JPS63148635A - 有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPS63148635A JPS63148635A JP29483986A JP29483986A JPS63148635A JP S63148635 A JPS63148635 A JP S63148635A JP 29483986 A JP29483986 A JP 29483986A JP 29483986 A JP29483986 A JP 29483986A JP S63148635 A JPS63148635 A JP S63148635A
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
に関するものである。
に関するものである。
有磁場マイクロ波プラズマ処理技術としては。
例えば、特公昭５９−３９５０８号公報に記載のような
、減圧下で有１ｆＩｔＪｋマイクロ波放電を生せしめて
処理ガス（放電ガス）をプラズマ化し、該プラズマで試
料を処理１例えば、エツチング処理。
、減圧下で有１ｆＩｔＪｋマイクロ波放電を生せしめて
処理ガス（放電ガス）をプラズマ化し、該プラズマで試
料を処理１例えば、エツチング処理。
成膜処理するようにしたものが知られている。
有磁場マイクロ波プラズマ処理技術では、そのプロセス
特性は、処理ガス種、流量、圧力等様々なパラメータに
依存しているが、磁場条件（強さ）もプロセス特性を左
右する大きな因子の一つてゐる。また、二の磁場条件は
、有磁場マイクロ波放電を開始させる条件としても極め
て重要である。
特性は、処理ガス種、流量、圧力等様々なパラメータに
依存しているが、磁場条件（強さ）もプロセス特性を左
右する大きな因子の一つてゐる。また、二の磁場条件は
、有磁場マイクロ波放電を開始させる条件としても極め
て重要である。
発明者の知見によれば、プロセス特性の面からの効果的
な磁場条件と有磁場マイクロ波放電を開始させるのに効
果的な磁場条件とは異なっている方が良い場合がある。
な磁場条件と有磁場マイクロ波放電を開始させるのに効
果的な磁場条件とは異なっている方が良い場合がある。
しかしながら、上記従来技術では、磁場条件は、後者に
主眼を置いて設定されているため、実用的に用いること
のできる磁場条件が狭く、プロセス特性の拡大を図れな
いといった問題がある。
主眼を置いて設定されているため、実用的に用いること
のできる磁場条件が狭く、プロセス特性の拡大を図れな
いといった問題がある。
本発明の目的は、実用的に用いることのできる磁場条件
を広くすることで、プロセス特性の拡大を図ることがで
きる有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置を提供
することにある。
を広くすることで、プロセス特性の拡大を図ることがで
きる有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置を提供
することにある。
上記目的は、有磁場マイクロ波プラズマ処理方法を、減
圧下でマイクロ波による電場と磁場とにより放電な生ぜ
しめて処理ガスをプラズマ化し、該プラズマで試料を処
理する方法において、前記磁場の強さを前記放電が生じ
やすい強さに調節する工程と、前記放電が生じた後に前
記磁場の強さを前記試料の処理に対応する強さに調節す
る工程とを有する方法とし、有磁場マイクロ波プラズマ
処理装置を、真空容器と、該真空容器内を減圧排気する
排気手段と、前記真空容器内に処理ガスを導入する処理
ガス導入手段と、前記真空容器内で有磁場マイ々口波放
電を発生させる放電発生手段とを具備し、前記処理ガス
を前記放電によりプラズマ化して該プラズマで試料を処
理する装置において、前記放電発生手段の磁場生成手段
により生成される磁場の強さを前記放電が生じやすい強
さに調節する手段と、前記放電が生じた後に前記磁場の
強さを前記試料の処理に対応する強さに調節する手段と
を具備したものとすることにより、達成される。
圧下でマイクロ波による電場と磁場とにより放電な生ぜ
しめて処理ガスをプラズマ化し、該プラズマで試料を処
理する方法において、前記磁場の強さを前記放電が生じ
やすい強さに調節する工程と、前記放電が生じた後に前
記磁場の強さを前記試料の処理に対応する強さに調節す
る工程とを有する方法とし、有磁場マイクロ波プラズマ
処理装置を、真空容器と、該真空容器内を減圧排気する
排気手段と、前記真空容器内に処理ガスを導入する処理
ガス導入手段と、前記真空容器内で有磁場マイ々口波放
電を発生させる放電発生手段とを具備し、前記処理ガス
を前記放電によりプラズマ化して該プラズマで試料を処
理する装置において、前記放電発生手段の磁場生成手段
により生成される磁場の強さを前記放電が生じやすい強
さに調節する手段と、前記放電が生じた後に前記磁場の
強さを前記試料の処理に対応する強さに調節する手段と
を具備したものとすることにより、達成される。
磁場の強さは、まず、放電が生じやすい強さに調節され
る。このような磁場条件で、有磁場マイクロ波放電が容
