JP2008004936A - 一対のイジェクタを具備する半導体チップの脱着装置及びこれを利用した半導体チップの脱着方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体チップにクラック発生を抑制しながらも高い工程マージンを有する半導体チップの脱着装置、及びこれを利用した半導体チップの脱着方法を提供する。
【解決手段】ホルダ、第１イジェクタ及び第２イジェクタを備え、前記ホルダは、テープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載するための上面を備え、前記上面が貫通穴を有し、前記第１イジェクタは、前記ホルダ上の前記半導体チップを押し上げるように前記ホルダの前記貫通穴を介して第１長さほど昇降し、前記第２イジェクタは、前記ホルダ上の前記半導体チップを押し上げるように前記ホルダの前記貫通穴を介して第１長さより長い第２長さほど昇降する半導体チップの脱着装置である。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体チップの組立て装置（assembly apparatus）及び半導体チップの組立て方法に係り、特に、半導体チップをテープ（tape）から脱着するための装置及びその脱着方法に関する。
半導体チップは、半導体基板上に形成された後、外部装置と連結され、外部環境から保護されるために適切な形態に組み立てられてパッケージされる。半導体基板は、複数の半導体チップを備えるために、組立て段階で半導体チップは、個別に分離されなければならない。例えば、半導体基板は、テープを付着した後、個々の半導体チップに切断され、次に、個々の半導体チップは、テープから脱着されてパッケージ基板（package substrate）上に搭載される。
例えば、特許文献１及び特許文献２は、ピンを利用した半導体チップの脱着装置を開示している。しかし、半導体チップの狭い部分に半導体チップとピン（pin）との過度な衝突により圧力が集中することがある。特に、半導体チップが高集積化されつつ半導体チップが薄くなり、ピンとの衝撃により半導体チップにクラックが発生するという問題がある。
他例としては、ピンを利用せずに、テープを真空吸着してテープの接着力を落とし、コレット（collet）を利用して半導体チップを脱着させる方法がある。しかし、前記ピンを利用しない方法は、半導体チップとテープとの間の脱着不良を誘発する可能性が高く、かつ工程マージンが低いという問題がある。従って、脱着不良を減らすためには、高価な特化された設備を利用しなければならない。
特開２００３−１２４２９０号公報 米国特許出願公開２００５−２７４４５７号公報
従って、本発明が解決しようとする技術的課題は、前述の問題点を解消するために案出され、半導体チップにクラック発生を抑制しながらも、高い工程マージンを有する半導体チップの脱着装置を提供するところにある。
本発明がなそうとする他の技術的課題は、半導体チップにクラック発生を抑制しながらも、高い工程マージンを有する半導体チップの脱着方法を提供するところにある。
前記技術的課題を達成するための本発明の一様態による半導体チップの脱着装置は、ホルダ（holder）、第１イジェクタ（ejector）及び第２イジェクタを備える。前記ホルダは、テープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載するための上面を備え、前記上面が貫通穴を有する。前記第１イジェクタは、前記ホルダ内に配置され、前記ホルダ上の半導体チップを押し上げるように、前記ホルダの貫通穴を介して第１長さほど前記ホルダの長手方向に沿って昇降する。そして、前記第２イジェクタは、前記ホルダ内に配置され、前記ホルダ上の半導体チップをさらに押し上げるように、前記ホルダの貫通穴を介して前記第１長さより長い第２長さほど前記ホルダの長手方向に沿って昇降する。
前記本発明の一側面によれば、前記半導体チップの脱着装置は、前記第１イジェクタ及び前記第２イジェクタに共通に動力を伝達するシャフト（shaft）をさらに備えることができる。さらに、前記半導体チップの脱着装置は、前記シャフトに固定され、前記第２イジェクタを支持するサセプタ（susceptor）をさらに備えることができる。
前記本発明の他の側面によれば、前記サセプタは、弾性体を介在して前記第１イジェクタ内部に配置されることが可能である。前記弾性体は、スプリングを備えることができる。
前記本発明のさらに他の側面によれば、前記第１イジェクタは、前記テープを吸着するための第１真空チャンネル（vacuum channel）を備えることができる。さらに、前記第２イジェクタは、前記テープを吸着するための第２真空チャンネルを備え、前記第１真空チャンネル及び前記第２真空チャンネルは、互いに連結されることが可能である。さらにまた、前記ホルダは、前記上面を貫通して形成された第３真空チャンネルをさらに備えることができる。
