JP2008129314A - 画像表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114213A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Sony Corp 薄膜トランジスタ基板および表示装置
JP2011107680A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
WO2011070981A1 (ja) * 2009-12-09 2011-06-16 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012094511A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
JP2012195283A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置とその製造方法
JP2013101360A (ja) * 2009-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013201444A (ja) * 2009-11-06 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2017183757A (ja) * 2009-10-21 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018098510A (ja) * 2009-08-07 2018-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019068076A (ja) * 2009-07-31 2019-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019071456A (ja) * 2009-09-04 2019-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019091939A (ja) * 2009-09-04 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019208078A (ja) * 2012-01-26 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020030428A (ja) * 2010-05-21 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2020036043A (ja) * 2013-09-06 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020038992A (ja) * 2009-07-17 2020-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020161828A (ja) * 2013-12-27 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020167416A (ja) * 2009-10-09 2020-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021192443A (ja) * 2013-04-04 2021-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022107603A (ja) * 2009-07-17 2022-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023126650A (ja) * 2009-10-21 2023-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、メモリ素子
JP2024112807A (ja) * 2009-09-04 2024-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2025013406A (ja) * 2011-11-30 2025-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
JP2025081373A (ja) * 2013-12-27 2025-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100908236B1 (ko) * 2008-04-24 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JPWO2010110179A1 (ja) * 2009-03-23 2012-09-27 シャープ株式会社 アクティブ素子基板とその製造方法、及びこの製造方法で製造したアクティブ素子基板を用いた表示装置
KR102362616B1 (ko) 2009-07-31 2022-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101084183B1 (ko) * 2010-01-06 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101318601B1 (ko) * 2010-12-01 2013-10-15 샤프 가부시키가이샤 Tft 기판 및 tft 기판의 제조 방법
KR101682320B1 (ko) * 2012-10-31 2016-12-05 샤프 가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 기판 및 그 제조 방법, 일렉트로루미네센스 표시 패널, 일렉트로루미네센스 표시 장치
JP2015115469A (ja) 2013-12-12 2015-06-22 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器、および薄膜トランジスタの製造方法
CN103715267A (zh) * 2013-12-30 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2017014252A1 (ja) * 2015-07-22 2017-01-26 シャープ株式会社 タッチパネル付き表示装置及びタッチパネル付き表示装置の製造方法
WO2020229911A1 (ja) 2019-05-10 2020-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
EP4170734A4 (en) * 2020-06-18 2024-06-19 Nichia Corporation METHOD FOR PRODUCING AN IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431457A (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Nippon Sheet Glass Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JPH0219840A (ja) * 1988-07-08 1990-01-23 Hitachi Ltd アクティブマトリクスパネル及びその製造方法
JPH0876144A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2001125134A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Nec Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2005165304A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI226470B (en) * 1998-01-19 2005-01-11 Hitachi Ltd LCD device
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
JP2002141512A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Advanced Display Inc 薄膜のパターニング方法およびそれを用いたtftアレイ基板およびその製造方法
JP4678933B2 (ja) * 2000-11-07 2011-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2005011920A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Hitachi Displays Ltd 表示装置とその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431457A (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Nippon Sheet Glass Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JPH0219840A (ja) * 1988-07-08 1990-01-23 Hitachi Ltd アクティブマトリクスパネル及びその製造方法
JPH0876144A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2001125134A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Nec Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2005165304A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法

Cited By (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114213A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Sony Corp 薄膜トランジスタ基板および表示装置
US8426862B2 (en) 2008-11-05 2013-04-23 Sony Corporation Thin film transistor substrate and display device
US8237162B2 (en) 2008-11-05 2012-08-07 Sony Corporation Thin film transistor substrate and display device
JP2020038992A (ja) * 2009-07-17 2020-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022107603A (ja) * 2009-07-17 2022-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11947228B2 (en) 2009-07-31 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2020205435A (ja) * 2009-07-31 2020-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019068076A (ja) * 2009-07-31 2019-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102526493B1 (ko) * 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
US10680111B2 (en) 2009-07-31 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device
KR20220048050A (ko) * 2009-07-31 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR102386147B1 (ko) * 2009-07-31 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
US11106101B2 (en) 2009-07-31 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20210055804A (ko) * 2009-07-31 2021-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
JP2018098510A (ja) * 2009-08-07 2018-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2024112807A (ja) * 2009-09-04 2024-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US10854640B2 (en) 2009-09-04 2020-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2019091939A (ja) * 2009-09-04 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10629627B2 (en) 2009-09-04 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US12408435B2 (en) 2009-09-04 2025-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US12002818B2 (en) 2009-09-04 2024-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11695019B2 (en) 2009-09-04 2023-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2019071456A (ja) * 2009-09-04 2019-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11695080B2 (en) 2009-10-09 2023-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2020167416A (ja) * 2009-10-09 2020-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11367793B2 (en) 2009-10-09 2022-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6990272B2 (ja) 2009-10-09 2022-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7724818B2 (ja) 2009-10-21 2025-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、メモリ素子
JP2013101360A (ja) * 2009-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10714622B2 (en) 2009-10-21 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2020160470A (ja) * 2009-10-21 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023126650A (ja) * 2009-10-21 2023-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、メモリ素子
JP2017183757A (ja) * 2009-10-21 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022009230A (ja) * 2009-10-21 2022-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9559208B2 (en) 2009-10-21 2017-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US8811067B2 (en) 2009-11-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013201444A (ja) * 2009-11-06 2013-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8659934B2 (en) 2009-11-06 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011107680A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
CN102652330B (zh) * 2009-12-09 2014-09-17 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102652330A (zh) * 2009-12-09 2012-08-29 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
US8685803B2 (en) 2009-12-09 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing same
JP5095864B2 (ja) * 2009-12-09 2012-12-12 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101273831B1 (ko) 2009-12-09 2013-06-11 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
EP2511896A4 (en) * 2009-12-09 2016-08-31 Sharp Kk SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2011070981A1 (ja) * 2009-12-09 2011-06-16 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2013051421A (ja) * 2009-12-09 2013-03-14 Sharp Corp 半導体装置
JP2020030428A (ja) * 2010-05-21 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2012094511A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
JP2012195283A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置とその製造方法
JP7719274B2 (ja) 2011-11-30 2025-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
JP2025013406A (ja) * 2011-11-30 2025-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
US12191313B2 (en) 2012-01-26 2025-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11682677B2 (en) 2012-01-26 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2019208078A (ja) * 2012-01-26 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US11081502B2 (en) 2012-01-26 2021-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP7509949B2 (ja) 2013-04-04 2024-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023109752A (ja) * 2013-04-04 2023-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11495626B2 (en) 2013-04-04 2022-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US12051703B2 (en) 2013-04-04 2024-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP7737510B2 (ja) 2013-04-04 2025-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2024133515A (ja) * 2013-04-04 2024-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2021192443A (ja) * 2013-04-04 2021-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022017385A (ja) * 2013-09-06 2022-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7247303B2 (ja) 2013-09-06 2023-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020036043A (ja) * 2013-09-06 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11380795B2 (en) 2013-12-27 2022-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor film
JP2025081373A (ja) * 2013-12-27 2025-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11757041B2 (en) 2013-12-27 2023-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2020161828A (ja) * 2013-12-27 2020-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12142688B2 (en) 2013-12-27 2024-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7118111B2 (ja) 2013-12-27 2022-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7782080B2 (ja) 2013-12-27 2025-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

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