JP2008053414A - 研磨用組成物及び研磨方法 - Google Patents
研磨用組成物及び研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008053414A JP2008053414A JP2006227613A JP2006227613A JP2008053414A JP 2008053414 A JP2008053414 A JP 2008053414A JP 2006227613 A JP2006227613 A JP 2006227613A JP 2006227613 A JP2006227613 A JP 2006227613A JP 2008053414 A JP2008053414 A JP 2008053414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- composition
- less
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 11
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 11
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 10
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 8
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 8
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N diethylenediamine Natural products C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N (2r,3r,4s,5r,6r)-4-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,5-dihydroxy-4-[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxymethyl]oxan-2-yl]oxy-6-(hydroxymethyl)oxane-2,3,5-triol Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](O)[C@@H](CO[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)O1 WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920002305 Schizophyllan Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 238000005251 capillar electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003063 hydroxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229940031574 hydroxymethyl cellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下である。あるいは、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である。研磨用組成物は、ヒドロキシエチルセルロースのような水溶性高分子、アンモニアのようなアルカリ、及びコロイダルシリカのような砥粒を好ましくは含有する。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下である。あるいは、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である。研磨用組成物は、ヒドロキシエチルセルロースのような水溶性高分子、アンモニアのようなアルカリ、及びコロイダルシリカのような砥粒を好ましくは含有する。
【選択図】なし
Description
本発明は、半導体ウエハを研磨する用途で主に使用される研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
従来、シリコンウエハ等の半導体ウエハの研磨は予備研磨と仕上げ研磨の二段階に分けて行われる。仕上げ研磨で使用可能な研磨用組成物として、例えば特許文献１，２に記載の研磨用組成物が知られている。特許文献１の研磨用組成物は、水、コロイダルシリカ、ポリアクリルアミドやシゾフィランのような水溶性高分子、及び塩化カリウムのような水溶性塩類を含有している。特許文献２の研磨用組成物は、ナトリウム及び金属含有量が０〜２００ｐｐｍであるコロイダルシリカ、殺細菌剤及び殺生物剤を含有している。
現在、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面で観察される欠陥の一種であるＬＰＤ（light point defects）について、半導体デバイスの性能に影響するとして、６５ｎｍ以上のサイズのものの低減が要求されている。この点、特許文献１，２の研磨用組成物を用いても、ＬＰＤの数を従来に比べて低減することは困難である。
特開平０２−１５８６８４号公報
特開平０３−２０２２６９号公報
本発明の目的は、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下である研磨用組成物を提供する。
請求項２に記載の発明は、ナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である研磨用組成物を提供する。
請求項２に記載の発明は、ナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、水溶性高分子とアルカリと砥粒とを含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨する研磨方法を提供する。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨する研磨方法を提供する。
本発明によれば、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、所定量の水溶性高分子とアルカリと砥粒を水と混合することにより製造される。従って、本実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水から実質的になる。この研磨用組成物は、シリコンウエハ等の半導体ウエハを研磨する用途で使用されるものであり、特にウエハの仕上げ研磨で使用されるものである。
本実施形態の研磨用組成物は、所定量の水溶性高分子とアルカリと砥粒を水と混合することにより製造される。従って、本実施形態の研磨用組成物は、水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水から実質的になる。この研磨用組成物は、シリコンウエハ等の半導体ウエハを研磨する用途で使用されるものであり、特にウエハの仕上げ研磨で使用されるものである。
本実施形態の研磨用組成物は、ナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であることを必須とする。研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンは、水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水に含まれる不純物に由来する。これには水溶性高分子の合成の際に用いられるナトリウム化合物及び酢酸化合物に由来するナトリウムイオン及び酢酸イオンのほか、砥粒がシリカを含む場合にはシリカの合成の際に発生するナトリウムイオンも含まれる。研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度が１０ｐｐｂよりも多い場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することは困難である。研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンは研磨対象物であるウエハの表面又は研磨用組成物中の砥粒の表面に電気的に吸着し、その結果、ウエハ又は砥粒の表面の電気二重層が不安定になると推測される。より具体的には、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンは、ともに負電荷を帯びているウエハ表面と砥粒表面の間の電気的反発を弱める働きをすると考えられる。そのため、研磨用組成物中のナトリウムイオン濃度及び酢酸イオン濃度が高くなるにつれて、ウエハ表面に砥粒が付着しやすくなり、その結果、ウエハ表面に欠陥が生じやすくなる。この点、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であれば、このような研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンに起因する表面欠陥の発生を強く抑制することができ、ウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することができる。
