JPS60177620A - 薄膜製造装置及び方法 - Google Patents
薄膜製造装置及び方法Info
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- JPS60177620A JPS60177620A JP59032649A JP3264984A JPS60177620A JP S60177620 A JPS60177620 A JP S60177620A JP 59032649 A JP59032649 A JP 59032649A JP 3264984 A JP3264984 A JP 3264984A JP S60177620 A JPS60177620 A JP S60177620A
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- discharge
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- Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はグロー放電を利用する薄膜製造装置に関し、特
に放電開始手段を設けた装置およびその装置を用いる薄
膜の形成方法に関する。
に放電開始手段を設けた装置およびその装置を用いる薄
膜の形成方法に関する。
グロー放電を利用する薄膜作成技術は、非晶質薄膜や微
結晶含有薄膜の作成に最近大いに検討されている。これ
らの薄膜の用途は太陽電池、光センサ−、イメージング
デバイス、薄膜トランジスタ、感光ドラム等に広く開け
ている。
結晶含有薄膜の作成に最近大いに検討されている。これ
らの薄膜の用途は太陽電池、光センサ−、イメージング
デバイス、薄膜トランジスタ、感光ドラム等に広く開け
ている。
これらデバイスを作成するにあたり、薄膜は単一層を形
成するのみで機能させることは稀であり、通常は基板、
導体層、半導体層、絶縁体層などと共に積層形成あるい
並置形成されて機能させられる。それ故薄膜の作成にお
いては、界面をいかに制御して形成するかが目的とする
デバイスを機能させる上で非常に重要な問題であった。
成するのみで機能させることは稀であり、通常は基板、
導体層、半導体層、絶縁体層などと共に積層形成あるい
並置形成されて機能させられる。それ故薄膜の作成にお
いては、界面をいかに制御して形成するかが目的とする
デバイスを機能させる上で非常に重要な問題であった。
通常界面を形成するためには一旦放電を停止して、つぎ
に新たなる原料を導入して、それに適合する形成条件で
放電を開始する方法で行なわれている。即ち界面を形成
するためには多くの場合、新たなる放電の開始を伴うも
のである。しかして、この場合、放電中には高エネルギ
ーのイオンが存在し、これが先に形成された薄膜を損傷
したり、先に形成された薄膜中に存在する不純物を新た
に形成する薄膜中に自動ドープする原因となる。かかる
イオンによる弊害は放電電力が大きくなればなるだけ増
大する傾向にある。しかるに従来、グロー放電を開始さ
せるには通常安定な放電を維持するに必要な放電電力（
以下安定放電維持電力という）よりも数倍以上大きな電
力を必要としていたため、上記した弊害がしばしば発生
し、この放電開始電力を小さくすることが望まれていた
。またガス原料、薄膜形成条件、薄膜製造装置の形状等
を変更するとグロー放電開始電力も変化し、極端な場合
は安定放電維持電力の士数倍の開始電力を必要とするこ
ともあった。このように界面形成時に高放電開始電力を
印加せざるを得ない時には、得られるデバイスの特性が
必然的に低下するという問題があった。
に新たなる原料を導入して、それに適合する形成条件で
放電を開始する方法で行なわれている。即ち界面を形成
するためには多くの場合、新たなる放電の開始を伴うも
のである。しかして、この場合、放電中には高エネルギ
ーのイオンが存在し、これが先に形成された薄膜を損傷
したり、先に形成された薄膜中に存在する不純物を新た
に形成する薄膜中に自動ドープする原因となる。かかる
イオンによる弊害は放電電力が大きくなればなるだけ増
大する傾向にある。しかるに従来、グロー放電を開始さ
