JPH02224398A - クロスト―クノイズを低減した配線板およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、クロストークノイズを低減した配線板および
その製造法に関する。

（従来の技術） 電子機器の発達に伴い、配線板の配線密度も非常に高い
ものが要求されるようになってきている。

このような配線密度の高い配線板として、必要な配線パ
ターンにワイヤを使用した配線板（以下マルチワイヤ配
線板（日立化成工業株式会社製、商品名）と呼ぶ）や多
層印刷配線板がある。

マルチワイヤ配線板は、特公昭４５−２１４３４号公報
によって開示されているように、電源層やグランド層な
どの回路を形成した内層基板上に接着性を有する樹脂層
（接着性絶縁層）を形成した後、数値制御布線機により
ポリイミド樹脂などで被覆されたワイヤを布線（ワイヤ
を接着剤に、はわせてゆくと同時に超音波接着する）し
、プレス等によりワイヤを固定し、上記ワイヤを横切る
スルーホールをあけ、その内部に無電解金属層を形成し
て製造されている。

また、多層印刷配線板は、複数の内層回路を有する内層
回路板の最外層を、銅箔の不要部分をエツチング除去し
て形成する方法と必要な部分に銅をめっきして形成する
方法があり、複数の回路板を積層接着する方法としては
、該複数の回路板と絶縁板を位！合わせのピンを用いて
交互に重ね加熱加圧して積層するビンラミネーシッン法
と、回路板の上に銅張絶縁板を重ね積層一体化して該銅
箔の不要部分をエツチング除去しこれを繰り返すビルド
アップ法とがある。

ところで、最近、ＯＡ、ＦＡ等の自動化が進む一方、ロ
ボット、制御装置等の不要輻射電波障害による事故が増
えており、その障害が社会的問題となりつつある。

この不要輻射電波障害を低減するには、電波を発射する
配線板をシールド化することが一般化されつつあるが、
高密度化した配線板においては、さらに、同一の配線板
上における導体間の影響すなわちクロストートノイズが
同一配線板上の高速回路に与える影響を無視できなくな
ってきた。

マルチワイヤ配線板や多層印刷配線板においても同様で
、高密度化の要求に対応するため、ワイヤの芯径または
信号ラインの幅が０．１ｍｍのものを使用して、２．５
４ｍｍ間に３本の配線あるいは１．２７ｍｍ間に２本の
配線を行っているが、この場合、ワイヤや信号線のピッ
チは０．３ｍｍ以下となり、やはり、隣接するワイヤ間
でのクロストークが問題になる。この対策として、ワイ
ヤの芯径や信号ラインの幅を０．０４ｍｍ程度にしてワ
イヤまたは信号ライン間の間隔を大きくすることが知ら
れている。また、配線板をシールド化する方法として、
第８図（ａ）〜（ｈ）に示すように、アースパターンと
信号ラインをビルドアップして形成することが特公昭５
８−５４５２０号公報によって知られており、また、特
開昭５１−７１９６１号公報に示されているように、導
電性塗膜をシールドに用いること、および、めっきで導
電性シールド層を形成するものが米国特許筒４，６４６
゜４３６号に開示されている。

（発明が解決しようとする課題） ところが、マルチワイヤ配線板においては、ワイヤの芯
径を小さくする方法ではワイヤの破断強度が低下するた
め、布線時に適正な接着力を得るために加える超音波エ
ネルギーにより、ワイヤの交差部で断線する確率が高く
なるという重大な問題が発生し、また、高密度布線を行
うためには、ワイヤを接着性絶縁層に十分埋め込み、固
定しなければならない、このため、ワイヤの上部と接着
性絶縁樹脂層表面の段差はワイヤ径の半分以下となり、
上記の導電性塗膜を用いる方法やめっきで導電層を形成
する方法では、隣接するワイヤ間にクロストークを低減
するに十分なシールド層を形成したことにはならない。

多層印刷配線板においても、ライン幅を小さくすると銅
箔のキズ、絶縁板のうねり等が紫外線によるパターン形
成において大きく影響し、信号ラインの形成が極端に困
難になる。また、従来の技術のようにアースパターンと
信号ラインをビルドアップして形成することは、このよ
うな高密度の配線パターンを必要とされる配線板におい
て配線密度を低下させる大きな要因となり、また製造工
程をも複雑化させる。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、クロ
ストークノイズが小さく、かつ高密度配線に適した配線
板とその配線板を効率良く製造する方法を提供するもの
である。

（課題を解決するための手段） 本発明は、高密度印刷配線板において、信号線路を取り
囲むようにしたシールド層を用いることによってクロス
トークを低減し、そのシールド層を効率良く形成する方
法を提供する。

本発明の配線板は、第１図に示すように、グランドＮ１
および／または電源ｌ１ｉ９を有する回路板２と、この
回路板２の表面に設けた絶縁層３と、その絶縁Ｎ３の表
面に設けた接着性ｖＡ縁Ｎｔｏの表面に所望の形状に固
定した複数の絶縁ワイヤ４と、この絶縁ワイヤ４の周囲
に設けた絶縁層３゛と、その絶縁層３°からグランド層
１に達するスリット５と、このスリット５の内壁と露出
したグランド層１の表面と絶縁層３°の表面に設けられ
たシールド層６と、シールド層６に接続された導通孔７
と、シールド層６と接続されず絶縁ワイヤ４と接続され
た導通孔８とを備えたことを特徴とするものである。こ
のときに、信号＆ｉｌ路は、必ずしも絶縁ワイヤ４であ
る必要はなく、第２図に示すように通常の配線板の銅箔
を用いた信号ライン４°でも使用できる。

