JPH02172223A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02172223A JPH02172223A JP32586288A JP32586288A JPH02172223A JP H02172223 A JPH02172223 A JP H02172223A JP 32586288 A JP32586288 A JP 32586288A JP 32586288 A JP32586288 A JP 32586288A JP H02172223 A JPH02172223 A JP H02172223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio frequency
- flow rate
- gas
- plasma
- chopping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマエツチング装置に関するものである
。
。
プラズマエツチング装置として、ガスチ、ツビング技術
を付加した装置としては、例えば、特開昭６０−５０９
２３号公報等に記載のようなものが知られている。
を付加した装置としては、例えば、特開昭６０−５０９
２３号公報等に記載のようなものが知られている。
従来技術では、ガス流量チ、プピング制御としてガス流
量を同期的に変化させる方式等について考えられている
が、条件変化による高周波マツチングへの影響について
配慮がされておらず、実際に装置に適用した場合、条件
変化直後に高周波マツチングがとれず、高周波放電が不
安定となり、エツチング性能の再現性確保が困難となる
といった問題がある。
量を同期的に変化させる方式等について考えられている
が、条件変化による高周波マツチングへの影響について
配慮がされておらず、実際に装置に適用した場合、条件
変化直後に高周波マツチングがとれず、高周波放電が不
安定となり、エツチング性能の再現性確保が困難となる
といった問題がある。
本発明の目的は、ガスチョヴピング方式におけるエツチ
ング性能の再現性を良好に確保できるプラズマエツチン
グ装置を提供する二とにある。
ング性能の再現性を良好に確保できるプラズマエツチン
グ装置を提供する二とにある。
諜
〔短連を解決するための手段〕
ｌｅ目的は、プラズマエツチング装置を、減圧下でガス
を高周波放電によりプラズマ化する手段と、前記ガスの
流量をチ四ツビング制御する手段と、ＩＩ記ガス流量条
件に対する高周波マツチングの最適定数をチ、ブビング
と同時に自動設定する手段とを具備したものとすること
により、達成される。
を高周波放電によりプラズマ化する手段と、前記ガスの
流量をチ四ツビング制御する手段と、ＩＩ記ガス流量条
件に対する高周波マツチングの最適定数をチ、ブビング
と同時に自動設定する手段とを具備したものとすること
により、達成される。
プラズマ化手段で、ガスは、減圧下で高周波放電により
プラズマ化される。該プラズマを利用して半導体素子基
院等の試料はエツチング性理される。該試料のエツチン
グ処理期間中において、ガスの流量は、チーブピング制
御手段により、例えば、所定周期でチーブピング制御さ
れる。このようなガス流量のチョッピングで、このまま
の状態では、高周波マツチングがとれず高周波放電が不
安定となる。そこで、マツチング定数自動設定手段によ
り、ガス流緻条件に対する高周波マツチングの最適定数
がチ璽ブピングと同時に自動設定される。これにより、
ガス流量チｗ−ｙピング時の高周波マツチングの応答性
が向上し、高周波放電が不安定となるのを防止できる。
プラズマ化される。該プラズマを利用して半導体素子基
院等の試料はエツチング性理される。該試料のエツチン
グ処理期間中において、ガスの流量は、チーブピング制
御手段により、例えば、所定周期でチーブピング制御さ
れる。このようなガス流量のチョッピングで、このまま
の状態では、高周波マツチングがとれず高周波放電が不
安定となる。そこで、マツチング定数自動設定手段によ
り、ガス流緻条件に対する高周波マツチングの最適定数
がチ璽ブピングと同時に自動設定される。これにより、
ガス流量チｗ−ｙピング時の高周波マツチングの応答性
が向上し、高周波放電が不安定となるのを防止できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
本体架台１の内に固定されたｔｍ２と石英ペルジャー３
で囲まれた処理室を真空排気するための真空ポンプ４で
構成されたエツチング性置において、高周波電源６から
マツチングボックス７を介して電極２に高周波が印加さ
れる。また、マスフローコントローラ５を有してプロセ
スガスがガス源１１から処理室内に導入される。さらに
、マイクロコンピュータ９により、マスフローコントロ
ーラ５にガス流風チーブピング制御信号を送る。また、
マツチングコントローラ８とマイクロコンピュータ９と
の間には、各ガス流量条件での高周波マツチングの最適
定数が入出力可能となっている。
で囲まれた処理室を真空排気するための真空ポンプ４で
構成されたエツチング性置において、高周波電源６から
マツチングボックス７を介して電極２に高周波が印加さ
れる。また、マスフローコントローラ５を有してプロセ
スガスがガス源１１から処理室内に導入される。さらに
