JP2008091634A - 配線回路基板および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】信号配線の伝送損失を防止することができるとともに、第１筐体および第２筐体が相対回転されたときに受ける応力を、緩和することのできる配線回路基板およびそれが用いられる電子機器を提供すること。
【解決手段】絶縁層２を長手方向に延びるように形成し、複数の信号配線４を、絶縁層２に被覆され、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されるように形成し、グランド層７を、絶縁層２に被覆され、各信号配線４を厚み方向および幅方向において囲むように形成し、スリット８を、絶縁層２に、各信号配線４間において、長手方向に沿うように形成することにより、配線回路基板１を得る。この配線回路基板１を、表示側筐体１５と操作側筐体１６とこれらを相対回転可能に連結する連結部１７とを備える携帯電話６に搭載して、配線回路基板１を連結部１７の周りにおいて、各信号配線４を、連結部１７の回転軸２１の回転方向Ｒに沿って並列配置させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板および電子機器、詳しくは、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板、および、それが用いられる携帯電話などの電子機器に関する。

従来より、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラなどの各種電子機器の可動部には、フレキシブル配線回路基板が用いられている。
また、近年、データの高密度化の観点から、このようなフレキシブル配線回路基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、信号配線の伝送損失が大きくなる。

そのため、このような伝送損失を低減させるために、例えば、線路と、線路と略平行に配設されたシールドパターンと、線路およびシールドパターンと絶縁層（上側絶縁層）を介して対向配置された導体層（上側導体層）と、線路およびシールドパターンと絶縁層（下側絶縁層）を介して対向配置された導体層（下側導体層）と、上側導体層と下側導体層とを接続する導電性ピラーとを備える配線基板において、線路の伸長方向に沿ってその周囲３６０°にわたって囲む、これらシールドパターン、上側導体層、下側導体層、導電性ピラーへ接地電位を供給することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、例えば、ベースシールド層、ベース絶縁層、複数の導体からなる導体層、カバー絶縁層およびカバーシールド層が順次積層されたコネクタにおいて、ベースシールド層およびカバーシールド層がベース絶縁層およびカバー絶縁層を介して、導体層を連続して囲むことが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
米国特許第６３５３１８９号明細書（図１） 米国特許第４９２６００７号明細書（図２１）

一方、例えば、操作部と液晶表示部とが回転軸を介して相対回転可能に連結されている携帯電話などに用いられるフレキシブル配線回路基板では、通常、長手方向両端の各接続端子が操作部の電子部品と液晶表示部の電子部品とにそれぞれ接続される一方、長手方向途中のフレキシブル配線回路基板が、回転軸の周りに巻回されている。そのため、回転軸を中心として操作部および液晶表示部が相対回転されると、長手方向途中のフレキシブル配線回路基板が、回転軸の周方向に沿ってねじれ、幅方向に歪む応力を受け、かかる応力によって、信号配線が断線するおそれがある。

特許文献１に記載の配線基板および特許文献２に記載のコネクタでは、導体層（線路）の伝送損失を低減することはできても、これとともに、上記した応力による導体層の断線を防止することは困難である。
本発明の目的は、信号配線の伝送損失を防止することができるとともに、第１筐体および第２筐体が相対回転されたときに受ける応力を、緩和することのできる配線回路基板およびそれが用いられる電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、長手方向に延びる絶縁層と、前記絶縁層に被覆され、前記絶縁層の長手方向および厚み方向に直交する方向において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の信号配線、および、各前記信号配線の長手方向両端部に設けられ、前記絶縁層から露出する接続端子を一体的に有する導体層と、前記絶縁層に被覆され、各前記信号配線をその長手方向に直交する方向において囲むように形成されるグランド層とを備え、前記絶縁層には、各前記信号配線間において、その長手方向に沿うスリットが形成されていることを特徴としている。

この配線回路基板では、各信号配線をその長手方向に直交する方向において囲むように形成されるグランド層を備えているので、信号配線により伝送される信号が高周波数化された場合でも、信号配線の伝送損失を低減させることができる。また、絶縁層には、各信号配線間において、その長手方向に沿うスリットが形成されているので、長手方向および厚み方向に直交する方向に歪む応力を受けた場合でも、かかる応力をスリットによって緩和することができる。その結果、かかる応力による導体層の断線などの損傷を有効に防止して、優れた長期信頼性を確保することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記スリットは、その長手方向一方側の各前記接続端子の近傍および長手方向他方側の各前記接続端子の近傍にわたって形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、スリットが、その長手方向一方側の各接続端子の近傍および長手方向他方側の各接続端子の近傍にわたって形成されているので、配線回路基板全体の強度を確保しつつ、上記した応力をより確実に緩和することができる。

また、本発明の電子機器は、第１筐体と、前記第１筐体に連結される第２筐体と、前記第１筐体および前記第２筐体を相対回転可能に連結する連結部と、上記した配線回路基板とを備え、長手方向一方側の各前記接続端子が前記第１筐体の電子部品に接続され、長手方向他方側の各前記接続端子が前記第２筐体の電子部品に接続され、かつ、各前記信号配線が前記連結部の周りにおいて、前記第１筐体および前記第２筐体が相対回転する方向に沿って並列配置されていることを特徴としている。

この電子機器は、各信号配線が連結部の周りにおいて、各信号配線が第１筐体および第２筐体が相対回転する方向に沿って並列配置されているので、第１筐体および第２筐体が連結部により相対回転されると、配線回路基板が、第１筐体および第２筐体が相対回転する方向、すなわち、各信号配線が並列配置される方向、より具体的には、配線回路基板の長手方向および厚み方向に直交する方向に沿ってねじれ、配線回路基板が長手方向および厚み方向に直交する方向に歪む応力を受けるところ、かかる応力をスリットによって緩和することができる。そのため、第１筐体および第２筐体を連結部によって円滑に相対回転させることができながら、連結部の配線回路基板の断線などの損傷を防止することができ、優れた長期信頼性を確保することができる。

