JP6998725B2 - 基板積層体、および、撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板積層体、および、基板積層体を備える撮像装置に関する。

従来より、携帯電話などに搭載されているカメラモジュールなどの撮像装置は、一般的に、光学レンズと、光学レンズを収容および保持するハウジングと、ＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサなどの撮像素子と、撮像素子を実装し、外部配線に電気的に接続するための撮像素子実装基板とを備えている。撮像素子実装基板の略中央部の上に、撮像素子が実装されており、撮像素子を取り囲むように撮像素子実装基板の周端部の上に、ハウジングが配置されている。特許文献１には、そのような基板が開示されている。

特開２００５－２１０６２８号公報

携帯電話などに用いられる撮像装置は、携帯電話の小型化の要求に伴い、より一層の薄型化（低背化）が求められている。撮像装置の低背化の手段の一つとしては、撮像素子実装基板の薄型化が挙げられる。

ところで、撮像素子実装基板には、一般的に、金属板で裏面全面を補強した厚いリジット型配線回路基板と、金属板で裏面全体を補強されていない薄いフレキシブル型配線回路基板（ＦＰＣ）との２種類が用いられている。

ＦＰＣは、金属板で補強しないため、リジッド型配線回路基板よりも薄型化が可能である。しかしながら、その反面、撮像素子および撮像素子実装基板の材料は、互いに異なるため、撮像素子および撮像素子実装基板を備える撮像ユニットを、高温および低温を繰り返す外部環境下に置くと、熱歪みが生じて、撮像ユニットに反りが生じる場合がある。その結果、撮像素子と光学レンズとの位置にずれが生じ、像が歪む不具合が生じる。

そこで、ＦＰＣの総厚みや金属配線の厚みを非常に薄くしたＦＰＣを用いることが検討される。このようなＦＰＣは、熱応力が大幅に低下されているために、反りの発生を抑制することができる。

ところで、撮像装置には、オートフォーカス素子や手振れ補正機構などのアクチュエータモジュールも配置される。このため、撮像装置全体として、より多くの電流を流す必要がある。

しかしながら、この撮像素子実装基板では、金属配線を薄くしているため、より多くの電流を流すことが困難となる。

本発明の目的は、反りの発生を抑制し、アクチュエータモジュールを配置することができる基板積層体および撮像装置を提供することにある。

本発明［１］は、撮像素子を実装するための撮像素子実装基板と、前記撮像素子よりも多くの電流が必要とされるアクチュエータモジュールと電気的に接続可能であり、前記撮像素子実装基板と電気的に接続されるフレキシブル配線回路基板とを備え、前記撮像素子実装基板は、金属配線を有し、前記金属配線の厚みが、１２μｍ以下であり、前記撮像素子実装基板の総厚みが、６０μｍ以下であり、前記フレキシブル配線回路基板の一部が、前記撮像素子実装基板において、前記撮像素子が実装される実装領域以外の領域に、配置されている、基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、撮像素子実装基板の金属配線の厚みが、１２μｍ以下であり、撮像素子実装基板の総厚みが、６０μｍ以下であるため、撮像素子実装基板およびその金属配線が非常に薄い。そのため、撮像素子の熱膨張に合わせて、撮像素子実装基板は、柔軟に変形して、熱応力の発生を抑制することができる。結果、反りの発生を抑制することができる。

また、フレキシブル配線回路基板の一部が、撮像素子実装基板において、撮像素子が実装される実装領域以外の領域に配置されている。そのため、アクチュエータモジュールは、撮像素子実装基板を介さずにフレキシブル配線回路基板に直接電気的に接続することができる。そのため、アクチュエータモジュールを基板積層体に配置および稼働させることができる。

本発明［２］は、前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記撮像素子が実装される側の領域に配置されている、［１］に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、撮像素子実装基板に撮像素子を実装した撮像装置の低背化を図ることができる。

本発明［３］は、前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記撮像素子実装基板の少なくとも一つの端部に沿って配置されている、［１］または［２］に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、撮像素子実装基板とフレキシブル配線回路基板との接触面積が大きいため、接合強度が高くなっている。その結果、基板積層体を曲げても、撮像素子実装基板とフレキシブル配線回路基板との分離破壊を抑制できる。

本発明［４］は、前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記実装領域の四方を囲うように配置されている、［１］～［３］のいずれか一項に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、撮像素子実装基板とフレキシブル配線回路基板との接触面積がさらに大きいため、接合強度がより一層高くなっている。その結果、基板積層体を曲げても、撮像素子実装基板とフレキシブル配線回路基板との分離破壊をより確実に抑制できる。

本発明［５］は、前記撮像素子が実装される側の領域に配置されるリジッド基板をさらに備える、［１］～［４］のいずれか一項に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、硬いリジッド基板が撮像素子実装基板に配置されているため、撮像素子実装基板の反りをより確実に抑制することができる。

本発明［６］は、前記リジッド基板が、前記アクチュエータモジュールと電気的に接続可能である、［５］に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、硬いリジッド基板に撮像素子を直接実装することができるため、撮像素子をリジッド基板付の基板積層体に安定して配置することができ、その結果、容易に実装することができる。

本発明［７］は、前記撮像素子実装基板において、前記金属配線が配置される配線領域の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である、［１］～［６］のいずれか一項に記載の基板積層体を含んでいる。

この基板積層体によれば、配線領域の弾性率が小さく、柔軟であるため、撮像素子実装基板の反りを良く確実に抑制することができる。

本発明［８］は、［１］～［７］のいずれか一項に記載の基板積層体と、前記基板積層体に実装される撮像素子と、前記基板積層体に実装され、前記撮像素子よりも多くの電流が必要とされるアクチュエータモジュールとを備える、撮像装置を含んでいる。

この撮像装置によれば、撮像装置の反りを抑制することができるとともに、アクチュエータモジュールを稼働させることができる。

本発明の基板積層体および撮像装置は、撮像素子実装基板の反りの発生を抑制することができる。また、より多くの電流を流すことができるため、アクチュエータモジュールを実装および稼働することができる。