せるには通常安定な放電を維持するに必要な放電電力（
以下安定放電維持電力という）よりも数倍以上大きな電
力を必要としていたため、上記した弊害がしばしば発生
し、この放電開始電力を小さくすることが望まれていた
。またガス原料、薄膜形成条件、薄膜製造装置の形状等
を変更するとグロー放電開始電力も変化し、極端な場合
は安定放電維持電力の士数倍の開始電力を必要とするこ
ともあった。このように界面形成時に高放電開始電力を
印加せざるを得ない時には、得られるデバイスの特性が
必然的に低下するという問題があった。
この問題を解決するために従来は、インピーダンスマツ
チングに工夫がこらされていたが、原料、条件、装置等
を変更した場合には、これとても満足な結果は得られな
かった。
チングに工夫がこらされていたが、原料、条件、装置等
を変更した場合には、これとても満足な結果は得られな
かった。
本発明は、グロー放電の開始手段を設けることを着眼し
て本問題を克服した。
て本問題を克服した。
すなわち、本発明は、基板加熱手段、ガス導入手段、真
空排気手段およびグロー放電手段を少くとも有するグロ
ー放電による薄膜製造装置において、グロー放電の能動
的開始手段を有することを特徴とする薄膜製造装置であ
り、および、 グロー放電により二層以上の薄膜（以下
多層薄膜という）を形成する方法において、グロー放電
の能動的開始手段を用いることによって低電力密度でグ
ロー放電を開始する工程を含むことを特徴とする多層薄
膜製造方法を提供するものである。
空排気手段およびグロー放電手段を少くとも有するグロ
ー放電による薄膜製造装置において、グロー放電の能動
的開始手段を有することを特徴とする薄膜製造装置であ
り、および、 グロー放電により二層以上の薄膜（以下
多層薄膜という）を形成する方法において、グロー放電
の能動的開始手段を用いることによって低電力密度でグ
ロー放電を開始する工程を含むことを特徴とする多層薄
膜製造方法を提供するものである。
以下、図面を参照口ながら、本発明の詳細な説明する０
本発明はグロー放電の能動的開始手段として、たとえば
第１図に示すような放電管１０又は第２図に示すような
高電圧印加端子２０を好ましい手段として使用するもの
である。
第１図に示すような放電管１０又は第２図に示すような
高電圧印加端子２０を好ましい手段として使用するもの
である。
放電管としては、ガイスラー管が最も便利に使用される
ので以下ガイスラー管を例にとって説明する。
ので以下ガイスラー管を例にとって説明する。
まず第１図に示すごとく薄膜製造装置のグロー放電室３
０の内部とガイスラー管１０の内部とが連通ずるように
設備する。ガイスラー管１０はグロー放電室３０に直接
とりつけてもよいが、好ましくはシャッター、金属メツ
シー４０、変曲部分５０等を介在させて設けられる。ガ
イスラー管の電極６０は外部に設備した高電圧発生手段
（図示せず）接続されている。ガイスラー管はグロー放
電の開始時期すなわち多層薄膜を形成するに際し、新し
い界面を形成する時にのみ必要とされて薄膜の本体部分
を形成する期間中には必要とされない。
０の内部とガイスラー管１０の内部とが連通ずるように
設備する。ガイスラー管１０はグロー放電室３０に直接
とりつけてもよいが、好ましくはシャッター、金属メツ
シー４０、変曲部分５０等を介在させて設けられる。ガ
イスラー管の電極６０は外部に設備した高電圧発生手段
（図示せず）接続されている。ガイスラー管はグロー放
電の開始時期すなわち多層薄膜を形成するに際し、新し
い界面を形成する時にのみ必要とされて薄膜の本体部分
を形成する期間中には必要とされない。
なお、ガイスラー管がグロー放電室３０に直接設備され
た場合には、薄膜製造期間に、ガイスラー管にも薄膜が
生成する結果ガイスラー管の作用効果が低減し、長期間
の使用が困難になる。
た場合には、薄膜製造期間に、ガイスラー管にも薄膜が
生成する結果ガイスラー管の作用効果が低減し、長期間
の使用が困難になる。
第２図には、高電圧印加端子２０を設けた薄膜製造装置
を示しているが、ガイスラー管について述べたことがそ
のまま妥当する。
を示しているが、ガイスラー管について述べたことがそ
のまま妥当する。
つぎに本発明の好ましい動作を実施態様を述べる。グロ
