JPH06124904A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH06124904A JPH06124904A JP27313392A JP27313392A JPH06124904A JP H06124904 A JPH06124904 A JP H06124904A JP 27313392 A JP27313392 A JP 27313392A JP 27313392 A JP27313392 A JP 27313392A JP H06124904 A JPH06124904 A JP H06124904A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 処理用ガスをプラズマ化して、基体表面を被
覆するＲＦプラズマ処理装置において、処理室１の外側
周囲に円筒リング状ランプ８及び円筒状の反射鏡１１を
設ける。 【効果】 イオン衝撃を減少させ、基体の損傷を防ぐ。
又、反応に有効な励起種が大量に基体に供給されるの
で、高速、高精度な処理が可能となる。
覆するＲＦプラズマ処理装置において、処理室１の外側
周囲に円筒リング状ランプ８及び円筒状の反射鏡１１を
設ける。 【効果】 イオン衝撃を減少させ、基体の損傷を防ぐ。
又、反応に有効な励起種が大量に基体に供給されるの
で、高速、高精度な処理が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や電子回路
等の製造に用いられるプラズマ処理装置、特に、イオン
衝撃が少なく、高性能かつ高速に処理を行うプラズマ処
理装置に関する。
等の製造に用いられるプラズマ処理装置、特に、イオン
衝撃が少なく、高性能かつ高速に処理を行うプラズマ処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や電子回路、特に、超ＬＳＩ
の製造プロセスにおいて、プラズマ処理装置は重要な位
置を占めている。最終保護膜用ＳｉＮや層間絶縁膜用Ｓ
ｉＯ2等の薄膜形成にはプラズマＣＶＤ装置が、配線用
Ａｌの薄膜形成にはスパッタリング装置が、各種薄膜の
エッチングにはＲＩＥ装置等が、フォトレジストの灰化
にはプラズマアッシング装置が用いられており、他に、
酸化窒化、クリーニング、ドーピング、エピタキシャル
プロセス等への応用も研究されている。実用されている
プラズマ処理装置の多くは１３．５６ＭＨｚの高周波や
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を励起源として用い、１×
１０10／ｃｍ3 以上の密度を持つプラズマを発生させ、
基体と接触させるものである。
の製造プロセスにおいて、プラズマ処理装置は重要な位
置を占めている。最終保護膜用ＳｉＮや層間絶縁膜用Ｓ
ｉＯ2等の薄膜形成にはプラズマＣＶＤ装置が、配線用
Ａｌの薄膜形成にはスパッタリング装置が、各種薄膜の
エッチングにはＲＩＥ装置等が、フォトレジストの灰化
にはプラズマアッシング装置が用いられており、他に、
酸化窒化、クリーニング、ドーピング、エピタキシャル
プロセス等への応用も研究されている。実用されている
プラズマ処理装置の多くは１３．５６ＭＨｚの高周波や
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を励起源として用い、１×
１０10／ｃｍ3 以上の密度を持つプラズマを発生させ、
基体と接触させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術においては、基体とプラズマとの接触面近傍に
形成されるシース領域で、プラズマ中の多数のイオンが
加速され数１０〜１００ｅＶの高エネルギーをもつイオ
ンが基体に入射する、所謂イオン衝撃が生じるため、基
体表面に損傷が発生し易い。又、処理用ガスとして有機
系のガスを用いる場合には、Ｃ−Ｈ結合解離等の不適切
な反応が生じ、作製する膜中に炭素が混入し易い。
来の技術においては、基体とプラズマとの接触面近傍に
形成されるシース領域で、プラズマ中の多数のイオンが
加速され数１０〜１００ｅＶの高エネルギーをもつイオ
ンが基体に入射する、所謂イオン衝撃が生じるため、基
体表面に損傷が発生し易い。又、処理用ガスとして有機
系のガスを用いる場合には、Ｃ−Ｈ結合解離等の不適切
な反応が生じ、作製する膜中に炭素が混入し易い。
【０００４】上記問題点を解決するために、プラズマ発
生室とプラズマ処理室とを分離した遠隔プラズマ処理装
置が検討されている。この装置は、イオン衝撃を抑制し
て基体の損傷を防ぐことができるが、プラズマ発生室と
基体とが空間的に離れているために、反応に有効な励起
種が輸送途中の衝突により失活しやすく処理が不完全
（例えば、膜の緻密性が低い等）となる欠点があった。