前記本発明のさらに他の側面によれば、前記第２イジェクタは、少なくとも一つ以上のピンを備えることができる。
前記技術的課題を達成するための本発明の他の様態による半導体チップの脱着装置は、ホルダ、第１イジェクタ及び第２イジェクタを備える。前記ホルダは、テープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載するための上面を備え、前記上面が貫通穴を有する。前記第１イジェクタは、前記ホルダ内に配置され、前記ホルダの内部で動くように、前記ホルダの貫通穴より広い断面積の本体、及び前記ホルダの貫通穴内を昇降するように、前記本体から突出した複数の第１タブを備える。前記第１イジェクタの前記第１タブの間には、第１真空チャンネルが形成される。そして、前記第２イジェクタは、前記ホルダ内に配置され、前記ホルダの貫通穴内を昇降するように、前記第１イジェクタの内部に配置される。
前記他の技術的課題を達成するための本発明による半導体チップの脱着方法によれば、貫通穴を有するホルダの上面上にテープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載する。前記半導体チップのエッジ部分のテープが脱着されるように、前記ホルダの貫通穴内に配置された第１イジェクタを利用し、前記半導体チップを前記ホルダ上に一次押し上げる。前記半導体チップのテープがさらに脱着されるように、前記第１イジェクタ内部に配置された第２イジェクタを利用し、前記半導体チップを前記ホルダ上に二次押し上げる。そして、前記半導体チップが前記テープから分離されるように、前記第２イジェクタ上の前記半導体チップを持ち上げつつ、前記第１及び第２イジェクタを下降させる。
前記本発明の一側面によれば、前記第２イジェクタ上の前記半導体チップを持ち上げるのは、コレットを利用できる。
前記本発明の他の側面によれば、前記半導体チップの脱着方法は、貫通穴を有するホルダの上面上に前記半導体チップを搭載する段階後に、前記コレットを利用して前記半導体チップを真空吸着して固定する段階をさらに含むことができる。
前記本発明のさらに他の側面によれば、前記一次押し上げる段階前に、前記ホルダの貫通穴内に配置された真空チャンネルを利用し、前記テープの一部分を真空吸着し、前記テープを前記半導体チップから部分的に脱着させることができる。
本発明による半導体チップの脱着装置は、段階的に、例えば二段階で上昇できるイジェクタを具備する。従って、半導体チップの脱着時、半導体チップが二段階にわたって段階的に上昇することにより、半導体チップに加えられる圧力を低下させられる。さらに、第２イジェクタの二次上昇は、弾性体、例えば、スプリングの弾性力によって徐々にその速度が低下し、半導体チップに加えられる圧力をさらに下げることができる。従って、従来ピンを利用した半導体チップの脱着装置に比べ、本発明による半導体チップの脱着装置は、半導体チップのクラック発生を大きく抑制する、または減少させることができる。
本発明による半導体チップの脱着方法は、段階的な脱着過程、例えば三段階の脱着過程を利用する。このような段階的な脱着過程は、半導体チップに加えられる圧力を低下させることができ、その結果、半導体チップのクラック発生を抑制または減少させることができる。
以下、添付した図面を参照しつつ、本発明による望ましい実施形態について説明することにより、本発明について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実施され、単に本実施形態は、本発明の開示を完全なものにし、当業者に本発明の技術的範囲を明らかに示すために提供されるものである。図面における構成要素は、説明の便宜のためにその大きさが誇張されていることもある。
本発明の実施形態による半導体チップの脱着装置は、半導体チップの組立て及びパッケージ段階で利用される。例えば、半導体チップの脱着装置は、テープ上に付着された複数の半導体チップをテープから脱着する段階に利用される。さらに具体的に例を挙げれば、半導体チップの脱着装置は、ダイアタッチ装置の一部分として利用されるが、本発明の技術的範囲は、これに制限されるものではない。
図１は、本発明の一の実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図であり、図２は、図１の半導体チップの脱着装置の断面図である。
図１及び図２を参照すれば、半導体チップの脱着装置は、ホルダ１１０、一対のイジェクタを構成するイジェクタ１２０及びイジェクタ１６０を備える。ホルダ１１０は、テープ（図示せず）上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップ（図示せず）を搭載するための上面１１２を有し、上面１１２は、貫通穴１１５を有する。第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０は、半導体チップを押し上げるように、ホルダ１１０の貫通穴１１５を介して昇降できる。
