JPH0666291B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0666291B2 JPH0666291B2 JP58044140A JP4414083A JPH0666291B2 JP H0666291 B2 JPH0666291 B2 JP H0666291B2 JP 58044140 A JP58044140 A JP 58044140A JP 4414083 A JP4414083 A JP 4414083A JP H0666291 B2 JPH0666291 B2 JP H0666291B2
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- JP
- Japan
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- etching
- electrodes
- discharge
- wafer
- steady
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、プラズマエッチング装置に係り、特にプラズ
マによりウェハのSiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリコン系の
被エッチング層をエッチングするのに好適なプラズマエ
ッチング装置に関するものである。
マによりウェハのSiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリコン系の
被エッチング層をエッチングするのに好適なプラズマエ
ッチング装置に関するものである。
減圧排気される反応室に対向電極とウェハ載置用電極
（以下、テーブルと略）とが対向して内設されたプラズ
マエッチング装置を用い、反応室内に反応性ガスを導入
しつつテーブルに載置されたウェハをプラズマによりエ
ッチングする場合、従来は、高周波電源からマッチング
ボックスに出力され、マッチングボックスで同調されて
一方の電極、例えば、テーブルに放電開始から放電停止
まで供給される高周波電力は一定であり、従って、対向
電極とテーブルとの間に作用する高周波電圧（以下、電
極間電圧と略）も一定である。
（以下、テーブルと略）とが対向して内設されたプラズ
マエッチング装置を用い、反応室内に反応性ガスを導入
しつつテーブルに載置されたウェハをプラズマによりエ
ッチングする場合、従来は、高周波電源からマッチング
ボックスに出力され、マッチングボックスで同調されて
一方の電極、例えば、テーブルに放電開始から放電停止
まで供給される高周波電力は一定であり、従って、対向
電極とテーブルとの間に作用する高周波電圧（以下、電
極間電圧と略）も一定である。
しかしながら、放電開始時においては、対向電極とテー
ブルとの間のインピーダンス（以下、電極間インピーダ
ンスと略）が大きいために、電極間電圧が定常放電時の
電極間電圧（以下、定常放電電圧と略）の範囲を超えて
パルス的に大きくなり、また、それに伴って放電開始時
に対向電極とテーブルとの間に作用する高周波電力（以
下、放電開始電力と略）も定常放電時の対向電極とテー
ブルとの間に作用する高周波電力（以下、定常放電電力
と略）の範囲を超えて大きくなる。また、ウェハのエッ
チング終了後、定常放電電圧で放電が停止されるため、
電極間インピーダンスが急激に変化し、このため、電極
間電圧が定常放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きく
なる。尚、この場合、対向電極とテーブルとの間に作用
する高周波電流との関係で放電停止時に対向電極とテー
ブルとの間に作用する高周波電力（以下、放電停止電力
と略）は定常放電電力を超えない。
ブルとの間のインピーダンス（以下、電極間インピーダ
ンスと略）が大きいために、電極間電圧が定常放電時の
電極間電圧（以下、定常放電電圧と略）の範囲を超えて
パルス的に大きくなり、また、それに伴って放電開始時
に対向電極とテーブルとの間に作用する高周波電力（以
下、放電開始電力と略）も定常放電時の対向電極とテー
ブルとの間に作用する高周波電力（以下、定常放電電力
と略）の範囲を超えて大きくなる。また、ウェハのエッ
チング終了後、定常放電電圧で放電が停止されるため、
電極間インピーダンスが急激に変化し、このため、電極
間電圧が定常放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きく
なる。尚、この場合、対向電極とテーブルとの間に作用
する高周波電流との関係で放電停止時に対向電極とテー
ブルとの間に作用する高周波電力（以下、放電停止電力
と略）は定常放電電力を超えない。
このような従来技術では、放電開始時の電極間電圧（以
下、放電開始電圧と略）と放電停止時の電極間電圧（以
下、放電停止電圧と略）とが、定常放電電圧の範囲を超
えてパルス的に大きくなるため、披エッチング層が、Si
O2,PSG,Si,Poly−Si等シリコン系の被エッチング層であ
るウェハのエッチングにおいては、ウェハ内の素子を形
成する部分がダメージを受けて歩留まりが低下するとい
った欠点があった。また、放電開始電力も定常放電電力