研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度をそれぞれ１０ｐｐｂ以下とするためには、研磨用組成物の製造時、不純物をできるだけ含まない高純度の原料を用いることが好ましい。例えばアルカリのように高純度の原料が市販されている場合にはそれを用いてもよいし、あるいは高純度の原料の合成が可能な場合にはその合成したものを用いてもよい。また、原料に多くの不純物が含まれる場合には、不純物の除去を予め行ってからそれを研磨用組成物の製造に用いることが好ましい。水溶性高分子に含まれる不純物の除去は例えば洗浄又はイオン交換により可能である。アルカリに含まれる不純物の除去は例えばイオン交換又はキレート樹脂による吸着により可能である。砥粒に含まれる不純物の除去は例えば洗浄又はイオン交換により可能である。
本実施形態の研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、研磨用組成物を用いて研磨した後のウエハ表面で観察される欠陥の一種であるヘイズを低減するという観点からすると、水溶性セルロース又はビニルポリマーであることが好ましい。水溶性セルロースの具体例としては、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどが挙げられる。ビニルポリマーの具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。これらの水溶性高分子は、ウエハ表面に親水膜を形成し、この親水膜の作用によりヘイズを低減するものと推測される。
研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がヒドロキシエチルセルロース又はポリビニルアルコールである場合、さらに言えばヒドロキシエチルセルロースである場合には、それ以外の水溶性高分子を用いた場合に比べて、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズがより大きく低減する。従って、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース又はポリビニルアルコールであることが好ましく、より好ましくはヒドロキシエチルセルロースである。
研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０３ｇ／Ｌ以上、最も好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上である。水溶性高分子の含有量が多くなるにつれて、ヘイズの低減に有効な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズはより大きく低減される。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以上、さらに言えば０．０３ｇ／Ｌ以上、もっと言えば０．０５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズを大きく低減することができる。
研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量はまた、２ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｇ／Ｌ以下、最も好ましくは０．２ｇ／Ｌ以下である。水溶性高分子による親水膜は研磨用組成物によるウエハの研磨速度（除去速度）の低下を招く。そのため、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて、親水膜による研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が２ｇ／Ｌ以下、さらに言えば０．５ｇ／Ｌ以下、もっと言えば０．２ｇ／Ｌ以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。
研磨用組成物に含まれる水溶性高分子が水溶性セルロースである場合、使用される水溶性セルロースの平均分子量は３００，０００以上であることが好ましく、より好ましくは６００，０００以上、最も好ましくは９００，０００以上である。一方、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がビニルポリマーである場合には、使用されるビニルポリマーの平均分子量は１，０００以上であることが好ましく、より好ましくは５，０００以上、最も好ましくは１０，０００以上である。水溶性高分子の平均分子量が大きくなるにつれて、ヘイズの低減に有効な親水膜がウエハ表面に形成されやすくなるために、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズはより大きく低減される。この点において、研磨用組成物に含まれる水溶性セルロースの平均分子量が３００，０００以上、さらに言えば６００，０００以上、もっと言えば９００，０００以上であれば、研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズを大きく低減することができる。また、研磨用組成物に含まれるビニルポリマーの平均分子量が１，０００以上、さらに言えば５，０００以上、もっと言えば１０，０００以上であれば、同じく研磨後のウエハ表面で観察されるヘイズを大きく低減することができる。
研磨用組成物に含まれる水溶性高分子が水溶性セルロースである場合、使用される水溶性セルロースの平均分子量はまた３，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは２，０００，０００以下、最も好ましくは１，５００，０００以下である。一方、研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がビニルポリマーである場合には、使用されるビニルポリマーの平均分子量はまた１，０００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは５００，０００以下、最も好ましくは３００，０００以下である。水溶性高分子の平均分子量が小さくなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物に含まれる水溶性セルロースの平均分子量が３，０００，０００以下、さらに言えば２，０００，０００以下、もっと言えば１，５００，０００以下であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。また、研磨用組成物に含まれるビニルポリマーの平均分子量が１，０００，０００以下、さらに言えば５００，０００以下、もっと言えば３００，０００以下であれば、同じく親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。
研磨用組成物に含まれる水溶性高分子がポリビニルアルコールである場合、使用されるポリビニルアルコールのケン化度は７５％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上である。ケン化度が高くなるにつれて、親水膜によるウエハの研磨速度の低下はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物に含まれるポリビニルアルコールのケン化度が７５％以上、さらに言えば９５％以上であれば、親水膜による研磨速度の低下を強く抑制することができる。