さらに具体的に見れば、ホルダ１１０は、内部が中空形状である。ホルダ１１０の内部空間には、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０が配置されることが可能である。ホルダ１１０の内部空間は、真空ポンプ（図示せず）に連結されて所定の低圧状態になる。ホルダ１１０の上面１１２は、テープを吸着するための真空チャンネル１１４を備える。真空チャンネル１１４は、ホール１１６を介してホルダ１１０の内部空間に連結され、真空ポンプに連結されることが可能である。ホルダ１１０の上面１１２は円形であり、貫通穴１１５は、半導体チップの外形、例えば、四角形状となることが可能である。
しかし、図１及び図２にもかかわらず、この実施形態の変形例によれば、ホルダ１１０の上面１１２は、真空チャンネル１１４以外の他の方法により、テープを固定させることも可能である。また、ホルダ１１０の形態は、多様に変形可能である。例えば、ホルダ１１０は、多孔性気孔を有することもあり、その場合、多孔性気孔にテープが吸着されることもある。
第１イジェクタ１２０は、第１イジェクタの本体１２２及び複数の第１タブ１３０を備えることができる。本体１２２は、ホルダ１１０の内部で動くように、ホルダ１１０の貫通穴１１５より広い断面積を有することができる。第１タブ１３０は、ホルダ１１０の貫通穴１１５上に昇降するように、本体１２２から突出する。第１イジェクタ１２０の上昇時、本体１２２は、エッジ突出部１２５がホルダ１１０の上面１１２と接触するまで上昇し、第１タブ１３０は、貫通穴１１５を介して上面１１２上まで上昇し、半導体チップを押し上げることができる。第１タブ１３０は、その間に第１イジェクタ１２０の真空チャンネル１３２を限定できる。第１イジェクタ１２０の真空チャンネル１３２は、テープを吸着するために利用される。
第２イジェクタ１６０は、複数の第２タブ１６５により限定された他の真空チャンネル１６７を備えることができる。第２イジェクタ１６０は、第１イジェクタ１２０の内部に配置されることが可能である。第１イジェクタ１２０の真空チャンネル１３２、第２イジェクタ１６０の真空チャンネル１６７及びホルダ１１０の真空チャンネル１１４は、互いに連結されることが可能である。本発明の実施形態で、第１イジェクタ１２０の真空チャンネル１３２、第２イジェクタ１６０の真空チャンネル１６７及びホルダ１１０の真空チャンネル１１４は、区分のためにそれぞれ第１真空チャンネル、第２真空チャンネル及び第３真空チャンネルと呼ばれることもある。
しかし、この実施形態の変形された例で、第１真空チャンネル１３２，第２真空チャンネル１６７及び第３真空チャンネル１１４は、互いに連結されずにそれぞれ分離されるか、またはいずれか二つだけを互いに連結されることもある。
例えば、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０は、シャフト１５０から共通に動力を伝達されることが可能である。サセプタ１４０は、シャフト１５０に固定されて第２イジェクタ１６０を支持する。例えば、シャフト１５０の一端は、動力装置（図示せず）に連結され、他端は、サセプタ１４０に連結されることが可能である。サセプタ１４０は、弾性体、例えばスプリング１４５を介在して第１イジェクタ１２０の内部に配置され、第２イジェクタ１６０は、サセプタ１４０に固定可能である。例えば、サセプタ１４０は、磁気力を利用して第２イジェクタ１６０を支持でき、スプリング１４５を利用して第１イジェクタ１２０を弾性的に支持できる。
図３及び図４は、半導体チップの脱着装置の動きを示す断面図である。
図３を参照すると、シャフト１５０が一次上昇するにつれ、サセプタ１４０が一次上昇する。サセプタ１４０が一次上昇するにつれ、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０が共に一次上昇する。この場合、第１イジェクタ１２０のエッジ突出部１２５がホルダ１１０の上面１１２に接触するまで、スプリング１４５は、弾性力の変化をせず、第１イジェクタ１２０の本体１２２を支持できる。従って、ホルダ１１０の上面１１２から第１イジェクタ１２０までの第１高さｄ１は、ホルダ１１０の上面１１２及び第１イジェクタ１２０のエッジ突出部１２５間の離隔距離と同じである。
このように、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０が共に一次上昇しながら半導体チップを押し上げることができる。第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０の一次上昇は、半導体チップのエッジ部分のテープを脱着させるのに利用される。
図４を参照すると、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０が一次上昇した状態で、シャフト１５０をさらに二次上昇させる。これにより、サセプタ１４０が二次上昇され、第２イジェクタ１６０が第1イジェクタから第２高さｄ２ほど二次上昇する。この場合、第１イジェクタ１２０は、ホルダ１１０の上面１１２と接触しているので、それ以上上昇することができず、サセプタ１４０は、スプリング１４５を収縮させながら、加えられた力とスプリング１４５の弾性係数とによって決まった距離だけ上昇する。