易に生じる。このようにして放電が生じた後に、磁場の
強さは、試料の処理゛に対応する強さに調節される。
る。このような磁場条件で、有磁場マイクロ波放電が容
易に生じる。このようにして放電が生じた後に、磁場の
強さは、試料の処理゛に対応する強さに調節される。
二のように、放電を開始させるために効果的な磁場条件
とプロセス特性の面からの効果的な磁場条件とを段階的
に独立調節することで、実用的に用いることのできる磁
場条件を広くでき、プロセス特性の拡大を図ることがで
きる。
とプロセス特性の面からの効果的な磁場条件とを段階的
に独立調節することで、実用的に用いることのできる磁
場条件を広くでき、プロセス特性の拡大を図ることがで
きる。
本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、マグネトロン１０で発振された例えば。
２．４５ＧＨ！のマイクロ波は１例えば、導波管１１を
伝播して放電管校に導入される。放電管１２内は、真空
ポンプ１３により減圧、排気されると共に放電管校内に
は、処理ガス供給袋Ｒ１４から処理ガス（放電ガス）が
所定流量で導入される。放電管１２内では、マイクロ波
による電場と磁場コイル１５による磁場とにより有磁場
マイクロ波放電が生じ放電管校内の処理ガスはプラズマ
化される。この場合、プラズマ中に設置された試料銀は
、該プラズマにより処理される。磁場コイル１５には、
必要電流を供給する電源１６が接続されている。電＃１
６は、制御手段１７に電気的に接続されている。モニタ
一手段１８は、放電管臣内での放電発生を検知し制御手
段１７に電気信号を出力する機能を有している。なお、
モニタ一手段１Ｂとしては、例えば、ダイオード等によ
り放電発光を確認して放電発生を検知するものや、放電
前後に放電管校内の圧力が変化するものでは、その圧力
変化を検知して放電発生を検知するもの等が用いられる
。制御手段１７には、放電管Ｗ内で放電を容易に発生せ
しめる磁場の強さによって決定された磁場コイル１５へ
の電＃［１６からの通電条件と試料銀の処理に対応した
磁場の強さによって決定されたａＭｈコイル巧への１１
６からの通電条件とが予め入力されている。
伝播して放電管校に導入される。放電管１２内は、真空
ポンプ１３により減圧、排気されると共に放電管校内に
は、処理ガス供給袋Ｒ１４から処理ガス（放電ガス）が
所定流量で導入される。放電管１２内では、マイクロ波
による電場と磁場コイル１５による磁場とにより有磁場
マイクロ波放電が生じ放電管校内の処理ガスはプラズマ
化される。この場合、プラズマ中に設置された試料銀は
、該プラズマにより処理される。磁場コイル１５には、
必要電流を供給する電源１６が接続されている。電＃１
６は、制御手段１７に電気的に接続されている。モニタ
一手段１８は、放電管臣内での放電発生を検知し制御手
段１７に電気信号を出力する機能を有している。なお、
モニタ一手段１Ｂとしては、例えば、ダイオード等によ
り放電発光を確認して放電発生を検知するものや、放電
前後に放電管校内の圧力が変化するものでは、その圧力
変化を検知して放電発生を検知するもの等が用いられる
。制御手段１７には、放電管Ｗ内で放電を容易に発生せ
しめる磁場の強さによって決定された磁場コイル１５へ
の電＃［１６からの通電条件と試料銀の処理に対応した
磁場の強さによって決定されたａＭｈコイル巧への１１
６からの通電条件とが予め入力されている。
第１図で、試料銀がセットされ、放電管校内に処理ガス
が導入されて放電管１２ＦＰｇの圧力が所定圧力に調節
される。一方、放電管鵞内で放電を容易に発生せしめる
磁場の強さによって決定され制御手段１７に予め人力さ
れたＨＢｍコイル１５への１１６からの通電条件に対応
した信号が制御手段１７から電＃ｉ１６に入力される。
が導入されて放電管１２ＦＰｇの圧力が所定圧力に調節
される。一方、放電管鵞内で放電を容易に発生せしめる
磁場の強さによって決定され制御手段１７に予め人力さ
れたＨＢｍコイル１５への１１６からの通電条件に対応
した信号が制御手段１７から電＃ｉ１６に入力される。
これによって電源１６から磁場コイル１５への通電条件
が適正制御され、放電管校内で放電が容易に生せしめら
れる。なお、このスに調節される。放電管ｎ内での放電
の発生が、モニタ一手段１８により検知された後に、そ
の検知信号がモニタ一手段１８から制御手段１７に入力
される。これによって、試料々の処理に対応した磁場の
強さによって決定され制御手段１７に予め入力された磁
場コイル１５への電源１６からの通電条件に対応した信
号が制御手段１７から電源１６に入力される。
が適正制御され、放電管校内で放電が容易に生せしめら
れる。なお、このスに調節される。放電管ｎ内での放電
の発生が、モニタ一手段１８により検知された後に、そ
の検知信号がモニタ一手段１８から制御手段１７に入力
される。これによって、試料々の処理に対応した磁場の
強さによって決定され制御手段１７に予め入力された磁
場コイル１５への電源１６からの通電条件に対応した信
号が制御手段１７から電源１６に入力される。