この配線回路基板では、信号配線により伝送される信号が高周波数化された場合でも、信号配線の伝送損失を低減させることができる。また、長手方向および厚み方向に直交する方向に歪む応力を受けた場合でも、かかる応力をスリットによって緩和することができる。その結果、かかる応力による導体層の断線などの損傷を有効に防止して、優れた長期信頼性を確保することができる。そのため、この配線回路基板が用いられる電子機器は、第１筐体および第２筐体を連結部によって円滑に相対回転させることができながら、連結部の配線回路基板の断線などの損傷を防止することができ、優れた長期信頼性を確保することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す配線回路基板の長手方向（後述する信号配線４が延びる方向と同一方向であって、以下、単に長手方向という。）に直交する方向における、長手方向途中の部分断面図を示す。なお、図１において、後述するグランド層７は、省略している。
図１において、この配線回路基板１は、例えば、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されるフレキシブル配線回路基板であって、例えば、絶縁層２と、導体層３と、グランド層７（図２参照）とを備えている。

絶縁層２は、配線回路基板１の外形形状に対応して、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。また、絶縁層２は、図２に示すように、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２を備えている。絶縁層２は、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２を厚み方向に順次積層することにより、形成されている。

また、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の、長手方向および厚み方向に直交する方向（以下、単に幅方向という。）の両端縁は、図１に示すように、平面視において同一位置となるように形成されている。
また、第１絶縁層９および第２絶縁層１０は、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成され、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、その長手方向両端縁が平面視において同一位置となるように形成されている。

また、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、第１絶縁層９および第２絶縁層１０よりも、長手方向にやや短く形成されている。すなわち、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、第１絶縁層９および第２絶縁層１０の長手方向両端部が第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向両端縁から露出するように、形成されている。
第２絶縁層１０は、図２に示すように、第１絶縁層９の上に、後述する第１グランド層１８を被覆するように、かつ、後述する第２グランド層１９の第１下部２５が充填される第１開口部２３が開口されるように、形成されている。より具体的には、第２絶縁層１０は、第１絶縁層９の上面と、第１グランド層１８の上面（第１開口部２３が形成される部分を除く。）および幅方向両側面とに形成されている。

また、第１開口部２３は、第２絶縁層１０に、後述する第１グランド層１８の幅方向両端において、厚み方向に貫通され、長手方向に延びるように開口されている。
第３絶縁層１１は、第２絶縁層１０の上に、導体層３および後述する第２グランド層１９を被覆するように、かつ、後述する第３グランド層２０の第２下部２７が充填される第２開口部２４が開口されるように、形成されている。より具体的には、第３絶縁層１１は、第２絶縁層１０の上面と、後述する信号配線４の上面および幅方向両側面と、第２グランド層１９の第１上部２６の上面（第２開口部２４が形成される部分を除く。）および幅方向両側面とに形成されている。

また、第２開口部２４は、第３絶縁層１１に、第２グランド層１９の上側において、厚み方向に貫通され、長手方向に延びるように開口されている。
第４絶縁層１２は、第３絶縁層１１の上に、第３グランド層２０を被覆するように形成されている。より具体的には、第４絶縁層１２は、第３絶縁層１１の上面と、第３グランド層２０の上面および幅方向両側面とに形成されている。

第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２は、同一または相異なった絶縁材料からなり、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂（後述する製造方法において、第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２をパターンとして形成する場合には、例えば、感光性の合成樹脂）からなる。好ましくは、ポリイミドからなる。

第１絶縁層９の厚みは、例えば、３〜２５μｍ、好ましくは、５〜１２．５μｍであり、第２絶縁層１０の厚みは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍであり、第３絶縁層１１の厚みは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍであり、第４絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。

導体層３は、第２絶縁層１０の上、より具体的には、第２絶縁層１０の上面に形成されており、長手方向に延び、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の信号配線４、および、各信号配線４の長手方向両端部に設けられる接続端子５を一体的に有する配線回路パターンとして形成されている。
複数の信号配線４は、例えば、後述する携帯電話６の表示側筐体１５の表示側電子部品および操作側筐体１６の操作側電子部品に対して出入力される電気信号を伝送するためのものであって、第３絶縁層１１に被覆されるように形成されている。また、信号配線４は、次に述べる表示側接続端子１３と操作側接続端子１４とを接続している。

接続端子５は、図１に示すように、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２から露出するように形成されており、長手方向一方側の接続端子としての表示側接続端子１３と、長手方向他方側の接続端子としての操作側接続端子１４とを備えている。
表示側接続端子１３は、配線回路基板１の長手方向一端部に複数設けられている。より具体的には、各表示側接続端子１３は、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向一端縁から露出する第２絶縁層１０の長手方向一端部の上面に配置されており、互いに間隔を隔てて並列配置されている。なお、各表示側接続端子１３には、各信号配線４の長手方向一端部が連続して接続されており、例えば、携帯電話６の表示側筐体１５の表示側電子部品のコネクタが接続される。

操作側接続端子１４は、配線回路基板１の長手方向他端部に複数設けられている。より具体的には、各操作側接続端子１４は、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向他端縁から露出する第２絶縁層１０の長手方向他端部の上面に配置されており、互いに間隔を隔てて並列配置されている。なお、各操作側接続端子１４には、各信号配線４の長手方向他端部が連続して接続されており、例えば、携帯電話６の操作側筐体１６の操作側電子部品のコネクタが接続される。

導体層３は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料からなる。好ましくは、銅からなる。
なお、導体層３が後述するアディティブ法によって形成される場合には、図２の点線で示すように、導体層３と、第２絶縁層１０の上面との間に、第２金属薄膜３０が介在されている。

導体層３の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。また、各信号配線４の幅（幅方向長さ。以下同じ）は、例えば、２０〜４０μｍ、好ましくは、２０〜３０μｍであり、各信号配線４間の間隔は、例えば、２００〜８００μｍ、好ましくは、４００〜６００μｍである。また、各接続端子５の長さ（長手方向長さ。以下同じ。）は、例えば、３〜２０ｍｍ、好ましくは、５〜１０ｍｍである。

