JP3133528B2 - マイクロ波プラズマｃｖｄ法およびマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマｃｖｄ法およびマイクロ波プラズマｃｖｄ装置Info
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- JP3133528B2 JP3133528B2 JP04339006A JP33900692A JP3133528B2 JP 3133528 B2 JP3133528 B2 JP 3133528B2 JP 04339006 A JP04339006 A JP 04339006A JP 33900692 A JP33900692 A JP 33900692A JP 3133528 B2 JP3133528 B2 JP 3133528B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波を用いて基体
上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法およ
びマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に関し、特に半導体デ
バイス、電子写真用デバイス、画像入力用ラインセンサ
ー、撮像デバイス、光起電力デバイス等に用いるアモル
ファス半導体膜等の機能性膜を形成するに好適なマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法およびマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置に関する。
上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法およ
びマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に関し、特に半導体デ
バイス、電子写真用デバイス、画像入力用ラインセンサ
ー、撮像デバイス、光起電力デバイス等に用いるアモル
ファス半導体膜等の機能性膜を形成するに好適なマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法およびマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、電子写真用デバイス、
画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デ
バイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等
に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例え
ば水素または／およびハロゲン（例えばフッ素、塩素
等）で補償されたアモルファスシリコン系（以下、“ａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）”という。）等のアモルファス材料で
構成された半導体用等に用いられる堆積膜が提案されて
いる。こうした堆積膜は、プラズマＣＶＤ法、すなわち
反応容器内に直流、高周波またはマイクロ波等のエネル
ギーを与えることにより生起したグロー放電等によって
原料ガスを分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィ
ルム、ステンレス、アルミニウム等の材質の基板上に薄
膜状の堆積膜を形成する方法により形成されることが知
られており、そのための装置も各種提案されている。
画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デ
バイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等
に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例え
ば水素または／およびハロゲン（例えばフッ素、塩素
等）で補償されたアモルファスシリコン系（以下、“ａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）”という。）等のアモルファス材料で
構成された半導体用等に用いられる堆積膜が提案されて
いる。こうした堆積膜は、プラズマＣＶＤ法、すなわち
反応容器内に直流、高周波またはマイクロ波等のエネル
ギーを与えることにより生起したグロー放電等によって
原料ガスを分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィ
ルム、ステンレス、アルミニウム等の材質の基板上に薄
膜状の堆積膜を形成する方法により形成されることが知
られており、そのための装置も各種提案されている。
【０００３】ところで近年、マイクロ波グロー放電分解
を用いたプラズマＣＶＤ法であるマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法が注目され、工業的利用への研究がなされてい
る。このマイクロ波プラズマＣＶＤ法は、原材料の分解
効率が他のプラズマＣＶＤ法に比べて格段に良く、堆積
膜の特性を向上させる方法も提案されている。しかしな
がら、特開平４−１８７７７２号公報にも示されるよう