図３及び図４を参照すれば、第１イジェクタ１２０は、第１高さｄ１ほど一次上昇し、第２イジェクタ１６０は、第１高さｄ１ほど一次上昇後、さらに第２高さｄ２ほど二次上昇できる。従って、ホルダ１１０上に搭載された半導体チップは、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０により一次上昇し、第２イジェクタ１６０によって二次上昇することができる。すなわち、半導体チップがホルダ１１０上に段階的に上昇することができる。結果的に、第１イジェクタ１２０の上昇長、すなわち、第１長さは第１高さｄ１になり、第２イジェクタ１６０の上昇長、すなわち第２長さは第１高さｄ１に第２高さｄ２を加えた長さになる。すなわち、第２長さは、第１長さより長い。
上述した第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０の段階的な動きは、半導体チップに加えられる圧力を下げるのに利用される。さらに、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０を１つのシャフト１５０に共通に連結することにより、その内部構造を簡単にすることができ、また、エネルギーを節約できるという長所がある。このような経済的な構造は、簡単な弾性体、例えば、スプリング１４５を利用して実施される。
半導体チップの脱着装置は、テープから分離された半導体チップを固定させるためのコレット７０（図８）をさらに備えることもできる。コレットは、真空吸着を利用して半導体チップを固定させることができ、半導体チップの脱着を助けることができる。
この実施形態で、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０が１つのシャフト１５０によって共通に動力を伝達されると説明したが、本発明の範囲は、これに制限されるものではない。例えば、第１イジェクタ１２０及び第２イジェクタ１６０が分離され、それぞれ独立に動くことができる。すなわち、第２イジェクタ１６０は、直接シャフト１５０に連結され、第１イジェクタ１２０は、スプリング１４５により支持されず、他のシャフト（図示せず）に連結されることも可能である。シャフト１５０及び他のシャフトは、ステップモータにそれぞれ連結されることが可能である。その場合、半導体チップの一次上昇は、第１イジェクタ１２０によってなされ、二次上昇は、第２イジェクタ１６０によってなされる。
図５は、本発明の他の実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図である。図５の半導体チップの脱着装置は、図１及び図２の半導体チップの脱着装置において、第２イジェクタを変形したものである。従って、２つの実施形態で重複した説明は省略し、同じ参照符号は、同じ構成要素を表すものとする。
図５を参照すると、第２イジェクタ１６０ａは第１イジェクタ１２０の内部に配置されるが、真空チャンネルは有していない。従って、テープの吸着は、第１イジェクタ１２０の真空チャンネル１３２のみによってなされ、第２イジェクタ１６０ａによってテープの吸着は実施されない。第２イジェクタ１６０ａは、半導体チップを押し上げるために利用される。
図６は、本発明のさらに他の実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図であり、図７は、図６の半導体チップの脱着装置の断面図である。図６の半導体チップの脱着装置は、図１及び図２の半導体チップの脱着装置で、第２イジェクタを変形したものである。従って、２つの実施形態で、重複する部分に係る説明は省略し、同じ参照符号は、同じ構成要素を表すものとする。
図６及び図７を参照すると、第２イジェクタ１６０ｂは、一対のピンを備える。前記ピンは、ニードルと呼ばれることもある。前記ピンは、磁気力を利用してサセプタ１４０に固定される。前記ピンは、第２イジェクタ１６０ｂとテープとの接触面積を狭め、半導体チップの脱着効率を高めることができる。
図８ないし図１２は、本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。この実施形態で、半導体チップの脱着方法は、例示的に図１及び図２の半導体チップの脱着装置を利用して説明する。従って、以下の説明は、図５及び図６の半導体チップの動作方法にも適用される。
図８を参照すると、テープ６０上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップ５０を、ホルダ１１０の上面１１２上に搭載する。例えば、半導体基板（図示せず）に半導体チップ５０を形成し、半導体基板上にテープ６０を付着する。次に、半導体基板を切り取り、テープ６０上に付着された複数の半導体チップ５０を形成できる。
