JPH06302841A

JPH06302841A - 太陽電池製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH06302841A
Application number: JP5086136A
Authority: JP
Inventors: Hirotsugu Shimoda; 寛嗣下田; Azusa Iwai; 梓岩井; Atsushi Shiozaki; 篤志塩崎; Katsumi Nakagawa; 克己中川; Toshihiro Yamashita; 敏裕山下; Jo Toyama; 上遠山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-04-13
Filing date: 1993-04-13
Publication date: 1994-10-28
Anticipated expiration: 2016-03-07
Also published as: JP3142682B2

Abstract

(57)【要約】【目的】太陽電池の製造方法において、反射率の高い
裏面反射層の高速製造方法を提供する。【構成】基板上に、銀又は銀を主成分とする金属から
なる金属層、透明金属酸化物層、半導体層及び透明電極
層を順次積層してなる薄膜半導体太陽電池の製造方法に
おいて、前記金属層が形成された基板表面に波長３００
ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を少なくとも所定時間照射
しながら、金属ターゲットを用いて酸素ガス存在下にリ
アクティブスパッタリングすることにより前記透明金属
酸化物層を形成することを特徴とする太陽電池製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高性能で信頼性が高く、
しかも量産が可能な太陽電池に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】人類のこれからのエネルギー源として、
その使用の結果発生する二酸化炭素の為に地球の温暖化
をもたらすと言われる石油や石炭、あるいは不測の事故
により、さらには正常な運転時においてすら放射線の危
険が皆無とは言えない原子力に全面的に依存していくこ
とは問題が多い。太陽電池は太陽をエネルギー源として
おり地球環境に対する影響が極めて少ないので、一層の
普及が期待されている。しかし現状においては、本格的
な普及を妨げているいくつかの問題点がある。

【０００３】従来太陽光発電用としては、単結晶又は多
結晶のシリコンが多く用いられてきた。しかしこれらの
太陽電池では結晶の成長に多くのエネルギーと時間を要
し、また、続く製造工程においても複雑な工程が必要と
なるため量産効果があがりにくく、低価格での提供が困
難であった。一方アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ
と記載）や、ＣｄＳ・ＣｕＩｎＳｅ₂などの化合物半導
体を用いた、いわゆる薄膜半導体太陽電池が盛んに研
究、開発されてきた。これらの太陽電池では、ガラスや
ステンレススティールなどの安価な基板上に必要なだけ
の半導体層を形成すればよく、その製造工程も比較的簡
単であり、低価格化できる可能性を持っている。しかし
薄膜太陽電池は、その変換効率が結晶シリコン太陽電池
に比ベて低く、しかも長期の使用に対する信頼性に不安
があるため、これまで本格的に使用されてこなかった。
そこで薄膜太陽電池の性能を改善するため、様々な工夫
がなされている。

【０００４】その一つが基板表面の光の反射率を高める
ことにより、薄膜半導体層で吸収されなかった太陽光
を、再び薄膜半導体層に戻し入射光を有効に利用するた
めの裏面反射層である。即ち、透明な基板の基板側から
太陽光を入射させる場合には、基板と薄膜半導体層との
間に透明電極層を設け、薄膜半導体層の表面に銀（Ａ
ｇ）、アルミニウム（Ａｌ）など反射率の高い金属を裏
面の電極を兼ねて形成すると良い。また薄膜半導体層の
表面から太陽光を入射させる場合には、同様の金属の層
を基板上に形成した後、半導体層を形成すると良い。

【０００５】また、金属層と薄膜半導体層との間に適当
な光学的性質を持った透明金属酸化物層を介在させる
と、多重干渉効果によりさらに反射率を高めることがで
きる。透明金属酸化物層としては酸化亜鉛（ＺｎＯ）等
の金属酸化膜がよく用いられる。金属酸化膜は抵抗加熱
や電子ビームによる真空蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング等の成膜法によって成膜されるが、その中でもより
ハイレートな成膜を行うには、金属酸化膜に含有される
金属ターゲットを用いて酸素ガス雰囲気中でスッパツタ
リングするリアクティブスパッタリングが有効である。
この様な透明金属酸化物層を用いることは薄膜太陽電池
の信頼性を高める上でも効果がある。特公昭６０−４１
８７８号公報には透明金属酸化物層を用いることにより
半導体と金属層とが合金化することを防止できるとの記
載がある。また米国特許４，５３２，３７２及び４，５
９８，３０６には、適度な抵抗を持った透明金属酸化物
層を用いることにより万が一半導体層に短絡箇所が発生
しても電極間に過剰な電流が流れるのを防止できるとの
記載がある。

【０００６】しかしながら、上記従来技術においては、
裏面反射層（金属層／透明金属酸化物層）の金属層の上
の透明金属酸化物層を金属酸化膜に含有される金属ター
ゲットを用いてリアクティブスパッタリングにより成膜
を行うと、酸素ガスを反応性ガスとして用いるため下地
の金属層までもが酸化されてしまい反射率の高い裏面反
射層が得られないという問題点が生ずる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこの様な現状
に鑑みなされた物であり、反射率の高い裏面反射層を用
いることにより入射する太陽光を有効に利用し、透明金
属酸化物層と金属層の反応による抵抗値の増加が防止で
きる変換効率の高い、しかも半導体層と金属層との直接
の接触や欠陥箇所でのリーク電流が防止できる信頼性の
高い薄膜半導体太陽電池を、低コストで提供することに
より、太陽光発電の本格的な普及に寄与することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、基板上に、銀又は銀を主成分とする金属からなる
金属層、透明金属酸化物層、半導体層及び透明電極層を
順次積層してなる薄膜半導体太陽電池の製造方法におい
て、前記金属層が形成された基板表面に波長３００ｎｍ
以上８００ｎｍ以下の光を少なくとも所定時間照射しな
がら、金属ターゲットを用いて酸素ガス存在下にリアク
ティブスパッタリングすることにより前記透明金属酸化
物層を形成することを特徴とする太陽電池製造方法であ
る。

【０００９】また、本発明は、上記製造方法で製造され
た太陽電池である。

【００１０】また、本発明は、上記製造方法を実施する
スパッタリング装置であって、少なくとも、真空排気可
能な堆積室、前記堆積室へパージガス又は反応ガスを導
入するガス導入管、前記堆積室を排気する真空排気用ポ
ンプ、前記堆積室内に放電を生起させるための電源、前
記堆積室内の基板及びターゲット、並びに前記堆積室内
に波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を選択的に照
射できる光源を設けてなる太陽電池製造装置である。

【００１１】

【作用】本発明による半導体太陽電池の１態様を図１に
示す。図中、１０１は導電性の基板である。その表面に
反射率の高い金属の層１０２が形成されている。また十
分反射率の高い基板を使用する場合は、金属層１０２は
省略しても良い。その上に透明金属酸化物層１０３が形
成されている。金属層及び透明金属酸化物層は裏面反射
層として機能する。透明金属酸化物層は半導体層を透過
してきた太陽光に対しては透明であり、また適度な電気
抵抗を持ってる。この上に半導体層１０４がある。ここ
では半導体層としてｐｉｎ型のａ−Ｓｉ半導体層を用い
た例を示す。即ち、１０５はｎ型ａ−Ｓｉ半導体層、１
０６はｉ型ａ−Ｓｉ半導体層、１０７はｐ型μｃ−Ｓｉ
半導体層である。１０８は表面の透明電極層である。そ
の上に櫛型の集電電極１０９が設けられている。

【００１２】裏面反射層の一つとして機能する金属層１
０２は、最も反射率の高い材料であるところの銀（Ａ
ｇ）又は銀を主成分とする金属とすることが好ましい。

【００１３】前記金属層上に、金属層と共に裏面反射層
を形成する透明金属酸化物層としてＺｎＯ、ＳｎＯ₂、
Ｉｎ₂０₃、ＩＴＯ、ＣｄＯ、Ｃｄ₂ＳｎＯ₄等の金属酸化
物層を金属ターゲットを用いて酸素ガス存在下でリアク
ティブスパッタリングすると、裏面反射層は黒変し反射
率は著しく低下する。これは陰極（ターゲット）からた
たき出された金属原子が基板上で酸素原子と結合し薄膜
を形成する際、下地金属層である銀原子までもが酸素原
子と結合し、その結果酸化銀が銀表面に形成されるため
であると考えられる。

【００１４】そこでキセノンランプ，ハロゲンランプ，
高圧水銀ランプ等の光源にフィルターを取り付けること
により、好ましくは波長が３００ｎｍ以上８００ｎｍ以
下の可視光を金属酸化物層成膜開始時から少なくとも所
定時間照射することにより、酸化銀を光分解反応により
Ａｇに還元しＯ₂を脱着させ、酸化銀の生成を抑制す
る。

【００１５】所定時間とは、成膜開始直後から金属酸化
物層がＡｇの金属層上に一様に少なくとも１００オング
ストローム程度堆積されるまでの時間を意味する。金属
酸化物層が１００オングストローム程度一様に堆積され
た後は光照射を中止しても良いし、成膜終了時まで続け
ても良い。

【００１６】ところで照射する光の波長を３００ｎｍ以
上８００ｎｍ以下に限定したのは、可視部や紫外部の光
量子は化学結合のエネルギーに近く、その結果光分解反
応の過程において、光量子のエネルギーが一度酸化銀分
子に全部吸収されてから励起による解離反応が進展する
ためである。またII型放電管、希ガス連続光源、ヘリウ
ム連続光源等の真空紫外光源により波長が３００ｎｍ以
下の短波長光を金属酸化物層成膜時に照射した場合は効
果が見られなかった。これは酸素ガス存在下に短波長光
を照射すると酸素Ｏ₂の光化学反応が起こりＯ₃が生成さ
れ、その結果過酸化銀が形成されるためであると考えら
れる。

【００１７】また、透明金属酸化物層を金属ターゲット
を用いて酸素ガス存在下で波長が３００ｎｍ以上８００
ｎｍ以下の可視光を照射しながらリアクティブスパッタ
リングにより成膜することにより、下地金属層（Ａｇ）
の酸化を抑制し且つハイレートな成膜が行えるだけでな
く、金属酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリン
グにより成膜した膜と比較して、より緻密なテクスチャ
ー構造の発達した膜が成膜され裏面反射層としては乱反
射率が向上することにより光散乱効果が増し、その結果
薄膜太陽電池の歩留まり並びに光電変換効率も向上す
る。

【００１８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。

【００１９】実施例１本実施例においては、図１の模式断面図に示す構成のｐ
ｉｎ型ａ−Ｓｉ光起電力素子を作製した。

【００２０】まず図２に示すスパッタリング装置を用い
て裏面反射層として機能する金属層及び透明反射層の形
成を行った。２０１は堆積室であり、不図示の排気ポン
プで真空排気できる。この内部に、不図示のガスボンベ
に接続されたガス導入管２０２より、アルゴン（Ａｒ）
等の不活性ガスが所定の流量導入され、排気弁２０３の
開度を調整し堆積室２０１内は所定の圧力とされる。ま
た基板２０４は内部に赤外線ヒーター２０５が設けられ
たアノード２０６の表面に固定される。アノード２０６
に対向してその表面にターゲット２０７が固定されたカ
ソード電極２０８が設けられている。ターゲット２０７
は堆積されるべき金属のブロックである。カソード電極
は電源２０９に接続されている。またターゲット２０７
の両側には基板２０４全面に光照射できるように固定さ
れたキセノンランプ２１０が設置されている。電源２０
９により、直流（ＤＣ）の高電圧を加え、カソード・ア
ノード間にプラズマを発生させプラズマの作用によりタ
ーゲット２０７の金属原子が基板２０４上に堆積され
る。またカソード２０８の内部に磁石を設けプラズマの
強度を高めたマグネトロンスパッタリング装置では、堆
積速度を高めることができる。

【００２１】堆積条件の一例を挙げる。表面を研磨した
５ｃｍ×５ｃｍ、厚さ１ｍｍのステンレス基板（ＳＵＳ
４３０）１０１上に図２に示したスパッタリング装置に
おいてガス導入管２０２よりアルゴンガスを１５０ｓｃ
ｃｍ導入し、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まず
純度９９．９９％の銀ターゲット２０７を用いて基板温
度２００℃にて平均的な厚さが１０００オングストロー
ムのＡｇの金属層１０２を堆積した。次に、ガス導入管
２０２から酸素−不活性ガス混合ガス（Ａｒ５０ｓｃｃ
ｍ、Ｏ₂１００ｓｃｃｍ）を導入し、純度９９．９９％
の亜鉛ターゲット２０７を用いてＤＣマグネトロンスパ
ッタ法により、オゾンレス石英製発光管をもつキセノン
ランプ（３５０Ｗ定格）２１０により金属層が形成され
た基板２０４の全面を光照射しながら、リアクティブス
パッタリングを行い、基板温度２００℃にて平均的な厚
さが６０００オングストロームの酸化亜鉛層１０３を堆
積した。このとき光源に紫外線カットフィルターを取り
付けてもよい。

【００２２】上記のようにして得られた裏面反射層（Ａ
ｇ／ＺｎＯ）の全反射率は８０％以上であった。

【００２３】引き続き、該下部電極の形成された基板を
市販の容量結合型高周波ＣＶＤ装置（アルバック社製Ｃ
ＨＪ−３０３０）にセットした。排気ポンプにて、反応
容器の排気管を介して、粗引き、高真空引き操作を行っ
た。この時、基板の表面温度は２５０℃となるよう、温
度制御機構により制御した。十分に排気が行われた時点
で、ガス導入管より、ＳｉＨ₄３００ｓｃｃｍ、ＳｉＦ₄
４ｓｃｃｍ、ＰＨ₃／Ｈ₂（１％Ｈ₂希釈）５５ｓｃｃ
ｍ、Ｈ₂４０ｓｃｃｍを導入し、スロットルバルブの開
度を調整して、反応容器の内圧を１Ｔｏｒｒに保持し、
圧力が安定したところで、直ちに高周波電源より２００
Ｗの電力を投入した。プラズマは５分間持続させた。こ
れにより、ｎ型ａ−Ｓｉ半導体層１０５が透明金属酸化
物層１０３上に形成された。再び排気をした後に、今度
はガス導入管よりＳｉＨ₄３００ｓｃｃｍ、ＳｉＦ₄４ｓ
ｃｃｍ、Ｈ₂４０ｓｃｃｍを導入し、スロットルバルブ
の開度を調整して、反応容器の内圧を１Ｔｏｒｒに保持
し、圧力が安定したところで、直ちに高周波電源より１
５０Ｗの電力を投入し、プラズマは４０分間持続させ
た。これによりｉ型ａ−Ｓｉ半導体層１０６がｎ型ａ−
Ｓｉ半導体層１０５上に形成された。再び排気をした後
に、今度はガス導入管よりＳｉＨ₄５０ｓｃｃｍ、ＢＦ₃
／Ｈ₂（１％Ｈ₂希釈）５０ｓｃｃｍ、Ｈ₂５００ｓｃｃ
ｍを導入し、スロットルバルブの開度を調整して、反応
容器の内圧を１Ｔｏｒｒに保持し、圧力が安定したとこ
ろで、直ちに高周波電源より３００Ｗの電力を投入し
た。プラズマは２分間持続させた。これによりｐ型μｃ
−Ｓｉ半導体層１０７がｉ型ａ−Ｓｉ半導体層１０６上
に形成された。次に試料を高周波ＣＶＤ装置より取り出
し、抵抗加熱真空蒸着装置にてＩＴＯを堆積した後、塩
化鉄水溶液を含むペ一ストを印刷し、所望の透明電極層
１０８のパターンを形成した。更にＡｇペーストをスク
リーン印刷して集電電極１０９を形成し薄膜半導体太陽
電池を完成した。この方法で１０枚の試料を作製し、Ａ
Ｍｌ．５（１００ｍＷ／ｃｍ²）光照射下にて特性評価
を行つたところ、平均歩留まり８０％、光電変換効率で
７．５±０．２％の変換効率が再現性良く得られた。

【００２４】実施例２本実施例においては、図１の模式断面図に示す構成のｐ
ｉｎ型ａ−ＳｉＧｅ光起電力素子を作製した。

【００２５】図３に示すロール・ツー・ロールスパッタ
リング装置を用いて裏面反射層として機能する金属層及
び透明金属酸化物層の形成を行った。金属層に続いて透
明金属酸化物層を連続的に成膜できるように堆積室を３
０１、３０２と２つ設けており、３０３の排気ポンプで
真空排気できる。この内部に、不図示のガスボンベに接
続されたガス導入管３０４、３０５よりアルゴンガスが
所定の流量導入され、排気弁３０６の開度を調整し堆積
室３０１、３０２は所定の圧力とされる。また、シート
状の基板３０７の背面部には赤外線ヒーター３０８、３
０９が設置されており、不図示の熱電対を基板裏面に接
触させモニタすることにより所望の温度に加熱できるよ
うになっている。基板に対向してその表面にターゲット
３１０、３１１が固定されたカソード電極が設けられて
いる。ターゲット３１０、３１１は堆積されるべき材料
のブロックである。カソード電極は３１２、３１３の電
源に接続されている。また堆積室３０２には堆積区間に
搬送されてきた基板３０７全面に光照射できるように固
定されたキセノンランプ３１４が設置されている。電源
３１２、３１３により直流（ＤＣ）の高電圧を加え各々
の堆積室内のカソード−基板（アノード）間にプラズマ
を発生させる。このプラズマの作用によりターゲット３
１０、３１１の材料原子が基板３０７上に堆積される。
またターゲット３１２、３１３が取り付けてあるカソー
ドの内部に磁石を設け、プラズマをターゲットに集中さ
せることにより堆積速度を高めている。

【００２６】堆積条件の一例を挙げる。洗浄済みの幅１
２０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ、長さ１０ｍのステンレス
（ＳＵＳ４３０）シートをロール状にして基板とし、基
板送り出し部３１５と基板巻き取り部３１６との間で張
力を掛け１００ｍｍ／ｍｉｎの搬送速度で送った。ター
ゲットと基板との距離は５０ｍｍとした。堆積室３０１
にはＡｒを１５０ｓｃｃｍ、堆積室３０２にはＡｒを７
５ｓｃｃｍ、Ｏ₂を７５ｓｃｃｍ流し、排気弁３０６の
開度を調整し堆積室内の圧力を各々１．８ｍＴｏｒｒに
保った。基板温度は赤外線ヒーター３０８、３０９によ
り２００℃に調整した。ターゲット３１０には１０イン
チ×１０インチ角、純度９９．９９％のＡｇを用い、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタリング法により基板３０７上に
まずＡｇ層を堆積した。ターゲット３１１には１０イン
チ×１０インチ角、純度９９．９９％のＺｎを用い、オ
ゾンレス石英製発光管をもつキセノンランプ（３５０Ｗ
定格）３１４により光照射の下、酸素ガス存在下でＤＣ
マグネトロンスッパタリング法によりリアクティブスパ
ッタリングを行い引き続き透明酸化亜鉛（ＺｎＯ）層を
堆積した。

【００２７】巻き取られた基板の一部を切りとり化学エ
ッチングを行い、触針式膜厚測定機により膜厚を調ベた
ところＡｇ層の厚さは平均２０００オングストローム、
ＺｎＯ層の厚さは平均６０００オングストロームであ
り、堆積速度に換算するとＡｇ層は平均１５オングスト
ローム／ｓｅｃ、ＺｎＯ層は平均５０オングストローム
／ｓｅｃとなった。また、この裏面反射層（Ａｇ／Ｚｎ
Ｏ）の全反射率は実施例１とほぼ同様であった。

【００２８】次に裏面反射層の形成された基板を５ｃｍ
×５ｃｍの大きさに切断し、その上にｉ型半導体層とし
て、Ｓｉ₂Ｈ₆を５０ｓｃｃｍ、ＧｅＨ₄を１０ｓｃｃ
ｍ、Ｈ₂を３００ｓｃｃｍ導入し、反応容器の内圧を１
Ｔｏｒｒに保持し、１００Ｗの電力を投入しプラズマを
１０分間持続させて堆積したａ−ＳｉＧｅを用いた以外
は実施例１と同様にして１０枚の試料を作製した。これ
らをＡＭｌ．５（１００ｍＷ／ｃｍ²）光照射下にて特
性評価を行ったところ、平均歩留まり７０％、光電変換
効率で７．０±０．２％の変換効率が再現性良く得られ
た。

【００２９】比較例１本比較例においては、裏面反射層の内の透明金属酸化物
層であるＺｎＯ層をＡｇの金属層上にキセノンランプに
よる光照射を行わずにリアクティブスパッタリングによ
り堆積した以外は実施例１と同様にして１０枚の試料を
作製した。その結果、裏面反射層（Ａｇ／ＺｎＯ）は黒
色化し、全反射率は３０％以下であった。また、この裏
面反射層上に作製した図１の模式断面図に示す構成のｐ
ｉｎ型ａ−Ｓｉ光起電力素子についてＡＭ１．５（１０
０ｍＷ／ｃｍ²）光照射下にて特性評価を行ったとこ
ろ、変換効率は光電変換効率で５．５±０．２％とかな
り低下した。

【００３０】比較例２本比較例においては、裏面反射層の内の透明金属酸化物
層であるＺｎＯ層をＡｇの金属層上にキセノンランプの
代わりに真空紫外光源により波長が２００ｎｍ以下の短
波長光照射の下、リアクティブスパッタリングにより堆
積した以外は実施例１と同様にして１０枚の試料を作製
した。その結果、裏面反射層（Ａｇ／ＺｎＯ）は比較例
１同様黒色化し、全反射率は３０％以下であり光照射の
効果は見られなかった。

【００３１】

【発明の効果】本発明により、リアクティブスパッタ法
による透明金属酸化物層の形成において、下地金属層の
酸化を抑制しつつ、ハイレートで緻密な金属酸化物層の
形成が可能となる。さらにこの様な金属酸化物層の成膜
法はロール・ツー・ロール法等の量産性に富む方法にも
適用でき、本発明は太陽光発電の普及に寄与するもので
ある。

【００３２】即ち、本発明により、反射率の高い裏面反
射層により入射する太陽光を有効に利用することが可能
で、且つ、半導体層と金属層との直接の接触を防いで、
透明金属酸化物層と金属層との反応による抵抗値の増
加、或るいは欠陥箇所でのリーク電流を防止することの
できる、変換効率及び信頼性の高い薄膜半導体太陽電池
を、ハイレート且つ低コストで提供することが可能とな
り、太陽光発電の本格的な普及に寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜半導体太陽電池の１実施例の断面
構造を示す模式図である。

【図２】本発明太陽電池の裏面反射層を製造するに好適
なスパッタリング装置の構成例を示す模式図である。

【図３】本発明太陽電池の裏面反射層を製造するに好適
なスパッタリング装置の別の構成例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１０１、２０４、３０７基板１０２金属層１０３透明金属酸化物層１０４半導体層１０５ｎ型ａ−Ｓｉ半導体層１０６ｉ型ａ−Ｓｉ半導体層１０７ｐ型μｃ−Ｓｉ半導体層１０８透明電極層１０９集電電極２０１堆積室２０２、３０４、３０５ガス導入管２０３、３０３真空排気用ポンプ２０５、３０８、３０９基板加熱赤外線ヒーター２０７、３１０、３１１ターゲット２０９、３１２、３１３電源２１０、３１４キセノンランプ３０１金属層堆積室３０２透明金属酸化物層堆積室３１５基板送り出し部３１６基板巻き取り部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川克己東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者山下敏裕東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者遠山上東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、銀又は銀を主成分とする金属
からなる金属層、透明金属酸化物層、半導体層及び透明
電極層を順次積層してなる薄膜半導体太陽電池の製造方
法において、前記金属層が形成された基板表面に波長３
００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を少なくとも所定時間
照射しながら、金属ターゲットを用いて酸素ガス存在下
にリアクティブスパッタリングすることにより前記透明
金属酸化物層を形成することを特徴とする太陽電池製造
方法。
【請求項２】請求項１に記載の製造方法で製造された
太陽電池。
【請求項３】請求項１に記載の製造方法を実施するス
パッタリング装置であって、少なくとも、真空排気可能
な堆積室、前記堆積室へパージガス又は反応ガスを導入
するガス導入管、前記堆積室を排気する真空排気用ポン
プ、前記堆積室内に放電を生起させるための電源、前記
堆積室内の基板及びターゲット、並びに前記堆積室内に
波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の光を選択的に照射
できる光源を設けてなる太陽電池製造装置。