又、この方法においては処理速度が遅いという欠点もあ
る。
生室とプラズマ処理室とを分離した遠隔プラズマ処理装
置が検討されている。この装置は、イオン衝撃を抑制し
て基体の損傷を防ぐことができるが、プラズマ発生室と
基体とが空間的に離れているために、反応に有効な励起
種が輸送途中の衝突により失活しやすく処理が不完全
（例えば、膜の緻密性が低い等）となる欠点があった。
又、この方法においては処理速度が遅いという欠点もあ
る。
【０００５】従って、本発明の目的は、従来技術の問題
点を解決し、イオン衝撃による基体の損傷を防ぎ、且
つ、より高性能に、より高速に基体を処理することので
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
点を解決し、イオン衝撃による基体の損傷を防ぎ、且
つ、より高性能に、より高速に基体を処理することので
きるプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、可視紫外光を透過する材料を構成要素に持
つ気密に形成した処理室と、該処理室に連通して該処理
室内を真空に排気する手段と、該処理室に連通して該処
理室内に処理用ガスを供給する手段と、該処理室内にあ
って平行に対向する１対の電極と、該電極のいずれか一
方に高周波を供給する手段と、他方の電極である基体支
持体を加熱する手段と、該処理室の周囲にあって、基体
もしくは基体上に付着した反応中間体の吸収波長を有す
る可視紫外光を基体に照射する照射手段とを具備してな
り、かつ処理中の圧力を１乃至１００Ｔｏｒｒに設定す
ることを特徴とするプラズマ処理装置である。
の本発明は、可視紫外光を透過する材料を構成要素に持
つ気密に形成した処理室と、該処理室に連通して該処理
室内を真空に排気する手段と、該処理室に連通して該処
理室内に処理用ガスを供給する手段と、該処理室内にあ
って平行に対向する１対の電極と、該電極のいずれか一
方に高周波を供給する手段と、他方の電極である基体支
持体を加熱する手段と、該処理室の周囲にあって、基体
もしくは基体上に付着した反応中間体の吸収波長を有す
る可視紫外光を基体に照射する照射手段とを具備してな
り、かつ処理中の圧力を１乃至１００Ｔｏｒｒに設定す
ることを特徴とするプラズマ処理装置である。
【０００７】又、本発明は上記プラズマ処理装置におい
て、処理室が円筒状の石英管で構成されているもの、照
射手段が円筒リング状ランプよりなるもの、もしくは照
射手段が円筒リング状ランプ及び該ランプから直接基体
に照射されない光を反射し、その反射光を基体に照射す
る円筒状ミラーよりなるものを含む。
て、処理室が円筒状の石英管で構成されているもの、照
射手段が円筒リング状ランプよりなるもの、もしくは照
射手段が円筒リング状ランプ及び該ランプから直接基体
に照射されない光を反射し、その反射光を基体に照射す
る円筒状ミラーよりなるものを含む。
【０００８】上記本発明は、対向する電極の一方に高周
波を与え、処理中の圧力を１〜１００Ｔｏｒｒの高いレ
ベルに制御することにより、高周波電極近傍で生成した
電子の拡散がガス分子との衝突によって抑えられプラズ
マを高周波電極付近に局在化させ、他方の電極上に設置
された基体からプラズマを隔離することにより、基体に
入射するイオンの数とエネルギーとを減少させ、イオン
衝撃による基体の損傷を防ぎ、反応に有効な励起種を大
量に基体近傍に輸送して高性能で高速な処理を可能にし
たものである。
波を与え、処理中の圧力を１〜１００Ｔｏｒｒの高いレ
ベルに制御することにより、高周波電極近傍で生成した
電子の拡散がガス分子との衝突によって抑えられプラズ
マを高周波電極付近に局在化させ、他方の電極上に設置
された基体からプラズマを隔離することにより、基体に
入射するイオンの数とエネルギーとを減少させ、イオン
衝撃による基体の損傷を防ぎ、反応に有効な励起種を大
量に基体近傍に輸送して高性能で高速な処理を可能にし
たものである。
【０００９】以下、本発明について詳述する。
【００１０】本発明のプラズマ処理装置を構成する処理
室は、石英、ガラス等の耐熱、耐圧材料であって、可視
紫外光を透過するものが使用できる。上記材料の中でも
耐熱性、透過性の観点から石英が好適に使用できる。
又、処理室の形状は基体に対する照度の均一性の点から
円筒状であることが好ましい。
室は、石英、ガラス等の耐熱、耐圧材料であって、可視
紫外光を透過するものが使用できる。上記材料の中でも
耐熱性、透過性の観点から石英が好適に使用できる。
又、処理室の形状は基体に対する照度の均一性の点から
円筒状であることが好ましい。
【００１１】上記処理室内を真空に排気する手段として
は、真空ポンプ等の公知の手段が使用できる。
は、真空ポンプ等の公知の手段が使用できる。
【００１２】又、上記処理室内に処理用ガスを供給する
手段としては、複数の孔を設けたリングを先端に取り付
けたガス導入管を用いる方法（図３）、あるいは円筒管
の一方の底面に多数の孔を設けたものからガスを供給す
る方法（図４）等が好ましい。
手段としては、複数の孔を設けたリングを先端に取り付
けたガス導入管を用いる方法（図３）、あるいは円筒管
の一方の底面に多数の孔を設けたものからガスを供給す
る方法（図４）等が好ましい。
【００１３】本発明において、高周波を与えられる電極
としては、例えばステンレス、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等
が使用できる。中でも、スパッタしきい値の高いＷ、Ｐ
ｔが特に好ましい。
としては、例えばステンレス、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等
が使用できる。中でも、スパッタしきい値の高いＷ、Ｐ
ｔが特に好ましい。
【００１４】又、前記電極と対向して、基体の支持体と
なる電極としても前記電極と同様のものが望ましい。
なる電極としても前記電極と同様のものが望ましい。
【００１５】上記両電極の形状は、方円状、円盤状等の
任意の形状をとり得るが、いずれの形状においても２つ
の電極が互いに平行に対向して処理室内に設置されるこ
とが必要である。
任意の形状をとり得るが、いずれの形状においても２つ
の電極が互いに平行に対向して処理室内に設置されるこ
とが必要である。
【００１６】本発明においては、一方の電極に高周波を
供給することを特徴とするが、高周波を与える手段とし
ては高周波電源による供給が好ましい。又、供給する高
周波は１〜３００ＭＨｚのものが好ましい。
供給することを特徴とするが、高周波を与える手段とし
ては高周波電源による供給が好ましい。又、供給する高
周波は１〜３００ＭＨｚのものが好ましい。
【００１７】本発明においては、基体表面での不純物及
び揮発成分の除去等の表面反応を促進するために、可視
紫外光を基体表面に照射する。この照射手段としては、
Ｘｅランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、超高圧Ｈｇランプ等の
種々の光源が使用でき、任意の形状のものが使用できる
が、均一に照射ができ、装備も安価ですむ点から円筒リ
ング状の光源を円筒状処理室の周囲を囲んで設置するこ
とが好ましい。更に好ましくは、上記光源からの光をよ
り有効に基体に照射させるために、反射鏡を併せて処理
室の外壁に沿って設置する。
び揮発成分の除去等の表面反応を促進するために、可視
紫外光を基体表面に照射する。この照射手段としては、
Ｘｅランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、超高圧Ｈｇランプ等の
種々の光源が使用でき、任意の形状のものが使用できる
が、均一に照射ができ、装備も安価ですむ点から円筒リ
ング状の光源を円筒状処理室の周囲を囲んで設置するこ
とが好ましい。更に好ましくは、上記光源からの光をよ
り有効に基体に照射させるために、反射鏡を併せて処理
室の外壁に沿って設置する。
【００１８】又、本発明においては、プラズマ処理中、
処理室内の圧力を１〜１００Ｔｏｒｒに制御するもので
ある。１Ｔｏｒｒ未満ではガス分子の密度が低下し、平
均自由行程が大きくなりプラズマが基体に接触するた
め、基体及び基体上に成膜された膜が損傷する。１００
Ｔｏｒｒ以上ではプラズマが発生しにくい。
処理室内の圧力を１〜１００Ｔｏｒｒに制御するもので
ある。１Ｔｏｒｒ未満ではガス分子の密度が低下し、平
均自由行程が大きくなりプラズマが基体に接触するた
め、基体及び基体上に成膜された膜が損傷する。１００
Ｔｏｒｒ以上ではプラズマが発生しにくい。
【００１９】上記範囲に圧力を制御する手段としては、
ダイヤフラムゲージ、マノメーターなどの真空計により
圧力を測定しつつ処理室と排気装置の間にコンダクタン
スバルブを付け、コンダクタンスを調整する方法等があ
る。
ダイヤフラムゲージ、マノメーターなどの真空計により
圧力を測定しつつ処理室と排気装置の間にコンダクタン
スバルブを付け、コンダクタンスを調整する方法等があ
る。
【００２０】本発明にかかる基体温度は２００〜９００
℃が好ましい。加熱手段としては抵抗加熱、ランプ加
熱、誘導加熱等、公知の加熱手段が適用できる。
℃が好ましい。加熱手段としては抵抗加熱、ランプ加
熱、誘導加熱等、公知の加熱手段が適用できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明のプラズマ処理装置をプラズマ
ＣＶＤ装置（以下、ｐ−ＣＶＤ装置と記す）に応用した
実施例により本発明を更に具体的に説明する。
ＣＶＤ装置（以下、ｐ−ＣＶＤ装置と記す）に応用した
実施例により本発明を更に具体的に説明する。
【００２２】実施例１ まず、本発明のプラズマ処理装置をｐ−ＣＶＤ装置に応
用し、ＳｉＮ保護膜を作製する方法の１例を図１を用い
て説明する。
用し、ＳｉＮ保護膜を作製する方法の１例を図１を用い
て説明する。
【００２３】図１中、１は処理室、２は基体、３は電
極、４は基体２を加熱するヒーター、５は排気口、６は
第１ガス供給口、７は第２ガス供給口、８は光源、９は
電極及び１０は高周波電源を示す。
極、４は基体２を加熱するヒーター、５は排気口、６は
第１ガス供給口、７は第２ガス供給口、８は光源、９は
電極及び１０は高周波電源を示す。
【００２４】まず、室温の電極３上にシリコンからなる
基体２を載置し、光源８から波長領域２００〜８００ｎ
ｍの可視紫外光を基体表面へ照射した。次にヒーター４
に通電し、３００℃まで加熱した。更に第１ガス供給口
６からＳｉＨ4 ガスを、第２ガス供給口７からＮ2 ガス
を導入し、排気口５側に設けた不図示のコンダクタンス
バルブにより、処理室内を１Ｔｏｒｒに減圧した。
基体２を載置し、光源８から波長領域２００〜８００ｎ
ｍの可視紫外光を基体表面へ照射した。次にヒーター４
に通電し、３００℃まで加熱した。更に第１ガス供給口
６からＳｉＨ4 ガスを、第２ガス供給口７からＮ2 ガス
を導入し、排気口５側に設けた不図示のコンダクタンス
バルブにより、処理室内を１Ｔｏｒｒに減圧した。
【００２５】本実施例においては処理用ガス供給口を２
つ設け、第１ガス供給口６から供給されるガスは直接基
板２近傍に、第２ガス供給口７から供給されるガスは、
プラズマ処理中、プラズマ発生領域を通過させ導入する
ものである。本発明においては単独あるいは３以上のガ
ス供給口を持つものも勿論可能である。
つ設け、第１ガス供給口６から供給されるガスは直接基
板２近傍に、第２ガス供給口７から供給されるガスは、
プラズマ処理中、プラズマ発生領域を通過させ導入する
ものである。本発明においては単独あるいは３以上のガ
ス供給口を持つものも勿論可能である。
【００２６】次に、高周波電源１０より電極９に高周波
電力を２００Ｗ供給し、電極９の近傍にプラズマを発生
させた。その結果、７０ｎｍ／ｍｉｎの速度で良質なＳ
ｉＮ膜３５０ｎｍを得た。
電力を２００Ｗ供給し、電極９の近傍にプラズマを発生
させた。その結果、７０ｎｍ／ｍｉｎの速度で良質なＳ
ｉＮ膜３５０ｎｍを得た。
【００２７】尚、上記処理用ガスを替えることによりＳ
ｉＮ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ 3、ＡｌＮ 等の絶縁
体保護膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半
導体保護膜並びにＡｌ、Ｗ等の金属保護膜が同様にして
成膜できる。
ｉＮ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ 3、ＡｌＮ 等の絶縁
体保護膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半
導体保護膜並びにＡｌ、Ｗ等の金属保護膜が同様にして
成膜できる。
【００２８】実施例２ 次に、実施例１で用いたｐ−ＣＶＤ装置により層間絶縁
ＳｉＯ2 膜を形成する１方法を示す。
ＳｉＯ2 膜を形成する１方法を示す。
【００２９】まず、室温の電極３上にシリコンからなる
基体２を載置し、光源８から可視紫外光の基体表面への
照射を開始した。次いで、ヒーター４に通電し、基体２
を３００℃まで加熱した。次いで、第１ガス供給口６か
らＴＥＯＳ、第２ガス供給口７からＯ2 ガスをそれぞれ
処理室内へ導入し、実施例１と同様にコンダクタンスバ
ルブにより処理室内を１Ｔｏｒｒに減圧した。続いて、
高周波電源１０より電極９に５００Ｗの高周波電力を供
給し、プラズマを発生させ成膜を開始した。尚、成膜中
の光照度は０．６Ｗ／ｃｍ2 であった。その結果、成膜
速度１８０ｎｍ／ｍｉｎで良質で平坦なＳｉＯ2 膜９０
０ｎｍを得た。
基体２を載置し、光源８から可視紫外光の基体表面への
照射を開始した。次いで、ヒーター４に通電し、基体２
を３００℃まで加熱した。次いで、第１ガス供給口６か
らＴＥＯＳ、第２ガス供給口７からＯ2 ガスをそれぞれ
処理室内へ導入し、実施例１と同様にコンダクタンスバ
ルブにより処理室内を１Ｔｏｒｒに減圧した。続いて、
高周波電源１０より電極９に５００Ｗの高周波電力を供
給し、プラズマを発生させ成膜を開始した。尚、成膜中
の光照度は０．６Ｗ／ｃｍ2 であった。その結果、成膜
速度１８０ｎｍ／ｍｉｎで良質で平坦なＳｉＯ2 膜９０
０ｎｍを得た。
【００３０】実施例１と同様に処理用ガスを替えること
により、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ 5、Ａｌ2Ｏ3、Ａｌ
Ｎ 等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ
等の半導体膜並びにＡｌ、Ｗ等の金属薄膜が製造でき
る。
により、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ 5、Ａｌ2Ｏ3、Ａｌ
Ｎ 等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＧａＡｓ
等の半導体膜並びにＡｌ、Ｗ等の金属薄膜が製造でき
る。
【００３１】実施例３ 次に、本発明のプラズマ処理装置を応用して、層間絶縁
ＳｉＯ2 膜を作製する他の例を図２を用いて説明する。
ＳｉＯ2 膜を作製する他の例を図２を用いて説明する。
【００３２】図２はｐ−ＣＶＤ装置の構成を示す断面図
である。図中、１は処理室、２は基体、３は電極、４は
ヒーター、５は排気口、６は第１ガス供給口、７は第２
ガス供給口、８は光源、９は電極、１０は高周波電源及
び１１は反射鏡を示す。
である。図中、１は処理室、２は基体、３は電極、４は
ヒーター、５は排気口、６は第１ガス供給口、７は第２
ガス供給口、８は光源、９は電極、１０は高周波電源及
び１１は反射鏡を示す。
【００３３】処理室１の周囲に円筒状の反射鏡１１を取
り付けた以外は、実施例２と同様にＳｉ０2 膜を製造し
た。
り付けた以外は、実施例２と同様にＳｉ０2 膜を製造し
た。
【００３４】その結果、成膜速度１６０ｎｍ／ｍｉｎ
で、実施例２よりも緻密なＳｉＯ2 膜８００ｎｍを得
た。
で、実施例２よりも緻密なＳｉＯ2 膜８００ｎｍを得
た。
【００３５】実施例４ 実施例１に示したｐ−ＣＶＤ装置を用いて、基体の表面
酸化を実施した。操作条件を以下のように変えた以外は
実施例１に準じて操作を行った。
酸化を実施した。操作条件を以下のように変えた以外は
実施例１に準じて操作を行った。
【００３６】基体はシリコン、第１ガス供給口からはガ
スを導入せず、第２ガス供給口からはＯ2 ガスを導入し
た。更に処理室内の圧力は２Ｔｏｒｒ、基体温度５００
℃、高周波電力５００Ｗとした。
スを導入せず、第２ガス供給口からはＯ2 ガスを導入し
た。更に処理室内の圧力は２Ｔｏｒｒ、基体温度５００
℃、高周波電力５００Ｗとした。
【００３７】その結果、シリコン基体表面に酸化速度
１．２ｎｍ／ｍｉｎで、６ｎｍの良質なＳｉＯ2 膜を得
た。
１．２ｎｍ／ｍｉｎで、６ｎｍの良質なＳｉＯ2 膜を得
た。
【００３８】尚、処理用ガスを替えることによりＳｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ及びＴａ等の酸化窒化並びにＢ、Ａｓ
及びＰ等のドーピングが可能である。
Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ及びＴａ等の酸化窒化並びにＢ、Ａｓ
及びＰ等のドーピングが可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、平行電極の一方に高周波を供給し、処理中の圧力を
１〜１００Ｔｏｒｒの高めに制御することによりプラズ
マが前記電極の付近に局在化する為、他方の電極上にあ
る基体へのイオン衝撃による損傷を防ぐことができる。
更に、処理用ガスの吐出口部がプラズマと接触するよう
にガス供給手段を設けることにより、ガスの励起効率が
上がり基体とプラズマとが隔離されているにも拘らず、
反応に有効な励起種が大量に基体に供給されるので、高
速、高精度な処理が可能となる。
ば、平行電極の一方に高周波を供給し、処理中の圧力を
１〜１００Ｔｏｒｒの高めに制御することによりプラズ
マが前記電極の付近に局在化する為、他方の電極上にあ
る基体へのイオン衝撃による損傷を防ぐことができる。
更に、処理用ガスの吐出口部がプラズマと接触するよう
にガス供給手段を設けることにより、ガスの励起効率が
上がり基体とプラズマとが隔離されているにも拘らず、
反応に有効な励起種が大量に基体に供給されるので、高
速、高精度な処理が可能となる。
【００４０】又、可視紫外光を基体に照射することによ
り、基体の表面反応を促進し、より低温で緻密な膜が作
製できる利点がある。
り、基体の表面反応を促進し、より低温で緻密な膜が作
製できる利点がある。
【図１】本発明のプラズマ処理装置を応用したプラズマ
ＣＶＤ装置の１構成例を示す断面図である。
ＣＶＤ装置の１構成例を示す断面図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置を応用したプラズマ
ＣＶＤ装置の他の構成例を示す断面図である。
ＣＶＤ装置の他の構成例を示す断面図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置のガス供給手段
の１例を示す模式図である。
の１例を示す模式図である。
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置のガス供給手段
の他の例を示す模式図である。
の他の例を示す模式図である。
１ 処理室 ２ 基体 ３ 電極 ４ ヒーター ５ 排気口 ６ 第１ガス供給口 ７ 第２ガス供給口 ８ 光源 ９ 電極 １０ 高周波電源 １１ 反射鏡
Claims (4)
- 【請求項１】 可視紫外光を透過する材料を構成要素に
持つ気密に形成した処理室と、該処理室に連通して該処
理室内を真空に排気する手段と、該処理室に連通して該
処理室内に処理用ガスを供給する手段と、該処理室内に
あって平行に対向する１対の電極と、該電極のいずれか
一方に高周波を供給する手段と、他方の電極である基体
支持体を加熱する手段と、該処理室の周囲にあって、基
体もしくは基体上に付着した反応中間体の吸収波長を有
する可視紫外光を基体に照射する照射手段とを具備して
なり、かつ処理中の圧力を１乃至１００Ｔｏｒｒに設定
することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 処理室を円筒状の石英管で構成した請求
項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 照射手段が円筒リング状ランプよりなる
請求項２に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 照射手段が円筒リング状ランプ及び該ラ
ンプから直接基体に照射されない光を反射し、その反射
光を基体に照射する円筒状ミラーよりなる請求項２に記
載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27313392A JPH06124904A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27313392A JPH06124904A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124904A true JPH06124904A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17523585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27313392A Pending JPH06124904A (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006568A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Enhancing protection of dielectrics from plasma induced damages |
| KR100739279B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2007-07-12 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 전기 전도성 제어 방법 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP27313392A patent/JPH06124904A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006568A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Enhancing protection of dielectrics from plasma induced damages |
| US6309972B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-10-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of enhancing protection of dielectrics from plasma induced damages and equipment |
| KR100739279B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2007-07-12 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 전기 전도성 제어 방법 |
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