次に、コレット７０を利用して半導体チップ５０を固定する。例えば、コレット７０は、真空吸着を利用して半導体チップ５０を固定させることができる。コレット７０の底には、真空チャンネル（図示せず）が形成される。しかし、本発明の他の実施形態による方法によれば、コレット７０を利用した固定段階を省略することもできる。
図９を参照すると、テープ６０の一部分を真空吸着し、テープ６０を半導体チップ５０から部分的に脱着させる（一次脱着）。例えば、ホルダ１１０の貫通穴１１５内に配置された第１イジェクタ１０２の第１真空チャンネル１３２及び第２イジェクタ１６０の第２真空チャンネル１６７を利用し、テープ６０の一部分を真空吸着することができる。
第１イジェクタ１０２の第１真空チャンネル１３２及び第２イジェクタ１６０の第２真空チャンネル１６７の真空吸着と同時に、ホルダ１１０の第３真空チャンネル１１４を利用してテープ６０を固定させることもできる。しかし、ホルダ１１０の真空チャンネル１１４を分離し、真空吸着を制限することも可能である。さらに、第1真空チャンネル１３２，第２真空チャンネル１６７及び第３真空チャンネル１１４が互いに連結されている場合、テープ６０の脱着領域がさらに拡大されることもある。
図１０を参照すれば、半導体チップ５０をホルダ１１０上に一次押し上げる（一次上昇、二次脱着）。これにより、半導体チップ５０のエッジ部分のテープ６０が脱着される。このような一次上昇は、図３で説明したように、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０を第１高さｄ１ほど一次上昇させることによって達成される。
一次上昇段階で、半導体チップ５０外側部分のテープ６０部分は、ホルダ１１０に固定される。例えば、ホルダ１１０の第３真空チャンネル１１４を利用し、テープ６０を吸着しながらシャフト１５０を一次上昇させることができる。これにより、半導体チップ５０のエッジ部分のテープ６０が半導体チップ５０から脱着される。
しかし、図１０に示した実施形態を変形し、第１イジェクタ１２０だけを利用して半導体チップ５０を一次上昇させることも可能である。さらに、ホルダ１１０の第３真空チャンネル１１４以外の他の方法で、半導体チップ５０外側のテープ６０部分を固定することも可能である。例えば、機械的な方法でテープ５０を固定したり、または静電気力を利用して固定したりすることもできる。
図１１を参照すれば、半導体チップ５０をホルダ１１０上に二次押し上げる（二次上昇、３次脱着）。これにより、半導体チップ５０のテープ６０がさらに半導体チップ５０から脱着される。このような二次上昇は、図４で説明したように、第２イジェクタ１６０を第２高さｄ２ほど二次上昇させることによって達成される。
二次上昇段階で、第２イジェクタ１６０の第２タブ１６５を除外した他の部分のテープ６０が半導体チップ５０から脱着される。すなわち、この段階で、テープ６０のほとんどが実質的に半導体チップ５０から脱着される。
このように、半導体チップ５０が二段階にわたって段階的に上昇することにより、半導体チップ５０に加えられる圧力が低下する。さらに、第２イジェクタ１６０の二次上昇の速度は、スプリング１４５の弾性力によって徐々に低下し、半導体チップ５０に加えられる圧力をさらに下げることができる。従って、従来ピンまたはニードル（needle）だけを利用した場合に比べ、半導体チップ５０へのクラック発生を大きく抑制するか、または減少させることができる。
図１２を参照すると、第２イジェクタ１６０上の半導体チップ５０を持ち上げつつ、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０を下降させる。これにより、半導体チップ５０をテープ６０から完全に分離させることが可能である。例えば、半導体チップ５０を持ち上げる手段としては、コレット７０に真空吸着力を提供するか、または真空吸着状態で荷重を加えて行うことができる。
図８の段階で、コレット７０を利用して半導体チップ５０を固定しない場合には、図１２の段階で、コレット７０を利用して半導体チップ５０を吸着しながら持ち上げることができる。
前述の半導体チップの脱着方法は、三段階の脱着過程を利用する。すなわち、図９に図示されているように、第１イジェクタ１０２の第１真空チャンネル１３２及び第２イジェクタ１６０の第２真空チャンネル１６７を利用してテープ６０の一部分を一次脱着する。次に、図１０に図示されているように、第１イジェクタ１０２及び第２イジェクタ１６０の一次上昇を利用してテープ６０のエッジ部分を二次脱着する。そして、図１１に図示されているように、第２イジェクタ１６０の二次上昇を利用してテープ６０を二次脱着し、半導体チップ６０を実質的にほとんど脱着させる。このような段階的な脱着過程は、半導体チップ５０に加えられる圧力を低下させることができ、その結果、半導体チップ５０のクラック発生を抑制する、または減少させることができる。
図８ないし図１２は、図１及び図２の半導体チップの脱着装置を利用して半導体チップの脱着方法について説明した。しかし、該当技術分野における当業者ならば、図８ないし図１２の説明を参照することで、図５ないし図７の半導体チップの脱着装置を利用した半導体チップの脱着方法を容易に理解することができることは自明である。
本発明の特定の実施形態についての以上の説明は、例示及び説明を目的として提供された。従って、本発明は、前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で該当分野における当業者により、前記実施形態を組み合わせて実施するなど、さまざまな多くの修正及び変更が可能であるということは明白である。
本発明の一対のイジェクタを具備する半導体チップの脱着装置及びこれを利用した半導体チップの脱着方法は、例えば、半導体関連の技術分野に効果的に適用可能である。
本発明の一実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図である。 図１の半導体チップの脱着装置の断面図である。 図１の半導体チップの脱着装置の動きを示す断面図である。 図１の半導体チップの脱着装置の動きを示す断面図である。 本発明の他の実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態による半導体チップの脱着装置を示す斜視図である。 図６の半導体チップの脱着装置の断面図である。 本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態による半導体チップの脱着方法を示す断面図である。
符号の説明
５０ 半導体チップ
６０ テープ
７０ コレット
１１０ ホルダ
１１２ ホルダの上面
１１４ （第３）真空チャンネル
１１５ 貫通孔
１１６ ホール
１２０ 第１イジェクタ
１２２ 第１イジェクタの本体
１２５ エッジ突出部
１３０ 第１タブ
１３２ 第１真空チャンネル
１４０ サセプタ
１４５ スプリング
１５０ シャフト
１６０ 第２イジェクタ
１６０ａ 第２イジェクタ
１６０ｂ 第２イジェクタ
１６５ 第２タブ
１６７ 第２真空チャンネル

Claims (27)

  1. 半導体チップの脱着装置であって、
    テープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載するための上面を備え、前記上面が貫通穴を有するホルダと、
    前記ホルダ内に配置され、前記ホルダ上の半導体チップを押し上げるように、前記ホルダの貫通穴を介して前記ホルダの長手方向に第１長さほど昇降する第１イジェクタと、
    前記ホルダ内に配置され、前記ホルダ上の半導体チップを押し上げるように、前記ホルダの貫通穴を介して前記ホルダの長手方向に前記第１長さより長い第２長さほど昇降する第２イジェクタと、
    を備えることを特徴とする半導体チップの脱着装置。
  2. 前記第１イジェクタ及び前記第２イジェクタに共通に動力を伝達するシャフトをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの脱着装置。
  3. 前記第１イジェクタは、前記ホルダの内部で動くように、前記ホルダの貫通穴より広い断面積の本体、及び前記ホルダの貫通穴内を昇降するように、前記本体から突出した複数の第１タブを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップの脱着装置。
  4. 前記シャフトに固定され、前記第２イジェクタを支持するサセプタをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップの脱着装置。
  5. 前記サセプタは、弾性体を介在して前記第１イジェクタ内部に配置されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体チップの脱着装置。
  6. 前記サセプタは、磁気力を利用して前記第２イジェクタを支持することを特徴とする請求項４に記載の半導体チップの脱着装置。
  7. 前記弾性体は、スプリングを備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップの脱着装置。
  8. 前記第１イジェクタは、前記テープを吸着するための第１真空チャンネルを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの脱着装置。
  9. 前記第２イジェクタは、前記テープを吸着するための第２真空チャンネルを備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップの脱着装置。
  10. 前記第１真空チャンネル及び前記第２真空チャンネルは、互いに連結されたことを特徴とする請求項９に記載の半導体チップの脱着装置。