グランド層７は、図２に示すように、各信号配線４に対応して、複数設けられ、長手方向に延びるように形成されている。また、各グランド層７は、絶縁層２に被覆され、幅方向および厚み方向において、各信号配線４を囲むようにそれぞれ形成されている。
グランド層７は、より具体的には、第１グランド層１８、第２グランド層１９および第３グランド層２０を備えており、第１グランド層１８、第２グランド層１９および第３グランド層２０を厚み方向に順次積層することにより、形成されている。なお、このグランド層７は、グランド層７の長手方向一端部または他端部に設けられる図示しないグランド接続部を介して、グランド接続（接地）される。

第１グランド層１８は、第１絶縁層９の上、より具体的には、第１絶縁層９の上面に、第２絶縁層１０に被覆されるように形成されている。
また、第１グランド層１８は、厚み方向において信号配線４および第２グランド層１９と少なくとも対向するように形成されている。より具体的には、各第１グランド層１８は、各信号配線４の幅方向両外側に延び、次に述べる第２グランド層１９の幅方向両外側面（幅方向一方側の第２グランド層１９の幅方向一方側面および幅方向他方側の第２グランド層１９の幅方向他方側面）間よりも幅広となるように形成されている。

なお、第１グランド層１８が後述するアディティブ法によって形成される場合には、図２の点線で示すように、第１グランド層１８と、第１絶縁層９の上面との間に、第１金属薄膜２９が介在されている。
第２グランド層１９は、第２絶縁層１０および第１グランド層１８の上、より具体的には、第２絶縁層１０および第１グランド層１８の上面に、第３絶縁層１１に被覆されるように形成され、各信号配線４の幅方向両外側に、間隔を隔てて配置されている。これら第２グランド層１９は、各信号配線４を幅方向に挟んで対向配置されている。また、各第２グランド層１９は、第２絶縁層１０の第１開口部２３内に充填される第１下部２５と、第１下部２５の上端から、第１開口部２３の幅方向周辺の第２絶縁層１０の上面を被覆するように、厚み方向上側および幅方向両側に、膨出するように形成される第１上部２６とを、一体的に連続して備えている。

なお、第２グランド層１９が後述するアディティブ法によって形成される場合には、図２の点線で示すように、第２グランド層１９と、第２絶縁層１０の第１開口部２３から露出する第１グランド層１８の上面、第２絶縁層１０の第１開口部２３の内側面および第２グランド層１９の第１上部２６に被覆される第２絶縁層１０の上面との間に、第２金属薄膜３０が介在されている。

第３グランド層２０は、第２グランド層１９および第３絶縁層１１の上、より具体的には、第２グランド層１９および第３絶縁層１１の上面に、第４絶縁層１２に被覆されるように形成されている。また、第３グランド層２０は、厚み方向において信号配線４および第２グランド層１９と少なくとも対向するように形成されている。より具体的には、各第３グランド層２０は、各第１グランド層１８に対して各信号配線４を厚み方向に挟んで対向配置されている。また、各第３グランド層２０は、各信号配線４の幅方向両外側に延び、第２グランド層１９の幅方向両外側面間よりも幅広となるように形成されている。

また、第３グランド層２０は、第３絶縁層１１の第２開口部２４内に充填される第２下部２７と、第２下部２７の上端から、第２開口部２４の幅方向周辺の第３絶縁層１１の上面を被覆するように、厚み方向上側および幅方向両外側に膨出するように、かつ、第２開口部２４間の第３絶縁層１１の上面を被覆するように形成される第２上部２８とを、一体的に連続して備えている。また、第３グランド層２０の第２下部２７は、第２グランド層１９の第１下部２５と、平面視において同一位置となるように形成されている。

なお、第３グランド層２０が後述するアディティブ法によって形成される場合には、図２の点線で示すように、第３グランド層２０と、第３絶縁層１１の第２開口部２４から露出する第２グランド層１９の上面、第３絶縁層１１の第２開口部２４の内側面および第３グランド層２０の第２上部２８に被覆される第３絶縁層１１の上面との間に、第３金属薄膜３１が介在されている。

なお、第１金属薄膜２９、第２金属薄膜３０および第３金属薄膜３１は、同一または相異なった金属材料からなり、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などからなる。好ましくは、銅およびクロムからなる。また、第１金属薄膜２９、第２金属薄膜３０および第３金属薄膜３１の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。

第１グランド層１８、第２グランド層１９および第３グランド層２０は、同一または相異なった金属材料からなり、例えば、導体層３の導体材料と同一の金属材料からなる。好ましくは、銅からなる。
第１グランド層１８の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２２０〜４３０μｍである。また、各第１グランド層１８間の間隔は、例えば、８０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。

第２グランド層１９の第１上部２６の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、２５〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１５０μｍである。第２グランド層１９の第１下部２５の厚みは、例えば、２〜２２μｍ、好ましくは、５〜１５μｍであり、その幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。

また、第２グランド層１９の第１上部２６およびそれに隣接する信号配線４間の間隔は、例えば、５０〜１５０μｍ、好ましくは、７５〜１３０μｍである。
第３グランド層２０の第２上部２８の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、その幅は、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２２０〜４３０μｍである。また、第３グランド層２０の第２下部２７の厚みは、例えば、２〜２２μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、各第３グランド層２０（第２上部２８）間の間隔は、例えば、８０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。

また、グランド層７において、導体層３の信号配線４に対して、第１グランド層１８が下部グランド層５１となり、第２グランド層１９（第１下部２５および第１上部２６）と第３グランド層２０の第２下部２７とが側部グランド層５２となり、第３グランド層２０の第２上部２８が上部グランド層５３となる。
そして、このグランド層７は、下部グランド層５１および上部グランド層５３が各信号配線４を厚み方向において挟むように形成され、かつ、側部グランド層５２が各信号配線４を幅方向において挟むように形成されている。これにより、グランド層７は、幅方向および厚み方向において、各信号配線４を囲んでいる。