、マイクロコンピュータ９により、マスフローコントロ
ーラ５にガス流風チーブピング制御信号を送る。また、
マツチングコントローラ８とマイクロコンピュータ９と
の間には、各ガス流量条件での高周波マツチングの最適
定数が入出力可能となっている。
試料ｌＯのプラズマエツチング中にチーブピング制御が
行われる場合、事前に実施する各ガス流量条件での高周
波マツチングの最適定数がマツチングコントローラ８を
介してマイクロコンピュータ９に記憶される。実際のチ
ーブピング制御動作時は、マイクロコンピュータ９から
マツチングコントローラ８に設定信号が送られ、これに
より、マッチングボプクス７内部の可変コンデンサ（ま
たは、可変コイル）が設定されたマツチング定数となる
よう瞬時に動作し、高周波放電を安定させる。
行われる場合、事前に実施する各ガス流量条件での高周
波マツチングの最適定数がマツチングコントローラ８を
介してマイクロコンピュータ９に記憶される。実際のチ
ーブピング制御動作時は、マイクロコンピュータ９から
マツチングコントローラ８に設定信号が送られ、これに
より、マッチングボプクス７内部の可変コンデンサ（ま
たは、可変コイル）が設定されたマツチング定数となる
よう瞬時に動作し、高周波放電を安定させる。
本実施例によれば、試料のプラズマエツチング中におけ
るガス流量チ菅ツピング時の高周波マツチングの応答性
を向上でき高周波放電が不安定となるのを防止できるの
で、試料のエツチング性能の再現性を良好に確保できる
。
るガス流量チ菅ツピング時の高周波マツチングの応答性
を向上でき高周波放電が不安定となるのを防止できるの
で、試料のエツチング性能の再現性を良好に確保できる
。
本発明によれば、ガス流量チ曾プビング時の高周波マツ
チングの応答性を向上でき高周波放電が不安定になるの
を防止できるので、エツチング性能の再現性を高精度、
良好に確保できる効果がある。
チングの応答性を向上でき高周波放電が不安定になるの
を防止できるので、エツチング性能の再現性を高精度、
良好に確保できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のプラズマエツチングｇｌ
Ｗｌの装置構成図である。
Ｗｌの装置構成図である。
Claims (1)
- １、減圧下でガスを高周波放電によりプラズマ化する手
段と、前記ガスの流量をチョッピング制御する手段と、
前記ガス流量条件に対する高周波マッチングの最適定数
をチョッピングと同時に自動設定する手段とを具備した
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32586288A JPH02172223A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32586288A JPH02172223A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172223A true JPH02172223A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18181449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32586288A Pending JPH02172223A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172223A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| WO2004102277A3 (en) * | 2003-05-09 | 2004-12-29 | Lam Res Corp | Method providing an improved bi-layer photoresist pattern |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32586288A patent/JPH02172223A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| US5405492A (en) * | 1990-09-12 | 1995-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| WO2004102277A3 (en) * | 2003-05-09 | 2004-12-29 | Lam Res Corp | Method providing an improved bi-layer photoresist pattern |
| US7049052B2 (en) | 2003-05-09 | 2006-05-23 | Lam Research Corporation | Method providing an improved bi-layer photoresist pattern |
| KR101155842B1 (ko) * | 2003-05-09 | 2012-06-20 | 램 리써치 코포레이션 | 개선된 이중층 포토레지스트 패턴을 제공하는 방법 |
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