図１Ａ－Ｂは、本発明の基板積層体の第１実施形態を示し、図１Ａは、平面図、図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図２は、図１Ａに示す基板積層体の実装基板の平面図を示す。 図３は、図２ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図４Ａ－Ｂは、図１Ａに示す基板積層体の断面図であり、図４Ａは、Ｂ－Ｂにおける断面図、図４Ｂは、Ｃ－Ｃにおける断面図を示す。 図５Ａ－Ｂは、図１Ａに示す基板積層体を備える撮像ユニットであり、図５Ａは、平面図、図５Ｂは、図５ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図６Ａ－Ｂは、図１Ａに示す基板積層体を備える撮像装置であり、図６Ａは、平面図、図６Ｂは、図６ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図７Ａ－Ｂは、本発明の基板積層体の第２実施形態（周辺領域の下側に接続基板を備える形態）を備える撮像装置を示し、図７Ａは、平面図、図７Ｂは、図７ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図８Ａ－Ｂは、本発明の基板積層体の第３実施形態（リジット基板を備える形態）を備える撮像装置を示し、図８Ａは、平面図、図８Ｂは、図８ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図９Ａ－Ｂは、本発明の基板積層体の第３実施形態の変形例（リジッド基板が、接続基板の上側に配置される形態）を備える撮像装置を示し、図９Ａは、平面図、図９Ｂは、図９ＡのＡ－Ａにおける断面図を示す。 図１０は、本発明の基板積層体の第４実施形態（実装基板の一つの端部に沿って接続基板が配置されている形態）の平面図を示す。 図１１は、本発明の基板積層体の第５実施形態（実装基板の２つの端部に沿って接続基板が配置されている形態）の平面図を示す。 図１２は、本発明の基板積層体の第６実施形態（実装基板の３つの端部に沿って接続基板が配置されている形態）の平面図を示す。

図１Ａにおいて、紙面左右方向は、前後方向（第１方向、長手方向）であって、紙面左側が前側（第１方向一方側）、紙面右側が後側（第１方向他方側）である。紙面上下方向は、左右方向（第１方向と直交する第２方向、幅方向）であって、紙面上側が左側（第２方向一方側）、紙面下側が右側（第２方向他方側）である。紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向、第１方向および第２方向と直交する第３方向）であって、紙面手前側が上側（厚み方向一方側、第３方向一方側）、紙面奥側が下側（厚み方向他方側、第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

＜第１実施形態＞
１．基板積層体
図１Ａ－図４Ｂを参照して、本発明の基板積層体の第１実施形態を説明する。

図１Ａに示す第１実施形態の基板積層体１は、撮像素子４１（後述）を実装するための配線回路基板であって、撮像素子４１を未だ備えていない。基板積層体１は、撮像素子実装基板２と、フレキシブル配線回路基板の一例としての外部機器接続フレキシブル配線回路基板３と、コネクタ４とを備える。

（撮像素子実装基板）
撮像素子実装基板２（以下、実装基板と略する。）は、撮像素子４１を実装するためのフレキシブル配線回路基板である。図１Ａ－Ｂおよび図２に示すように、前後方向および左右方向（面方向）に延びる平面視略矩形の平板形状（シート形状）を有する。

実装基板２は、図２に示すように、実装領域５、および、周辺領域６に区画される。

実装領域５は、撮像素子４１が配置される領域である。すなわち、実装領域５は、撮像素子４１が実装基板２に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、撮像素子４１と重複する領域である。具体的には、実装領域５は、図１の仮想線に示すように、実装基板２の平面視略中央において、略矩形状に区画される。実装領域５の外周部には、撮像素子４１と電気的に接続するための撮像素子接続端子１２（後述）が複数配置されている。実装領域５は、ステンレスなどの金属支持板を有しない。

実装基板２において、実装領域５以外の領域である。また、周辺領域６は、ハウジング４２（後述）、および、外部機器接続フレキシブル配線回路基板３が配置される領域である。すなわち、周辺領域６は、ハウジング４２（後述）が実装基板２に配置された場合において、厚み方向に投影したときに、ハウジング４２および外部機器接続フレキシブル配線回路基板３と重複する領域である（実装領域３を除く）。具体的には、周辺領域６は、外形および内形がともに平面視略矩形状である略矩形枠状に形成されており、その内端縁は、実装領域５の外端縁と連続する。周辺領域６の後端縁には、外部機器接続フレキシブル配線回路基板３と電気的に接続するための接続基板接続端子１３（後述）が複数配置されている。

実装基板２は、図３に示すように、第１ベース絶縁層７と、第１導体パターン８と、第１カバー絶縁層９とを備える。

第１ベース絶縁層７は、実装基板２の最上層に配置されている。第１ベース絶縁層７は、実装基板２の外形をなし、平面視略矩形状に形成されている。第１ベース絶縁層７の上面は、平坦となるように形成されている。第１ベース絶縁層７には、複数の撮像素子接続端子開口部１０、および、複数の接続基板接続端子開口部１１が形成されている。

複数の撮像素子接続端子開口部１０（以下、第１開口部と略する。）は、撮像素子接続端子１２を上面から露出するための開口部である。複数の第１開口部１０は、実装領域５の周端部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。第１開口部１０は、第１ベース絶縁層７を厚み方向に貫通し、平面視略円形状を有する。第１開口部１０は、上側に向かうに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。

複数の接続基板接続端子開口部１１（以下、第２開口部と略する。）は、接続基板接続端子１３を上面から露出するための開口部である。複数の第２開口部１１は、周辺領域６の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。第２開口部１１は、第１ベース絶縁層７を厚み方向に貫通し、平面視略矩形状（長方形状）を有する。第２開口部１１は、平面視において、周辺領域６の後端縁から前側に向かって延びるように、形成されている。

第１ベース絶縁層７は、絶縁性材料から形成されている。絶縁性材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、第１ベース絶縁層７は、ポリイミド樹脂から形成されている。

第１ベース絶縁層７の弾性率は、例えば、１ＧＰａ以上、好ましくは、５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１５ＧＰａ以下である。絶縁層などの樹脂層の弾性率は、例えば、動的粘弾性測定により、ＪＩＳ Ｋ７２４４やＩＳＯ ６７２１に準拠して測定することができる。

第１ベース絶縁層７の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、５０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、３０ｐｐｍ／Ｋ以下である。絶縁層などの樹脂層の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析により、ＪＩＳ Ｋ７１９７の条件にて測定することができる。