の範囲を超えて大きくなるため、高周波電源に異常に大
きな負荷がかかり、高周波電源内の回路を焼損すること
がある。
下、放電開始電圧と略）と放電停止時の電極間電圧（以
下、放電停止電圧と略）とが、定常放電電圧の範囲を超
えてパルス的に大きくなるため、披エッチング層が、Si
O2,PSG,Si,Poly−Si等シリコン系の被エッチング層であ
るウェハのエッチングにおいては、ウェハ内の素子を形
成する部分がダメージを受けて歩留まりが低下するとい
った欠点があった。また、放電開始電力も定常放電電力
の範囲を超えて大きくなるため、高周波電源に異常に大
きな負荷がかかり、高周波電源内の回路を焼損すること
がある。
本発明の目的は、ウェハの披エッチング層がSiO2,PSG,S
i,Poly−Si等シリコン系の被エッチング層であっても歩
留まりを向上できるプラズマエッチング装置を提供する
ことにある。
i,Poly−Si等シリコン系の被エッチング層であっても歩
留まりを向上できるプラズマエッチング装置を提供する
ことにある。
〔発明の概要〕 本発明は、対向電極とシリコン系の被エッチング層を有
するウェハが載置されるウェハ載置用電極とが対向して
内設された反応室と、該反応室内を減圧排気する排気装
置と、前記反応室内に前記ウェハのシリコン系被エッチ
ング層エッチング用の反応性ガスを導入する反応性ガス
供給装置と、前記ウェハ載置用電極にマッチングボック
スを介して接続された高周波電源とを備え、前記ウェハ
載置用電極に載置された前記ウェハの被エッチング層を
前記反応性ガスのプラズマによりエッチングするプラズ
マエッチング装置において、前記高周波電源にＤ／Ａ変
換器を介して制御手段を接続し、前記ウェハの前記被エ
ッチング層のエッチング終了を判定するエッチング終了
判定手段を前記制御手段に接続し、前記制御手段が、前
記電極間でのインピーダンスを定常放電時のインピーダ
ンス程度に小さくするため前記電極間で放電を生じさせ
るのに最低限必要な高周波電圧に相当するデジタル値、
前記電極間でのインピーダンスが定常放電時のインピー
ダンス程度に小さくなった後に前記電極間に作用する放
電電力を定常放電電力に前記マッチングボックスで同調
を取ってスローアップさせるに相当するデジタル値、前
記電極間に作用する定常放電電力に相当するデジタル値
及び前記エッチング終了判定手段でのエッチング終了判
定後に前記電極間に作用する放電電力を定常放電電力か
ら前記マッチングボックスで同調を取ってスローダウン
させるに相当するデジタル値を前記Ｄ／Ａ変換器に順次
出力する機能を有することを特徴とするもので、放電開
始電圧と放電停止電圧とが定常放電電圧の範囲を超えて
パルス的に大きくなるのを抑制するようにしたものであ
る。
するウェハが載置されるウェハ載置用電極とが対向して
内設された反応室と、該反応室内を減圧排気する排気装
置と、前記反応室内に前記ウェハのシリコン系被エッチ
ング層エッチング用の反応性ガスを導入する反応性ガス
供給装置と、前記ウェハ載置用電極にマッチングボック
スを介して接続された高周波電源とを備え、前記ウェハ
載置用電極に載置された前記ウェハの被エッチング層を
前記反応性ガスのプラズマによりエッチングするプラズ
マエッチング装置において、前記高周波電源にＤ／Ａ変
換器を介して制御手段を接続し、前記ウェハの前記被エ
ッチング層のエッチング終了を判定するエッチング終了
判定手段を前記制御手段に接続し、前記制御手段が、前
記電極間でのインピーダンスを定常放電時のインピーダ
ンス程度に小さくするため前記電極間で放電を生じさせ
るのに最低限必要な高周波電圧に相当するデジタル値、
前記電極間でのインピーダンスが定常放電時のインピー
ダンス程度に小さくなった後に前記電極間に作用する放
電電力を定常放電電力に前記マッチングボックスで同調
を取ってスローアップさせるに相当するデジタル値、前
記電極間に作用する定常放電電力に相当するデジタル値
及び前記エッチング終了判定手段でのエッチング終了判
定後に前記電極間に作用する放電電力を定常放電電力か
ら前記マッチングボックスで同調を取ってスローダウン
させるに相当するデジタル値を前記Ｄ／Ａ変換器に順次
出力する機能を有することを特徴とするもので、放電開
始電圧と放電停止電圧とが定常放電電圧の範囲を超えて
パルス的に大きくなるのを抑制するようにしたものであ
る。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、反応室10には、対向電極11とテーブル12とが放
電空間13を有し、この場合、上下方向に対向して内設さ
れている。放電室10には、ガス導入口14とガス排気口15
とが設けられ、ガス導入口14には、反応性ガス供給装置
（図示省略）が、ガス排気口15には、排気装置（図示省
略）がそれぞれ連結されている。また、反応室10とテー
ブル12とは絶縁材16により電気的に絶縁されている。ま
た、ウェハ30の被エッチング層のエッチング終了を判定
するエッチング終了判定手段（図示省略）が設けられて
いる。
電空間13を有し、この場合、上下方向に対向して内設さ
れている。放電室10には、ガス導入口14とガス排気口15
とが設けられ、ガス導入口14には、反応性ガス供給装置
（図示省略）が、ガス排気口15には、排気装置（図示省