  11. 前記ホルダは、前記上面を貫通して形成された第３真空チャンネルをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体チップの脱着装置。
  12. 前記第２イジェクタは、少なくとも一つ以上のピンを備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップの脱着装置。
  13. 前記ホルダの上面は円形であり、前記ホルダの貫通穴は、前記半導体チップの外形と同じ形状を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体チップの脱着装置。
  14. 半導体チップの脱着装置であって、
    テープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載するための上面を備え、前記上面が貫通穴を有するホルダと、
    前記ホルダ内に配置され、前記ホルダの内部で動くように、前記ホルダの貫通穴より広い断面積の本体、及び前記ホルダの貫通穴内を昇降するように、前記本体から突出した複数の第１タブを有し、前記第１タブの間に第１真空チャンネルが限定された第１イジェクタと、
    前記ホルダ内に配置され、前記ホルダの貫通穴内を昇降するように、前記第１イジェクタの内部に配置された第２イジェクタと、
    を備えることを特徴とする半導体チップの脱着装置。
  15. 前記第２イジェクタは、前記テープを吸着するための第２真空チャンネルを備えることを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップの脱着装置。
  16. 前記ホルダは、前記上面を貫通して形成された第３真空チャンネルをさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体チップの脱着装置。
  17. 前記第１イジェクタ及び前記第２イジェクタに共通に動力を伝達するシャフトをさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップの脱着装置。
  18. 前記シャフトに固定され、前記第２イジェクタを支持するサセプタをさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の半導体チップの脱着装置。
  19. 前記サセプタは、弾性体を介在して前記第１イジェクタ内部に配置されたことを特徴とする請求項１８に記載の半導体チップの脱着装置。
  20. 貫通穴を有するホルダの上面上にテープ上に接着された少なくとも一つ以上の半導体チップを搭載する段階と、
    前記半導体チップのエッジ部分のテープが脱着されるように、前記ホルダの貫通穴内に配置された第１イジェクタを利用し、前記半導体チップを前記ホルダ上に一次押し上げる段階と、
    前記半導体チップのテープがさらに脱着されるように、前記第１イジェクタ内部に配置された第２イジェクタを利用し、前記半導体チップを前記ホルダ上に二次押し上げる段階と、
    前記半導体チップが前記テープから分離されるように、前記第２イジェクタ上の前記半導体チップを持ち上げつつ、前記第１及び第２イジェクタを下降させる段階と、
    を含むことを特徴とする半導体チップの脱着方法。
  21. 前記第２イジェクタ上の前記半導体チップを持ち上げる手段として、コレットを利用することを特徴とする請求項２０に記載の半導体チップの脱着方法。
  22. 貫通穴を有するホルダの上面上に前記半導体チップを搭載する段階後に、前記コレットを利用して前記半導体チップを真空吸着して固定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体チップの脱着方法。
  23. 前記第１イジェクタ及び前記第２イジェクタは、共通シャフトにより移動することを特徴とする請求項２０に記載の半導体チップの脱着方法。
  24. 前記一次押し上げる段階前に、前記ホルダの貫通穴内に配置された真空チャンネルを利用し、前記テープの一部分を真空吸着して前記テープを前記半導体チップから部分的に脱着させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体チップの脱着方法。
  25. 前記真空チャンネルは、前記第１イジェクタに形成された第１真空チャンネルを備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体チップの脱着方法。
  26. 前記真空チャンネルは、前記第２イジェクタに形成された第２真空チャンネルをさらに備えることを特徴とする請求項２５に記載の半導体チップの脱着方法。
  27. 前記半導体チップを一次押し上げる段階で、前記半導体チップ周辺のテープ部分は、前記ホルダの上面を貫通して形成された第３真空チャンネルを利用して固定することを特徴とする請求項２６に記載の半導体チップの脱着方法。
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