これによって電源１６から磁場コイル巧への通電条件が
適正制御され、磁場コイル１５による磁場の強さは、試
料美の処理に対応した磁場の強さ、例えば、放電管セ内
の圧力が５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒで７００ガウスに
調節される。その後、試料四の処理期間中に磁場の強さ
は一定に保持される。
適正制御され、磁場コイル１５による磁場の強さは、試
料美の処理に対応した磁場の強さ、例えば、放電管セ内
の圧力が５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒで７００ガウスに
調節される。その後、試料四の処理期間中に磁場の強さ
は一定に保持される。
本実施例では、実用的に用いることのできる磁場条件を
広くでき、プロセス特性の拡大を図ることができる。し
たがって、本実施例の適用により試料の処理品質および
装置の信頼性、安定性を向上させることができる。
広くでき、プロセス特性の拡大を図ることができる。し
たがって、本実施例の適用により試料の処理品質および
装置の信頼性、安定性を向上させることができる。
本発明によれば、有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及
び装置において、実用的に用いることのできる磁場条件
を広くできるので、プロセス特性の拡大を図ることがで
きるといつた効果がある。
び装置において、実用的に用いることのできる磁場条件
を広くできるので、プロセス特性の拡大を図ることがで
きるといつた効果がある。
第１図は１本発明の一実施例の有磁場マイクロ波プラズ
マ処理装置の構成図である。
マ処理装置の構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧下でマイクロ波による電場と磁場とにより放電
を生ぜしめて処理ガスをプラズマ化し、該プラズマで試
料を処理する方法において、前記磁場の強さを前記放電
が生じやすい強さに調節する工程と、前記放電が生じた
後に前記磁場の強さを前記試料の処理に対応する強さに
調節する工程とを有することを特徴とする有磁場マイク
ロ波プラズマ処理方法。 ２、真空容器と、該真空容器内を減圧排気する排気手段
と、前記真空容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入
手段と、前記真空容器内で有磁場マイクロ波放電を発生
させる放電発生手段とを具備し、前記処理ガスを前記放
電によりプラズマ化して該プラズマで試料を処理する装
置において、前記放電発生手段の磁場生成手段により生
成される磁場の強さを前記放電が生じやすい強さに調節
する手段と、前記放電が生じた後に前記磁場の強さを前
記試料の処理に対応する強さに調節する手段とを具備し
たことを特徴とする有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29483986A JPS63148635A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29483986A JPS63148635A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148635A true JPS63148635A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17812918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29483986A Pending JPS63148635A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 有磁場マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199881A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940447A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ源 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29483986A patent/JPS63148635A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940447A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ源 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199881A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
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