そして、この配線回路基板１には、図１に示すように、絶縁層２に、各信号配線４間において、長手方向に沿うスリット８が複数形成されている。
より具体的には、スリット８は、図２に示すように、各信号配線４に対応して、幅方向に互いに隣接配置される各グランド層７間に形成されている。各スリット８は、絶縁層２（第１絶縁層９、第２絶縁層１０、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２）を厚み方向に貫通するように形成されている。

また、各スリット８は、図１に示すように、平面視において、表示側接続端子１３の近傍および操作側接続端子１４の近傍にわたって形成されている。より具体的には、各スリット８は、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向一端部と、第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向他端部とにわたって形成されている。また、スリット８には、その長手方向両端部に、幅方向に膨出する丸穴２２が形成されている。

各スリット８の大きさは、配線回路基板１の大きさおよび信号配線４の数に応じて適宜選択されるが、各スリット８の長手方向途中における幅は、例えば、２５〜７５μｍ、好ましくは、３０〜５０μｍである。また、各スリット８間の間隔は、例えば、０．２３〜０．８ｍｍ、好ましくは、０．２８〜０．５ｍｍである。また、各丸穴２２の直径は、例えば、２５〜７５μｍ、好ましくは、３０〜７５μｍであり、長手方向一端部における各丸穴２２の長手方向一端縁と第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向一端縁との間隔は、長手方向他端部における各丸穴２２の長手方向他端縁と第３絶縁層１１および第４絶縁層１２の長手方向他端縁との間隔と、例えば、同一であって、例えば、５．０ｍｍ以下、好ましくは、０．３〜１．０ｍｍである。

次に、この配線回路基板１の製造方法について、図３および図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板３２を用意する。
金属支持基板３２は、図３（ｂ）〜図４（ｉ）に示すように、絶縁層２、導体層３およびグランド層７を支持するため基板であって、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。金属支持基板３２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板３２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１８〜２５μｍである。

次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、第１絶縁層９を、金属支持基板３２の上に形成する。
第１絶縁層９は、例えば、金属支持基板３２の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、第１グランド層１８を、第１絶縁層９の上に形成する。
第１グランド層１８は、第１絶縁層９の上面に、例えば、アディティブ法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第１絶縁層９の上面に、第１金属薄膜２９を形成する。第１金属薄膜２９は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。

次いで、この第１金属薄膜２９の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第１金属薄膜２９の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで第１グランド層１８を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第１金属薄膜２９を除去する。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第２絶縁層１０を、第１絶縁層９の上に、第１グランド層１８を被覆するように形成する。

第２絶縁層１０は、例えば、第１グランド層１８を含む第１絶縁層９の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記した第１開口部２３が形成されるパターンで形成する。
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、導体層３を、第２絶縁層１０の上に形成するとともに、第２グランド層１９を、第１グランド層１８および第２絶縁層１０の上に形成する。

導体層３および第２グランド層１９は、上記した第１グランド層１８の形成と同様のアディティブ法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第２絶縁層１０の第１開口部２３から露出する第１グランド層１８の上面、および、第２絶縁層１０の上面（および第１開口部２３の内側面）に、第２金属薄膜３０を形成する。第２金属薄膜３０は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。

次いで、この第２金属薄膜３０の上面に、導体層３の配線回路パターンおよび第２グランド層１９のパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第２金属薄膜３０の上面（および第１開口部２３の内側面に形成される第２金属薄膜３０の側面）に、電解めっきにより、導体層３および第２グランド層１９を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第２金属薄膜３０を除去する。

これにより、導体層３および第２グランド層１９を、同時に形成することができる。
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上に、導体層３および第２グランド層１９を被覆するように形成する。
第３絶縁層１１は、例えば、導体層３および第２グランド層１９を含む第２絶縁層１０の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記した第２開口部２４が形成されるパターンで形成する。

次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、第３グランド層２０を、第２グランド層１９および第３絶縁層１１の上に形成する。
第３グランド層２０は、上記した第１グランド層１８の形成と同様のアディティブ法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第３絶縁層１１の第２開口部２４から露出する第２グランド層１９の上面、および、第３絶縁層１１の上面（および第２開口部２４の内側面）に、第３金属薄膜３１を形成する。第３金属薄膜３１は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。

次いで、この第３金属薄膜３１の上面に、第３グランド層２０のパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第３金属薄膜３１の上面（および第２開口部２４の内側面に形成される第３金属薄膜３１の側面）に、電解めっきにより、第３グランド層２０を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第３金属薄膜３１を除去する。

次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、第４絶縁層１２を、第３絶縁層１１の上に、第３グランド層２０を被覆するように形成する。
第４絶縁層１２は、例えば、第３グランド層２０を含む第３絶縁層１１の上面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。

次いで、この方法では、図４（ｉ）に示すように、スリット８を、絶縁層２に、各信号配線４間において、長手方向に沿って複数形成する。
スリット８の形成は、例えば、プラズマ、レーザによるドライエッチング、例えば、化学エッチングなどのウエットエッチングなどにより、第４絶縁層１２、第３絶縁層１１、第２絶縁層１０および第１絶縁層９を厚み方向に貫通するように、開口する。

これにより、図１に示すように、表示側接続端子１３の近傍および操作側接続端子１４の近傍にわたって形成され、その長手方向両端部に丸穴２２が形成されるスリット８が形成される。
次いで、この方法では、図４（ｊ）に示すように、金属支持基板３２を除去する。
金属支持基板３２は、例えば、アルカリ水溶液（塩化第二鉄水溶液など）などのエッチング液を用いるウエットエッチングなどにより、除去する。

これにより、配線回路基板１を得ることができる。
なお、この方法により製造される配線回路基板１の厚みは、例えば、１５０〜３５０μｍ、好ましくは、１８０〜２５０μｍである。
図５は、本発明の配線回路基板が搭載される、本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の斜視図、図６は、図５に示す携帯電話の連結部の配線回路基板の拡大斜視図である。