本発明の配線板の製造法は、前記マルチワイヤー配線板
の場合は、グランドＮ１および／またはｉ湿層９を有す
る回路板２　（第３図（ａ）に示す。

）の表面に、絶縁Ｎ３を設け、その表面に設けた接着性
絶縁層１０に複数の絶縁ワイヤ（４）を所望の形状に固
定しく第３図（ｂ）に示す、）、その絶縁ワイヤ４の表
面に、絶縁層３°を介して金属箔１１を接着し、金属箔
１１のスリット５を形成する部分を除去しエツチングス
リット１３を形成しく第３図（Ｃ）に示す、）、 その後、スリット５を形成する部分のエツチングスリッ
ト１３から露出した絶縁層３の表面に、グランド層１に
達するまでレーザを照射し、スリット５を形成しく第３
図（ｄ）に示す、）、そのスリット５の内壁と露出した
グランドＮ９と絶縁層３°表面に、めっきでシールド層
６を形成しく第３図（ｅ）に示す、）、 次に、絶縁ワイヤ４と接続する導通孔７を形成する部分
のシールド層６を除去しく第３図Ｃｆ＞に示す、）、絶
縁ワイヤ４と接続する導通孔７と、絶縁ワイヤに接続さ
れずシールド層６に接続される導通孔８を形成する（第
３図（ｇ）に示す、）ことができ、このときに、第４図
（ａ）〜（ｇ）に示すように、スリット５を形成する表
面に予め金属箔１１を形成することなく絶縁層３°の表
面にレーザを照射してスリット５を形成した後めっき等
でシールド層６を形成してもよく、また、第５図（ａ）
〜（ｇ）に示すように、絶縁ワイヤ４の上に絶縁層３を
設けず接着性絶縁樹脂ｌＯ°を設けることとすることも
できる。

また、多層印刷配線板においては、第６図（ａ）〜Ｃｆ
’）に示すように、絶縁ワイヤ４に代えて通常の配線板
の製造法を用い、信号ライン４′を形成した回路板２を
用いることもでき、また、第７図（ａ）〜＜ｒ＞に示す
ように、スリット５を形成する表面に予め金属箔１１を
形成することなく絶縁層３の表面にレーザを照射してス
リット５を形成した後めっき等でシールド層６を形成し
てもよい。

このような配線板とその製造法において、シールド層６
を保護する樹脂層１２を設けることが好ましく、シール
ド層６の表面に樹脂７１１２を塗布し半硬化状態にして
、さらにその表面に金属′ｆ３１２を配して加熱加圧す
る。シールド保護樹脂層１２としては、前記した絶縁樹
脂３と同様のものが使用可能である。

また、シールド層６は、無電解銅めっきに限らず、金、
銀、カーボンの粒子を樹脂中に分散させた導電性インク
を浸漬塗布したり、スプレーによって吹き付けたりして
も形成することができ、経済的に好ましい、また、無電
解めっきのほか薄く無電解めっきを行ったのちに電気め
っきを行っても形成できる。

さらに、絶縁層３．３°や接着性絶縁層１０の樹脂中に
ガラス短繊維を１０〜４０重量部添加すれば、壁の凹凸
が比較的大きくなり、めっき密着性向上の点で好ましい
。

絶縁ワイヤ４としては、直径が６０〜１００μｍの銅、
銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金などやこの線
材表面に金めつきゃ銀めっきを行ったワイヤを用いるこ
とができる。

また、ワイヤの絶縁被覆層としては、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、フッ素系樹脂などとエポキシ／ポリビニ
ルブチラール、エポキシ／ナイロン、フェノール／ナイ
ロンなどによる２重構造のものが使用可能で、市販品と
しては、コイルに用いられている自己融着性エナメルの
線が可能である。

金属ｗ３１１としては、銅、銅合金、ニッケル、アルミ
ニウム製の厚さ１８〜３５μｍのものが使用可能である
。また、エンチングスリット１３の形成法としては、現
在、配線板に使用されいるエツチドフォイル法が好まし
いが、特に限定するものではない。

レーザ光としては、有機物である絶縁層３や接着性絶縁
層ｌＯが容易に除去でき、かつグランド層１の金属層が
除去困難な、炭酸ガスレーザが好ましい、また、絶縁層
がガラスやセラミックスの場合は、ＹＡＧレーザやエキ
シマレーザなどが好ましい。

（作用） 本発明による配線板は、信号を伝達する絶縁ワイヤまた
は信号ラインがシールド層とグランド層によって囲まれ
ているので、隣接した絶縁ワイヤまたは信号ライン間で
の電磁結合が遮断され、クロストークノイズを大巾に低
減することができ、また、導通孔や他の絶縁ワイヤまた
は信号ラインの影響による特性インピーダンス陪伝搬遅
延時間の変動が極めて小さい。

実施例 以下に、各実施例に用いた樹脂組成物の組成を示す。

〔組成物ｌの組成〕

以下の組成の樹脂３００ｇに、塩化パラジウム１ｇｔ−
Ｎ−メチル−２−ピロリドン５０ｇに溶解した溶液を混
合する。

・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート　
　　　　　　　　：６００ｇ／ｊ！・エポキシ樹脂　　
　　　　：１０９ｇ／ｊ・アクリロニトリルブタジェン
共重合体ゴム：　　２０ｇ／ｊ！ ・フェノール樹脂　　　　　：　　６０ｇ／ｊ！・アク
リロニトリルブタジェン １４４ｇ／ｊ！ ・シリコンジオキシド　　　：　　５０ｇ／ｌ〔組成物
■の組成〕 ・フェノキシ樹脂ＹＰ−５０ （東部化成株式会社、商品名） ２１００重量部 ・メチル化メラミン、メラン５２３ （日立化成工業株式会社、商品名） ：　１５重量部 ・ガラス短繊維ＡＧＰ−０１ＢＺ （旭シェーベル株式会社、商品名） ：　３５重量部 ・メタブロム安息香Ｍ：ｏ、３重量部 ・無電解めっき触媒Ｃａ　ｔ＃１１ （日立化成工業株式会社、商品名） ２．５重量部 ・セロソルブアセテート　　：２２０重量部〔組成物■
の組成〕 ・フヱノトートＹＰ−５０ （東部化成株式会社、商品名） ：　７０重量部 ・エピコート８２８ （油化シェルエポキシ株式会社、商品名）：　２０重量
部 ・ＤＥＮ４３８ （ダウケミカル社、商品名） １０重量部 ・エスレックＢＭ−２ （積水化学工業株式会社、商品名） ：　２０重量部 ・メラン５２３ （日立化成工業株式会社、商品名） ：　２０重量部 ・　２ＰＺ−ＣＮＳ （四国化成工業株式会社、商品名） ：　　２重量部 ・クリスタライトＶＸ−Ｘ ＣａＫ森株式会社、商品名） ：　２０重量部 Ｃａ　　ｔ＃ｌ　　Ｑ （日立化成工業株式会社、商品名） ：　　３重量部 ・セロソルブアセテート （和光純薬株式会社、商品名） ＝２００重量部 実施例１ 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積層板ＭＣＬ−［−
６７（日立化成工業株式会社、商品名）の表面に所望の
エツチングレジストを形成し、不要の！ｊｉＶ３をエツ
チング除去して、電源、グランド層を形成した内層回路
板を作成する。

この内層回路板の表面に、ガラス・ポリイミドのプリプ
レグＣＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名
）を重ね、１８０℃、３０　ｋ　ｇ　／　ｃｄの条件で
９０分間加圧加熱し、さらに２１０℃で４０分間加熱硬
化した。

前記組成物■を厚さ６０μｍのドライフィルムにし、１
５０℃・１０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｔ・１０分間のプレ
ス条件でラミネートし、導体径０．０６ｍｍ、外径０．
１４ｍｍのワイヤを数値制御布線機によって、配線密度
２本／１．２７ｍｍ、ワイヤビ７チ０７４ｍｍの配線ル
ールで所望のパターンに布線し、固定した。

この基板表面に、前記組成物■を厚さ１５０μｍのドラ
イフィルムにしたものを、１５０℃・１０ｋｇ／ｃｎ（
１０分間のプレス条件でラミネートした後、さらに、銅
箔を重ね、１７０℃・３０ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｄの条件
で９０分間加圧加熱して積層−体化した。

この基板のスリットを形成する部分を除く表面にエツチ
ングレジストを形成し、スリット形成部の銅箔をエツチ
ング除去し、エチングレジストを剥離した後、スリット
を形成する部分に、スポット径を１００μｍに絞った炭
酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１　ｍ　ｓの条件
で照射し、基板をセットしたテーブルを２．５ｍ／分の
速度で移動させながらスリットを形成した。

このスリットを形成した基板を洗浄、触媒付与、密着促
進後、無電解鋼めっき液層　ｉ　ｄ　−４１０（日立化
成工業株式会社、商品名）に１０時間浸漬して厚さ２５
μｍのシールド層を形成した。

このシールド層と接続されない導通孔の形成部を除いて
エツチングレジストを形成し、不要なシールド層をエツ
チング除去した。

この基板表面に、ガラス・ポリイミド製プリプレグＣＩ
Ａ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名）と銅箔
を重ね、１８０℃、３０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｄの条件
で９０分間加圧加熱し積層一体化した後、基板の所望の
箇所に直径０．２５ｍｍのドリルで穴あけをし、洗浄、
触媒付与、密着促進後、無電解銅めっきを行い、孔内壁
とｓＲ箔表面に約３５μｍの無電解鋼めっき層を形成し
、パッドや部品実装端子など必要な箇所にエツチングレ
ジストを形成し、不要な銅をエツチング除去した。

実施例２ 無電解めっき触媒含有の両面粗化銅箔張りガラス・エポ
キシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−１６８（日立化成工業株式会社
、商品名）の表面に所望のエツチングレジストを形成し
、不要の銅箔をエツチング除去して、電源、グランド層
を形成した内層回路板を作製した。

この内層回路板の表面に、前記組成■を塗布し、１６０
℃で３０分間乾燥して、厚さ７０μｍの絶縁層を形成し
た後、前記組成物Ｉを厚さ６０μｍのドライフィルムに
し、１５０℃・１０ｋｇ／ｃｎ（−１０分間のプレス条
件でラミネートし、導体径０．０６ｍｍ、外径０．１４
ｍｍのワイヤを数値制御布線機によって、配線密度２本
／１．２７ｍｍ、ワイヤピッチＱ、４ｍｍの配線ルール
で所望のパターンに布線し、固定した。

前記組成物■を厚さ１５０μｍのドライフィルムにし、
１５０℃・１０ｋｇ／ｃｎｌｌＯ分のプレス条件でラミ
ネートしたのち、さらに！ｌｉｒ＆を重ね、１７０℃・
３０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｔｒｌで９０分間加圧加熱し積
層一体化した。

この基板のスリットを形成する部分を除く表面にエツチ
ングレジストを形成し、スリット形成部の銅箔をエツチ
ング除去し、エチングレジストを剥離した後、スリット
を形成する部分に、スポット径を１００μｍに絞った炭
酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｍｓの条件で照
射し、基板をセントしたテーブルを２．５ｍ／分の速度
で移動させながらスリットを形成した。

この基板を洗浄後、直ちに無電解銅めっき液Ｈｉｄ−４
１０（日立化成工業株式会社、商品名）に１０時間浸漬
して厚さ２５μｍのシールド層を形成した。

以後の導通孔の形成部のシールド層のエツチング、絶縁
化、孔あけ、無電解銅めっき及び回路形成の工程は実施
例１と同様に行った。

実施例３ シールド層を形成するために、スクリーン印刷法で、こ
の基板の表面に導電性ＡｇペーストのエボテックＷＥ−
１２（米国エポキシテクノロジー社、商品名）を塗布し
、真空脱気したのち１６０℃・６０分の条件で加熱硬化
した以外は実施例１と同様に行った。

実施例４ 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積Ｎ仮ＭＣＬ−１−
６７（日立化成工業株式会社、商品名）の表面に所望の
エツチングレジストを形成し不要のｗ４箔をエツチング
除去して、ｖＸ源、グランド層を形成した内層回路板を
作製した。

この内層回路板の表面に、ガラス・ポリイミドのプリプ
レグＣＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名
）を重ね、１８０℃、３０ｋｇ／ｃｄの条件で９０分間
加圧加熱し、さらに、２１０℃で４０分間加熱硬化した
。

前記組成物■を厚さ６０μｍのドライフィルムにし、１
５０℃　１０ｋｇ／ｃｎｌｌＯ分のプレス条件でラミネ
ートし、数値制御布線機を用いて導体径０．０６ｍｍ、
外径０．１４ｍｍのワイヤを配線密度２本／１．２７ｍ
ｍ、ワイヤピッチ０．４ｍｍの配線ルールで所望のパタ
ーンに布線し、固定する。

この基板表面に、前記組成物■を厚さ１００μｍのドラ
イフィルムにし、１５０℃・１０ｋｇ／ｃｒｔ・１０分
のプレス条件でラミネートしたのち、さらに、１７０℃
で９０分間加熱し硬化し、さらに、前記組成物！を厚さ
３０μｍになるようにデイツプコートしたのち、１７０
℃で７０分間加熱硬化し、スリット形成部に、スポット
径を１００μｍに絞った炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、
パルス中１ｍｓの条件で照射し、基板をセントした　テ
ーブルを２．５ｍ／分の速度で移動させながらスリット
を形成した。

この基板を５０℃にした無水クロム酸６０ｇ／！と硫酸
３ＱＱｍｊ！／ｊの混合水溶液に１０分間浸漬したのち
、常温の４０　ｇ／／の亜硫酸ソーダ液に１０分間浸漬
し、洗浄、触媒付与、密着促進後、無電解銅めっき液Ｈ
ｉｄ−４１０（日立化成工業株式会社、商品名）に１０
時間浸漬して厚さ２５μｍのシールド層を形成した。

このシールド層の導通孔形成部を除いてエツチングレジ
ストを形成し、不要な銅箔をエツチング除去した後、ガ
ラス・ポリイミド製プリプレグＧＩＡ−６７Ｎ（日立化
成工業株式会社、商品名）と銅箔を重ね、１８０℃・３
０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｔの条件で９０分間加圧加熱し
、積層一体化した。

この基板の所望の箇所に直径０．２５ｍｍのドリルで穴
あけをし、洗浄、触媒付与、発着促進後、無電解銅めっ
きを行い、孔内壁とＭＡ箔表面に約３５μｍの無電解銅
めっき層を形成し、パッドや部品実装端子など必要な箇
所にエツチングレジストを形成し、不要なＲｆ＆エツチ
ングを除去した。

実施例５ 無電解めっき触媒含有の両面粗化銅箔張リガラス・エポ
キシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−１６８（日立化成工業株式会社
、商品名）の表面に所望のエツチングレジストを形成し
、不要の銅箔をエツチング除去して、電源、グランド層
を形成した内層回路板を作製する。

この内層回路板表面に、前記組成物■を塗布し、１６０
℃で３０分間乾燥して、厚さ７０μｍの絶縁層を形成し
、その表面に、前記組成物Ｉを厚さ６０μｍのドライフ
ィルムにし、１５０℃・１０ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｔ・１
０分のプレス条件でラミネートし、数値制御布線機を用
いて導体径０．０６ｍｍ、外径０．１４ｍｍのワイヤを
配線密度２本／１．２７ｍｍ。

ワイヤピンチ０．４ｍｍの配線ルールで所望のパターン
に布線し、固定した。

その表面に、前記組成物■を厚さ１５０μｍのドライフ
ィルムにし、１５０℃・ｌ　Ｏｋ　ｇ　／　ｃ　ｇ・１
０分のプレス条件でラミネートしたのち、さらに銅箔を
重ね、１７０℃・３０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｄ・９０分
間加熱加圧し、積層一体化した後、前記組成物Ｉを厚さ
３０μｍになるようにデイツプコートしたのち、１７０
℃で７０分間加熱硬化させた。

この後、スリット形成部に、スポット径１００μｍ絞っ
た炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス中！ｍｓの条件
で照射し、基板をセントしたテーブルを２．５ｍ／分の
速度で移動させながらスリットを形成した。

この基板を５０℃にし、た無水クロム酸６０ｇ／ｌと硫
酸３００ｍｊ／ｊの混合水溶液に１０分間浸漬したのち
、常温の４０　ｇ／ｌの亜硫酸ソーダ液に１０分間浸漬
し、洗浄後、直ちに無電解銅めっき液Ｈｉｄ−４１０（
日立化成工業株式会社、商品名）に１０時間浸漬して厚
ご２５μｍのシールド層を形成した。

以下の、導通孔形成部の銅のエツチング除去、絶縁化、
銅箔積層、回路形成の工程は、実施例４と同様に行った
。

実施例６ 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積層板ＭＣＬ−１−
６７（日立化成工業株式会社、商品名）の表面に所望の
エツチングレジストを形成し不要のＭＡ箔をエツチング
除去して、電源、グランド層を形成した内層回路板を作
製した。