本実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは、例えば、アンモニア及びアミンのいずれであってもよい。これらのアルカリは、ウエハを化学的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。
アンモニア又は水酸化テトラメチルアンモニウムは、それ以外のアルカリに比べて、金属不純物の除去が容易であり、容易に高純度化が可能である。従って、研磨用組成物に含まれるアルカリは、アンモニア又は水酸化テトラメチルアンモニウムであることが好ましい。
研磨用組成物中のアルカリの含有量は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０２ｇ／Ｌ以上、最も好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上である。アルカリの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、研磨用組成物中のアルカリの含有量が０．０１ｇ／Ｌ以上、さらに言えば０．０２ｇ／Ｌ以上、もっと言えば０．０５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。
研磨用組成物中のアルカリの含有量はまた、１ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは０．３ｇ／Ｌ以下である。アルカリは、研磨後のウエハの表面粗さの増大を招く虞がある。そのため、研磨用組成物中のアルカリの含有量が少なくなるにつれて、研磨後のウエハの表面粗さの増大はより強く抑制される。この点において、研磨用組成物中のアルカリの含有量が１ｇ／Ｌ以下、さらに言えば０．５ｇ／Ｌ以下、もっと言えば０．３ｇ／Ｌ以下であれば、研磨後のウエハの表面粗さの増大を強く抑制することができる。
本実施形態の研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、焼成粉砕シリカやフュームドシリカ、コロイダルシリカのようなシリカであってもよい。これらの砥粒は、ウエハを機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を向上させる働きをする。
研磨用組成物に含まれる砥粒がコロイダルシリカである場合には、それ以外の砥粒を用いた場合に比べて、研磨用組成物の安定性が向上し、その結果、研磨後のウエハ表面におけるＬＰＤの数が低減する。使用するコロイダルシリカは、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度を低く抑えるためには、ゾルゲル法により合成されるコロイダルシリカであることが好ましい。ゾルゲル法では、ケイ酸メチルをメタノール、アンモニア及び水からなる溶媒中に溶解して加水分解させることにより、不純物の含有量が少ないコロイダルシリカを得ることが可能である。
研磨用組成物中の砥粒の含有量は、０．０１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．２ｇ／Ｌ以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、研磨用組成物中の砥粒の含有量が０．０１ｇ／Ｌ以上、さらに言えば０．１ｇ／Ｌ以上、もっと言えば０．２ｇ／Ｌ以上であれば、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。
研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、２０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは６ｇ／Ｌ以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物のコストはより大きく低減される。この点において、研磨用組成物中の砥粒の含有量が２０ｇ／Ｌ以下、さらに言えば１０ｇ／Ｌ以下、もっと言えば６ｇ／Ｌ以下であれば、研磨用組成物のコストを大きく低減することができる。
研磨用組成物に含まれる砥粒の平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、ウエハを機械的に研磨する砥粒の作用がより強まるため、研磨用組成物によるウエハの研磨速度はより大きく向上する。この点において、砥粒の平均一次粒子径が１０ｎｍ以上、さらに言えば１５ｎｍ以上、もっと言えば２０ｎｍ以上であれば、研磨用組成物によるウエハの研磨速度を大きく向上させることができる。
研磨用組成物に含まれる砥粒の平均一次粒子径はまた、１００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。平均一次粒子径の大きい砥粒は、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加を招く虞がある。そのため、砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加はより強く抑制される。この点において、砥粒の平均一次粒子径が１００ｎｍ以下、さらに言えば６０ｎｍ以下、もっと言えば４０ｎｍ以下であれば、研磨後のウエハ表面のスクラッチの増加をより強く抑制することができる。
本実施形態によれば以下の利点が得られる。
・ 本実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である。そのため、本実施形態の研磨用組成物によれば、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンに起因する表面欠陥の発生を強く抑制することができ、ウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することができる。
・ 本実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下である。そのため、本実施形態の研磨用組成物によれば、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンに起因する表面欠陥の発生を強く抑制することができ、ウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することができる。
前記実施形態を次のように変更してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物では、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であったが、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度のみが１０ｐｐｂ以下であってもよい。この場合でも、ナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方に起因する表面欠陥の発生を強く抑制することができ、ウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することができる。
・ 前記実施形態の研磨用組成物では、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であったが、研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度のみが１０ｐｐｂ以下であってもよい。この場合でも、ナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方に起因する表面欠陥の発生を強く抑制することができ、ウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することができる。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は水溶性高分子、アルカリ、砥粒及び水から実質的になるが、ナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であるか或いはナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下である限り、研磨用組成物の組成は適宜に変更されてもよい。例えば、前記実施形態の研磨用組成物には必要に応じて、ポリエチレンオキサイドやポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのポリアルキレンオキサイドを添加してもよい。あるいは、キレート剤、界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤のような公知の添加剤を添加してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は使用前に濃縮原液を希釈することによって調製されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、半導体ウエハ以外の研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、半導体ウエハ以外の研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