ー放電の開始手段として放電管を用いる場合には、グロ
ー放電手段である電極７０に０．０３ｗ ／ ｃｊ好ま
しくは０．０１ ｗ／ｃｊ以下の電力を印加し、薄膜形
成の原料ガスをガス導入手段８０を通して供給し真空排
気手段９０により５ Ｔｏｒｒ以下の真空度に保持する
。基板温度が所望の値になった後に、放電管たとえばガ
イスラー管の電極に接続している高電圧印加手段たとえ
ばインダクションコイルの如き手段を用いて高電圧を１
〜３秒間印加して放電を発生させる。この放電に誘起さ
れて薄膜製造装置のグロー放電室にもグロー放電が前述
の如き０．０１ ｗ／ｃａ以下の低電力密度でスムース
に開始されるのである。
ー放電の開始手段として放電管を用いる場合には、グロ
ー放電手段である電極７０に０．０３ｗ ／ ｃｊ好ま
しくは０．０１ ｗ／ｃｊ以下の電力を印加し、薄膜形
成の原料ガスをガス導入手段８０を通して供給し真空排
気手段９０により５ Ｔｏｒｒ以下の真空度に保持する
。基板温度が所望の値になった後に、放電管たとえばガ
イスラー管の電極に接続している高電圧印加手段たとえ
ばインダクションコイルの如き手段を用いて高電圧を１
〜３秒間印加して放電を発生させる。この放電に誘起さ
れて薄膜製造装置のグロー放電室にもグロー放電が前述
の如き０．０１ ｗ／ｃａ以下の低電力密度でスムース
に開始されるのである。
なお、該開始手段として高電圧印加端子２０を用いる場
合には、たとえばテスラーコイル（図示せず）を用いそ
その放電端子２０を高電圧印加端子とする。前述の如く
グロー放電手段である電極７０に０．０３Ｗ／ｃ＋＃好
ましくは０．ＯＩＷ／ｃ＋ｆ以下の電力を印加し薄膜形
成の原料ガスを供給し、真空排気手段９０により５ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度に保持する。
合には、たとえばテスラーコイル（図示せず）を用いそ
その放電端子２０を高電圧印加端子とする。前述の如く
グロー放電手段である電極７０に０．０３Ｗ／ｃ＋＃好
ましくは０．ＯＩＷ／ｃ＋ｆ以下の電力を印加し薄膜形
成の原料ガスを供給し、真空排気手段９０により５ Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度に保持する。
基板温度が所望の値になった後に、テスラーコイルの電
源を入れて１〜３秒間放電させると、これが引き金（ト
リガー）となって、薄膜製造装置のグロー放電室にも、
前述の如き０．０１Ｗ／ａ＃以下の低電力密度でグロー
放電が開始されるのである。
源を入れて１〜３秒間放電させると、これが引き金（ト
リガー）となって、薄膜製造装置のグロー放電室にも、
前述の如き０．０１Ｗ／ａ＃以下の低電力密度でグロー
放電が開始されるのである。
このように本発明はグロー放電開始電力を低くおさえる
ことができるものであり、放電開始のために従来必要で
あった高電力の印加をなくすことができる装置を提供す
るものである。本装置は、装置の材質や大きさを限定し
ないので良質の薄膜や薄膜デ′バイスの工学的な大型の
規模での作成にも適している。
ことができるものであり、放電開始のために従来必要で
あった高電力の印加をなくすことができる装置を提供す
るものである。本装置は、装置の材質や大きさを限定し
ないので良質の薄膜や薄膜デ′バイスの工学的な大型の
規模での作成にも適している。
以下実施例においてさらに具体的に本発明の装置を用い
て多層薄膜、より具体的には非晶質シリコン太陽電池を
形成する場合について述べる。
て多層薄膜、より具体的には非晶質シリコン太陽電池を
形成する場合について述べる。
なお、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ないことはもちろんである。
ないことはもちろんである。
（実施例）
第１図は、基板加熱手段１００、真空排気手段９０、ガ
ス導入手段８０および基板１１０を設置することのでき
る平行平板電極７０′および高周波電力印加電極７０を
有するグロー放電室３０に金属メツシュ４０および変曲
部分５０を介してガイスラー管１０が設備されている薄
膜形成装置の一部である。基板１１０には酸化スズ膜よ
りなる透明電極が形成されている。基板温度を１５０〜