次に、上記のようにして製造される配線回路基板１が搭載される携帯電話６について、図５および図６を参照して、説明する。
図５において、この携帯電話６は、第１筐体としての表示側筐体１５と、表示側筐体１５に連結される第２筐体としての操作側筐体１６と、表示側筐体１５および操作側筐体１６を相対回転可能に連結する連結部１７と、配線回路基板１（図６参照）とを備えている。

表示側筐体１５は、その上面において、液晶表示部３６と、受話部３７とを備えるとともに、図示しない電子部品としての表示側電子部品を内蔵している。
操作側筐体１６は、表示側筐体１５と平行に配置され、表示側筐体１５と重ね合わせられるように同一形状に形成され、その上面において、キー操作部３８と、送話部３９とを備えるとともに、図示しない電子部品としての操作側電子部品を内蔵している。

連結部１７は、表示側筐体１５の端部および操作側筐体１６の端部に挿通される回転軸２１を備えている。回転軸２１は、表示側筐体１５および操作側筐体１６に対して、回転可能に固定されている。これにより、表示側筐体１５および操作側筐体１６は、回転軸２１を回転中心として、周方向に回転可能となる。
配線回路基板１は、図１および図６が参照されるように、各信号配線４および各スリット８が連結部１７の周りにおいて、各信号配線４および各スリット８が、連結部１７の回転軸２１の回転方向（表示側筐体１５および操作側筐体１６が相対回転する方向）Ｒに沿って並列配置されるように、設けられている。また、配線回路基板１は、配線回路基板１の長手方向一端部が表示側筐体１５に配置され、その表示側接続端子１３が表示側筐体１５の表示側電子部品の図示しないコネクタに接続されるととともに、配線回路基板１の長手方向他端部が操作側筐体１６に配置され、その操作側接続端子１４が操作側筐体１６の操作側電子部品の図示しないコネクタに接続されている。

そして、この携帯電話６では、表示側筐体１５および操作側筐体１６が回転軸２１を回転中心として相対回転されると、図６に示すように、配線回路基板１が、表示側筐体１５および操作側筐体１６が相対回転する方向、すなわち、各信号配線４が並列配置される方向、より具体的には、配線回路基板１の幅方向に沿ってねじれ、配線回路基板１が幅方向に歪む応力を受ける。しかし、配線回路基板１では、絶縁層２に、各信号配線４間において、スリット８が形成されているため、かかる応力をスリット８によって緩和することができる。そのため、表示側筐体１５および操作側筐体１６を連結部１７によって円滑に相対回転させることができながら、連結部１７の配線回路基板１の信号配線４の断線などの損傷を防止することができ、優れた長期信頼性を確保することができる。

また、この携帯電話６が備える配線回路基板１は、配線回路基板１の幅方向および厚み方向において、各信号配線４を囲むように形成されるグランド層７を備えているので、信号配線４により伝送される信号が高周波数化された場合でも、信号配線４の伝送損失を低減させることができる。
また、この配線回路基板１を、表示側筐体１５の表示側電子部品および操作側筐体１６の操作側電子部品のコネクタの接続に用いると、信号配線およびこれを同心状に囲むグランド配線を備える同軸ケーブルを複数用いて接続する場合に比べて、携帯電話６の表示側電子部品および操作側電子部品と配線回路基板１との間の特性インピーダンスとを整合させることができる。その結果、これらの接続点における特性インピーダンスの不整合による伝送損失を確実に低減させることができる。

さらに、配線回路基板１のスリット８の長手方向両端部には、丸穴２２が形成されている。そのため、スリット８の長手方向両端部において、角が形成されることによる引き裂けを防止することができる。その結果、スリット８における、長手方向両端部において、配線回路基板１の長手方向両端縁に向かって引き裂かれるなどの破損を、有効に防止することができる。

なお、上記した説明では、連結部１７は、表示側筐体１５および操作側筐体１６を、これらが平行する方向において、これらを相対回転可能に連結しているが、平行方向に直交する方向において相対回転可能、すなわち、表示側筐体１５および操作側筐体１６を折り畳み（開閉）可能に連結することもできる。なお、表示側筐体１５および操作側筐体１６を折り畳み可能に連結する場合には、図示しないが、連結部１７の回転軸２１が、携帯電話６の端縁に沿う方向に配置され、この回転軸２１の周方向に沿って、配線回路基板１の各信号配線４および各スリット８を並列配置する。

なお、上記した説明では、電子機器として、携帯電話６を例示して説明したが、これに制限されず、例えば、ノートパソコン、ビデオカメラなどの、連結部を有する各種電子機器などを挙げることができる。
また、上記した説明では、１つのグランド層７に囲まれる信号配線４を１本設けたが、その本数は制限されず、２本または３本以上設けることもできる。例えば、図１１に示すように、１つのグランド層７に囲まれる信号配線４を、幅方向に間隔を隔てて２本設けることもできる。

また、上記した説明では、スリット８を、各表示側接続端子１３の近傍および各操作側接続端子１４の近傍にわたって形成したが、スリット８の位置は、各信号配線４間であればよく、例えば、図示しないが、スリット８を、配線回路基板１の長手方向略中央部分のみに形成することもできる。
好ましくは、図１に示すように、スリット８を、各表示側接続端子１３の近傍および各操作側接続端子１４の近傍にわたって形成する。このようにスリット８を形成すれば、配線回路基板１全体の強度を確保しつつ、スリット８の長さを十分確保して、上記した応力をより確実に緩和することができる。

次に、本発明の配線回路基板の他の実施形態について、図７〜図１１を参照して、説明する。なお、上記した各部に対応する部材については、図７〜図１１の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、配線回路基板１の製造において、金属支持基板３２を用いたが、これに制限されず、例えば、金属張多層基材３３から配線回路基板１を製造することもできる。