水溶性高分子、アルカリ、砥粒、及びその他の成分を適宜に水と混合することにより実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の水溶性高分子、アルカリ、砥粒及びその他の成分の詳細並びに研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度は表１に示すとおりである。
水溶性高分子、アルカリ、砥粒、及びその他の成分を適宜に水と混合することにより実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の水溶性高分子、アルカリ、砥粒及びその他の成分の詳細並びに研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度は表１に示すとおりである。
表１の“水溶性高分子”欄中、ＨＥＣ＊１は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊２は陽イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊３は陰イオン交換処理したヒドロキシエチルセルロースを表し、ＨＥＣ＊４は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理していないヒドロキシエチルセルロースを表し、ＰＶＡ＊１は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理したポリビニルアルコールを表し、ＰＶＡ＊２は陽イオン交換処理及び陰イオン交換処理していないポリビニルアルコールす。
表１の“アルカリ”欄中、ＮＨ３はアンモニアを表し、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムを表し、ＰＩＺは無水ピペラジンを表す。
表１の“砥粒”欄中、ＣＳ＊１は平均一次粒子径が３５ｎｍであるコロイダルシリカを表す。
表１の“砥粒”欄中、ＣＳ＊１は平均一次粒子径が３５ｎｍであるコロイダルシリカを表す。
表１の“その他の成分”欄中、ＰＥＯはポリエチレンオキサイドを表し、ＮａＯＨは水酸化ナトリウムを表す。
表１の“ナトリウムイオン濃度”欄に示す研磨用組成物中のナトリウムイオンの濃度は、誘導結合高周波プラズマ分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）を用いて測定したものである。なお、ナトリウムイオンの濃度の測定は、誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）又は原子吸光分析装置を用いて行われてもよい。
表１の“ナトリウムイオン濃度”欄に示す研磨用組成物中のナトリウムイオンの濃度は、誘導結合高周波プラズマ分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）を用いて測定したものである。なお、ナトリウムイオンの濃度の測定は、誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）又は原子吸光分析装置を用いて行われてもよい。
表１の“酢酸イオン濃度”欄に示す研磨用組成物中の酢酸イオンの濃度は、キャピラリー電気泳動法により測定したものである。
表１の“ＬＰＤ”欄には、実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いて研磨した後のシリコンウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を測定した結果を示す。具体的には、まず、予備研磨用組成物としてフジミインコーポレーテッド株式会社製のGLANZOX-2100を用いて表２に示す研磨条件でシリコンウエハを予備研磨した。その後、予備研磨後のシリコンウエハを、仕上げ研磨用組成物として実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件で仕上げ研磨した。仕上げ研磨後のウエハについて、ＳＣ−１洗浄（Standard Clean 1）を行ってからケーエルエー・テンコール社製の“SURFSCAN SP1-TBI”を用いて、ウエハ表面当たりの６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を測定した。
表１の“ＬＰＤ”欄には、実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いて研磨した後のシリコンウエハ表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を測定した結果を示す。具体的には、まず、予備研磨用組成物としてフジミインコーポレーテッド株式会社製のGLANZOX-2100を用いて表２に示す研磨条件でシリコンウエハを予備研磨した。その後、予備研磨後のシリコンウエハを、仕上げ研磨用組成物として実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件で仕上げ研磨した。仕上げ研磨後のウエハについて、ＳＣ−１洗浄（Standard Clean 1）を行ってからケーエルエー・テンコール社製の“SURFSCAN SP1-TBI”を用いて、ウエハ表面当たりの６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を測定した。
表１の“ヘイズ”欄には、実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いて研磨した後のシリコンウエハ表面におけるヘイズレベルを測定した結果を示す。具体的には、実施例１〜７及び比較例１〜７の研磨用組成物を用いた仕上げ研磨後のウエハについて、ＳＣ−１洗浄を行ってからケーエルエー・テンコール社製の“SURFSCAN SP1-TBI”を用いて、ウエハ表面のヘイズレベルを測定した。
前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 前記水溶性高分子がヒドロキシエチルセルロースである請求項３に記載の研磨用組成物。この場合、研磨後の研磨対象物の表面におけるヘイズが大きく低減する。
・ 前記水溶性高分子がヒドロキシエチルセルロースである請求項３に記載の研磨用組成物。この場合、研磨後の研磨対象物の表面におけるヘイズが大きく低減する。
・ 前記アルカリがアンモニアである請求項３に記載の研磨用組成物。この場合、アルカリの高純度化が容易であり、高純度のアルカリの使用により研磨用組成物中の不純物を低減させることができる。
・ 前記砥粒がコロイダルシリカである請求項３に記載の研磨用組成物。この場合、研磨後の研磨対象物の表面におけるＬＰＤの数が低減する。
Claims (4)
- 研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度が１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする研磨用組成物。
- 研磨用組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンの濃度がそれぞれ１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする研磨用組成物。