第１ベース絶縁層７の厚みＴ_１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下である。

第１導体パターン８は、第１ベース絶縁層７の下面と接触するように、第１ベース絶縁層７の下側に設けられている。第１導体パターン８は、複数の撮像素子接続端子１２、複数の接続基板接続端子１３、および、複数の第１金属配線１４を備える。

複数の撮像素子接続端子１２は、図２に示すように、実装領域５の周端部に、矩形枠状となるように、互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の撮像素子接続端子１２は、実装される撮像素子４１の複数の端子４６（後述）に対応するように設けられている。

撮像素子接続端子１２は、平面視略円形状を有する。撮像素子接続端子１２は、第１開口部１０内に配置され、側断面視において、上側に凸となるように形成されている。撮像素子接続端子１２の内側部の上面は、第１開口部１０から露出しており、第１ベース絶縁層７の上面と面一となるように形成されている。

複数の接続基板接続端子１３は、周辺領域６の後端縁に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の接続基板接続端子１３は、複数の実装基板接続端子２４（後述）と対応するように設けられている。接続基板接続端子１３は、平面視略矩形状（長方形状）を有する。接続基板接続端子１３は、第２開口部１１内に配置され、その上面は、第２開口部１１から露出している。なお、図２では、複数の接続基板接続端子１３のうち一部（左右方向中央部）を省略している。

複数の第１金属配線１４は、図３に示すように、複数の第１接続配線１５および複数のグランド配線１６を備える。

複数の第１接続配線１５は、複数の撮像素子接続端子１２（または複数の接続基板接続端子１３）に対応するように設けられている。具体的には、第１接続配線１５は、撮像素子接続端子１２と接続基板接続端子１３とを接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、第１接続配線１５の一端は、撮像素子接続端子１２と連続し、第１接続配線１５の他端は、接続基板接続端子１３と連続して、これらを電気的に接続している。

複数のグランド配線１６は、複数の第１接続配線１５に対応するように設けられている。具体的には、複数のグランド配線１６は、複数の第１接続配線１５の外側に、これらに沿うように設けられている。グランド配線１６の一端には、図示しないグランド端子が一体的に接続されている。

なお、実装基板２を厚み方向に投影したときに、第１金属配線１４（金属配線）が存在する平面視または底面視の領域を、配線領域１７とする。

第１導体パターン８の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。

第１導体パターン８の弾性率は、例えば、５０ＧＰａ以上、好ましくは、１００ＧＰａ以上であり、また、例えば、２００ＧＰａ以下、好ましくは、１５０ＧＰａ以下である。導体パターンなどの金属の弾性率は、例えば、引っ張り試験測定により、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に準拠して測定することができる。

第１導体パターン８の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、３０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。導体パターンなどの金属の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析装置や光走査式測定装置により、ＪＩＳ Ｚ ２２８５に準拠して測定することができる。

第１導体パターン８（第１金属配線１４、各端子１２、１３）の厚みＴ_２（ひいては、金属配線の総厚み）は、実装時の実装基板２の反りを抑制する観点から、１２μｍ以下、好ましくは、８μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。また、取扱い性の観点から、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。

第１金属配線１４の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

第１カバー絶縁層９は、第１導体パターン８を被覆するように、第１ベース絶縁層７および第１導体パターン８の下側に設けられている。すなわち、第１カバー絶縁層９は、第１導体パターン８の下面および側面、および、第１導体パターン８から露出する第１ベース絶縁層７の下面と接触するように、配置されている。第１カバー絶縁層９の外形は、第２開口部１１の形成部分を除いて、第１ベース絶縁層７の外形と略同一となるように形成されている。

第１カバー絶縁層９は、第１ベース絶縁層７で上記した絶縁性材料と同様の絶縁性材料から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。

第１カバー絶縁層９の弾性率は、例えば、１ＧＰａ以上、好ましくは、５ＧＰａ以上であり、また、例えば、２０ＧＰａ以下、好ましくは、１５ＧＰａ以下である。

第１カバー絶縁層９の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、５０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、３０ｐｐｍ／Ｋ以下である。

第１カバー絶縁層９の厚みＴ_３は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下である。

実装基板２の配線領域１７における等価弾性率は、例えば、５ＧＰａ以上、好ましくは、１０ＧＰａ以上であり、また、例えば、５５ＧＰａ以下、好ましくは、５０ＧＰａ以下、より好ましくは、４０ＧＰａ以下、さらに好ましくは、３０ＧＰａ以下、とりわけ好ましくは、２０ＧＰａ以下である。配線領域１７の等価弾性率を上記上限以下とすることにより、実装基板２の反りの発生を抑制することができる。また、配線領域１７の等価弾性率を上記下限以上とすることにより、基板積層体１の取り扱い性に優れる。

等価弾性率Ｄは、配線領域１７を構成する各層（例えば、第１ベース絶縁層７、第１金属配線１４、第１カバー絶縁層９）の弾性率のそれぞれに、その各層の厚み分率を掛けて、これらを合算したものである。具体的には、例えば、図２～図３に示す実施形態では、下記の計算式にて得られる。

Ｄ＝｛Ｄ_１×Ｔ_１＋Ｄ_２×Ｔ_２＋Ｄ_３×Ｔ_３｝／{Ｔ_１＋Ｔ_２＋Ｔ_３}
Ｄ_１は、第１ベース絶縁層７の弾性率を示し、Ｔ_１は、第１ベース絶縁層７の厚みを示す。
Ｄ_２は、第１金属配線１４の弾性率を示し、Ｔ_２は、第１金属配線１４の厚みを示す。
Ｄ_３は、第１カバー絶縁層９の弾性率を示し、Ｔ_３は、第１カバー絶縁層９の厚みを示す。

なお、上記等価弾性率Ｄは、第１層および第２層が積層された平行平板モデルにおけるＶｏｉｇｔ則：Ｅ_ｙ＝Ｖ_１Ｅ_１＋Ｖ_２Ｅ_２（Ｅ_ｙは、全体のヤング率、Ｖ_１は、第１層の体積、Ｅ_１は、第１層の材料のヤング率、Ｖ_２は、第２層の体積、Ｅ_２は、第２層の材料のヤング率を示す。）から近似的に導出される。