に、従来、１０ｍｔｏｒｒ以下の圧力においてマイクロ
波プラズマＣＶＤ法を行うと、放電のちらつき、異常放
電の集中が発生し、放電が切れることが知られている。
ところが、太陽電池等で高変換効率を得る為に必要とさ
れる膜質を考慮すると、１〜１０ｍｔｏｒｒの圧力にて
特に良好な膜を得ることができ、変換効率で１０％前後
の太陽電池ができる。ちなみに、５０ｍｔｏｒｒの圧力
では５％前後の変換効率しか得られない。そのため、放
電切れが起きたときは、マイクロ波の電力、ガスの圧力
を変化させることで再放電を開始させている。また、基
体にシャッターを設け、異常放電時にはシャッターを閉
にして再放電を開始し、正常な圧力、電力になった時点
でシャッターを開にし、膜質の異なる膜をつけないよう
にするバッチ処理を行うことによって不良を防いでい
る。
を用いたプラズマＣＶＤ法であるマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法が注目され、工業的利用への研究がなされてい
る。このマイクロ波プラズマＣＶＤ法は、原材料の分解
効率が他のプラズマＣＶＤ法に比べて格段に良く、堆積
膜の特性を向上させる方法も提案されている。しかしな
がら、特開平４−１８７７７２号公報にも示されるよう
に、従来、１０ｍｔｏｒｒ以下の圧力においてマイクロ
波プラズマＣＶＤ法を行うと、放電のちらつき、異常放
電の集中が発生し、放電が切れることが知られている。
ところが、太陽電池等で高変換効率を得る為に必要とさ
れる膜質を考慮すると、１〜１０ｍｔｏｒｒの圧力にて
特に良好な膜を得ることができ、変換効率で１０％前後
の太陽電池ができる。ちなみに、５０ｍｔｏｒｒの圧力
では５％前後の変換効率しか得られない。そのため、放
電切れが起きたときは、マイクロ波の電力、ガスの圧力
を変化させることで再放電を開始させている。また、基
体にシャッターを設け、異常放電時にはシャッターを閉
にして再放電を開始し、正常な圧力、電力になった時点
でシャッターを開にし、膜質の異なる膜をつけないよう
にするバッチ処理を行うことによって不良を防いでい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法のうち、放電切れが起きたとき、
マイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させるものでは、
そのときに形成される堆積膜の膜質がそれ以外のときに
形成される堆積膜の膜質と異なる。すなわち基体の部位
によって膜質が変化する。大型のデバイスの堆積膜を形
成する場合は、小型のデバイスに比べ、膜形成中に放電
切れが起きる可能性が高いため、所望の質のデバイスを
作製することが困難である。また、基体にシャッターを
設けるものでは、装置コストが高くなる。さらに、ウエ
ブ状の基体への連続積層成膜では、仮にシャッター全積
層チャンバーに設置したとしても、放電切れの頻度によ
っては、非常に稼動率が下がることがある。
ロ波プラズマＣＶＤ法のうち、放電切れが起きたとき、
マイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させるものでは、
そのときに形成される堆積膜の膜質がそれ以外のときに
形成される堆積膜の膜質と異なる。すなわち基体の部位
によって膜質が変化する。大型のデバイスの堆積膜を形
成する場合は、小型のデバイスに比べ、膜形成中に放電
切れが起きる可能性が高いため、所望の質のデバイスを
作製することが困難である。また、基体にシャッターを
設けるものでは、装置コストが高くなる。さらに、ウエ
ブ状の基体への連続積層成膜では、仮にシャッター全積
層チャンバーに設置したとしても、放電切れの頻度によ
っては、非常に稼動率が下がることがある。
【０００５】本発明の目的は、大型のデバイスでも膜質
を変化させることなく低コストおよび高稼動率で堆積膜
を形成できるマイクロ波プラズマＣＶＤ法およびマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
を変化させることなく低コストおよび高稼動率で堆積膜
を形成できるマイクロ波プラズマＣＶＤ法およびマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法は、真空気密可能な反応容器内にマイクロ
波エネルギーを導入してプラズマ放電空間を形成し、前
記プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜を形成する
マイクロ波プラズマＣＶＤ法において、前記堆積膜形成
中に前記反応容器内に配置されたフィラメントから電子
を放出するとともに、該フィラメントの周囲に水素ガス
を流すことを特徴とする。前記電子は常時放出しても断
続的に放出してもよい。
ズマＣＶＤ法は、真空気密可能な反応容器内にマイクロ
波エネルギーを導入してプラズマ放電空間を形成し、前
記プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜を形成する
マイクロ波プラズマＣＶＤ法において、前記堆積膜形成
中に前記反応容器内に配置されたフィラメントから電子
を放出するとともに、該フィラメントの周囲に水素ガス
を流すことを特徴とする。前記電子は常時放出しても断
続的に放出してもよい。
【０００７】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