- 水溶性高分子とアルカリと砥粒とを含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体ウエハの表面を研磨することを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006227613A JP5335183B2 (ja) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| TW096128008A TWI414589B (zh) | 2006-08-24 | 2007-07-31 | Abrasive composition and a grinding method |
| GB0716357A GB2441222B (en) | 2006-08-24 | 2007-08-22 | Polishing composition and polishing method |
| DE102007039911A DE102007039911A1 (de) | 2006-08-24 | 2007-08-23 | Polierzusammensetzung und Polierverfahren |
| KR1020070084843A KR101374039B1 (ko) | 2006-08-24 | 2007-08-23 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| CN2007101468540A CN101130667B (zh) | 2006-08-24 | 2007-08-24 | 抛光用组合物以及抛光方法 |
| US11/844,647 US20080053001A1 (en) | 2006-08-24 | 2007-08-24 | Polishing Composition and Polishing Method |
| US12/816,996 US20100242374A1 (en) | 2006-08-24 | 2010-06-16 | Polishing Composition and Polishing Method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006227613A JP5335183B2 (ja) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012189156A Division JP2013016832A (ja) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | 研磨用組成物、ｌｐｄ低減剤及びそれを用いたｌｐｄ低減方法 |
| JP2012189155A Division JP2013021343A (ja) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | Ｌｐｄ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008053414A true JP2008053414A (ja) | 2008-03-06 |
| JP5335183B2 JP5335183B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=38599066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006227613A Active JP5335183B2 (ja) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20080053001A1 (ja) |
| JP (1) | JP5335183B2 (ja) |
| KR (1) | KR101374039B1 (ja) |
| CN (1) | CN101130667B (ja) |
| DE (1) | DE102007039911A1 (ja) |
| GB (1) | GB2441222B (ja) |
| TW (1) | TWI414589B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010143579A1 (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-16 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法 |
| JP2011061089A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| WO2012102144A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| JP2015078318A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 東亞合成株式会社 | 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物 |
| WO2015060293A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| JP5897200B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-03-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
| KR20170041201A (ko) | 2014-08-05 | 2017-04-14 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 마무리 연마방법 및 실리콘 웨이퍼 |
| KR20200031606A (ko) | 2017-07-14 | 2020-03-24 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마방법 |
| CN111315835A (zh) * | 2017-11-06 | 2020-06-19 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物及其制造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA016602B1 (ru) | 2007-09-10 | 2012-06-29 | Сандвик Майнинг Энд Констракшн Рса (Пти) Лтд. | Электронный капсюль-детонатор |
| KR101341875B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2013-12-16 | 한양대학교 산학협력단 | 상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 |
| WO2010140671A1 (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ |
| CN102101976A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| KR20120136882A (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| JP5838083B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2015-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| US9133366B2 (en) * | 2012-05-25 | 2015-09-15 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing liquid composition for wafers |
| CN102786879B (zh) * | 2012-07-17 | 2014-04-23 | 清华大学 | 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用 |