４００℃の間で適宜選択し、グロー放電室内の圧力を５
Ｔｏｒｒ以下に設定する。まずＰ層の形成はＳｉＨ，
、ＣＨ，、Ｂ２Ｈ，をＨ２で希釈して行なう。これらの
流量比は５ＩＨ４：ＣＨ６−７：３ＳＩＨ４：Ｈ２＝１
：６であり、Ｂ２Ｈ６はＳ ｔ Ｈ４に対し約０．１％
の割合で添加した。これらの原料ガス混合物を流しを印
加した。ついでインダクションコイルの電源を入れガイ
スラー管を２秒間放電させた。この瞬間に該電極７００
Å力側に設備されているパワーメータの反射波は減少し
、グロー放電室に放電が発生したことを確認した。放電
開始後、所定の放電電力においてＰ層を約１０ＯＡ形成
した後放電を停止した。つぎに真空を破ることなくｉ層
形成室へと基板１１０を移送した。ｉ層形成室も第１図
に示した装置を有している。ｉ層は５ｔ２Ｈ６ガス単独
で形成した。Ｓ ｔ ２ Ｈａガスを流しつつ圧力を０
．１５Ｔｏｒｒ形成温度を３００℃に調整した後、高周
波電力印加電極７０に０．０５Ｗ／ａ１の電力を印加し
た。ついでＰ層形成時と同様にガイスラー管を放電させ
た。この瞬間、グロー放電室３０の電極７０−７０’間
で暗く弱く発光が観察されてグロー放電が開始したこと
を確認した。ついで所望の放電電力においてｉ層を約５
ｏ６ｏ；形成した後放電を停止した。つぎに真空を破る
ことなくｎ層形成室へと基板１１０を移送した。ｎ層は
ＳｉＨいＰＨ３をＨ２で希釈して行なう。これらの流量
比はＳｔＨ，：Ｈ２＝ １ ： ８であり、ＰＨ３はＳ
ｉＨ，に対し約０．８％の割合で添加した。これらの原
料ガス混合物を流しながら圧力０．５Ｔｏｒｒ、形成温
度２５０℃として高周波電力印加電極７００Å力側に０
，０１Ｗ／ｄの電力を印加した。ついでＰ層、ｉ層形成
時と同様にガイスラー管を放電させた。この瞬間に該電
極７００Å力側の反射波は減少し、グロー放電室に放電
が発生したことを確認した。ついで所望の放電電力にお
いてｎ層を約１５ＯＡ形成した後放電を停止した。基板
を冷却室へ移して、冷却後真空蒸着室へ移し、アルミニ
ウムを蒸着し電極とした。基板側からＡＭ ｒ （１０
０ｍｗ／ｃｉ）の光を照射して光電特性を測定した。
ス導入手段８０および基板１１０を設置することのでき
る平行平板電極７０′および高周波電力印加電極７０を
有するグロー放電室３０に金属メツシュ４０および変曲
部分５０を介してガイスラー管１０が設備されている薄
膜形成装置の一部である。基板１１０には酸化スズ膜よ
りなる透明電極が形成されている。基板温度を１５０〜
４００℃の間で適宜選択し、グロー放電室内の圧力を５
Ｔｏｒｒ以下に設定する。まずＰ層の形成はＳｉＨ，
、ＣＨ，、Ｂ２Ｈ，をＨ２で希釈して行なう。これらの
流量比は５ＩＨ４：ＣＨ６−７：３ＳＩＨ４：Ｈ２＝１
：６であり、Ｂ２Ｈ６はＳ ｔ Ｈ４に対し約０．１％
の割合で添加した。これらの原料ガス混合物を流しを印
加した。ついでインダクションコイルの電源を入れガイ
スラー管を２秒間放電させた。この瞬間に該電極７００
Å力側に設備されているパワーメータの反射波は減少し
、グロー放電室に放電が発生したことを確認した。放電
開始後、所定の放電電力においてＰ層を約１０ＯＡ形成
した後放電を停止した。つぎに真空を破ることなくｉ層
形成室へと基板１１０を移送した。ｉ層形成室も第１図
に示した装置を有している。ｉ層は５ｔ２Ｈ６ガス単独
で形成した。Ｓ ｔ ２ Ｈａガスを流しつつ圧力を０
．１５Ｔｏｒｒ形成温度を３００℃に調整した後、高周
波電力印加電極７０に０．０５Ｗ／ａ１の電力を印加し
た。ついでＰ層形成時と同様にガイスラー管を放電させ
た。この瞬間、グロー放電室３０の電極７０−７０’間
で暗く弱く発光が観察されてグロー放電が開始したこと
を確認した。ついで所望の放電電力においてｉ層を約５
ｏ６ｏ；形成した後放電を停止した。つぎに真空を破る
ことなくｎ層形成室へと基板１１０を移送した。ｎ層は
ＳｉＨいＰＨ３をＨ２で希釈して行なう。これらの流量
比はＳｔＨ，：Ｈ２＝ １ ： ８であり、ＰＨ３はＳ
ｉＨ，に対し約０．８％の割合で添加した。これらの原
料ガス混合物を流しながら圧力０．５Ｔｏｒｒ、形成温
度２５０℃として高周波電力印加電極７００Å力側に０
，０１Ｗ／ｄの電力を印加した。ついでＰ層、ｉ層形成