配線領域１７において、絶縁層の合計厚みに対する金属の合計厚みの割合、すなわち、第１ベース絶縁層７および第１カバー絶縁層９の合計厚みに対する第１金属配線１４の厚みの割合（Ｔ_２／（Ｔ_１＋Ｔ_３））が、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．１０以上、より好ましくは、０．２０以上であり、また、例えば、０．９０以下、好ましくは、０．７０以下、より好ましくは、０．５０以下、さらに好ましくは、０．２０以下である。上記割合を上記範囲とすることにより、等価弾性率を適正な範囲（例えば、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下）に容易に調整することができ、その結果、反りの発生をより確実に抑制することができる。

実装基板２の総厚み（最大厚み）は、反りの抑制および取扱い性の観点から、６０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２０μｍ以下、とりわけ好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。

実装基板２は、例えば、上面が平坦な金属支持基板（例えば、ステンレス基板）を用意する工程、その上面に、各開口部（１０、１１）が形成された第１ベース絶縁層７を形成する工程、その第１ベース絶縁層７の上面および各開口部から露出する金属支持基板の上面に第１導体パターン８を形成する工程、第１ベース絶縁層７および第１導体パターン８を被覆するように第１カバー絶縁層９を形成する工程、金属支持基板を除去する工程により、製造することができる。そして、製造した実装基板２を上下反転することにより、図３に示す実装基板２を得る。

（外部機器接続フレキシブル配線回路基板）
外部機器接続フレキシブル配線回路基板３（以下、接続基板と略する）は、実装基板２とマザーボードなどの外部機器（図示せず）とを電気的に接続するためのフレキブル配線回路基板、かつ、アクチュエータモジュール４５（後述）と外部機器とを電気的とを電気的に接続するためのフレキブル配線回路基板である。

接続基板３は、図１Ａ－Ｂに示すように、実装基板配置領域２０、接続領域２１、および、コネクタ領域２２に区画される。

実装基板配置領域２０（以下、配置領域と略する。）は、接続基板３の前端部に配置されており、厚み方向に投影したときに、実装基板２と重複する領域である。配置領域２０は、外形および内形がともに平面視略矩形状である略矩形枠状を有する。すなわち、配置領域２０は、平面視略矩形状に形成され、その中央部において、厚み方向に貫通する平面視略矩形状の実装領域開口部２３が形成されている。配置領域２０の外形は、実装基板２の外形よりも僅かに小さく、その内形は、実装基板２の実装領域５よりも僅かに大きい。配置領域２０の後端部には、実装基板２と電気的に接続するための実装基板接続端子２４（後述）、および、アクチュエータモジュール４５と電気的に接続するためのモジュール接続端子２５（後述）がそれぞれ複数配置されている。

接続領域２１は、接続基板３の前後方向中央に配置されており、前後方向に延びる平面視略矩形状を有する。接続領域２１の前端は、配置領域２０の後端に連続し、接続領域２１の後端は、コネクタ領域２２に連続する。接続領域２１には、前後方向に延びる複数の第２金属接続配線３０（後述）が左右方向に間隔を隔てて配置されている。

コネクタ領域２２は、接続基板３の後端部に配置されており、平面略矩形状を有する。コネクタ領域２２の前端は、接続領域２１の後端に連続する。

コネクタ領域２２には、コネクタ４と電気的に接続するためのコネクタ接続端子３２が複数配置されている。

接続基板３は、図４Ａ－Ｂに示すように、第２ベース絶縁層２６、第２導体パターン２７、および、第２カバー絶縁層２８を備える。

第２ベース絶縁層２６は、接続基板３の最下層に配置されている。第２ベース絶縁層２６は、接続基板３の外形をなし、平面視略矩形状に形成されている。第２ベース絶縁層２６には、配置領域２０において、複数の実装基板接続端子開口部２９が形成されている。

複数の実装基板接続端子開口部２９（以下、第３開口部と略する。）は、実装基板接続端子２４を下面から露出するための開口部である。複数の第３開口部２９は、配置領域２０の後端部の幅方向中央において、複数の第２開口部１１に対応するように、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。第３開口部２９は、第２ベース絶縁層２６を厚み方向に貫通し、平面視略矩形状（長方形状）を有する。

第２ベース絶縁層２６は、絶縁性材料から形成されている。絶縁性材料としては、第１ベース絶縁層７で上記した絶縁性材料と同様の絶縁性材料から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。

第２ベース絶縁層２６の厚みＴ_４は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第２導体パターン２７は、第２ベース絶縁層２６の上面と接触するように、第２ベース絶縁層２６の上側に設けられている。第２導体パターン２７は、複数の実装基板接続端子２４、複数（２つ）のモジュール接続端子２５、複数のコネクタ接続端子３２、および、複数の第２金属接続配線３０を備える。

複数の実装基板接続端子２４は、配置領域２０の後端部の左右方向中央に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数の実装基板接続端子２４は、複数の接続基板接続端子１３と対応するように設けられている。実装基板接続端子２４は、平面視略矩形状（長方形状）を有する。実装基板接続端子２４は、第３開口部２９内に配置され、その下面は、第３開口部２９から露出している。

複数（２つ）のモジュール接続端子２５は、配置領域２０の後側の左右方向端部に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、複数のモジュール接続端子２５は、ハウジング４２（後述）を配置領域２０に配置した際に、複数（２つ）のハウジング側端子４７（後述）と対応するように設けられている。モジュール接続端子２５は、平面視略矩形状を有する。モジュール接続端子２５は、モジュール接続端子開口部３１（後述）内に配置され、その上面は、モジュール接続端子開口部３１から露出している。

複数のコネクタ接続端子３２は、複数の実装基板接続端子２４および複数のモジュール接続端子２５のそれぞれをコネクタ４に電気的に接続する端子であり、その数は、実装基板接続端子２４およびモジュール接続端子２５の合計数である。複数のコネクタ接続端子３２は、コネクタ領域２２に、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。すなわち、コネクタ４の複数のコネクタ側端子３８（後述）と対応するように設けられている。コネクタ接続端子３２は、第５開口部３３（後述）内に配置され、その上面は、第５開口部３３から露出している。

複数の第２金属接続配線３０は、複数の実装基板接続端子２４および複数のモジュール接続端子２５に対応するように設けられている。具体的には、複数の第２金属接続配線３０の一部は、実装基板接続端子２４とコネクタ接続端子３２とを前後方向に接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、第２金属接続配線３０の一端は、実装基板接続端子２４と連続し、第２金属接続配線３４の他端は、コネクタ接続端子３２と連続して、これらを電気的に接続している。また、複数の第２金属接続配線３０の一部（２つ）は、モジュール接続端子２５とコネクタ接続端子３２とを前後方向に接続するように、これらと一体的に形成されている。すなわち、第２金属接続配線３０の一端は、モジュール接続端子２５と連続し、第２金属接続配線３４の他端は、コネクタ接続端子３２と連続して、これらを電気的に接続している。