| US10351732B2 (en) | 2013-03-19 | 2019-07-16 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, method for producing polishing composition and polishing composition preparation kit |
| US10717899B2 (en) | 2013-03-19 | 2020-07-21 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, method for producing polishing composition and polishing composition preparation kit |
| KR20200058017A (ko) | 2018-11-19 | 2020-05-27 | 삼성전자주식회사 | 연마 슬러리 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| CN115058198A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-09-16 | 康劲 | 一种新型抛光液及其制备方法和应用 |
| CN115851138A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-03-28 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10309660A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| JP2000230169A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Ind Technol Res Inst | 研磨用のスラリー |
| JP2001200243A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 研摩材及びその製造方法、ならびにそれを使用した研摩方法 |
| JP2006148136A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | バリヤ用研磨溶液 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715842A (en) * | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US4169337A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4588421A (en) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| DE69611653T2 (de) * | 1995-11-10 | 2001-05-03 | Tokuyama Corp | Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5916819A (en) * | 1996-07-17 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same |
| US6099604A (en) * | 1997-08-21 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP3440419B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| TW543093B (en) * | 2001-04-12 | 2003-07-21 | Cabot Microelectronics Corp | Method of reducing in-trench smearing during polishing |
| US6884723B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents |
| JP4212861B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
| JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| JP4668528B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2005286047A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
| US7253111B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Barrier polishing solution |
| JP5026665B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2012-09-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
-
2006
- 2006-08-24 JP JP2006227613A patent/JP5335183B2/ja active Active
-
2007
- 2007-07-31 TW TW096128008A patent/TWI414589B/zh active
- 2007-08-22 GB GB0716357A patent/GB2441222B/en active Active
- 2007-08-23 DE DE102007039911A patent/DE102007039911A1/de not_active Withdrawn
- 2007-08-23 KR KR1020070084843A patent/KR101374039B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-24 US US11/844,647 patent/US20080053001A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-24 CN CN2007101468540A patent/CN101130667B/zh active Active
-
2010
- 2010-06-16 US US12/816,996 patent/US20100242374A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10309660A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| JP2000230169A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Ind Technol Res Inst | 研磨用のスラリー |
| JP2001200243A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 研摩材及びその製造方法、ならびにそれを使用した研摩方法 |
| JP2006148136A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | バリヤ用研磨溶液 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010143579A1 (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-16 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法 |
| JP5418590B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2014-02-19 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法 |
| JP2011061089A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| WO2012102144A1 (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| JP5897200B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-03-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