まず、この方法では、図７（ａ）に示すように、例えば、第２絶縁層１０の上面に、第１金属層４０が予め積層され、第２絶縁層１０の下面に、第２金属層４１が予め積層された金属張多層基材（銅張多層基材など）３３を用意する。
次いで、図７（ｂ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法により、第１金属層４０の上に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、導体層３の配線回路パターンと同一パターンの図示しないエッチングレジストを形成するとともに、第２金属層４１の下に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、下部グランド層５１と同一パターンの図示しないエッチングレジストを形成する。次いで、エッチングレジストから露出する第１金属層４０および第２金属層４１をウエットエッチングした後、エッチングレジストを除去する。これにより、導体層３を、第２絶縁層１０の上に形成するとともに、下部グランド層５１を、第２絶縁層１０の下に形成する。

次いで、この方法では、図７（ｃ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上に、導体層３を被覆するように形成する。
次いで、この方法では、図７（ｄ）に示すように、第３開口部４２を、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１に、厚み方向に貫通するように形成する。
第３開口部４２は、平面視において、上記した第２絶縁層１０の第１開口部２３および第３絶縁層１１の第２開口部２４と同一位置に形成され、厚み方向において、同一幅となるように形成されている。

第３開口部４２の形成は、例えば、プラズマ、レーザによるドライエッチングなどにより、開口する。
次いで、図８（ｅ）に示すように、側部グランド層５２および上部グランド層５３を、下部グランド層５１および第３絶縁層１１の上に形成する。
側部グランド層５２は、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の第３開口部４２内に充填されており、上部グランド層５３と一体的に連続して形成されている。

なお、側部グランド層５２および上部グランド層５３が次に述べるアディティブ法によって形成される場合には、側部グランド層５２および上部グランド層５３と、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の第３開口部４２から露出する下部グランド層５１の上面、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の第３開口部４２の内側面および上部グランド層５３に被覆される第３絶縁層１１の上面との間に、第４金属薄膜４６が介在されている。

側部グランド層５２および上部グランド層５３は、下部グランド層５１および第３絶縁層１１の上に、例えば、アディティブ法、または、導電性ペーストを用いた印刷法によって、上記したパターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の第３開口部４２から露出する下部グランド層５１の上面、第３絶縁層１１の上面、および、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１の第３開口部４２の内側面に、第４金属薄膜４６を形成する。第４金属薄膜４６は、上記した第２金属薄膜３０や第３金属薄膜３１と同様の方法により、形成する。

次いで、この第４金属薄膜４６の上面に、上部グランド層５３のパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第４金属薄膜４６の上面（および第３開口部４２の内側面）に、電解めっきにより、側部グランド層５２および上部グランド層５３を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第４金属薄膜４６を除去する。

また、導電性ペーストを用いた印刷法では、例えば、第３開口部４２および第３開口部４２から露出する下部グランド層５１を含む第３絶縁層１１の上面に、導電性ペーストをスクリーン印刷した後、焼結することにより、上記したパターンとして形成する。導電性ペーストとしては、例えば、上記した金属材料の微粒子を含む導電性ペースト、好ましくは、銅微粒子を含む銅ペーストなどが挙げられる。導電性ペーストを用いた印刷法では、低コストで上記したパターンとして形成することができる。

これら方法のうち、好ましくは、アディティブ法により、上記したパターンとして形成する。
側部グランド層５２は、厚み方向にわたって、同一幅に形成されており、上記した第２グランド層１９の第１下部２５および第３グランド層２０の第２下部２７と同幅である。
次いで、この方法では、図８（ｆ）に示すように、第４絶縁層１２を、第３絶縁層１１の上に、上部グランド層５３を被覆するように形成するとともに、第１絶縁層９を、第２絶縁層１０の下に、下部グランド層５１を被覆するように形成する。

第４絶縁層１２および第１絶縁層９は、例えば、上部グランド層５３を含む第３絶縁層１１の上面および下部グランド層５１を含む第２絶縁層１０の下面に、感光性の合成樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させることにより、上記したパターンで形成する。
また、第４絶縁層１２および第１絶縁層９の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、上部グランド層５３を含む第３絶縁層１１の上面および下部グランド層５１を含む第２絶縁層１０の下面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図８（ｇ）に示すように、スリット８を、絶縁層２に、各信号配線４間において、長手方向に沿って複数形成する。
スリット８の形成は、上記と同様の方法により、第４絶縁層１２、第３絶縁層１１、第２絶縁層１０および第１絶縁層９を厚み方向に開口する。
これにより、配線回路基板１を得ることができる。

なお、この方法により製造される配線回路基板１の厚みは、例えば、１５０〜３５０μｍ、好ましくは、１８０〜２５０μｍである。
この方法によれば、金属支持基板３２を用いずに、金属張多層基材３３から配線回路基板１を形成することができるので、金属支持基板３２を除去する必要がなく、配線回路基板１を簡単に製造することができる。

また、この方法によれば、上記したように、側部グランド層５２および上部グランド層５３を、２つの工程で形成する必要がなく、１つの工程で形成することができるので、配線回路基板１をより簡単に製造することができる。
また、この方法により製造される配線回路基板１では、側部グランド層５２を、厚み方向にわたって、同一幅で形成することができる。そのため、上記した側部グランド層５２の第２グランド層１９のように、側部グランド層５２の第１下部２５および第２下部２７に対して第１上部２６の幅方向に膨出する部分が形成されないので、かかる膨出分だけ、側部グランド層５２と、各信号配線４とを近接させても、これらの間隔を確実に確保することができる。

また、上記した説明では、導体層３および下部グランド層５１をそれぞれ１層から形成したが、これに制限されず、例えば、導体層３を２層の導体層から形成し、下部グランド層５１を、２層の下部グランド層から形成することもできる。
まず、この方法では、図９（ａ）に示すように、例えば、金属張多層基材３３を用意する。

次いで、この方法では、図９（ｂ）に示すように、例えば、第１金属層４０の上面に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、導体層３の配線回路パターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成するとともに、第２金属層４１の下面に、図示しないドライフィルムレジストを積層した後、露光および現像し、下部グランド層５１と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、アディティブ法で、上側のめっきレジストから露出する第１金属層４０の上面に、電解めっきにより、上記した配線回路パターンで第２導体層４８を形成するとともに、下側のめっきレジストから露出する第２金属層４１の下面に、電解めっきにより、上記したパターンで第５グランド層５０を形成する。