第２導体パターン２７の材料は、第１導体パターン８で上記した金属材料と同様の金属材料から形成され、好ましくは、銅が挙げられる。

第２導体パターン２７（第２金属接続配線３０、各端子２４、２５）の厚みＴ_５（ひいては、金属配線の総厚み）は、流せる電流の大きさの観点から、第１導体パターン８の厚みＴ_２よりも厚く、例えば、１２μｍを超過し、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。また、第１導体パターン８の厚みＴ_２に対する第２導体パターン２７の厚みＴ_５の比（Ｔ_５／Ｔ_２）（ひいては、実装基板２の金属配線の総厚みに対する接続基板３の金属配線の総厚みの比）は、例えば、１．２以上、好ましくは、１．５以上であり、また、例えば、１０以下、好ましくは、５以下である。

第２金属接続配線３０の幅は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

第２カバー絶縁層２８は、第２導体パターン２７を被覆するように、第２ベース絶縁層２６および第２導体パターン２７の上側に設けられている。すなわち、第２カバー絶縁層２８は、第２導体パターン２７の上面および側面、および、第２導体パターン２７から露出する第２ベース絶縁層２６の上面と接触するように、配置されている。第２カバー絶縁層２８の外形は、第２ベース絶縁層２６と同一となるように形成されている。

第２カバー絶縁層２８には、複数のモジュール接続端子開口部３１および複数のコネクタ接続端子開口部３３が形成されている。

複数のモジュール接続端子開口部３１（以下、第４開口部と略する。）は、モジュール接続端子２５を上面から露出するための開口部である。複数の第４開口部３１は、配置領域２０の後部の幅方向外側において、複数のモジュール接続端子２５に対応して、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の第４開口部３１は、第２カバー絶縁層２８を厚み方向に貫通し、平面視略矩形状を有する。

複数のコネクタ接続端子開口部３３（以下、第５開口部と略する。）は、コネクタ接続端子３２を上面から露出するための開口部である。複数の第５開口部３３は、コネクタ領域２２において、複数のコネクタ接続端子３２に対応して、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。

第２カバー絶縁層２８は、第２ベース絶縁層２６で上記した絶縁性材料と同様の絶縁性材料から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。

第２カバー絶縁層２８の厚みＴ_６は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

接続基板３の総厚み（最大厚み）は、流せる電流の大きさの観点および取扱い性の観点から、実装基板２よりも厚く、例えば、６０μｍを超過し、好ましくは、８０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１２０μｍ以下である。実装基板２の総厚みに対する接続基板３の総厚みの比は、例えば、１．５以上、好ましくは、２．０以上であり、また、例えば、１０以下、好ましくは、５以下である。

接続基板３は、例えば、第２ベース絶縁層２６を形成する工程、第２ベース絶縁層２６の上面に第２導体パターン２７を形成する工程、第２導体パターン２７および第２ベース絶縁層２６を被覆するように第２カバー絶縁層２８を形成する工程により、製造することができる。

（コネクタ）
コネクタ４は、接続基板３と外部機器（図示せず）とを電気的に接続するための接続素子である。コネクタ４は、図１Ａ－Ｂに示すように、左右方向に延びる平面視略矩形状を有する。コネクタ４は、複数のコネクタ接続端子３２と電気的に接続するためのコネクタ側端子３８を複数備える。

（基板積層体）
基板積層体１は、図１Ａ－Ｂに示すように、実装基板２と、実装基板２の上側に配置される接続基板３と、接続基板３の上側に配置されるコネクタ４とを備える。

接続基板３は、配置領域２０（接続基板３の一部）の下面が実装基板２の周辺領域６の上面に接触するように、実装基板２の周辺領域６の上側に配置されている。すなわち、厚み方向に投影したときに、接続基板３は、配置領域２０は実装基板２と重複するが、接続領域２１およびコネクタ領域２２は実装基板２と重複しないように、実装基板２の上側に配置されている。厚み方向に投影したときに、実装基板２は、接続基板３の配置領域２０を含んでいる。すなわち、平面視において、実装基板２は、接続基板３の配置領域２０よりも僅かに大きい。

配置領域２０は、実装基板２の４つの端部（前端部、後端部、左端部および右端部）に沿って配置されている。具体的には、配置領域２０は、実装領域５が実装領域開口部２３内に配置され、実装領域５の四方を囲うように配置されている。すなわち、実装領域開口部２３は、平面視において、実装領域５の全域を含んでおり、実装領域開口部２３の周端縁は、実装領域５の周端縁と間隔を隔てている。

接続基板３は、周辺領域６の上面に、図示しない絶縁性接着剤などを介して、固定されている。また、接続基板３は、実装基板２と電気的に接続されており、具体的には、図４Ｂに参照されるように、半田、導電性接着剤などの導電性接合材３５を介して、接続基板接続端子１３と実装基板接続端子２４とが接合されている。

コネクタ４は、コネクタ４の下面が接続基板３のコネクタ領域２２の上面に接触するように、接続基板３のコネクタ領域２２の上側に配置されている。厚み方向に投影したときに、コネクタ４は、コネクタ領域２２の平面視略中央に配置されている。

コネクタ４は、コネクタ領域２２の上面に、図示しない絶縁性接着剤などを介して、固定されている。また、コネクタ４は、接続基板３と電気的に接続されており、具体的には、導電性接合材３５を介して、コネクタ接続端子３２とコネクタ側端子３８とが接合されている。

このような基板積層体１は、例えば、撮像素子４１（後述）を実装するための配線回路基板に用いられる。すなわち、基板積層体１は、カメラモジュールなどの撮像装置に用いられる。

２．撮像装置
図５Ａ－図６Ｂを参照して、基板積層体１を備える撮像装置４０を説明する。

撮像装置４０は、基板積層体１、撮像素子４１、ハウジング４２、光学レンズ４３、フィルター４４、および、アクチュエータモジュール４５を備える。

撮像素子４１は、光を電気信号に変換する半導体素子であって、例えば、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサなどの固体撮像素子が挙げられる。撮像素子４１を稼働するために必要な電流は、例えば、５００ｍＡ以下、好ましくは、３００ｍＡ未満であり、また、例えば、５０ｍＡ以上である。