時と同様にガイスラー管を放電させた。この瞬間に該電
極７００Å力側の反射波は減少し、グロー放電室に放電
が発生したことを確認した。ついで所望の放電電力にお
いてｎ層を約１５ＯＡ形成した後放電を停止した。基板
を冷却室へ移して、冷却後真空蒸着室へ移し、アルミニ
ウムを蒸着し電極とした。基板側からＡＭ ｒ （１０
０ｍｗ／ｃｉ）の光を照射して光電特性を測定した。
（比較例）
比較のために本発明における能動的なグロー放電開始手
段を用いない場合について以下に示す。
段を用いない場合について以下に示す。
薄膜の形成条件は先に述べた実施例と同じにした。
まずＰ層においては、インピーダンスマツチングを調整
したにもかかわらず、０．０１ ｗ／ｃ＋ｉでは放電開
始せず０．０５６ ｗ／ｃ＋ｆｆでようや（放電した。
したにもかかわらず、０．０１ ｗ／ｃ＋ｉでは放電開
始せず０．０５６ ｗ／ｃ＋ｆｆでようや（放電した。
しかしながら、グロー放電開始のために高周波電力印加
電極７０にｏ、ｏｓ６ｗ／ｃ＋ｉの電力を印加してから
放電開始までに約２分４０秒もの誘導期間を必要とした
。また１層では０．０５６ Ｗ／ｃｉでは放電せずＱ、
ＩＷ／ｃＪでようやく放電をした。しかるにこのときも
約５分３０秒の誘導期間を必要とした。ｎ層はＰ層と同
じ放電電力で放電が開始したが約２分の誘導期間が必要
であった。
電極７０にｏ、ｏｓ６ｗ／ｃ＋ｉの電力を印加してから
放電開始までに約２分４０秒もの誘導期間を必要とした
。また１層では０．０５６ Ｗ／ｃｉでは放電せずＱ、
ＩＷ／ｃＪでようやく放電をした。しかるにこのときも
約５分３０秒の誘導期間を必要とした。ｎ層はＰ層と同
じ放電電力で放電が開始したが約２分の誘導期間が必要
であった。
実施例と比較例とで光電特性を比較してみると開放端電
圧、短絡電流のいずれにおいても第３図に１例を示した
ように本実施例の方がはるかに良好であり、その結果得
られた光電変換効率は本実施例が７．５％〜８．５％で
あるのに対し、比較例は４．２〜５，６％であった。
圧、短絡電流のいずれにおいても第３図に１例を示した
ように本実施例の方がはるかに良好であり、その結果得
られた光電変換効率は本実施例が７．５％〜８．５％で
あるのに対し、比較例は４．２〜５，６％であった。
すなわち、比較例においては、多層薄膜を形成する場合
、高い放電開始電力を長時間印加することによりデバイ
スの特性（光電変更効率）が大巾に低下せざるを得なか
ったのに対し、本発明は低放電開始電力でしかも瞬間的
に容易に放電が開始するため、かかる特性の低下を伴う
ことなく高光電変換効率が確保できることがわかる。
、高い放電開始電力を長時間印加することによりデバイ
スの特性（光電変更効率）が大巾に低下せざるを得なか
ったのに対し、本発明は低放電開始電力でしかも瞬間的
に容易に放電が開始するため、かかる特性の低下を伴う
ことなく高光電変換効率が確保できることがわかる。
第１図は放電管を用いた場合の本発明の薄膜製造装置の
模式的な断面図である。第２図は高電圧印加端子を用い
た場合の本発明の薄膜製造装置の模式的な断面図である
。第３図は本実施例により作成したｐ−１−ｎ型非晶質
シリコン太陽電池の特性および比較のための太陽電池の
特性を同一図面上に示すグラフである。第３図において
、Ａは本発明の実施例の太陽電池のＩ−Ｖ曲線、Ｂは比
較例のＩ−Ｖ曲線である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 ００ 第２図 第３図
模式的な断面図である。第２図は高電圧印加端子を用い
た場合の本発明の薄膜製造装置の模式的な断面図である
。第３図は本実施例により作成したｐ−１−ｎ型非晶質
シリコン太陽電池の特性および比較のための太陽電池の
特性を同一図面上に示すグラフである。第３図において
、Ａは本発明の実施例の太陽電池のＩ−Ｖ曲線、Ｂは比
較例のＩ−Ｖ曲線である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 ００ 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）基板加熱手段、ガス導入手段、真空排気手段およ
びグロー放電手段を少くとも有するグロー放電による薄
膜製造装置において、グロー放電の能動的開始手段を有
することを特徴とする薄膜製造装置。 - （２）グロー放電の能動的開始手段が放電管であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載する装置。 - （３）グロー放電の能動的開始手段が高電圧印加端子で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載する
装置。 - （４）グロー放電により二層以上の薄膜（以下多層薄膜
という）を形成する方法において、グロー放電の能動的
開始手段を用いることによって低電力密度でグロー放電
を開始する工程を含むことを特徴とする多層薄膜製造方
法。 - （５）積層される任意の二つの薄膜を形成するに際し、
第１の薄膜を形成後グロー放電を停止し、グロー放電の
能動的開始手段を用いることによって低電力密度で再び
グロー放電を開始し、しかる後より小なる放電維持電力
によりグロー放電を継続して第１の薄膜上に第２の薄膜
を形成する工程を含む特許請求の範囲第４項記載の方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032649A JPH0758690B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜製造装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032649A JPH0758690B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜製造装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177620A true JPS60177620A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0758690B2 JPH0758690B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=12364703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032649A Expired - Lifetime JPH0758690B2 (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜製造装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758690B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA965340B (en) | 1995-06-30 | 1997-01-27 | Interdigital Tech Corp | Code division multiple access (cdma) communication system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917237A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Anelva Corp | グロ−放電装置 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59032649A patent/JPH0758690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917237A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Anelva Corp | グロ−放電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758690B2 (ja) | 1995-06-21 |
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