次いで、この方法では、図９（ｃ）に示すように、例えば、サブトラクティブ法で、上側のめっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第１金属層４０を、エッチングにより除去するとともに、下側のめっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第２金属層４１を、エッチングにより除去する。これにより、第１導体層４７および第２導体層４８の２層からなる導体層３を形成するとともに、第４グランド層４９および第５グランド層５０の２層からなる下部グランド層５１を形成する。

第２導体層４８の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、８〜１２μｍであり、導体層３の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。第５グランド層５０の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、８〜１２μｍであり、下部グランド層５１の厚みは、例えば、３〜１８μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図９（ｄ）に示すように、第３絶縁層１１を、第２絶縁層１０の上に、導体層３を被覆するように形成する。

また、第３絶縁層１１の厚みは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。
次いで、この方法では、図９（ｅ）に示すように、第３開口部４２を、第２絶縁層１０および第３絶縁層１１に、厚み方向に貫通するように形成する。
次いで、図１０（ｆ）に示すように、側部グランド層５２および上部グランド層５３を、下部グランド層５１および第３絶縁層１１の上に形成する。

次いで、この方法では、図１０（ｇ）に示すように、第４絶縁層１２を、第３絶縁層１１の上に、上部グランド層５３を被覆するように形成するとともに、第１絶縁層９を、第２絶縁層１０の下に、下部グランド層５１を被覆するように形成する。
次いで、この方法では、図１０（ｈ）に示すように、スリット８を、絶縁層２に、各信号配線４間において、長手方向に沿って複数形成する。

これにより、配線回路基板１を得ることができる。
なお、この方法により製造される配線回路基板１の厚みは、例えば、１５０〜３５０μｍ、好ましくは、１８０〜２５０μｍである。
この方法によれば、アディティブ法とサブトラクティブ法とを組み合わせることにより、導体層３を、第１導体層４７および第２導体層４８の、２層の導体層から形成することができ、下部グランド層５１を、第４グランド層４９および第５グランド５０の、２層の下部グランド層から形成することができる。

そのため、信号配線４の厚みを簡単に厚くすることができるので、データの高密度化を実現することができながら、下部グランド層５１の厚みを厚くして、信号配線４の伝送損失をより確実に低減させることができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図３（ａ）参照）、次いで、金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、加熱して硬化させることにより、厚み１２μｍのポリイミドからなる第１絶縁層を、金属支持基板の上に形成した（図３（ｂ）参照）。

次いで、第１絶縁層の上面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、この第１金属薄膜の上面に、第１グランド層のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、電解銅めっきするアディティブ法により、銅からなる厚み１２μｍ、幅３００μｍの第１グランド層（下部グランド層）を、第１絶縁層の上に形成した。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第１金属薄膜を化学エッチングにより除去した（図３（ｃ）参照）。なお、各第１グランド層間の間隔は、１４０μｍであった。

次いで、第１グランド層を含む第１絶縁層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、加熱して硬化させることにより、厚み１２μｍの第２絶縁層を、第１開口部が形成されるパターンで、第１絶縁層の上に、第１グランド層を被覆するように形成した（図３（ｄ）参照）。
次いで、第２絶縁層の第１開口部から露出する第１グランド層の上面、および、第２絶縁層の上面（および第１開口部の内側面）に、第２金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、この第２金属薄膜の上面に、導体層の配線回路パターンおよび第２グランド層のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、電解銅めっきするアディティブ法により、信号配線と表示側接続端子および操作側接続端子とを一体的に備え、銅からなる、厚み１２μｍの導体層を第２絶縁層の上に形成するとともに、厚み１２μｍ、幅１４０μｍの第１上部、および、厚み１２μｍ、幅４０μｍの第１下部を一体的に備える第２グランド層（側部グランド層）を第１グランド層および第２絶縁層の上に形成した。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第２金属薄膜を化学エッチングにより除去した（図３（ｅ）参照）。

各信号配線の幅は４０μｍであり、各信号配線間の間隔は５００μｍであった。また、第２グランド層１９の第１上部およびそれに隣接する信号配線間の間隔は９０μｍであった。
次いで、第２グランド層および導体層を含む第２絶縁層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、加熱して硬化させることにより、厚み１２μｍの第３絶縁層を、第２開口部が形成されるパターンで、第２絶縁層の上に、導体層および第２グランド層を被覆するように形成した（図３（ｆ）参照）。なお、この第３絶縁層の長手方向両端部から、接続端子（表示側接続端子および操作側接続端子）が露出し、各接続端子の長さは１０ｍｍであった。

次いで、第３絶縁層の第２開口部から露出する第２グランド層の上面、および、第３絶縁層の上面（および第２開口部の内側面）に、第３金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、この第３金属薄膜の上面に、第３グランド層のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、電解銅めっきするアディティブ法により、銅からなる、厚み１２μｍ、幅３００μｍの第２上部（上部グランド層）、および、厚み１２μｍ、幅４０μｍの第２下部（側部グランド層）を一体的に備える第３グランド層を、第２グランド層および第３絶縁層の上に形成した。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第３金属薄膜を化学エッチングにより除去した（図４（ｇ）参照）。

また、各第３グランド層間の間隔は１４０μｍであった。
次いで、第３グランド層を含む第３絶縁層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、加熱して硬化させることにより、厚み１２μｍの第４絶縁層を、上記したパターンで、第３絶縁層の上に、第３グランド層を被覆するように形成した（図４（ｈ）参照）。

次いで、レーザによるドライエッチングにより、表示側接続端子の近傍および操作側接続端子の近傍にわたって、その長手方向両端部に丸穴が形成されるスリットを、絶縁層に、各信号配線間において、長手方向に沿って複数形成した（図４（ｉ）参照）。
各スリットの長手方向途中における幅は４０μｍであり、各スリット間の間隔は０．５ｍｍであり、各丸穴の直径は７５μｍであり、長手方向一端部における各丸穴の長手方向一端縁と第３絶縁層および第４絶縁層の長手方向一端縁との間隔は、長手方向他端部における各丸穴の長手方向他端縁と第３絶縁層および第４絶縁層の長手方向他端縁との間隔と同一であり、０．５ｍｍであった。