撮像素子４１は、平面視略矩形の平板形状に形成されており、図示しないが、Ｓｉ基板などのシリコンと、その上に配置されるフォトダイオード（光電変換素子）およびカラーフィルターとを備える。撮像素子４１の下面には、実装基板２の撮像素子接続端子１２と対応する端子４６が複数設けられている。

撮像素子４１（特にＳｉ基板）の弾性率は、例えば、１００ＧＰａ以上、好ましくは、１２０ＧＰａ以上であり、また、例えば、２００ＧＰａ以下、好ましくは、１５０ＧＰａ以下である。撮像素子４１の弾性率は、例えば、引っ張り試験測定により、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に準拠して測定することができる。

撮像素子４１（特にＳｉ基板）の熱膨張係数は、例えば、１ｐｐｍ／Ｋ以上、好ましくは、２ｐｐｍ／Ｋ以上であり、また、例えば、１０ｐｐｍ／Ｋ以下、好ましくは、５ｐｐｍ／Ｋ以下である。撮像素子４１の熱膨張係数は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析装置や光走査式測定装置により、ＪＩＳ Ｚ ２２８５に準拠して測定することができる。

撮像素子４１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

撮像素子４１は、実装基板２の実装領域５に実装されている。すなわち、撮像素子４１の端子４６は、対応する実装基板２の撮像素子接続端子１２と、半田などの導電性接合材３５などを介して、フリップチップ実装されている。これにより、撮像素子４１は、実装基板２の実装領域５の上面に配置され、実装基板２の撮像素子接続端子１２と電気的に接続されている。

撮像素子４１は、実装基板２の実装領域５に実装されることにより、図５Ａ－Ｂに示すように、撮像ユニット４９を構成する。すなわち、撮像ユニット４９は、基板積層体１と、それに実装される撮像素子４１とを備える。

ハウジング４２は、周辺領域６の上面に、撮像素子４１と面方向に間隔を隔てて囲うように配置されている。ハウジング４２は、平面視略矩形状の筒状を有する。ハウジング４２の上端には、光学レンズ４３を固定するための固定部が設けられている。

また、ハウジング４２には、ハウジング４２の下端（端部）に設けられるハウジング側端子４７と、アクチュエータモジュール４５からハウジング側端子４７まで延びるモジュール接続配線４８とを備える。ハウジング側端子４７は、導電性接合材３５を介して、モジュール接続端子２５と接合されている。これにより、アクチュエータモジュール４５は、実装基板２を介さずに、接続基板３と直接電気的に接続されている。

光学レンズ４３は、実装基板２の上側に、実装基板２および撮像素子４１と間隔を隔てて配置されている。光学レンズ４３は、平面視略円形状に形成され、外部からの光が、撮像素子４１に到達するように、固定部によって固定されている。

フィルター４４は、撮像素子４１および光学レンズ４３の上下方向中央に、これらと間隔を隔てて配置され、ハウジング４２に固定されている。

アクチュエータモジュール４５は、外部機器からの電気信号を物理的運動に変換する素子であって、例えば、オートフォーカス素子（ａｕｔｏｆｏｃｕｓ）、手振れ補正機構（ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｅ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）などが挙げられる。アクチュエータモジュール４５を稼働するために必要な電流は、例えば、２００ｍＡ以上、好ましくは、３００ｍＡ以上であり、また、例えば、１０００ｍＡ以下である。

アクチュエータモジュール４５は、光学レンズ４３の周辺において、ハウジング４２に固定されている。

そして、基板積層体１は、実装基板２と、接続基板３とを備え、実装基板２は、第１金属配線１４を有し、第１金属配線１４の厚みが、１２μｍ以下であり、実装基板２の総厚みが、６０μｍ以下である。また、接続基板３の配置領域２０が、実装基板２の周辺領域６に配置されている。

この基板積層体１では、実装基板２および第１金属配線１４が非常に薄い。そのため、撮像素子４１の熱膨張に合わせて、実装基板２の実装領域５は、柔軟に変形して、熱応力の発生を抑制することができる。結果、高温および低温を繰り返す環境下において、実装基板２の実装領域５、ひいては、撮像装置４０の反りの発生を抑制することができる。

また、接続基板３の配置領域２０が、実装基板２の周辺領域６の上側に配置されている。そのため、アクチュエータモジュール４５は、実装基板２を介さずに、接続基板３に直接電気的に接続することができる。そのため、アクチュエータモジュール４５を基板積層体１に配置して、電気的に接続可能となり、アクチュエータモジュール４５を稼働させることができる。

また、基板積層体１では、接続基板３の配置領域２０が、周辺領域６の上側（撮像素子４１が実装される側）に配置されている。

このため、撮像装置４０の低背化を図ることができる。すなわち、撮像装置４０の上端と下端との上下方向距離（図６Ｂでは、ハウジング４２の上端と、実装基板２の下面との上下方向距離）を小さくできる。具体的には、接続基板３が、周辺領域６の下側に配置されている図７Ｂに示す第２実施形態（後述）では、撮像装置４０の上端と下端との上下方向距離は、ハウジング４２と接続基板３の下面との上下方向距離となるため、図６Ｂに示す第１実施形態は、図７Ｂに示す第２実施形態と比して、接続基板３の厚み分、低背化することができる。なお、第１実施形態および第２実施形態ともに、光学レンズ４３の中心と撮像素子４１の上面との上下方向距離（すなわち、焦点距離、図７Ｂに示すＤ_１）は同一であるため、ハウジング４２の上端と実装基板２の上面との上下方向距離（図７Ｂに示すＤ_２）も、互いに同一である。

また、基板積層体１では、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の４つの端部に沿って配置されている。すなわち、配置領域２０は、実装領域５の四方を囲うように配置されている。

このため、実装基板２と接続基板３との接触面積が大きくなっているため、これらの接合強度がより一層高くなっている。その結果、基板積層体１を上下方向に折り曲げても、実装基板２と接続基板３との接合点において、分離破壊を確実に抑制できる。

また、基板積層体１では、実装基板２において、配線領域１７の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下である。

このため、配線領域１７の弾性率が小さく、柔軟である。したがって、実装基板２の反りを良く確実に抑制することができる。

また、撮像装置４０は、基板積層体１、撮像素子４１およびアクチュエータモジュール４５を備える。

このため、撮像装置４０の反りを抑制することができるとともに、アクチュエータモジュール４５を稼働させることができる。

３．変形例
（１）図３に示す実装基板２は、第１ベース絶縁層７と、第１導体パターン８と、第１カバー絶縁層９とを厚み方向に順に備えるが、すなわち、実装基板２の導体層（導体パターン）は、単層であるが、例えば、図示しないが、実装基板２の導体層は、複層（例えば、２層以上、好ましくは、２～４層）であってもよい。すなわち、例えば、実装基板２は、第１ベース絶縁層７と、第１導体パターン８と、第１カバー絶縁層９と、第３導体パターンと、第３カバー絶縁層とを厚み方向に順に備えていてもよく（導体層２層構成）、また、実装基板２は、第１ベース絶縁層７と、第１導体パターン８と、第１カバー絶縁層９と、第３導体パターンと、第３カバー絶縁層と、第４導体パターンと、第４カバー絶縁層とを厚み方向に順に備えていてもよい（導体層３層構成）。

第３導体パターンおよび第４導体パターンの構成は、それぞれ、第１導体パターン８の構成と同様であり、また、第３カバー絶縁層および第４カバー絶縁層の構成は、それぞれ、第１カバー絶縁層９の構成と同様である。

実装基板２の総厚みも、図３に示す実施形態と同様（例えば、６０μｍ以下など）である。

実装基板２における金属配線の総厚み（例えば、第１導体パターンが備える第１金属配線１４、第３導体パターンが備える金属配線、および、第４導体パターンが備える金属配線の合計厚み）は、例えば、反りの抑制の観点から、例えば、１２μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、８μｍ以下であり、また、取扱い性の観点から、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。実装基板２の金属配線の総厚みに対する接続基板３の金属配線の総厚みの比も、図１に示す実施形態と同様（例えば、１．２以上など）である。また、配線領域（各導体層の金属配線が存在する領域）の等価弾性率Ｄや、全絶縁層の合計厚みに対する全金属の合計厚みの割合なども、図１に示す実施形態と同様である。

（２）図４Ａ－Ｂに示す接続基板３は、第２ベース絶縁層２６と、第２導体パターン２７と、第２カバー絶縁層２８とを厚み方向に順に備えるが、すなわち、接続基板３の導体層（導体パターン）は、単層であるが、例えば、図示しないが、接続基板３の導体層は、複層（例えば、２層以上、好ましくは、２～４層）であってもよい。すなわち、例えば、接続基板３は、第２ベース絶縁層２６と、第２導体パターン２７と、第２カバー絶縁層２８と、第５導体パターンと、第５カバー絶縁層とを厚み方向に順に備えていてもよく（導体層２層構成）、また、接続基板３は、第２ベース絶縁層２６と、第２導体パターン２７と、第２カバー絶縁層２８と、第５導体パターンと、第５カバー絶縁層と、第６導体パターンと、第６カバー絶縁層とを厚み方向に順に備えていてもよい（導体層３層構成）。

第５導体パターンおよび第６導体パターンの構成は、それぞれ、第２導体パターン２７と同様であり、第５カバー絶縁層および第６カバー絶縁層の構成は、それぞれ、第２カバー絶縁層２８の構成と同様である。

接続基板３の総厚みも、図４Ａ－Ｂに示す実施形態と同様（例えば、６０μｍ超など）である。

金属配線の総厚み（具体的には、第２導体パターンが備える第２金属接続配線３０、第５導体パターンが備える金属接続配線、および、第６導体パターンが備える金属接続配線の合計厚み）は、例えば、より多くの電流を流す観点から、例えば、１２μｍを超過し、好ましくは、１５μｍ以上、また、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。また、実装基板２の金属配線の総厚みに対する接続基板３の金属配線の総厚みの比も、図１に示す実施形態と同様（例えば、１．２以上など）である。

（３）図６Ｂに示す撮像装置４０では、撮像素子４１は、実装基板２にフリップチップ実装されているが、例えば、図示しないが、撮像素子４１は、実装基板２にワイヤボンディングによって実装することもできる。

（４）図６に示す撮像装置４０では、モジュール接続端子２５は、ハウジング側端子４７と、導電性接合材３５を介して電気的に接続されているが、例えば、図示しないが、モジュール接続端子２５は、ハウジング側端子４７とワイヤボンディングによって電気的に接続することもできる。

＜第２実施形態＞
図７Ａ－Ｂを参照して、基板積層体１および撮像装置４０の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態の基板積層体１および撮像装置４０において、上記した図に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

第１実施形態の実装基板２では、接続基板３の配置領域２０は、周辺領域６の上側に配置されているが、第２実施形態の実装基板２では、図７Ａ－Ｂに示すように、接続基板３の配置領域２０は、周辺領域６の下側に配置されている。

第２実施形態では、実装基板２の接続基板接続端子１３は、下側に露出するように配置され、接続基板３の実装基板接続端子２４は、上側に露出するように配置されており、これらが、導電性接合材３５を介して、電気的に接続されている。

また、実装基板２には、ハウジング側端子４７およびモジュール接続端子２５に対応する位置に貫通孔３６が設けられている。ハウジング４２のハウジング側端子４７は、貫通孔３６およびモジュール接続端子開口部３１内部の導電性接合材３５を介して、モジュール接続端子２５と電気的に接続されている。

第２実施形態の基板積層体１および撮像装置４０についても、第１実施形態の基板積層体１および撮像装置４０と同様の作用効果を奏する。撮像装置４０の低背化の観点から、好ましくは、第１実施形態が挙げられる。また、第２実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。

＜第３実施形態＞
図８Ａ－Ｂを参照して、基板積層体１および撮像装置４０の第３実施形態について説明する。なお、第３実施形態の基板積層体１および撮像装置４０において、上記した図に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

第１実施形態の基板積層体１は、実装基板２、接続基板３およびコネクタ４を備えているが、第３実施形態の基板積層体１は、図８Ａ－Ｂに示すように、実装基板２、接続基板３、コネクタ４、および、リジッド基板５０を備えている。

リジッド基板５０は、可撓性を有しない硬質の配線基板であり、例えば、セラミック基板、ガラスエポキシ基板などから構成されている。

リジッド基板５０は、上下方向において、実装基板２と接続基板３との間に配置されている。具体的には、リジッド基板５０は、その下面が実装基板２の周辺領域６の上面と接触し、その上面が接続基板３の配置領域２０の下面と接触するように、周辺領域６の上側および配置領域２０の下側に配置されている。リジッド基板５０は、外形および内形がともに平面視略矩形状である略矩形枠状に形成されており、厚み方向に投影したときに、接続基板３の配置領域２０と一致する。すなわち、リジッド基板５０の形状は、平面視において、接続基板３の配置領域２０の形状と略同一である。

リジッド基板５０の後端部には、接続基板接続端子１３と実装基板接続端子２４とを厚み方向に電気的に接続する導通部（図示せず）が複数設けられている。

リジッド基板５０の厚みは、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

接続基板３は、リジッド基板５０の上側に配置されている。具体的には、接続基板３は、その下面がリジッド基板５０の上面と接触するように、リジッド基板５０の上側に配置されている。

また、図８Ａ－Ｂに示す実施形態では、リジッド基板５０は、実装基板２の上側および接続基板３の下側に配置されているが、例えば、図９Ａ－Ｂに示すように、リジッド基板５０は、接続基板３の上側に配置することもできる。すなわち、リジッド基板５０は、接続基板３の上側およびハウジング４２の下側に配置することができる。この場合、リジッド基板５０の後端部には、モジュール接続端子２５とハウジング側端子４７とを厚み方向に電気的に接続するビア導通部５１が複数設けられている。これにより、リジッド基板５０は、アクチュエータモジュール４５と直接、電気的に接続可能となる。

第３実施形態（図８～図９）の基板積層体１および撮像装置４０についても、第１実施形態の基板積層体１および撮像装置４０と同様の作用効果を奏する。リジッド基板５０によって実装基板２の周辺領域６が補強されており、実装基板２の反りをより確実に抑制することができる観点から、好ましくは、第３実施形態の基板積層体１および撮像装置４０が挙げられる。さらに、図９Ａ－Ｂに示す実施形態では、硬いリジッド基板５０に撮像素子４１を直接実装することができる。このため、撮像素子４１を、図９Ａに示す基板積層体１に安定して配置することができ、容易に実装することができる。また、第３実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。

＜第４実施形態＞
図１０を参照して、基板積層体１の第４実施形態について説明する。なお、第４実施形態の基板積層体１において、上記した図に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

第１実施形態の基板積層体１では、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の４つの端部に沿って配置されているが、第４実施形態の基板積層体１では、図１０に示すように、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の１つの端部（後端部）に沿って配置されている。

第４実施形態では、接続基板３の配置領域２０は、左右方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。

第４実施形態の基板積層体１および撮像装置４０についても、第１実施形態の基板積層体１および撮像装置４０と同様の作用効果を奏する。実装基板２と接続基板３との接合強度が高く、実装基板２と接続基板３との分離破壊を確実に抑制できる観点から、好ましくは、第１実施形態が挙げられる。また、第４実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。

＜第５～６実施形態＞
図１１～図１２を参照して、基板積層体１の第５～６実施形態について説明する。なお、第５～６実施形態の基板積層体１において、上記した図に示す第１実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。

第１実施形態の基板積層体１では、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の４つの端部に沿って配置されているが、第５実施形態の基板積層体１では、図１１に示すように、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の２つの端部（後端部および右端部）に沿って配置されている。すなわち、第５実施形態では、接続基板３の配置領域２０は、左右方向および前後方向に延びる平面視略逆Ｌ字状に形成されている。

また、第６実施形態の基板積層体１では、図１２に示すように、接続基板３の配置領域２０は、実装基板２の３つの端部（後端部、右端部および左端部）に沿って配置されている。すなわち、第６実施形態では、接続基板３の配置領域２０は、前端部が開放される平面視略コ字状に形成されている。

第５～６実施形態の基板積層体１および撮像装置４０についても、第１実施形態の基板積層体１および撮像装置４０と同様の作用効果を奏する。実装基板２と接続基板３との接合強度が高く、実装基板２と接続基板３との分離破壊を確実に抑制できる観点から、好ましくは、第１実施形態が挙げられる。また、第５～６実施形態についても第１実施形態と同様の変形例を適用できる。

１ 基板積層体
２ 撮像素子実装基板
３ 外部機器接続フレキシブル配線回路基板
５ 実装領域
６ 周辺領域
１４ 第１金属配線
１７ 配線領域
２０ 実装基板配置領域
４０ 撮像装置
４１ 撮像素子
４５ アクチュエータモジュール
５０ リジッド基板

Claims (8)

1. 撮像素子を実装するための撮像素子実装基板と、
   アクチュエータモジュールと電気的に接続可能であり、前記撮像素子実装基板と電気的に接続されるフレキシブル配線回路基板と
   を備え、
   前記撮像素子実装基板は、金属配線を有し、
   前記金属配線の厚みが、１２μｍ以下であり、
   前記撮像素子実装基板の総厚みが、６０μｍ以下であり、
   前記フレキシブル配線回路基板の一部が、前記撮像素子実装基板において、前記撮像素子が実装される実装領域以外の領域に、配置されていることを特徴とする、基板積層体。
2. 前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記撮像素子が実装される側の領域に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板積層体。
3. 前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記撮像素子実装基板の少なくとも一つの端部に沿って配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板積層体。
4. 前記フレキシブル配線回路基板の前記一部は、前記実装領域の四方を囲うように配置されていることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板積層体。
5. 前記撮像素子が実装される側の領域に配置されるリジッド基板をさらに備えることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板積層体。
6. 前記リジッド基板が、前記アクチュエータモジュールと電気的に接続可能であることを特徴とする、請求項５に記載の基板積層体。
7. 前記撮像素子実装基板において、前記金属配線が配置される配線領域の等価弾性率が、５ＧＰａ以上、５５ＧＰａ以下であることを特徴とする、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板積層体。
8. 請求項１～７のいずれか一項に記載の基板積層体と、
   前記基板積層体に実装される撮像素子と、
   前記基板積層体に実装され、アクチュエータモジュールと
   を備えることを特徴とする、撮像装置。

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