略）がそれぞれ連結されている。また、反応室10とテー
ブル12とは絶縁材16により電気的に絶縁されている。ま
た、ウェハ30の被エッチング層のエッチング終了を判定
するエッチング終了判定手段（図示省略）が設けられて
いる。
図面で、テーブル12には、マッチングボックス20を介し
て高周波電源21が接続され、高周波電源21には、Ｄ／Ａ
変換器22が接続されている。Ｄ／Ａ変換器22は、制御手
段であるマイクロ・コンピュータ23に接続されている。
マイクロ・コンピュータ23には、エッチング終了判定手
段が接続されている。マイクロ・コンピュータ23は、電
極間でのインピーダンスを定常放電時のインピーダンス
程度に小さくするため電極間で放電を生じさせるのに最
低限必要な高周波電圧に相当するデジタル値、電極間で
のインピーダンスが定常放電時のインピーダンス程度に
小さくなった後に電極間に作用する放電電力を定常放電
電力にマッチングボックス20で同調を取ってスローアッ
プさせるに相当するデジタル値、電極間に作用する定常
放電電力に相当するデジタル値及びエッチング終了判定
手段でのエッチング終了判定後に電極間に作用する放電
電力を定常放電電力からマッチングボックス20で同調を
取ってスローダウンさせるに相当するデジタル値をＤ／
Ａ変換器22に順次出力する機能を有している。
て高周波電源21が接続され、高周波電源21には、Ｄ／Ａ
変換器22が接続されている。Ｄ／Ａ変換器22は、制御手
段であるマイクロ・コンピュータ23に接続されている。
マイクロ・コンピュータ23には、エッチング終了判定手
段が接続されている。マイクロ・コンピュータ23は、電
極間でのインピーダンスを定常放電時のインピーダンス
程度に小さくするため電極間で放電を生じさせるのに最
低限必要な高周波電圧に相当するデジタル値、電極間で
のインピーダンスが定常放電時のインピーダンス程度に
小さくなった後に電極間に作用する放電電力を定常放電
電力にマッチングボックス20で同調を取ってスローアッ
プさせるに相当するデジタル値、電極間に作用する定常
放電電力に相当するデジタル値及びエッチング終了判定
手段でのエッチング終了判定後に電極間に作用する放電
電力を定常放電電力からマッチングボックス20で同調を
取ってスローダウンさせるに相当するデジタル値をＤ／
Ａ変換器22に順次出力する機能を有している。
図面で、テーブル12にウェハ30が載置され、反応室10内
は、排気装置により所定圧力まで減圧排気される。ウェ
ハ30の被エッチング層は、SiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリ
コン系の被エッチング層である。その後、反応室10内に
は、反応性ガス供給装置よりウェハ30のシリコン系被エ
ッチング層エッチング用の反応性ガスが所定流量で導入
される。尚、反応性ガス導入期間中においても排気装置
により一定圧力に維持される。この状態で、高周波電源
21を投入するとともに、マイクロ・コンピュータ23、Ｄ
／Ａ変換器22、マッチングボックス20を作動させること
で、テーブル12には、高周波電力が供給され、これによ
り電極間には一定圧力のもとで放電が生じ反応性ガスが
プラズマ化される。
は、排気装置により所定圧力まで減圧排気される。ウェ
ハ30の被エッチング層は、SiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリ
コン系の被エッチング層である。その後、反応室10内に
は、反応性ガス供給装置よりウェハ30のシリコン系被エ
ッチング層エッチング用の反応性ガスが所定流量で導入
される。尚、反応性ガス導入期間中においても排気装置
により一定圧力に維持される。この状態で、高周波電源
21を投入するとともに、マイクロ・コンピュータ23、Ｄ
／Ａ変換器22、マッチングボックス20を作動させること
で、テーブル12には、高周波電力が供給され、これによ
り電極間には一定圧力のもとで放電が生じ反応性ガスが
プラズマ化される。
この場合、放電開始時には、まず、マイクロ・コンピュ
ータ23からＤ／Ａ変換器22に、電極間で放電を生じさせ
るのに必要な最低限の高周波電圧に相当するデジタル値
が出力され、これにより、電極間には、該最低限の高周
波電圧で放電が生じる。その後、電極間インピーダンス
が定常放電時の電極間インピーダンス程度に小さくなっ
た後に、マイクロ・コンピュータ23からＤ／Ａ変換器22
に電極間に作用する放電電力を定常放電電力にマッチン
グボックス20で同調を取ってスローアップさせるに相当
するデジタル値が出力されて電極間電力は定常放電電力
までマッチングボックス20で同調を取ってスローアップ
させられる。これにより放電開始電圧は定常放電電圧の
範囲を超えたパルス的に大きくなることなく該範囲内に
抑制され、また、放電開始電力は定常放電電力の範囲内
に抑制される。その後、電極間に作用する定常放電電力
に相当するデジタル値がマイクロ・コンピュータ23から
Ｄ／Ａ変換器22に出力され、これにより、プラズマ化さ
れた反応性ガスによるウェハ30のシリコン系被エッチン
グ層のエッチング期間中は、電極間電力は定常放電電力
に一定に保持される。ウェハ30のシリコン系被エッチン
グ層のエッチング状態は、エッチング終了判定手段によ
りチエックされ、そして、その終了が判定される。エッ
チング終了判定手段によるウェハ30のエッチング終了判
定後、電極間に作用する放電電力を定常放電電力からマ
ッチングボックス20で同調を取ってスローダウンさせる
に相当するデジタル値がマイクロ・コンピュータ23から
Ｄ／Ａ変換器22に出力され、これにより、電極間電力
は、定常放電電力からマッチングボックス20で同調を取
ってスローダウンさせられ、そして、その後、電極間に
生じている放電は停止される。これにより、電極間イン
ピーダンスの急激な変化は無くなり放電停止電圧は定常
放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きくなることなく
該範囲内に抑制される。また、放電停止電力も従来と同
じく定常放電電力の範囲内に当然抑制される。
ータ23からＤ／Ａ変換器22に、電極間で放電を生じさせ
るのに必要な最低限の高周波電圧に相当するデジタル値
が出力され、これにより、電極間には、該最低限の高周
波電圧で放電が生じる。その後、電極間インピーダンス
が定常放電時の電極間インピーダンス程度に小さくなっ
た後に、マイクロ・コンピュータ23からＤ／Ａ変換器22
に電極間に作用する放電電力を定常放電電力にマッチン
グボックス20で同調を取ってスローアップさせるに相当
するデジタル値が出力されて電極間電力は定常放電電力
までマッチングボックス20で同調を取ってスローアップ
させられる。これにより放電開始電圧は定常放電電圧の
範囲を超えたパルス的に大きくなることなく該範囲内に
抑制され、また、放電開始電力は定常放電電力の範囲内
に抑制される。その後、電極間に作用する定常放電電力
に相当するデジタル値がマイクロ・コンピュータ23から
Ｄ／Ａ変換器22に出力され、これにより、プラズマ化さ
れた反応性ガスによるウェハ30のシリコン系被エッチン
グ層のエッチング期間中は、電極間電力は定常放電電力
に一定に保持される。ウェハ30のシリコン系被エッチン
グ層のエッチング状態は、エッチング終了判定手段によ
りチエックされ、そして、その終了が判定される。エッ
チング終了判定手段によるウェハ30のエッチング終了判
定後、電極間に作用する放電電力を定常放電電力からマ
ッチングボックス20で同調を取ってスローダウンさせる
に相当するデジタル値がマイクロ・コンピュータ23から
Ｄ／Ａ変換器22に出力され、これにより、電極間電力
は、定常放電電力からマッチングボックス20で同調を取
ってスローダウンさせられ、そして、その後、電極間に
生じている放電は停止される。これにより、電極間イン
ピーダンスの急激な変化は無くなり放電停止電圧は定常
放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きくなることなく
該範囲内に抑制される。また、放電停止電力も従来と同
じく定常放電電力の範囲内に当然抑制される。
本実施例では、次のような効果が得られる。
（１） 放電開始電圧と放電停止電圧とが定常放電電圧
の範囲を超えてパルス的に大きくなるのを抑制できるた
め、被エッチング層が、SiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリコ
ン系の被エッチング層であるウェハ内の素子を形成する
部分がダメージを受けるのを防止でき、歩留まりを向上
できる。
の範囲を超えてパルス的に大きくなるのを抑制できるた
め、被エッチング層が、SiO2,PSG,Si,Poly−Si等シリコ
ン系の被エッチング層であるウェハ内の素子を形成する
部分がダメージを受けるのを防止でき、歩留まりを向上
できる。
（２） 高周波開始電力が定常放電電力の範囲を超えて
大きくなるのを抑制できるため、高周波電源に異常に大
きな負荷がかかるのを防止でき、高周波電源内の回路焼
損を未然に防止できる。
大きくなるのを抑制できるため、高周波電源に異常に大
きな負荷がかかるのを防止でき、高周波電源内の回路焼
損を未然に防止できる。
本発明によれば、放電開始電圧と放電停止電圧とが定常
放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きくなるのを抑制
できるため、被エッチング層が、SiO2,PSG,Si,Poly−Si
等シリコン系の被エッチング層であるウェハ内の素子を
形成する部分がダメージを受けるのを防止でき、歩留ま
りを向上できる効果がある。
放電電圧の範囲を超えてパルス的に大きくなるのを抑制
できるため、被エッチング層が、SiO2,PSG,Si,Poly−Si
等シリコン系の被エッチング層であるウェハ内の素子を
形成する部分がダメージを受けるのを防止でき、歩留ま
りを向上できる効果がある。
図面は、本発明の一実施例のプラズマエッチング装置の
構成図である。 10……反応室、11……対向電極、12……テーブル、20…
…マッチングボックス、21……高周波電源、22……Ａ／
Ｄ変換器、23……マイクロ・コンピュータ、30……ウェ
ハ
構成図である。 10……反応室、11……対向電極、12……テーブル、20…
…マッチングボックス、21……高周波電源、22……Ａ／
Ｄ変換器、23……マイクロ・コンピュータ、30……ウェ
ハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−154800（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−163435（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−98678（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−52224（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−64030（ＪＰ，Ａ) 特公 平１−58653（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】対向電極とシリコン系の被エッチング層を
有するウェハが載置されるウェハ載置用電極とが対向し
て内設された反応室と、該反応室内を減圧排気する排気
装置と、前記反応室内に前記ウェハのシリコン系エッチ
ング層エッチング用の反応性ガスを導入する反応性ガス
供給装置と、前記ウェハ載置用電極にマッチングボック
スを介して接続された高周波電源とを備え、前記ウェハ
載置用電極に載置された前記ウェハの被エッチング層を
前記反応性ガスのプラズマによりエッチングするプラズ
マエッチング装置において、 前記高周波電源にＤ／Ａ変換器を介して制御手段を接続
し、 前記ウェハの前記被エッチング層のエッチング終了を判
定するエッチング終了判定手段を前記制御手段に接続
し、 前記制御手段が、前記電極間でのインピーダンスを定常
放電時のインピーダンス程度に小さくするため前記電極
間で放電を生じさせるのに最低限必要な高周波電圧に相
当するデジタル値、前記電極間でのインピーダンスが定
常放電時のインピーダンス程度に小さくなった後に前記
電極間に作用する放電電力を定常放電電力に前記マッチ
ングボックスで同調を取ってスローアップさせるに相当
するデジタル値、前記電極間に作用する定常放電電力に
相当するデジタル値及び前記エッチング終了判定手段で
のエッチング終了判定後に前記電極間に作用する放電電
力を定常放電電力から前記マッチングボックスで同調を
取ってスローダウンさせるに相当するデジタル値を前記
Ｄ／Ａ変換器に順次出力する機能を有することを特徴と
するプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044140A JPH0666291B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044140A JPH0666291B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171122A JPS59171122A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0666291B2 true JPH0666291B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=12683330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044140A Expired - Lifetime JPH0666291B2 (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666291B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256431A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Plasma Syst:Kk | 半導体基板のプラズマ処理方法及び装置 |
| JPH0787191B2 (ja) * | 1986-08-18 | 1995-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマを利用した半導体処理装置 |
| JP4937474B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2012-05-23 | ノードソン コーポレーション | 高速対称プラズマ処理システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552224A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Fujitsu Ltd | Sputter etching method |
| JPS5864030A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | プラズマエツチング装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58044140A patent/JPH0666291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171122A (ja) | 1984-09-27 |
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