次いで、金属支持基板を、塩化第二鉄水溶液を用いる化学エッチングにより、除去することにより（図４（ｊ）参照）、フレキシブル配線回路基板を製造した（図１参照）。なお、このフレキシブル配線回路基板の厚みは２１６μｍであった。
このフレキシブル配線回路基板を、表示側筐体と、操作側筐体と、これらを回転軸を回転中心として、周方向に回転可能に連結する連結部とを備える携帯電話の連結部の周りにおいて、フレキシブル配線回路基板の各信号配線およびスリットを、連結部の回転軸の回転方向に沿って並列配置した（図５および図６参照）。また、フレキシブル配線回路基板の表示側接続端子と携帯電話の表示側筐体の表示側電子部品のコネクタとを接続し、フレキシブル配線回路基板の操作側接続端子と携帯電話の操作側筐体の操作側電子部品のコネクタとを接続した。

その後、表示側筐体および操作側筐体を、回転軸を回転中心として、周方向に１０００００回、回転させても、信号配線の断線が生じなかった。
比較例１
スリットを形成しなかった以外は、実施例１と同様に、フレキシブル配線回路基板を製造し、次いで、携帯電話の連結部に配置した。

その後、表示側筐体および操作側筐体を、回転軸を回転中心として、周方向に２００００回、回転させたときに、信号配線の断線が生じた。

本発明の配線回路基板の一実施形態を示す平面図である。 図１に示す配線回路基板の長手方向に直交する方向における、長手方向途中の部分断面図である。 図２に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、第１絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、第１グランド層を、第１絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、第２絶縁層を、第１絶縁層の上に、第１グランド層を被覆するように形成する工程、（ｅ）は、導体層および第２グランド層を、第２絶縁層の上に形成する工程、（ｆ）は、第３絶縁層を、第２絶縁層の上に、導体層および第２グランド層を被覆するように形成する工程を示す。 図３に続いて、図２に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｇ）は、第３グランド層を、第２グランド層および第３絶縁層の上に形成する工程、（ｈ）は、第４絶縁層を、第３絶縁層の上に、第３グランド層を被覆するように形成する工程、（ｉ）は、スリットを、絶縁層に、各信号配線間において、複数形成する工程、（ｊ）は、金属支持基板を除去する工程を示す。 本発明の配線回路基板が搭載される、本発明の電子機器の一実施形態としての携帯電話の斜視図である。 図５に示す携帯電話の連結部の配線回路基板の拡大斜視図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、第２絶縁層の両面に第１金属層および第２金属層が積層された金属張多層基材を用意する工程、（ｂ）は、第２絶縁層の上に導体層を形成するとともに、第２絶縁層の下に下部グランド層を形成する工程、（ｃ）は、第３絶縁層を、第２絶縁層の上に、導体層を被覆するように形成する工程、（ｄ）は、第３開口部を、第２絶縁層および第３絶縁層に形成する工程を示す。 図７に続いて、本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ｅ）は、側部グランド層および上部グランド層を、下部グランド層および第３絶縁層の上に形成する工程、（ｆ）は、第４絶縁層を、第３絶縁層の上に形成するとともに、第１絶縁層を、第２絶縁層の下に形成する工程、（ｇ）は、スリットを、絶縁層に、各信号配線間において、複数形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、第２絶縁層の両面に第１金属層および第２金属層が積層された金属張多層基材を用意する工程、（ｂ）は、第１金属層の上面に、第２導体層を形成するとともに、第１金属層の下面に、第５グランド層を形成する工程、（ｃ）は、第１導体層および第２導体層からなる導体層を形成するとともに、第４グランド層および第５グランド層からなる下部グランド層を形成する工程、（ｄ）は、第３絶縁層を、第２絶縁層の上に、導体層を被覆するように形成する工程、（ｅ）は、第３開口部を、第２絶縁層および第３絶縁層に形成する工程を示す。 図９に続いて、本発明の配線回路基板の他の実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ｆ）は、側部グランド層および上部グランド層を、下部グランド層および第３絶縁層の上に形成する工程、（ｇ）は、第４絶縁層を、第３絶縁層の上に形成するとともに、第１絶縁層を、第２絶縁層の下に形成する工程、（ｈ）は、スリットを、絶縁層に、各信号配線間において、複数形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の部分断面図であって、図２に対応する部分断面図である。

符号の説明

１ 配線回路基板
２ 絶縁層
３ 導体層
４ 信号配線
５ 接続端子
６ 携帯電話
７ グランド層
８ スリット
１３ 表示側接続端子
１４ 操作側接続端子
１５ 表示側筐体
１６ 操作側筐体
１７ 連結部

Claims (3)

1. 長手方向に延びる絶縁層と、
   前記絶縁層に被覆され、前記絶縁層の長手方向および厚み方向に直交する方向において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の信号配線、および、各前記信号配線の長手方向両端部に設けられ、前記絶縁層から露出する接続端子を有する導体層と、
   前記絶縁層に被覆され、各前記信号配線をその長手方向に直交する方向において囲むように形成されるグランド層とを備え、
   前記絶縁層には、各前記信号配線間において、その長手方向に沿うスリットが形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記スリットは、その長手方向一方側の各前記接続端子の近傍および長手方向他方側の各前記接続端子の近傍にわたって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 第１筐体と、前記第１筐体に連結される第２筐体と、前記第１筐体および前記第２筐体を相対回転可能に連結する連結部と、請求項１または２に記載の配線回路基板とを備え、
   長手方向一方側の各前記接続端子が前記第１筐体の電子部品に接続され、長手方向他方側の各前記接続端子が前記第２筐体の電子部品に接続され、かつ、各前記信号配線が前記連結部の周りにおいて、前記第１筐体および前記第２筐体が相対回転する方向に沿って並列配置されていることを特徴とする、電子機器。

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