この内層回路板の表面に、ガラス・ポリイミドのプリプ
レグＣＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名
）を重ね、１８０℃、３０　ｋ　ｇ　／　ｃＭの条件で
９０分間加圧加熱し、さらに、２１０℃で４０分間加熱
硬化し、前記組成物■を厚さ６０μｍのドライフィルム
にし、１５０℃・１０にｇ　／　ｃ　ｔｄ・１０分のプ
レス条件でラミネートし、数値制御布線機を用いて導体
径０．０６ｍｍ、外径０．１４ｍｍのワイヤを配線密度
２本／１．２７ｍｍ、ワイヤピンチ０．４ｍｍの配線ル
ールで所望のパターンに布線し、固定した。

この表面に、前記組成物Ｉを厚さ３０μｍになるように
デイツプコートし、１７０℃・７０分の条件で加熱硬化
した後、スリット形成部に、スポット径１００μｍに絞
った炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｍｓの条
件で照射し基板をセットしたテーブルを２．５ｍ／分の
速度で移動させながらスリットを形成した。

この基板を５０℃にした無水クロム酸６０ｇ／ｌと硫酸
３０Ｑｍ＃／ｌの混合水溶液に１０分間浸漬したのち、
常温の４　Ｑ　ｇ　／　１の亜硫酸ソーダ液に１０分間
浸漬し、洗浄、触媒付与、密着促進後、無電解銅めっき
液Ｈｉｄ−４１０（日立化成工業株式会社、商品名）に
１０時間浸漬して厚さ２５μｍのシールド層を形成した
。

導通孔形成部を除いてエツチングレジストを形成し、不
要な銅箔をエツチング除去した後、ガラス・ポリイミド
製プリプレグＣＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社
、商品名）と銅箔を重ね、１８０℃、３０ｋｇ／ｃｎ（
の条件で９０分間加圧加熱した。

この基板の所望の箇所に直径０．２５ｍｍのドリルで穴
あけをし、洗浄、触媒付与、密着促進後、無電解鋼めっ
きを行い、孔内壁と銅箔表　面に約３５μｍの無電解銅
めっき層を形成し、パッドや部品実装端子など必要な箇
所にエツチングレジストを形成し、不要な銅箔をエツチ
ング除去した。

実施例７ 無電解めっき触媒含をの両面粗化銅箔張リガラス・エポ
キシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−１’６Ｂ　（日立化成工業株式
会社、商品名）の表面に所望のエンチングレジストを形
成し、不要の銅箔をエツチング除去して、電源、グラン
ド層を形成した内層回路板を作製した。

この内層回路板の表面に、前記組成物■を塗布し、１６
０℃で３０分間乾燥して、厚さ７０μｍの絶縁層を形成
し、その上に、前記組成物Ｉを厚さ６０μｍのドライフ
ィルムにし、１５０℃・ｌＯｋ　ｇ／ｃ　ｒｒ（・１０
分のプレス条件でラミネートし、数値制御布線機を用い
て導体径０．０６ｍｍ、外径０．１４ｍｍのワイヤを配
線密度２本／］、　２７ｍｍ、ワイヤピンチ０．４ｍｍ
の配線ルールで所望のパターンに布線し、固定した。

この基板表面に、前記組成物Ｉを厚さ３０μｍになるよ
うにデイツプコートし、１７０℃で７０分間加熱硬化し
た後、スリット形成部に、スポット径１００μｍに絞っ
た炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｍｓの条件
で照射し基板をセットしたテーブルを２．５ｍ／分の速
度で移動させながらスリットを形成した。

この基板を５０℃にした無水クロム酸６０ｇ／ｌと硫酸
３００　ｍ　１　／　１の混合水溶液に１０分間浸漬し
たのち、常温の４０　ｇ＃の亜硫酸ソーダ液に１０分間
浸漬し、洗浄後、無電解銅めっき液Ｈ１ｄ−４１０（日
立化成工業株式会社、商品名）に１０時間浸漬して厚さ
２５μｍのシールド層を形成した。

以下の、導通孔形成部の銅のエツチング除去、絶縁化、
＃Ｒ箔積層、回路形成の工程は、実施例６と同様に実施
した。

実施例８ 両面粗化＃ｉ４箔張ガラス・ポリイミド積層板ＭＣＬ−
１−６７（日立化成工業株式会社、商品名）の表面に所
望のエツチングレジストを形成し、不要の銅箔をエツチ
ング除去して、ＸＢ、グランド層を形成した内層回路板
を作製した。

この内層回路板の表面に、ガラス・ポリイミドのプリプ
レグＣＩＡ−６７Ｎ（日立化成工業株式会社、商品名）
を重ね、その上に厚さ３５μｍの銅箔を重ね、１８０℃
、３０ｋｇ／Ｃｒｒｌの条件で９０分間加圧加熱し、さ
らに２１０℃で４０分間加熱硬化させ、積層一体化した
後、この表面に所望のエツチングレジストを形成し、不
要の銅箔をエツチング除去して、幅０．０８ｍｍのライ
ンを配線密度３本／２．５４　ｍｍ、ラインビフチＱ、
４ｍｍの配線ルールで所望のパターンに形成する。

前記組成物■を厚さ１５０μｍのドライフィルムにし、
１５０℃・１０ｋｇ／ｃｎ（１０分のプレス条件でラミ
ネートしたのち、さらに、銅箔を重ね、１７０℃−３０
ｋｇ／ｃｔｒｌで９０分間加圧加熱して加熱硬化した。

この基板のスリットを形成する部分を除く表面にエツチ
ングレジストを形成し、スリット形成部の銅箔をエツチ
ング除去し、スリット形成部に、スポット径１００μｍ
絞った炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｍｓの
条件で照射し、基板をセットしたテーブルを２．５ｍ／
分の速度で移動させながらスリットを形成し、洗浄、触
媒付与、密着促進後、無電解銅めっき液Ｈ１ｄ−４１０
（日立化成工業株式会社、商品名）に１０時間浸漬して
厚さ２５〃ｍのシールド層を形成した。

この基板の導通孔形成部を除いてエツチングレジストを
形成し、不要な銅箔をエツチング除去した。

この表面に、ガラス・ポリイミド製プリプレグＣＩＡ−
６１Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名）と銅箔を重
ね、１８０℃、３０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｄの条件で９
０分間加圧加熱した後、所望の箇所に直径０．２５ｍｍ
のドリルで穴あけをし、洗浄、触媒付与、密着促進後、
無電解銅めっきを行い、孔内壁とｗ４箔表面に約３５μ
ｍの無電解銅めっき層を形成し、パッドや部品実装端子
など必要な箇所にエツチングレジストを形成し、不要な
銅箔をエツチング除去した。

実施例９ 無電解めっき触媒含有の両面粗化銅箔張りガラス・エポ
キシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−１６８（日立化成工業株式会社
、商品名）の表面に所望のエツチングレジストを形成し
、不要の銅箔をエツチング除去して、電源、グランド層
を形成した。

この内層回路板の表面に無電解めっき触媒含有のガラス
・エポキシ製プリプレグＧＥＡ−１６８Ｎ（日立化成工
業株式会社、商品名）を重ね、１７０℃、３０　ｋ　ｇ
　／　ｃ　ａｌの条件で９０分間加圧加熱し、積層一体
化した後、この表面に所望のエツチングレジストを形成
し、不要の銅箔をエツチング除去して、輻０．０８ｍｍ
のラインを配線密度３本／２．５４ｍｍ、ラインピッチ
０．４ｍｍの配線ルールで所望のパターンに形成する。

この内層回路板の表面に、前記組成物■を塗布し、１６
０℃で１０分間乾燥したのち、ｔｉ４箔を重ね、１７０
℃・３０ｋｇ／ｃ＋ｄ−３０分間加圧加熱した。

以下のスリット部の銅箔のエツチング除去、スリットの
形成、シールド層の形成、絶縁化、銅箔積層、回路形成
の工程は、実施例８と同様に実施した。

実施例１０ シールド層を形成するために、スクリーン印刷法で、こ
の基板の表面に導電性ＡｇペーストのエポテックＷＥ−
１２（米国エポキシテクノロジー社、商品名）を塗布し
た０次に、真空脱気したのち１６０℃、６０分の条件で
加熱硬化させた以外は実施例８と同様にした。

実施例１１ 両面粗化銅箔張ガラス・ポリイミド積層板ＭＣＬ−１−
６７（日立化成工業株式会社、商品名）の表面に所望の
エツチングレジストを形成し不要のＨ４ｆＩ！ｉをエツ
チング除去して、電源、グランド層を形成した内層回路
板を作製した。

この内層回路板の表面に、ガラス・ポリイミドのプリプ
レグＣＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、商品名
）を重ね、その上に厚さ３５μｍの銅箔を重ねて、１８
０℃、３０　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｒｒｌの条件で９０分間
加圧加熱し、さらに２１０℃で４０分間加熱硬化し、積
層一体化した後、この表面に所望のエツチングレジスト
を形成し、不要の銅箔をエツチング除去して、巾０．０
８ｍｍのラインを配線密度３本／２．５４　ｍｍ、ライ
ンピッチＱ、４ｍｍの配線ルールで所望のパターンに形
成した。

この表面に、前記組成物■を厚さ１５０μｍのドライフ
ィルムにし、１５０℃・１０ｋｇ／ｃｎｆ・１０分のプ
レス条件でラミネートしたのち、１７０℃・９０分の条
件で加熱硬化し、さらに、前記組成物ｒを厚さ３０μｍ
になるようにデイツプコートし、１７０℃・７０分の条
件で加熱硬化した。

この基板のスリット形成部に、スポソ°ト径１００μｍ
絞った炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｒｎｓ
の条件で照射し、基板をセントしたテーブルを２．５ｍ
／分の速度で移動させながらスリットを形成した後、５
０℃にした無水クロム酸５０　ｇ　／　１と硫酸３００
　ｍ　ｌ　／　１の混合水溶液に１０分間浸漬し、常温
の４０　ｇ／ｌの亜硫酸ソーダ液に１０分間浸漬した。

この基板を洗浄、触媒付与、密着促進後、無電解銅めっ
き液Ｈｉｄ−４１０（日立化成工業株式会社、商品名）
に１０時間浸漬して厚さ２５μｍのシールド層を形成し
、導通孔形成部を除いてエツチングレジストを形成し、
不要な銅箔をエツチング除去し、さらにガラス・ポリイ
ミド製プリプレグＣＩＡ−６１Ｎ　（日立化成工業株式
会社、商品名）と銅箔を重ね、１８０℃・３０　ｋ　ｇ
　／　ｃ　ｎ（の条件で９０分間加圧加熱した。

この基板の所望の箇所に直径０．２５ｍｍのドリルで穴
あけをし、洗浄、触媒付与、発着促進後、無電解銅めっ
きを行い、孔内壁と銅箔表面に約３５μｍの無電解鋼め
っき層を形成し、パッドや部品実装端子など必要な箇所
にエツチングレジストを形成し、不要な銅箔エツチング
を除去した。

実施例１２ 無電解めっき触媒含有の両面粗化銅箔張りガラス・エポ
キシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−１６８（日立化成工業株式会社
、商品名）の表面に所望のエツチングレジストを形成し
、不要の銅箔をエツチング除去して、電源、グランド層
を形成した。

この内層回路板の表面に無電解めっき触媒含有のガラス
・エポキシ製プリプレグＧＥＡ−１６８Ｎ（日立化成工
業株式会社、商品名）を重ね、さらにその上に厚さ３５
μｍの銅箔を重ね、１７０℃・３０ｋｇ／ｃｔ！１の条
件で９０分間加圧加熱し、積層一体化した。

この表面に所望のエツチングレジストを形成し、不要の
銅箔をエツチング除去して、巾０．０８ｍｍのラインを
配線密度３本／２．５４ｍｍ、ラインピフチＱ、４ｍｍ
の配線ルールで所望のパターンを形成し、さらに、前記
組成物■を塗布し、１６０℃で３０分間乾燥して、厚さ
７０μｍの絶縁層を形成した。

この表面に前記組成物１を厚さが３０μｍになるように
デイツプコートしたのち、１７０℃で７０分加熱硬化し
、スリット形成部に、スポット径を１００μｍに絞った
炭酸ガスレーザを出力４５Ｗ、パルス巾１ｍｓの条件で
照射し、基板をセットしたテーブルを２．５ｍ／分の速
度で移動させながらスリットを形成した。

この基板を５０℃にした無水クロム酸６０ｇ／ｌと硫酸
３００　ｍ　ｌ　／　１の混合水溶液に１０分間浸漬し
たのち、常温の４　Ｑ　ｇ　／　１の亜硫酸ソーダ液に
１０分間浸漬し、洗浄後、直ちに無電解銅めっき液Ｈ１
ｄ−４１０（日立化成工業株式会社、商品名）に１０時
間浸漬して厚さ２５μｍのシールド層を形成した。

導通孔形成部を除いてエツチングレジストを形成し、不
要な銅箔をエツチング除去し、ガラス・ポリイミド製プ
リプレグＣ；ＩＡ−６７Ｎ　（日立化成工業株式会社、
商品名）と銅箔とを重ね、１８０℃、３０　ｋ　ｇ　／
　ｃ　ｒｄの条件で９０分間加圧加熱した。

この基板の所望の箇所に直径０．２５ｍｍのドリルで穴
あけをし、洗浄、触媒付与、密着促進後、無電解銅めっ
きを行い、孔内壁と銅箔表面に約３５μｍの無電解鋼め
っき層を形成し、バンドや部品実装端子など必要な箇所
にエツチングレジストを形成し、不要な銅箔エツチング
を除去した。

このようにして製造した配線板のクロストークノイズで
は、下記の測定条件で、０．５％以下であった。一方、
シールド層を省略して製造した従来の配線板のクロスト
ークノイズは４〜４．５％であり、本発明の大きな効果
が確認できた。

〔測定条件〕

導体間隔　　　　　　　　　：０．４ｍｍ平行に設置さ
れた導体の長さ：３０ｃｍ誘導パルス電圧　　　　　　
：５ｖ 誘導パルス巾　　　　　　　：５ｎ３ 誘導パルス立上り時間　　　：１ｎ３ （発明の効果） 以上に説明したように、本発明によって、レーザで形成
したスリットに設けたシールド層で信号線周囲を囲むこ
とにより、クロストークノイズを大巾に低減することが
できる配線板と、このような配線板を効率良く製造する
方法とを提供することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す断面斜視図、第２図は
本発明の他の実施例を示す断面斜視図、第３図（ａ）〜
（ｇ）は本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図、第４図（ａ）〜（ｇ）は本発明の他の実施例の工程
を説明するための断面図、第５図（ａ）〜（ｇ）は本発
明の他の実施例の工程を説明するための断面図、第６図
（ａ）〜＜ｒ＞は本発明の他の実施例の工程を説明する
ための断面図、第７図（ａ）〜＜ｒ＞は本発明の他の実
施例の工程を説明するための断面図、第８図（ａ）〜（
ｈ）は従来例の工程と構造を説明するための断面図であ
る。 符号の説明 １、グランド層　　　２゜ ３．３°、絶縁層　　４゜ ４°、信号ライン　　５゜ ６、シールド層　　　７゜ ８、導通孔　　　　　９゜ １０．１０″、接着絶縁層 １１、金属箔　　　　１２゜ １３、エツチングスリット 回路板 絶縁ワイヤ スリット 導通孔 電源層 保護樹脂層

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. １．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）と、この回路板（２）の表面に設けた
   絶縁層（３）と、その表面に設けた接着性絶縁層（１０
   ）の表面に所望の形状に固定した複数の絶縁ワイヤ（４
   ）と、この絶縁ワイヤ（４）の周囲に設けられた絶縁層
   （３’）と、絶縁層（３’）からグランド層（１）に達
   しその絶縁層（３’）と接着性絶縁層（１０）と絶縁層
   （３’）とを切断するスリット（５）と、絶縁ワイヤ（
   ４）を取り囲むようにこのスリット（５）の内壁とグラ
   ンド層の表面と絶縁層（３’）の表面に設けられたシー
   ルド層（６）と、シールド層（６）に接続された導通孔
   （７）と、シールド層（６）と接続されず絶縁ワイヤ（
   ４）と接続された導通孔（８）とを備えたことを特徴と
   する配線板。
2. ２．以下の工程を有することを特徴とする配線板の製造
   法。 Ａ．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面に、絶縁層（３）を設け、その
   表面に設けた接着性絶縁層（１０）に複数の絶縁ワイヤ
   （４）を所望の形状に固定する工程。 Ｂ．絶縁ワイヤ（４）の表面に、絶縁層（３’）を介し
   て金属箔（１１）を接着する工程。 Ｃ．金属箔（１１）のスリット（５）を形成する部分を
   除去してエッチングスリット（１３）を形成する工程。 Ｄ．スリット（５）を形成する部分のエッチングスリッ
   ト（１３）から露出した絶縁層（３）の表面に、スリッ
   ト（５）がグランド層（１）に達するまでレーザを照射
   する工程。 Ｅ．絶縁層（３’）の表面とスリット（５）の内壁と露
   出したグランド層（１）に、シールド層（６）を形成す
   る工程。 Ｆ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）を形成す
   る部分のシールド層（６）を除去する工程。 Ｇ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）と、絶縁
   ワイヤに接続されずシールド層（６）と接続される導通
   孔（８）とを形成する工程。
3. ３．以下の工程を有することを特徴とする配線板の製造
   法。 Ａ．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面に、絶縁層（３）を設け、その
   表面に設けた接着性絶縁層（１０）に複数の絶縁ワイヤ
   （４）を所望の形状に固定する工程。 Ｂ．絶縁ワイヤ（４）の表面に、絶縁層（３’）を介し
   て接着性絶縁層（１０’）を形成する工程。 Ｃ．スリット（５）を形成する部分の絶縁層（３）の表
   面に、スリット（５）がグランド層（１）に達するまで
   レーザを照射する工程。 Ｄ．接着性絶縁層（１０’）の表面とスリット（５）の
   内壁を粗化する工程。 Ｅ．接着性絶縁層（１０’）の表面とスリット（５）の
   内壁と露出したグランド層（１）の表面にめっきでシー
   ルド層（６）を形成する工程。 Ｆ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）を形成す
   る部分のシールド層（６）を除去する工程。 Ｇ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）と絶縁ワ
   イヤ（４）に接続されずシールド層（６）に接続される
   導通孔（８）を形成する工程。
4. ４．以下の工程を有することを特徴とする配線板の製造
   法。 Ａ．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面に、絶縁層（３）を設け、その
   表面に設けた接着性絶縁層（１０）に複数の絶縁ワイヤ
   （４）を所望の形状に固定する工程。 Ｂ．この絶縁ワイヤ（４）の表面に粗化することにより
   無電解めっき層と接着する接着性絶縁層（１０’）を形
   成する工程。 Ｃ．スリット（５）を形成する部分の絶縁層（３）の表
   面に、スリット（５）がグランド層（１）に達するまで
   レーザを照射する工程。 Ｄ．接着性絶縁層（１０’）の表面とスリット（５）の
   内壁を粗化する工程。 Ｅ．接着性絶縁層（１０’）の表面とスリット（５）の
   内壁と露出したグランド層（６）の表面にめっきでシー
   ルド層（６）を形成する工程。 Ｆ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）を形成す
   る部分のシールド層（６）を除去する工程。 Ｇ．絶縁ワイヤ（４）と接続する導通孔（７）と絶縁ワ
   イヤに接続されずシールド層（６）に接続される導通孔
   （８）を形成する工程。
5. ５．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面に形成した信号ライン（４’）
   と、信号ライン（４’）を被覆する絶縁層（３）と、こ
   の信号ライン（４’）に沿って設けた絶縁層（３）から
   グランド層（１）に達するスリット（５）と、信号ライ
   ン（４’）を取り囲むように形成されたスリット（５）
   の内壁とグランド層（１）と絶縁層（３）の表面に設け
   たシールド層（６）と、このシールド層（６）と接続す
   る導通孔（８）と、信号ライン（４’）と接続する導通
   孔（７）とを備えたことを特徴とする配線板。
6. ６．以下の工程を有することを特徴とする配線板の製造
   法。 Ａ．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面の信号ライン（４’）を絶縁層
   （３）で被覆する工程。 Ｂ．絶縁層（３’）を介して金属箔（１１）を接着する
   工程。 Ｃ．スリット（５）を形成する部分の金属箔（１１）を
   除去してエッチングスリット（１３）を形成する工程。 Ｄ．レーザをエッチングスリット（１３）から露出した
   絶縁層（３’）の表面に照射してグランド層（１）に達
   するスリット（５）を形成する工程。 Ｅ．スリット（５）の内壁と露出したグランド層（１）
   と絶縁層（３）の表面にシールド層（６）を形成する工
   程。 Ｆ．信号ライン（４’）と接続する導通孔（７）を形成
   する部分のシールド層（６）を除去する工程。 Ｇ．シールド層（６）に接続される導通孔（Ｂ）を形成
   する工程。
7. ７．以下の工程を有することを特徴とする配線板の製造
   法。 Ａ．グランド層（１）および／または電源層（９）を有
   する回路板（２）の表面の信号ライン（４’）を絶縁層
   （３）で被覆する工程。 Ｂ．絶縁層（３）の表面に接着剤層（１０）を形成する
   工程。 Ｃ．レーザを照射してグランド層（１）に達するスリッ
   ト（５）を形成する工程。 Ｄ．接着剤層（１０）とスリット（５）の内壁を粗化す
   る工程。 Ｅ．スリット（５）の内壁と露出したグランド層（１）
   と接着剤層（１０）の表面にめっきでシールド層（６）
   を形成する工程。 Ｆ．信号ライン（４’）と接続する導通孔（７）を形成
   する部分のシールド層（６）を除去する工程。 Ｇ．シールド層（６）と接続される導通孔（８）を形成
   する工程。
8. ８．シールド層（６）を保護する樹脂層（１２）を設け
   たことを特徴とする請求項１または５記載の配線板。
9. ９．シールド層（６）の表面に保護のための樹脂層（１
   ２）を塗布したことを特徴とする請求項２、３、４、６
   、または７記載の配線板の製造法。
10. １０．ガラス短繊維を含有した絶縁層（３）および／ま
    たは絶縁層（３’）を用いたことを特徴とする請求項１
    、５または９記載の配線板。
11. １１．ガラス短繊維を含有した絶縁層（３）を用いたこ
    とを特徴とする請求項２、３、４、６、７、または９記
    載の配線板の製造法。
12. １２．絶縁層（３）および／または絶縁層（３’）及び
    接着剤層（１０）に無電解めっき触媒を含有し、シール
    ド層（６）を無電解めっきで形成したことを特徴とする
    請求項２、３、４、６、７、９、または１１記載の配線
    板の製造法。
13. １３．シールド層（６）を導電性インクで形成したこと
    を特徴とする請求項１、５、８、または１０記載の配線
    板。