は、基体が配設される真空気密可能な反応容器と、該反
応容器内にマイクロ波エネルギーを導入して前記基体周
辺にプラズマ放電空間を形成するエネルギー導入手段と
を有し、前記プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜
を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、前
記エネルギー導入手段のマイクロ波エネルギーによる前
記堆積膜形成中に前記反応容器内に電子を放出する手段
と、該反応容器内に設けられたプラズマ放電が形成され
ているか否かを検知するための金属の放電検出ロッドを
有する検知手段と、該放電検出ロッドの電位により該反
応容器内にプラズマ放電が形成されていないことを前記
検知手段が検知すると、該電子を放出する手段に電子を
放出させる制御手段と、を有することを特徴とする。そ
して、前記電子を放出する手段はフィラメントであって
もアーク放電部材であってもよい。
は、基体が配設される真空気密可能な反応容器と、該反
応容器内にマイクロ波エネルギーを導入して前記基体周
辺にプラズマ放電空間を形成するエネルギー導入手段と
を有し、前記プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜
を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、前
記エネルギー導入手段のマイクロ波エネルギーによる前
記堆積膜形成中に前記反応容器内に電子を放出する手段
と、該反応容器内に設けられたプラズマ放電が形成され
ているか否かを検知するための金属の放電検出ロッドを
有する検知手段と、該放電検出ロッドの電位により該反
応容器内にプラズマ放電が形成されていないことを前記
検知手段が検知すると、該電子を放出する手段に電子を
放出させる制御手段と、を有することを特徴とする。そ
して、前記電子を放出する手段はフィラメントであって
もアーク放電部材であってもよい。
【０００８】
【作用】本発明者の研究によると、堆積膜形成中に反応
容器内に電子を放出することにより、放電切れがあって
もマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させることなく
短時間で再放電を開始させることができる。このため、
膜質を変化させることを防止できる。電子を放出するに
は、フィラメントやアーク放電部材等を反応容器内に設
ければよいから、低コストで装置を構成できる。また、
放電切れがあっても短時間で再放電を開始できることか
ら稼動率を高めることができる。そして、フィラメント
の周囲に水素ガスを流すことにより、フィラメントの耐
久性をより向上させることができる。
容器内に電子を放出することにより、放電切れがあって
もマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させることなく
短時間で再放電を開始させることができる。このため、
膜質を変化させることを防止できる。電子を放出するに
は、フィラメントやアーク放電部材等を反応容器内に設
ければよいから、低コストで装置を構成できる。また、
放電切れがあっても短時間で再放電を開始できることか
ら稼動率を高めることができる。そして、フィラメント
の周囲に水素ガスを流すことにより、フィラメントの耐
久性をより向上させることができる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置の第１の実施例を示す概念図である。図１におい
て、反応容器である真空容器１は真空気密化構造をなし
ている。真空容器１の底部は導波管３を介してマイクロ
波電源に接続されている。真空容器１の側部には、プラ
ズマ放電空間が形成されているか否かを検知するための
センサーとして用いられる金属棒である放電検出ロッド
４と、露出したタングステンで構成されたフィラメント
６とが設けられている。放電検出ロッド４は制御部５に
接続されており、放電検出ロッド４の電位により制御部
５が放電切れを検知できるようになっている。フィラメ
ント６は、制御部５の制御によりオンオフするスイッチ
７により直流電圧が印加されるようになっている。この
ほか真空容器１には、いずれも図示しないが、堆積膜形
成用の基体を加熱するためのヒーター、放電空間内にバ
イアス電圧を印加するための電極、内部に気体を導入す
るための給気装置、内部の気体を排出するための排気装
置等、マイクロ波プラズマＣＶＤに用いられる部材が設
けられている。
装置の第１の実施例を示す概念図である。図１におい
て、反応容器である真空容器１は真空気密化構造をなし
ている。真空容器１の底部は導波管３を介してマイクロ
波電源に接続されている。真空容器１の側部には、プラ
ズマ放電空間が形成されているか否かを検知するための
センサーとして用いられる金属棒である放電検出ロッド
４と、露出したタングステンで構成されたフィラメント
６とが設けられている。放電検出ロッド４は制御部５に
接続されており、放電検出ロッド４の電位により制御部
５が放電切れを検知できるようになっている。フィラメ
ント６は、制御部５の制御によりオンオフするスイッチ
７により直流電圧が印加されるようになっている。この
ほか真空容器１には、いずれも図示しないが、堆積膜形
成用の基体を加熱するためのヒーター、放電空間内にバ
イアス電圧を印加するための電極、内部に気体を導入す
るための給気装置、内部の気体を排出するための排気装
置等、マイクロ波プラズマＣＶＤに用いられる部材が設
けられている。
【００１１】図１に示す装置において、コストダウン対
策として放電切れ検出ロッド４がない状態で放電開始後
常時フィラメント６をオンして、放電切れがいつおきて
もアシストできるようにしてもよい。また、フィラメン
トオン時間を１秒、オフ時間を２秒にすることで、約１
０分以上の長時間成膜時、常時フィラメント６をオンす
るものに対して耐久性約３倍程度を向上させることがで
きる。加えて、フィラメントの耐久性を向上させるた
め、フィラメント周囲にＨ2 ガスを１００ｓｃｃｍ流す
ことで、フィラメント周囲にＨ2 ガスを流さない場合に
比べ、フィラメント耐久性を５倍程度向上させることが
できる。
策として放電切れ検出ロッド４がない状態で放電開始後
常時フィラメント６をオンして、放電切れがいつおきて
もアシストできるようにしてもよい。また、フィラメン
トオン時間を１秒、オフ時間を２秒にすることで、約１
０分以上の長時間成膜時、常時フィラメント６をオンす
るものに対して耐久性約３倍程度を向上させることがで
きる。加えて、フィラメントの耐久性を向上させるた
め、フィラメント周囲にＨ2 ガスを１００ｓｃｃｍ流す
ことで、フィラメント周囲にＨ2 ガスを流さない場合に
比べ、フィラメント耐久性を５倍程度向上させることが
できる。
【００１２】次に、本実施例のマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いた膜形成方法について説明する。まず、真
空容器１内にガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、
ステンレス、アルミニウム等の材質の基体（不図示）を
設置する。次に、不図示の排気装置により真空容器１内
を所定の真空度まで脱気し、不図示のヒーターにより基
体の温度を膜堆積に好適な所定の温度に加熱保持する。
基体が所定の温度になったら、流量、圧力を所定の値に
調整しながら不図示の給気装置により膜の原料となるガ
スを真空容器１内に導入する。そして、マイクロ波電源
２に通電して所定の周波数、電力のマイクロ波を発生さ
せ、導波管３を通じて真空容器１内にこのマイクロ波を
導入する。同時に不図示の電極により真空容器１内にバ
イアス電圧を印加する。このようにして真空容器１内の
ガスが放電してプラズマ放電空間を形成し、このプラズ
マ放電空間内に配された基体上に堆積膜が形成される。
ここで、放電切れが起こると、放電検出ロッド４の出力
により制御部５が放電切れを検知する。制御部５はスイ
ッチ７をオンし、フィラメント６を通電する。これによ
り、フィラメント６から電子が放出され、短時間で再放
電が開始する。このため、基体上の堆積膜の形成が継続
される。
Ｄ装置を用いた膜形成方法について説明する。まず、真
空容器１内にガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、
ステンレス、アルミニウム等の材質の基体（不図示）を
設置する。次に、不図示の排気装置により真空容器１内
を所定の真空度まで脱気し、不図示のヒーターにより基
体の温度を膜堆積に好適な所定の温度に加熱保持する。
基体が所定の温度になったら、流量、圧力を所定の値に
調整しながら不図示の給気装置により膜の原料となるガ
スを真空容器１内に導入する。そして、マイクロ波電源
２に通電して所定の周波数、電力のマイクロ波を発生さ
せ、導波管３を通じて真空容器１内にこのマイクロ波を
導入する。同時に不図示の電極により真空容器１内にバ
イアス電圧を印加する。このようにして真空容器１内の
ガスが放電してプラズマ放電空間を形成し、このプラズ
マ放電空間内に配された基体上に堆積膜が形成される。
ここで、放電切れが起こると、放電検出ロッド４の出力
により制御部５が放電切れを検知する。制御部５はスイ
ッチ７をオンし、フィラメント６を通電する。これによ
り、フィラメント６から電子が放出され、短時間で再放
電が開始する。このため、基体上の堆積膜の形成が継続
される。
【００１３】図２は本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置の第２の実施例を示す概念図である。図２におい
て、図１中と同符号は同一の構成要素を示す。本実施例
は、図１に示す第１の実施例におけるフィラメント６に
代えて、アーク放電部８を備えたものである。アーク放
電部８の放電電極の間隔は５ｍｍ程度が望ましい。その
他は第１の実施例と同様である。
装置の第２の実施例を示す概念図である。図２におい
て、図１中と同符号は同一の構成要素を示す。本実施例
は、図１に示す第１の実施例におけるフィラメント６に
代えて、アーク放電部８を備えたものである。アーク放
電部８の放電電極の間隔は５ｍｍ程度が望ましい。その
他は第１の実施例と同様である。
【００１４】第１および第２の実施例において、フィラ
メント６およびアーク放電部８にかける電源は直流に限
らず交流でもよい。
メント６およびアーク放電部８にかける電源は直流に限
らず交流でもよい。
【００１５】以下、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置による堆積膜形成の実験例を説明する。
装置による堆積膜形成の実験例を説明する。
【００１６】実験例１ 図１に示す装置において、不図示の給気装置、排気装置
を用いて真空容器１へＳｉＨ4 （１００ｓｃｃｍ）、Ｈ
2 （１５００ｓｃｃｍ）を導入して、圧力５ｍｔｏｒｒ
の状態にした。マイクロ波電源２よりマイクロ波電力２
００Ｗを導入してプラズマ放電を起こし、ａ−Ｓｉ膜の
成膜を行った。放電切れの際のフィラメント６は、印加
電圧６００Ｖ、通電時間１秒とした。従来の技術の欄で
述べたマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させるもの
に比べ、同一膜中に界面がなく、不純物準位が低く、ホ
ール移動度が高い良好な膜質のａ−Ｓｉ膜が得られた。
を用いて真空容器１へＳｉＨ4 （１００ｓｃｃｍ）、Ｈ
2 （１５００ｓｃｃｍ）を導入して、圧力５ｍｔｏｒｒ
の状態にした。マイクロ波電源２よりマイクロ波電力２
００Ｗを導入してプラズマ放電を起こし、ａ−Ｓｉ膜の
成膜を行った。放電切れの際のフィラメント６は、印加
電圧６００Ｖ、通電時間１秒とした。従来の技術の欄で
述べたマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させるもの
に比べ、同一膜中に界面がなく、不純物準位が低く、ホ
ール移動度が高い良好な膜質のａ−Ｓｉ膜が得られた。
【００１７】実験例２ 図１の装置を用いて、ＳｉＨ4 １００ｓｃｃｍ、ＧｅＨ
4 ５０ｓｃｃｍ、Ｈ2１５００ｓｃｃｍを導入し、圧力
７ｍｔｏｒｒの状態にした。マイクロ波電力２５０Ｗを
導入し、プラズマ放電をおこし、ａ−ＳｉＧｅＨ膜の成
膜を行い、実験例１と同等の結果が得られた。
4 ５０ｓｃｃｍ、Ｈ2１５００ｓｃｃｍを導入し、圧力
７ｍｔｏｒｒの状態にした。マイクロ波電力２５０Ｗを
導入し、プラズマ放電をおこし、ａ−ＳｉＧｅＨ膜の成
膜を行い、実験例１と同等の結果が得られた。
【００１８】実験例３ 図３に示す装置は太陽電池作製用ロールツーロール・マ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置である。この装置では、巻
出し室１０、巻取り室１１間に、図１の真空容器１に該
当する３個のチャンバー（Ｎ層成膜室１４、Ｉ層成膜室
１５、Ｐ層成膜室１６）が設けられている。巻出し室１
０、巻取り室１１、Ｎ層成膜室１４、Ｉ層成膜室１５、
Ｐ層成膜室１６の各室間はガス分離室１３によりそれぞ
れ隔てられている。その他は図１に示すマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置と同様である。
イクロ波プラズマＣＶＤ装置である。この装置では、巻
出し室１０、巻取り室１１間に、図１の真空容器１に該
当する３個のチャンバー（Ｎ層成膜室１４、Ｉ層成膜室
１５、Ｐ層成膜室１６）が設けられている。巻出し室１
０、巻取り室１１、Ｎ層成膜室１４、Ｉ層成膜室１５、
Ｐ層成膜室１６の各室間はガス分離室１３によりそれぞ
れ隔てられている。その他は図１に示すマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置と同様である。
【００１９】この太陽電池作製用ロールツーロール・マ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置において、Ｎ層成膜室１
４、Ｉ層成膜室１５、Ｐ層成膜室１６へ流すガス流量お
よび圧力、マイクロ波電力は表１に示すとおりである。
この装置により変換効率９％ａ−Ｓｉ太陽電池を放電基
例によるロスタイムおよび放電切れによる不良をそれぞ
れゼロにすることができた。
イクロ波プラズマＣＶＤ装置において、Ｎ層成膜室１
４、Ｉ層成膜室１５、Ｐ層成膜室１６へ流すガス流量お
よび圧力、マイクロ波電力は表１に示すとおりである。
この装置により変換効率９％ａ−Ｓｉ太陽電池を放電基
例によるロスタイムおよび放電切れによる不良をそれぞ
れゼロにすることができた。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、堆積膜形
成中に反応容器内に電子を放出することにより、放電切
れがあってもマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させ
ることなく短時間で再放電を開始させることができる。
このため、大型のデバイスでも膜質を変化させることな
く低コストおよび高稼働率で堆積膜を形成でき、所望の
質のデバイスを安く大量に作成できる。また、フィラメ
ントの周囲に水素ガスを流すことにより、フィラメント
の耐久性をより向上させることができる。
成中に反応容器内に電子を放出することにより、放電切
れがあってもマイクロ波の電力、ガスの圧力を変化させ
ることなく短時間で再放電を開始させることができる。
このため、大型のデバイスでも膜質を変化させることな
く低コストおよび高稼働率で堆積膜を形成でき、所望の
質のデバイスを安く大量に作成できる。また、フィラメ
ントの周囲に水素ガスを流すことにより、フィラメント
の耐久性をより向上させることができる。
【図１】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の第１
の実施例を示す概念図である。
の実施例を示す概念図である。
【図２】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の第２
の実施例を示す概念図である。
の実施例を示す概念図である。
【図３】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を応用
した太陽電池作製用のロールツーロール・マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を示す概念図である。
した太陽電池作製用のロールツーロール・マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を示す概念図である。
１ 真空容器 ２ マイクロ波電源 ３ 導波管 ４ 放電検出ロッド ５ 制御部 ６ フィラメント ７ スイッチ ８ アーク放電部 １０ 巻出し室 １１ 巻取り室 １２ ウエブ １３ ガス分離室 １４ Ｎ層成膜室 １５ Ｉ層成膜室 １６ Ｐ層成膜室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/50 - 16/517 H01L 21/205 H01L 21/3065 H05H 1/00 - 1/54
Claims (6)
- 【請求項１】 真空気密可能な反応容器内にマイクロ波
エネルギーを導入してプラズマ放電空間を形成し、前記
プラズマ放電空間に配した基体上に堆積膜を形成するマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法において、 前記堆積膜形成中に前記反応容器内に配置されたフィラ
メントから電子を放出するとともに、該フィラメントの
周囲に水素ガスを流すことを特徴とするマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ法。 - 【請求項２】 前記電子は常時放出される請求項１に記
載のマイクロ波プラズマＣＶＤ法。 - 【請求項３】 前記電子は断続的に放出される請求項１
に記戟のマイクロ波プラズマＣＶＤ法。 - 【請求項４】 基体が配設される真空気密可能な反応容
器と、該反応容器内にマイクロ波エネルギーを導入して
前記基体周辺にプラズマ放電空間を形成するエネルギー
導入手段とを有し、前記プラズマ放電空間に配した基体
上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、 前記エネルギー導入手段のマイクロ波エネルギーによる
前記堆積膜形成中に前記反応容器内に電子を放出する手
段と、該反応容器内に設けられたプラズマ放電が形成さ
れているか否かを検知するための金属の放電検出ロッド
を有する検知手段と、該放電検出ロッドの電位により該
反応容器内にプラズマ放電が形成されていないことを前
記検知手段が検知すると、該電子を放出する手段に電子
を放出させる制御手段と、を有することを特徴とするマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記電子を放出する手段はフィラメント
である請求項４に記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項６】 前記電子を放出する手段はアーク放電部
材である請求項４に記載のマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04339006A JP3133528B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法およびマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04339006A JP3133528B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法およびマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184754A JPH06184754A (ja) | 1994-07-05 |
| JP3133528B2 true JP3133528B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=18323382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04339006A Expired - Fee Related JP3133528B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法およびマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133528B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2744188B2 (ja) * | 1993-05-14 | 1998-04-28 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP04339006A patent/JP3133528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06184754A (ja) | 1994-07-05 |
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