空容器内の圧力を所定の処理圧力に調節することで
、処理ガス導入による所定の処理圧力への調節を不要に
できるので、所定圧力に減圧排気された真空容器内への
処理ガスの導入開始から放電開始までに要する時間を短
縮できスループットを向上できるという効果がある。
図面に、本発明の一実施例を示すもので、本発明による
プラズマ処理方法を実施して得られる真空容器内への処
理ガスの導入開始時点からの時間と真空容器内の圧力と
の関係模式図である。 Ｐ、・・・・・・所定の処理圧力、Ｐ、・・・・・・放
電開始時の正圧
プラズマ処理方法を実施して得られる真空容器内への処
理ガスの導入開始時点からの時間と真空容器内の圧力と
の関係模式図である。 Ｐ、・・・・・・所定の処理圧力、Ｐ、・・・・・・放
電開始時の正圧
Claims (1)
- １、真空容器内でプラズマを利用して試料を処理する方
法において、所定圧力に減圧排気された前記真空容器内
への処理ガスの導入開始後、真空容器内の圧力が所定の
処理圧力以下の圧力で放電を開始し、該放電後に真空容
器内の圧力を所定の処理圧力に調節することを特徴とす
るプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668084A JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17668084A JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154627A true JPS6154627A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH0354850B2 JPH0354850B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=16017841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17668084A Granted JPS6154627A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369227A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Hitachi Ltd | エツチング装置の圧力制御方法および装置 |
| JP2013506544A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガス濃縮装置 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17668084A patent/JPS6154627A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369227A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Hitachi Ltd | エツチング装置の圧力制御方法および装置 |
| JP2013506544A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガス濃縮装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354850B2 (ja) | 1991-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |