JPS5917237A - グロ−放電装置 - Google Patents
グロ−放電装置Info
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- JPS5917237A JPS5917237A JP12504182A JP12504182A JPS5917237A JP S5917237 A JPS5917237 A JP S5917237A JP 12504182 A JP12504182 A JP 12504182A JP 12504182 A JP12504182 A JP 12504182A JP S5917237 A JPS5917237 A JP S5917237A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波電圧によ多発生したグロー放電プラズ
マを用いて薄膜の横積、基板の食刻、あるいは基板表面
の改質を行なうグロー放電装置に関する。
マを用いて薄膜の横積、基板の食刻、あるいは基板表面
の改質を行なうグロー放電装置に関する。
放電中のプラズマにおいては、電子、イオンの生成消滅
が平衡して放電が定常的に維持されるが。
が平衡して放電が定常的に維持されるが。
放電の開始時には電子、イオンが放電空間内に存在しな
いために、放電維持電圧で放電を開始することが通常は
困難である。このため、放電が平衡状態にあるときより
も高い電圧を印加して放電を開始させるが、放電開始前
後における高周波に対するインピーダンスが大きく異方
る場合には放電は開始しない。したがって、これを防ぐ
だめに。
いために、放電維持電圧で放電を開始することが通常は
困難である。このため、放電が平衡状態にあるときより
も高い電圧を印加して放電を開始させるが、放電開始前
後における高周波に対するインピーダンスが大きく異方
る場合には放電は開始しない。したがって、これを防ぐ
だめに。
高圧少量の気体を瞬時放電空間内に導入する放電開始法
、あるいは放電開始専用の電極を設置する方法が考えら
れている。しかし、前者は真空室内の圧力変動を生ぜし
め、また後者は放電開始後もプラズマ中に電極が存在す
るために、フ０ラズマが乱されるという欠点がある。
、あるいは放電開始専用の電極を設置する方法が考えら
れている。しかし、前者は真空室内の圧力変動を生ぜし
め、また後者は放電開始後もプラズマ中に電極が存在す
るために、フ０ラズマが乱されるという欠点がある。
本発明の目的は、上記従来技術により生ずる問題点を解
決し、低周波高圧電源を伺加することによって、放電開
始専用の電極を設置することなく。
決し、低周波高圧電源を伺加することによって、放電開
始専用の電極を設置することなく。
容易に放電開始を可能ならしめることのできる経済的な
グロー放電装置を提供するにある。
グロー放電装置を提供するにある。
本発明によれば、励起用高周波電圧に低周波高電圧を重
畳して放電を開始させることを特徴とするグロー放電装
置が得られる。
畳して放電を開始させることを特徴とするグロー放電装
置が得られる。
次に２本発明によるグロー放電装置について実施例を挙
げ１図面を参照して説明する。
げ１図面を参照して説明する。
第１図は本発明による実施例の構成を模式図により示し
たものである。この図において、■は真空室、２はガス
供給系、３は真空排気系、４は高周波印加電極、５は４
に対向する高周波印加電極。
たものである。この図において、■は真空室、２はガス
供給系、３は真空排気系、４は高周波印加電極、５は４
に対向する高周波印加電極。
６は高周波電源、７はマツチング回路、８は直流遮断用
コンデンサ、そして９は低周波高圧電源を示す。このよ
うな構成によれば、高周波印加電極４および５には、高
周波電源６の他に低周波高圧電源９の接続されている点
に特徴が見出されるであろう。一般的には、グロー放電
装置の励起用高周波としては１３．５６ ＭＨｚが用い
られるが、この場合、直流遮断用コンデンサ８の容量は
２００ ｐＦ程度で充分である。低周波高圧電源９の一
例として。
コンデンサ、そして９は低周波高圧電源を示す。このよ
うな構成によれば、高周波印加電極４および５には、高
周波電源６の他に低周波高圧電源９の接続されている点
に特徴が見出されるであろう。一般的には、グロー放電
装置の励起用高周波としては１３．５６ ＭＨｚが用い
られるが、この場合、直流遮断用コンデンサ８の容量は
２００ ｐＦ程度で充分である。低周波高圧電源９の一
例として。
５０、あるいは６０ Ｈｚの商用電源によシ数ｋＶの出
力電圧を発生するネオントランスを用いると、 ２００
ｐＦの直流遮断用コンデンサ８は５０ 、’にたは６０
Ｈｚの低周波電圧に対して１６ＭΩ程度の高抵抗となる
。一方、ネオントランス９の２次側コイルは。
力電圧を発生するネオントランスを用いると、 ２００
ｐＦの直流遮断用コンデンサ８は５０ 、’にたは６０
Ｈｚの低周波電圧に対して１６ＭΩ程度の高抵抗となる
。一方、ネオントランス９の２次側コイルは。
１３、５６ ＭＩ（７，の高周波に対してＩＯＭΩ程度
の高インピーダンスとなるため、２次側コイルを介して
流れる電流は無視することができ、それによって。
の高インピーダンスとなるため、２次側コイルを介して
流れる電流は無視することができ、それによって。
高周波電源６と低周波高圧電源９とは相互に干渉するこ
とがない。
とがない。
この実施例における放電開始操作について説明すると、
まず、真空室ｌ内を排気したのち、所定のガスを導入し
、ガス流量と排気速度とを調節してガス圧力を一定に保
つ。次に、高周波電源６によシ、所望の高周波電圧を印
加する。この高周波電圧が、設定されたガス圧力におけ
る放電開始電圧よシ高ければ、放電は開始する。これに
反して。
まず、真空室ｌ内を排気したのち、所定のガスを導入し
、ガス流量と排気速度とを調節してガス圧力を一定に保
つ。次に、高周波電源６によシ、所望の高周波電圧を印
加する。この高周波電圧が、設定されたガス圧力におけ
る放電開始電圧よシ高ければ、放電は開始する。これに
反して。
印加した高周波電圧が放電開始電圧よシ低い場合には、
放電は開始されないから、その場合には。
放電は開始されないから、その場合には。
低周波高圧電源９を短時間動作させることによって放電
を開始させることができる。放電開始後は。
を開始させることができる。放電開始後は。
低周波高電圧の印加を継続する必要はない。また。
高周波電源６と低周波高圧電源９とは、はとんど電気的
々干渉がないから、低周波高電圧の印加停止後、高周波
印加電極４と低周波高圧電源９との間の接続線を切る必
要はない。
々干渉がないから、低周波高電圧の印加停止後、高周波
印加電極４と低周波高圧電源９との間の接続線を切る必
要はない。
第２図は、第１図における実施例と従来のグロー放電装
置との間のガス圧に対する放電開始電圧の比較をグラフ
で示したものである。この例は、ガスとしてシラン（Ｓ
＋Ｈ４） 、高周波として１３．５６ ＭＩ（ｚ。
置との間のガス圧に対する放電開始電圧の比較をグラフ
で示したものである。この例は、ガスとしてシラン（Ｓ
＋Ｈ４） 、高周波として１３．５６ ＭＩ（ｚ。
放電開始用とし’（５０Ｈｚ 、 ５ ｋＶの低周波高
電圧。
電圧。
電極間距離を３（７７１とした場合に得られた結果であ
る。この図よ９１曲線Ａで示す実施例の方が曲線Ｂによ
る従来の装置に比べてはるかに低い高周波電圧で放電の
開始されることが判るであろう。
る。この図よ９１曲線Ａで示す実施例の方が曲線Ｂによ
る従来の装置に比べてはるかに低い高周波電圧で放電の
開始されることが判るであろう。
以上の説明によシ明らかなように１本発明によれば、低
周波高圧電源を付加し、励起用高周波電圧に低周波高電
圧を重畳して印加することによって、簡単な構成で、か
つ低い高周波電圧においても容易に放電を開始させるこ
とができる点において、装置の信頼性および経済性を向
上すべく得られる効果は犬である。
周波高圧電源を付加し、励起用高周波電圧に低周波高電
圧を重畳して印加することによって、簡単な構成で、か
つ低い高周波電圧においても容易に放電を開始させるこ
とができる点において、装置の信頼性および経済性を向
上すべく得られる効果は犬である。
第１図は本発明による実施例の構成を示す模式図、第２
図は、第１図における実施例と従来のグロー放電装置の
間のガス圧に対する放電開始電圧の比較を示すグラフで
ある。 図において、■は真空室、２はガス供給系、３は真空排
気系、４は高周波印加電極、５は４に対向する高周波印
加電極、６は高周波電源、７はマツチング回路、８は直
流遮断用コンデンサ゛、９は低周波高圧電源である。
図は、第１図における実施例と従来のグロー放電装置の
間のガス圧に対する放電開始電圧の比較を示すグラフで
ある。 図において、■は真空室、２はガス供給系、３は真空排
気系、４は高周波印加電極、５は４に対向する高周波印
加電極、６は高周波電源、７はマツチング回路、８は直
流遮断用コンデンサ゛、９は低周波高圧電源である。
Claims (1)
- 工、励起用嵩周波電圧に低周波高電圧を重畳して放電を
開始させることを特徴とするグロー放電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504182A JPS5917237A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | グロ−放電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504182A JPS5917237A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | グロ−放電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917237A true JPS5917237A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14900370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12504182A Pending JPS5917237A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | グロ−放電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917237A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0149089A2 (en) * | 1984-01-06 | 1985-07-24 | Tegal Corporation | Single electrode, multiple frequency plasma apparatus |
| JPS60177620A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 薄膜製造装置及び方法 |
| JPS6347930A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマを利用した半導体処理装置 |
| JPS63288021A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-11-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH05271949A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-10-19 | Applied Materials Inc | プラズマ反応装置及び薄膜形成方法 |
| EP0665306A1 (en) * | 1994-01-19 | 1995-08-02 | TOKYO ELECTRON AMERICA Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| WO2003054911A3 (en) * | 2001-12-13 | 2003-10-30 | Tokyo Electron Ltd | Plasma process apparatus |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12504182A patent/JPS5917237A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0149089A2 (en) * | 1984-01-06 | 1985-07-24 | Tegal Corporation | Single electrode, multiple frequency plasma apparatus |
| JPS60177620A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 薄膜製造装置及び方法 |
| JPS6347930A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマを利用した半導体処理装置 |
| JPS63288021A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-11-25 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH05271949A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-10-19 | Applied Materials Inc | プラズマ反応装置及び薄膜形成方法 |
| EP0665306A1 (en) * | 1994-01-19 | 1995-08-02 | TOKYO ELECTRON AMERICA Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| US5565036A (en) * | 1994-01-19 | 1996-10-15 | Tel America, Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| WO2003054911A3 (en) * | 2001-12-13 | 2003-10-30 | Tokyo Electron Ltd | Plasma process apparatus |
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