| JP2015078318A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 東亞合成株式会社 | 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物 |
| WO2015060293A1 (ja) | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| KR20170041201A (ko) | 2014-08-05 | 2017-04-14 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 마무리 연마방법 및 실리콘 웨이퍼 |
| US10043673B2 (en) | 2014-08-05 | 2018-08-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Final polishing method of silicon wafer and silicon wafer |
| DE112015003214B4 (de) | 2014-08-05 | 2023-02-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Endpolierverfahren eines Siliziumwafers |
| KR20200031606A (ko) | 2017-07-14 | 2020-03-24 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마방법 |
| US10886134B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-01-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing method |
| CN111315835A (zh) * | 2017-11-06 | 2020-06-19 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物及其制造方法 |
| US11421131B2 (en) | 2017-11-06 | 2022-08-23 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for producing same |
| US11976220B2 (en) | 2017-11-06 | 2024-05-07 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080018822A (ko) | 2008-02-28 |
| US20080053001A1 (en) | 2008-03-06 |
| TWI414589B (zh) | 2013-11-11 |
| TW200813206A (en) | 2008-03-16 |
| US20100242374A1 (en) | 2010-09-30 |
| CN101130667A (zh) | 2008-02-27 |
| CN101130667B (zh) | 2012-10-31 |
| KR101374039B1 (ko) | 2014-03-12 |
| GB2441222B (en) | 2011-09-14 |
| GB0716357D0 (en) | 2007-10-03 |
| GB2441222A (en) | 2008-02-27 |
| DE102007039911A1 (de) | 2008-03-27 |
| JP5335183B2 (ja) | 2013-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5335183B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP5204960B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| TWI718998B (zh) | 研磨用組成物 | |
| JP5275595B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 | |
| JP2008270584A (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 | |
| KR100981978B1 (ko) | 연마용 조성물 및 그것을 이용한 연마방법 | |
| EP3163600B1 (en) | Composition for polishing silicon wafers | |
| KR102617007B1 (ko) | 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
| KR102612276B1 (ko) | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
| JP6691774B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
| JP2003510828A (ja) | 二酸化珪素ｃｍｐ工程で傷および欠陥を減少するかまたは取り除くための組成物および方法 | |
| JP5220428B2 (ja) | 研磨用組成物を用いた研磨方法 | |
| JP5859055B2 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
| JP5656960B2 (ja) | Ｌｐｄ低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法 | |
| TW201815906A (zh) | 矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法、矽晶圓粗研磨用組成物套組及矽晶圓之研磨方法 | |
| JP6373029B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2013016832A (ja) | 研磨用組成物、ｌｐｄ低減剤及びそれを用いたｌｐｄ低減方法 | |
| JP2013021343A (ja) | Ｌｐｄ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法 | |
| JP5460827B2 (ja) | シリコンウエハの製造方法 | |
| TW202346500A (zh) | 研磨用組成物 | |
| JP2013034026A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法 | |
| JP2013149993A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法、並びにディッシング低減剤及びそれを用いたディッシング低減方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090717 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120229 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120529 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120829 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120905 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20121130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130731 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5335183 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |