JP2007514319A - リソグラフィシステムにおけるユーティリティ輸送システム - Google Patents

Abstract

リソグラフィシステムにおいて、ステージに影響を与える物理的な外乱を最小化しながら、レチクルステージ又はウエハステージにあるいはレチクルステージ又はウエハステージからユーティリティを輸送する技術が記述される。これらの技術は、ステージと物理的に接触することなく、ステージに又はステージからユーティリティを輸送することを含む。また、ユーティリティは、ステージが静止位置にある間に、ステージと物理的に接触することによって輸送される。ステージに又はステージからユーティリティを輸送することに加えて、処理装置、バッファ（記憶媒体）、電気構成要素、及び機械構成要素をステージ内に配置して、輸送されたユーティリティを使用又は制御することができる。

Description

本発明は、一般的にはリソグラフィシステムに関し、より具体的には、ユーティリティをウエハステージ又はレチクルステージに輸送する際に、そうしたステージの物理的外乱及び汚染を最少化するための技術に関する。

リソグラフィシステムは、半導体ウエハを光の特定パターンで露光する、半導体デバイスの製造に使用される。これは、通常、パターン化されたレチクルを介して、ウエハ上に光を照射することによって行われる。レチクルはレチクルステージ内に支持され、このステージはフレームに支持される。レチクルステージは、フレームに対して、その結果ウエハに対して精密に移動可能に支持される。レチクルステージは、アクチュエータなどの機械的装置、あるいは空気圧又は電磁力を使用する無抵抗技術によって支持することができる。一部のリソグラフィシステムでは、ウエハを支持するウエハステージを、支持フレームに対して精密に移動させることも可能である。

レチクルステージ又はウエハステージが機能するには、電力、電気制御信号、流体(例えば、冷却目的)、及びガス(例えば、導体として機能)などの、１つ又は複数のユーティリティが必要である。そうしたユーティリティは、フレキシブルケーブルやフレキシブルホースを介して、ステージに又はステージから輸送されるのが一般的である。通常、ユーティリティは、ステージと支持フレームとの間で輸送される。しかしながら、そうした輸送技術の典型的な課題として、ステージ及びフレーム間の振動伝達、接続ホース及びケーブルからのパーティクルの発生、及びホース及びケーブルにおけるリークがある。振動伝達は、ケーブル及びホースが、ステージ及びフレーム間の振動経路となるために発生する。これは、ステージの位置決め精度の低下を招く。また、ステージの動きあるいはベースの動きによってケーブル及びホースの固有モードが励起されると、それによってケーブル及びホースが振動する可能性がある。パーティクルの発生は難題であり、その理由は、ケーブル及びホースの動きに伴う、それらの曲り、撓み、及び固定表面との摩擦がパーティクルを発生させ得るからである。こうしたパーティクルがレチクル、光学系、ウエハ、あるいは測定装置に付着すると、リソグラフィプロセスの性能低下を招く可能性がある。さらには、フレキシブルホースは破損する可能性があるので、リークのリスクが常に存在する。

こうした課題についてのリスクを軽減しようとすると、その解決策は、堅い、厚い、あるいは曲げ半径の大きいケーブル及びホースの使用につながり、これらはスペースを消費する、又は振動伝達を悪化させる。それらのリスクを軽減する他の解決策として、冷却剤を、効率は水よりも劣るが、蒸発が速くかつシステム構成部品に対して非腐食性のものに限定することが挙げられる。

これらの課題は、極めて厳しい精度が要求される次世代リソグラフィ(NGL: next generation lithography)システムにとって、特に問題である。ＮＧＬシステムの１つに、ＥＵＶ（extreme ultraviolet）システムがあり、これは真空で作動するとともに、特殊な被覆を施したミラー光学系を使用する。ＥＵＶシステムにおいて、光源からの光がレチクルで反射できるように、レチクルステージに取り付けられたチャックの片側にレチクルが支持される。ＥＵＶシステムは、すでに考察した課題に加えて、フレキシブルケーブル及びフレキシブルホースに関する追加の課題を有する。その１つとして、フレキシブルホースからの水及び炭化水素の脱ガスが、光学要素の寿命に悪影響を与える可能性がある。例えば、水は、光学要素を腐食する可能性があり、そのような損傷は回復不可能である。また、炭化水素は、時間とともに光反射率を低下させ、これはシステム処理能力を低下させる。脱ガスは、動作真空レベルに達するまでの時間にも悪影響を与える。ケーブル及びホースを焼成（baking-out）するという、可能性のある解決策も、それらをより堅くするだけであり、これはある種の問題を悪化させる。

上記を考慮すると、物理的な外乱又は汚染粒子又はガスを伴うことなく、レチクルステージ又はウエハステージにユーティリティを輸送する技術が望まれる。

本発明の目的は、ステージに与える物理的外乱を最小化しながら、リソグラフィシステムにおいてレチクルステージ又はウエハステージにあるいはレチクルステージ又はウエハステージからユーティリティを輸送する技術である。これらの技術には、ステージと物理的に接触することなく、ステージに又はステージからユーティリティを輸送することを伴う。また、ステージが静止位置にある間、ステージと物理的な接触をすることによって、ユーティリティを輸送する。

本発明の一態様は、変圧器、ステージ、及びフレームを有するリソグラフィシステムに関する。変圧器は、誘導コア（inductive core）、一次誘導コイル、及び二次誘導コイルを有し、誘導コアは、第１端及び第２端を有し、一次誘導コイルは、誘導コアの第１端のまわりに巻かれている。ステージは、ウエハ又はレチクルを支持するのに適しており、ステージは二次誘導コイルを収容し、フレームは、誘導コアの第２端が二次誘導コイル中に延びるようにステージと誘導コアとを支持するとともに、誘導コアの各側面は、二次誘導コイルの内表面からの最小の離間距離を維持し、それによって、一次誘導コイルに供給される電力を、二次誘導コイルが引き出すことができる。

本発明の別の態様は、ウエハ又はレチクルを支持するのに適したステージ、該ステージを支持するフレーム、前記ステージの内部又はその表面上に配置され、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティを輸送するステージユーティリティ輸送手段、及び前記フレームの内部又はその表面上に配置され、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティを輸送するフレームユーティリティ輸送手段を含み、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティが輸送されている間に、前記ステージと前記フレームを、互いに物理的に離れたままにすることのできる、リソグラフィシステムに関する。

本発明の別の態様は、リソグラフィシステムのステージとベースとの間で、ユーティリティを輸送する方法に関する。この方法は、フレームとステージとの間に供給チャネルを接続すること、該接続された供給チャネルを介して前記ステージと前記フレームの間でユーティリティを輸送すること、及び前記供給チャネルを前記ステージから切り離すことを有する。本方法のある実現形態は、前記供給チャネルを接続する前に、ステージを走査運動から静止位置に安定化すること、及び、次いで、前記供給チャネルを切り離した後に、前記ステージに走査運動を再開させることをさらに有する。

本発明の別の態様は、少なくとも一次誘導コイル、二次誘導コイル、ステージ、及びフレームを含む変圧器を有するリソグラフィシステムに関する。二次誘導コイルは、第１端と第２端を有し、前記第１端及び第２端は前記二次誘導コイルの長軸の両端にある。このステージは、ウエハ又はレチクルを支持するのに適しており、前記ステージは、少なくとも二次誘導コイルの第１端に取り付けられ、それによって前記二次誘導コイルを支持する。前記フレームは、一次コイルが二次コイルに近接するように、前記一次コイルを支持し、前記一次コイル及び前記二次コイルは、ステージがフレームに対して二次コイルの長軸に沿って移動するときに、互いに離間距離を維持する。一次コイル内の電流が電磁場を生成し、その電磁場によって二次誘導コイル内に電流が流れる。

本発明のさらに別の態様は、リソグラフィシステムであって、レチクル又はウエハを支持するのに適したステージ、該ステージの表面上に位置するステージポート、前記ステージを支持するフレーム、前記フレームの表面上に位置するフレームポートであって、前記ステージポート及び前記フレームポートは、ガス及び／又は流体が前記ステージと前記フレームとの間で輸送されるように、互いに接続するのに適している前記フレームポート、及び前記フレーム内のフレーム真空ポンプであって、前記フレームポートの縁のまわりの位置において前記フレームの表面に延びる真空通路を有する前記フレーム真空ポンプを有し、該フレーム真空ポンプは、前記ステージポートと前記フレームポートの間の接続から漏洩するいかなるガス及び／又は流体をも排出することのできる、リソグラフィシステムに関する。

本発明のこれら及びその他の特徴及び利点は、以下の本発明の明細書と添付の図面において、より詳細に示すが、これらの図面は、例として、本発明の原理を示すものである。

以下の記述を添付の図面と合わせ読めば、本発明は、そのさらなる利点と合わせて、最も詳細に理解することができる。

次に、添付の図面に示した、いくつかの好ましい実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。以下の説明において、多くの個別の詳細は、本発明の完全な理解を提供するために記載するものである。しかしながら、これらの個別の詳細の一部又は全部がなくても、本発明を実施することができることは、当業者には明白であろう。その他の場合には、本発明を不必要に曖昧にしないために、よく知られた動作については、詳細に記述してない。

本発明は、ステージに影響を与える物理的外乱を最小にしながら、リソグラフィシステムにおけるステージに又はステージからユーティリティを輸送する技術に関する。このステージは、レチクル又は半導体ウエハを支持するものである。これらの技術は、リソグラフィシステムの基準構成要素に対してステージを位置決めするための厳しい精度を満足させることを可能にする。また、この技術は、無汚染物質処理環境を維持するための厳しい要件を満足する。これらの技術は、ステージと物理的に接触することなく、ステージに又はステージからユーティリティを輸送することにかかわる。なお、ステージが静止した状態にある間は、ステージとの物理的な接触を伴ってユーティリティが輸送される。ステージに又はステージからユーティリティを輸送することに加えて、処理装置、バッファ(記憶媒体)、電気構成要素、及び機械構成要素などの装置を、ステージ内に配置して、輸送されたユーティリティを使用及び/又は制御することができる。

図１は、リソグラフィシステム１００の代表的な構成要素の概観を示す。以下の章では、これらの構成要素について説明するが、ここで、本発明に係わるシステム１００に関係する構成要素は、レチクルステージ１１６、レチクル１１８、及び光学フレーム１１２である。レチクル１１８を支持するレチクルステージ１１６は、光学フレーム１１２に支持されるとともに、それに対して制御された動きで移動する。レチクルステージ１１６が移動する際、レチクル１１８の上方又は下方からの光を使用して、ウエハ１２４の選択領域上に特定のパターンを照射することができる。これらの一般的な構成要素の説明に続いて、ステージ１１６と光学フレーム１１２との間のユーティリティの輸送に関する装置について詳細に説明する。ここで、光学フレーム１１２の上方にレチクルステージ１１６が位置するように示されているが、他のリソグラフィシステムでは、レチクルステージは支持フレーム内に配置される（図２及び図５参照）。

本考察では、レチクルステージ１１６と光学フレーム１１２の間のユーティリティ輸送について焦点を当てるが、本発明の概念は、ウエハステージとその支持構造の間のユーティリティ輸送に同様に適用できる。例えば、本発明のユーティリティ輸送技術は、ウエハステージ１２２及び下部筐体１２６においても実施することができる。レチクルステージ１１６におけるバッファリング装置及び処理装置に関する概念は、ウエハステージ１２２においても実施することができる。

リソグラフィシステム１００は、搭載ベース１０２、支持フレーム１０４、ベースフレーム１０６、計測システム１０８、制御システム（図示せず）、照明システム１１０、光学フレーム１１２、光学装置１１４、レチクル１１８を保持するためのレチクルステージ１１６、レチクルステージ１１６を囲む上部筐体１２０、半導体ウエハ１２４を保持するためのウエハステージ１２２、及びウエハステージ１２２を囲う下部筐体１２６を有する。

支持フレーム１０４は、ベース振動絶縁システム１２８を介して、主に、搭載ベース１０２の上方のベースフレーム１０６を支持する。ベースフレーム１０６は、光学振動絶縁システム１３０を介して、光学フレーム１１２、計測システム１０８、レチクルステージ１１６、上部筐体１２０、光学装置１１４、ウエハステージ１２２、及びベースフレーム１０６上の下部筐体１２６を支持する。光学フレーム１１２は、光学振動絶縁システム１３０を介して、光学装置１１４、レチクルステージ１１６、及びベースフレーム１０６上方のレチクル１１８を支持する。その結果として、光学フレーム１１２及びその支持構成要素ならびにベースフレーム１０６は、ベース振動絶縁システム１２８及び光学振動絶縁システム１３０を介して、直列に、搭載ベース１０２に実質的に取り付けられる。振動絶縁システム１２８、１３０は、リソグラフィシステム１００の構成要素間の振動を減衰させて絶縁するように設計される。ベースフレーム１０６（上部筐体１２０）と光学機器１１４との間に、前述のシール１３２が配置されている。記述のシーリング配設は、筐体１２０に対して良好なシールをもたらし、さらに、筐体及び光学機器１１４間の振動の伝達を防止するのを助ける。計測システム１０８は、光学装置１１４などの基準に対して、ステージ１６６、１２２の位置を観察し、位置データを制御システムに出力する。

光学装置１１４は、レチクル１１８を通過する、照明システム１１０からの光又はビームを、投射及び／又は集光させる光学機器を主に有する。装置１００の他の実施形態において、照明システム１１０及び光学装置１１４は、光を投射及び／又は集光させかつ、その光がレチクルで反射するように設定される。

レチクルステージ１１６は光学フレーム１１２上に設置されており、レチクルステージ１１６は、光学フレーム１１２及びウエハ１２４に対し、動作（例えば、走査動作）制御を介して、移動可能である。レチクルステージ１１６を、レチクルステージ１１６の動作案内を助けるガイド上に配置してもよい。あるいは、レチクルステージ１１６を、ガイドを使用しない、無ガイド型ステージとすることもできる。ガイドの一例として、空気ベアリング、ボールベアリング、電磁気ベアリング（ローレンツ力、マックスウェル力）、又は永久磁石が挙げられる。レチクルステージ１１６は、作動装置を介して所望の動きで運動可能である。作動装置としては、様々な種類のアクチュエータ、特に、圧電式アクチュエータ、電磁アクチュエータ（ローレンツ力、マックスウェル力）、静水圧アクチュエータ、及びボールならびにスクリューアクチュエータなどがある。

同様に、ウエハステージ１２２は下部筐体１２６上に設置され、レチクルステージ１１６について記述したように、ガイドを用いて又は用いずに、動作制御を介して案内される。また、ウエハステージ１２２は、レチクルステージ１１６について記述したものと同様の作動装置を介して運動可能である。

磁気浮上を用いる場合には、レチクルステージ１１６を、平面電磁モータによって駆動可能である。こうしたモータは、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、対向位置に二次元にコイルを配置した電機子コイルユニットとを有することができる。この種の駆動システムを用いる場合、磁石ユニット及び電機子コイルユニットのいずれか一方がステージに接続され、他方のユニットがステージの移動面側に搭載される。

上述したレチクルステージ１１６及びウエハステージ１２２の動きは反力を発生させ、この反力はフォトリソグラフィシステムの性能に影響を与える可能性がある。ウエハ（基板）ステージ１２２の動きにより発生する反力は、米国特許第５，５２８，１１８号明細書及び特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的にフロア（大地）に逃がすことが可能である。さらに、レチクル（マスク）ステージ１１６の動きにより発生する反力は、米国特許第５，８７４，８２０号明細書及び特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的にフロア（大地）に逃がすことが可能である。米国特許第５，５２８，１１８号及び第５，８７４，８２０号ならびに特開平８−３３０２２４号の開示を援用して本文の記載の一部とする。

当業者に明らかなように、多くの異なる種類のフォトリソグラフィ装置がある。例えば、リソグラフィシステム１００は、レチクル１１８とウエハ１２４とを同期移動させながら、レチクル１１８からウエハ１２４上にパターンを露光する、スキャニング型のフォトリソグラフィシステムとして使用することが可能である。スキャニング型のリソグラフィ装置においては、レチクルステージ１１６によって光学機器１１４の光軸に垂直にレチクル１１８が移動され、ウエハステージ１２２によって光学機器１１４の光軸に垂直にウエハ１２４が移動される。レチクル１１８とウエハ１２４との同期移動の間に、レチクル１１８及びウエハ１２４の走査が行われる。

また、リソグラフィシステム１００は、レチクル１１８及びウエハ１２４が静止した状態でレチクル１１８を露光する、ステップ・アンド・リピート型フォトリソグラフィシステムとして用いることもできる。ステップ・アンド・リピートの工程では、１つのフィールドの露光中において、レチクル１１８及び光学機器１１４に対して一定位置にウエハ１２４がある。続いて、連続した複数の露光ステップの間に、光学機器１１４の光軸に対して垂直に、ウエハステージ１２２とともに一定速度でウエハ１２４が動かされ、半導体ウエハ１２４における次のフィールドが光学機器１１４及びレチクル１１８に対する露光位置に位置決めされる。この工程の後、レチクル１１８上の像がウエハ１２４のフィールドに順次的に露光され、その後、半導体ウエハ１２４の次のフィールドが光学機器１１４及びレチクル１１８に対して位置決めされる。

なお、ここで提示されるリソグラフィシステム１００の用途は、半導体製造用のフォトリソグラフィシステムに限定されない。例えば、リソグラフィシステム１００は、液晶ディスプレイデバイスのパターンを矩形のガラスプレートに露光するＬＣＤフォトリソグラフィシステム、あるいは、薄膜磁気ヘッド製造用のフォトリソグラフィシステムとしても使用可能である。さらに、本発明は、光学機器を介することなく、マスクを基板に近づけてマスクパターンを露光する、プロキシミティ方式のフォトリソグラフィシステムにも適用可能である。さらに、ここで提示される本発明は、その他の半導体処理装置、工作機械、金属切断機、及び検査機などの他の装置にも使用可能である。

（照明システム１１０の）照明源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）とすることができる。あるいは、照明源は、Ｘ線や電子線などの荷電粒子ビームも使用することができる。例えば、電子線を用いる場合には、電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライド（ＬａＢ_６）、あるいはタンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、電子ビームを用いる場合には、マスクを用いる構成、マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成、のいずれでもよい。

エキシマレーザのような遠紫外線を使用する場合には、遠紫外線を透過する石英や蛍石などのガラス材を光学機器１１４に使用するのが好ましい。Ｆ_２タイプのレーザやＸ線を使用する場合には、光学機器１１４が反射屈折系または屈折系（レチクルも反射タイプであるのが好ましい）であるのが好ましく、また、電子線を使用する場合には、電子レンズ及び偏向器を電子光学系が備えるのが好ましい。電子線が通過する光路は真空である必要がある。

また、波長が２００ｎｍ以下の真空紫外放射線（ＶＵＶ）を使用する露光装置において、反射屈折型の光学系の採用を検討することができる。光学系の反射屈折型の例は、特開平８−１７１０５４号公報及びそれに対応する米国特許第５，６６８，６７２号明細書や、特開平１０−２０１９５号公報及びそれに対応する米国特許第５，８３５，２７５号明細書に開示されている。これらの場合、反射光学素子としては、ビームスプリッタと凹面鏡とを有する反射屈折光学系を採用することができる。特開平８−３３４６９５号及びそれに対応する米国特許第５，６８９，３７７号明細書、ならびに特開平１０−３０３９号公報においても、ビームスプリッタを用いずに凹面鏡を有する光学系からなる反射屈折型を採用しており、本発明に適用可能である。上記の米国特許及び日本国特許出願公開公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本発明は、リソグラフィシステム１００が極紫外リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムである場合にも実現可能である。ＥＵＶＬシステムにおいて、照明源１１０は、極めて短い波長の光を発する。例えば、レーザープラズマ線源（ＬＰＰ）又はガス放電プラズマ光源（ＧＤＰ）によって作られる、波長域が約１３ｎｍの光を使用することができる。ＥＵＶ放射線は屈折光学系に非常に強く吸収されるので、ＥＵＶＬシステムの光学構成要素には、ケイ素及びモリブデンからなる特殊多層被覆を施した反射光学部品が通常用いられる。また、ほとんどのガスがＥＵＶ放射線を吸収することから、ＥＵＶ線の経路は、通常、真空環境に収納される。

上述のように、上記の実施形態に係るフォトリソグラフィシステムは、添付の本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、及び光学的精度を保つように、組み立てることで製造することができる。これらの各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、すべての光学系について、光学的精度を達成するための調整が行われる。同様に、すべての機械系及び電気系について、機械的精度及び電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程は、各サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続及び空圧配管接続を含む。この各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムを用いてフォトリソグラフィシステムが組み立てられると、フォトリソグラフィシステム全体としての各種精度を確保するための、総合調整が行われる。また、露光システムの製造は温度及び湿度が制御されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。

次に、リソグラフィシステムの代表的な構成要素について説明する。図２、３、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、及び６は、ユーティリティを輸送する技術を説明するものであり、この技術は、ステージとその支持構造又は任意の種類のユーティリティ供給装置との間の物理的接触を必要としない。こうした技術を、ユーティリティ輸送用の非接触技術と呼ぶ。次に、図７及び８は、ステージと、その支持構造又は任意の種類のユーティリティ供給装置との間の物理的接触を伴う技術を説明するものであり、この技術を接触技術と呼ぶ。

図２は、レチクルステージ２００、その支持フレーム２０２、及び非接触ユーティリティ輸送のための本発明の一実施形態に係る装置の斜視横断面を示す。図２において、本発明の態様の明確化のために、リソグラフィシステムの他の構成要素の図示を省略している。図３は、図２の３−３線に沿った、ステージ２００の側断面を示す。非接触ユーティリティ輸送とは、ステージ２００とフレーム２０２との間の剛性が実質的にゼロであり、輸送装置がステージに加える正味の力が実質的にゼロである（すなわち、外乱的な正味の力をステージに加えない）ユーティリティ輸送のことを言う。そうした輸送は、フレーム２０２に対するステージ２００の移動中、例えばステージ２００の走査中に行われる。ステージ２００が静止している間、例えばウエハ処理ステップの間においても、ユーティリティを輸送することが可能である。

図２のフレーム２０２の横断面は、フレーム２０２の半分を示すようにほぼ中間点で切り取られたものである。ステージ２００の横断面は、ステージ２００の一端近くで切り取られたものである。組み立てた形態において、ステージ２００は、スロット２０４内で自由にすべり、フレーム２０２によって完全に囲まれる。ステージ２００は、絵画フレーム内に設定された絵画と似ている。先に考察したように、電磁石又は空気圧を使用する技術を用いて、フレーム２０２のスロット２０４内のステージ２００の動きを停止及び制御することができる。ステージ２００は、フレーム２０２の開口２０８を介して光源とアクセスされ得るレチクル２０６を支持する。図３は、バッファ装置、処理装置、センサ類、及びその他の種類の装置のためのスペースを提供する電子部品室２２０を示す。

図２は、ステージ２００及びフレーム２０２の代表的な構造を示しており、２つの構造間でのユーティリティ輸送技術を説明する背景として役立つ。したがって、本発明の輸送技術は、異なる構成及び使用法のステージ及びフレームにおいても実施できることを理解すべきである。例えば、ステージ２００は、半導体ウエハ上に向けて光を伝達又は光を反射させるレチクル２０６を支持することができる。図２及び３に示す実施形態は、光がレチクル２０６で反射するのに適しており、レチクル２０６は、チャック２０７と呼ばれる別個の支持構造によって支持される。図３に示すように、アクチュエータ、ドライバ、センサなどの使用を通じて、ステージ２００に対して独立してチャック２０７を位置決めすることができる。

ステージ２００に輸送すべきユーティリティの１つは電力である。変圧器は、電気誘導を通じて電力を伝送するのに使用される１つの非接触装置である。図２に示す変圧器２１０は、フレーム２０２内、スロット２０４内、及びフレーム２０２の外側表面に沿って延びる。変圧器２１０は、誘導コア２１２、誘導一次コイル２１４、及び誘導二次コイル２１６を含む。一次コイル２１４は、誘導コア２１２における、ステージ２００及びフレーム２０２の外側部分に巻かれる。二次コイル２１６は、ステージ２００内部に収納される。一般的に知られるように、一次コイル２１４を流れる電流は誘導コア２１２に誘導される電磁場を生成し、電磁場は二次コイル２１６内に電流を流す。すなわち、誘導二次コイル２１６が誘導コア２１２を介して電力を引き出せるように、一次コイル２１４に電力が供給される。誘導二次コイル２１６はステージ０２に固定され、スロット２０４にステージ２００が挿入されると、誘導コア２１２のスロット２０４内の部分が誘導二次コイル２１６に挿入される。走査工程における走査軸２１８に沿ったステージ２００の移動中に、誘導コア２１２上を誘導二次コイル２１６が自由に移動できるように、誘導コア２１２のスロット２０４内の部分が位置決めされる。誘導コア２１２及び二次コイル２１６間の非接触、相対運動を確保するために、誘導コア２１２の最大径に比べて二次コイル２１６の内径が大きい必要がある。

こうした変圧器２１０の構成は、二次コイル２１６及び誘導コア２１２間の物理的接触を一切伴うことなく、二次コイル２１６から電力を引き出すことを可能にする。空気浮上技術又は磁気浮上技術によってステージ２００が支持される場合には、ステージ２００及びフレーム２０２間の物理的接触も回避される。非接触ステージ浮上及び電力伝達技術を用いることにより、ステージ２００への物理的外乱力を最小化しながら、移動中又は静止時のステージ２００への電力供給が可能になる。さらに、ステージ２００への電力供給に使用可能な電力ケーブルからの汚染物質も回避される。

別の実施形態において、ステージ２００内の誘導コア２１２上に、複数の誘導二次コイルをループ状に配置することができる。ステージ２００は、２以上の誘導二次コイルを有することにより、各誘導二次コイルから異なる電圧レベルの電力を引き出すことが可能である。さらに別の実施形態において、ステージ２００及びフレーム２０２の様々な場所に複数の変圧器を配置することができる。それに応じて、ステージ２００は、各変圧器に対して誘導コアの一端を受け入れるための複数の誘導二次コイルを有する。例えば、ステージ２００の各側部に変圧器を配置することができる。このような方式で小型の変圧器を用いることにより、各変圧器から異なる電圧の電力を引き出すことができる。

図４Ａは、フレーム４００及びステージ４０２間の非接触電力輸送用の変圧器の別の一実施形態を利用したフレーム４００及びステージ４０２の斜視図である。図４Ｂは、図４Ａのフレーム４００及びステージ４０２を上から見た平面図を示す。ここで、図４Ａ及び４Ｂでは、変圧器の使用の説明に必要なフレーム４００の一部分だけを示している。変圧器の本実施形態は、フレーム４００内に構築された誘導コア４０４、誘導一次コイル４０６、及び誘導二次コイル４０８を有する。フレーム４００は、誘導コア４０４によって分かれた２つの開口４１０を有する。誘導コア４０４のまわりに一次コイル４０６が巻かれている。誘導コア４０４及び一次コイル４０６を取り囲むように、より大きな径を有する二次コイル４０８がループ状にされている。二次コイル４０８は、その端部がステージ４０２に支持される。また、一次コイル４０６に近接したフレーム４００の開口４１０のそれぞれを二次コイル４０８が貫通する。二次コイル４０８は一次コイル４０６又はコア４０４とは接触せず、従って、ステージ４０２の走査運動中にステージ４０２及び二次コイル４０８がフレーム４００に対して自由に移動可能である。二次コイル４０８の長軸が開口４１０を通過するように、走査軸４１２に沿ってステージ４０２が往復動可能である。二次コイル４０８の長さは、変圧器に望ましいストローク長に応じて調節することができる。

別の一実施形態において、変圧器は、コアなしで機能できる。すなわち、一次及び二次コイルは、コアの存在なしに互いに移動する。例えば、誘導コア４０４を有さないフレーム４００内に一次コイル４０６を停止させることができる。無コア誘導電力輸送装置を使用することもできるが、そうした装置は、鉄心を使用する変圧器に比べて効率が低い傾向にあり、また外乱力が生じるリスクが高い。

図４Ａ及び４Ｂの変圧器の構成は、図示と反対の方法でも実施可能である。すなわち、別の一実施形態において、上述したフレーム４００及びそれに関連する構成要素を、ステージとすることができる。また、上述したステージ４０２及びそれに関連する構成要素を、フレームとすることができる。その結果、コアのまわりに巻かれたコイルをステージが有し、ステージを貫通して延びた長いコイルをフレームが支持する。

図５Ａは、フレーム５００及びステージ５０２間の非接触電力輸送用の変圧器の別の実施形態を利用したフレーム５００及びステージ５０２の斜視図を示す。図５Ｂは、図５Ａのフレーム５００及びステージ５０２を上から見た平面図を示す。ここで、図５Ａ及び５Ｂでは、図４Ａ及び４Ｂと同様に、変圧器の使用の説明に必要なフレーム５００の部分だけを示している。フレーム５００は、通路５０４を有し、その通路５０４の内表面に一次コイル５０６が敷設されている。ステージ５０２は、ロッド形状の二次コイル５０８を支持する。すなわち、二次コイル５０８はソレノイドである。ソレノイド５０８は、通路５０４を貫通する。ここで、変圧器はコアを使用しない。しかしながら、別の一実施形態において、ソレノイド５０８の中心まで誘導コアを挿入することができる。

通路５０４の大きさが、ソレノイド５０８の径に比べて大きく、その結果、物理的な接触なしにソレノイド５０８が通路５０４を通過できる。このようにして、ステージ５０２に電力が供給される間に、ソレノイド５０８の軸に沿ってステージ５０２が非接触状態で往復動可能である。走査軸５１０は、フレーム５００に対してステージ５０２が移動する方向を示す。

図５Ａ及び５Ｂの変圧器の構成は、図示と反対の方法でも実現可能である。すなわち、別の一実施形態において、上記したフレーム５００及びそれに関連する構成要素を、ステージとすることができる。また、ステージ５０２及びそれに関連する構成要素を、フレームとすることもできる。その結果、誘導コイルが敷設された通路をステージが有し、ステージの通路を貫通するソレノイドをフレームが支持する。

ステージ２００及びフレーム２０２間の電力輸送に関する他の非接触技術としては、無線周波数伝達（radio frequency transmission）、放射伝達（radiation transmission）、及びアーク放電（electrical arcing）が挙げられる。

ステージ２００への電力輸送に加えて、ステージ２００内に輸送された電力をバッファリング又は蓄積することも有用である。バッファリングとは、より効率的なユーティリティ輸送を可能にする、あるいは様々なステージサブシステムの特定の要求又は制限にユーティリティをより合わせるために、ステージによってユーティリティを一時的に蓄積することを意味する。蓄電池、キャパシタ、及びウルトラキャパシタなどの様々な装置によって電力のバッファリングが可能である。これら３つの選択肢のうち、ウルトラキャパシタは、従来型蓄電池よりも迅速に充電が可能であり、また従来型キャパシタよりも容量が大きい。また、ウルトラキャパシタは、従来型電池よりも高い比電力、及び従来型キャパシタよりも高い比エネルギーを有する。また、ウルトラキャパシタは、従来型蓄電池よりも劣化速度が遅い。これらのバッファリング装置は、ステージ２００の電子部品室２２０内に配置することができる。

ステージ２００及びフレーム２０２間で輸送する別のユーティリティは、電気信号である。電気信号は、ステージ２００に実装された様々なプロセッサのための命令及びデータを運ぶことができる。こうしたプロセッサは、ステージ２００に実装された増幅器、ドライバ、アクチュエータ、及びセンサを制御することができる。電気信号を記憶するためのメモリ装置を、ステージ２００内に配置することもできる。電気信号は、電磁スペクトルの様々な範囲において送信可能であるが、通常は、無線周波数（ＲＦ）信号を介して、又は光信号（例えば、赤外線信号）を介して送信される。

ボックス２２２で示した、無線周波数送受信機、送信機、及び受信機は、ステージ２００の電子部品室２２０内や、フレーム２０２内又はその上の様々な位置に配置することができる。ステージの走査運動中に、ステージ２００及びフレーム２０２間の明瞭な通信チャネルが維持されるように、ステージ２００及びフレーム２０２の各通信構成要素２２２を配置する必要がある。すなわち、無線周波数干渉を避けるように送受信機を配置するべきである。

ボックス２２４で示した、光信号送受信機、送信機、及び受信機も、電子部品室２２０内や、フレーム２０２内又はその上の様々な位置に配置することができる。光信号送信は、広帯域幅チャネル上で信号を送信できるので、有利である。

ステージ２００上の光学部品２２４とフレーム２０２との間を、走査軸２１８と平行な方向に光信号が移動するように、光通信用部品２２４を配置することができる。これにより、ステージ２００の走査運動範囲の全体を通して光通信を維持することができる。例えば、図３に示されるように、ステージ２００内の光学部品２２４が右側の電子部品室２００に配置され、また、図２に示されるように、１つの光学部品２２４がフレーム２０２の最表面に配置され、ステージ２００及びフレーム２０２内の光学部品同士が並ぶ。別の実施形態において、送信された光信号が走査軸２１８と平行な方向に移動しないように、光学部品２２４を配置してもよい。そうした構成では、ステージ２００が静止している場合、又は走査工程中において光学部品２２４同士が合致する相対位置にステージ２００及びフレーム２０２が配置された場合にのみ、ステージ２００及びフレーム２０２間の直接通信が可能である。

リソグラフィ工程においては、ステージ２００で熱が発生し、様々な理由でそれを除去する必要がある。１つの理由は、ステージ又はチャックとレチクルとの間において、熱によって、材料熱膨張係数の差に起因する接触のすべりが生じ得るからである。熱伝達技術では、対流、伝導、及び／又はふく射の特性を利用することができる。対流は、１つの領域から別の領域への流れの循環によってガス又は流体における熱伝達を伴って生じるものであり、これは非真空環境において有効である。伝導は、対流の発生には小さすぎる隙間において、ガスを介した熱伝達を伴って生じるものであり、これは低真空において可能であるとともに、非真空環境において最も効果的である。

また、放射線又は波動状態のエネルギーの放射及び伝播を伴って生じるふく射によっても熱を伝えることができる。ふく射による熱伝達技術は、真空又は非真空環境のいずれにも適用可能である。

ステージ２００及びフレーム２０２の各熱伝達表面２２６は、熱伝導及び／又はふく射の特性を利用することができる。ステージ２００上の熱伝達表面２２６は、ステージ２００の熱源からの熱を集める熱シンクとして役立つ。例えばグラファイト発泡体などの高比伝導率材料を介した伝導によって、熱シンクとして機能する表面２２６に熱が導かれる。熱サイホンを使用することもできる。一般に知られているように、熱サイホンは、蒸発器と凝縮器との相対高さに基づくヒートパイプであり、加速力の存在によって流体流れの戻りを妨げることができる。熱サイホンは、軽量及び等価比伝導率が高い点で有利である。これは、軽量体における小さな温度勾配に対し、多量の熱伝達を可能にする。ステージ２００上の熱伝達表面２２６の温度に比べてフレーム２０２上の熱伝達表面２２６の温度を低く維持することで、ステージ２００の熱伝達表面２２６に収集される熱を、フレーム２０２の熱伝達表面２２６に汲み上げることができる。ステージ２００及びフレーム２０２上に１つ又は複数の熱伝達表面２００を配置することができるとともに、リソグラフィシステムの固有の要件に応じて、それらを異なる大きさ及び形状にすることができる。

ステージ２００の１つ又は複数の表面を熱伝達表面２２６とすることができる。例えば、ステージ２００の上面、底面、及び／又は側面を熱伝達表面２２６にすることができる。フレーム２０２上の対応する熱伝達表面２２６同士は、フレーム２０２内にステージ２００を設置したときに、互いに調和する必要がある。

ステージ２００からの熱の除去は、フレーム２０２の全体温度がステージ２００の温度よりも低い温度に維持される場合に、より効果的である。様々な技術を使用して、フレーム２０２を一定温度に維持することができる。フレーム２０２の低温を維持する技術の１つは、図２に示され、それはフレーム２０２の本体を貫通する冷却チャネル２２８を使用する。冷却チャネル２２８によって、冷却剤、例えば水を流してフレーム２０２から熱を除去することができる。

レチクルステージ２００の温度が大きく変化するとステージ材料が膨張及び／又は収縮し、これによってレチクル２００及びレチクルチャック２０７が歪み、ステージ性能が低下する可能性がある。この問題を回避するために、ステージ構造材料を、Zerodur(商標)(Schott Lithotec製)などの低熱膨張材料で製作することができる。これにより、ステージ２００の内部温度変化に対する感受性が低下する。

一部のリソグラフィシステムは、様々な目的で、レチクル及び／又はウエハステージの間におけるガス及び／又は流体の交換を必要とする。ガス及び流体輸送用の非接触技術は、材料の相変化特性を利用することができる。また、流体を、フレームからステージ上に直接的に堆積させることもできる。

ステージ２００及びフレーム２０２間の物理的接触を伴うことなくガスを輸送する技術の１つは、フレーム２０２の上半分内の倒立空隙（inverted cavity）に関係する。図６は、ガス及び流体の非接触輸送を行うことのできる、ステージ２００及びフレーム２０２の拡大横断面図を示す。フレーム２０２の上半分は、その底面２５２に倒立空隙２５０を有する。空隙２５０は、また、貯蔵部又は圧力容器２５６につながる供給通路２５４、及び別の貯蔵部又は圧力容器２６０につながる収集通路２５８を有する。バルブ２６２は、通路２５４、２５８を通過するガス又は流体の流れを制御する。ステージ２００は、窪み（well）２６４、貯蔵部又は圧力容器２６８につながる通路２６６、及び通路２６６を通過するガス又は流体の流れを制御するバルブ２６２を有する。本発明の一部の実施形態において、フレーム２０２内のガス及び流体の排出及び収集の両方を行うことができる、単一の通路及び貯蔵部で十分である。別の一実施形態において、倒立空隙をステージ２００の底面内に形成し、窪みをフレーム２０２の下半分の上面内に形成することができる。さらに別の実施形態において、倒立空隙及び窪みの組合せが、ステージ２００の上面及び底面の両方に位置する。

ステージ２００からフレーム２０２にガス又は流体を輸送する技術の１つは、貯蔵部２６８から通路２６６を介してガスを放出して、ガスが倒立空隙２５０によって捕捉されるようにすることを伴う。次いで、収集通路２５８は、貯蔵部２６０中にガスを吸引する。ガスを収集した後に、必要ならば、ガスが液体状態に変化するように、ガスを冷却することができる。図６に示す実施形態において、倒立空隙２５０の径は、窪み２６４の径よりも大きくされており、その結果、倒立空隙２５０の開口は、窪み２６４の開口を完全に包囲する。一部の実施形態において、倒立空隙２５０の開口は、ステージ２００が走査工程中に移動する運動範囲の全体にわたって窪み２６４を完全に包囲するのに十分な大きさである。そのような実施形態において、倒立空隙２５０は、貯蔵部２６８が放出するガスの実質的にすべてを収集することができる。真空装置２７０は、倒立空隙２５０によって収集されないガスを排出するために、倒立空隙２５０の周縁のまわりに配置することができる。別の実施形態において、ステージ２００の上面上における倒立空隙２５０を包囲する位置に真空デバイスを配置することもできる。

別の実施形態において、ステージ２００は、実際に窪み（well）２６４を含まない。そのような実施形態において、ステージ２００の上面において、直接的に通路２６６の開口を介してガスが放出される。そして、倒立空隙２５０の径は、図６に示すよりも小さくすることができ、ここで倒立空隙２５０の径は、通路２６６の径とほぼ同じ大きさであるか、又はそれよりもわずかに大きい。

貯蔵部２６８からガスを放出するこの技術は、ステージ２００及びフレーム２０２が非真空条件において動作するときに有効である。しかしながら、低圧ガスを輸送する場合には、真空条件においてこの技術を使用することができる。

流体は、ステージ２００からフレーム２０２への蒸発技術によって輸送可能である。これは、貯蔵部２６８から窪み２６４に流体を放出することを伴う。次いで、加熱要素が、窪み２６４内の流体を加熱し、その結果、流体が蒸発して、倒立空隙２５０に捕捉される。このとき、収集通路２５８は、ガス状態の流体を貯蔵部２６０中に吸い込むことができる。ここでも、望ましい場合には、ガス状態の流体を流体状態に変換して戻すことができる。一実施形態において、窪み２６４内の流体を蒸発させるのに使用される熱は、通常の動作条件によってレチクルステージ又はウエハステージが発する熱から得ることができる。そうした熱は、熱伝導材料又はヒートパイプによって、窪み２６４の方向に振り向けることができる。また、窪み２６４を、ステージ２００における熱シンクに隣接して配置することが可能である。他の実施形態において、窪み２６４内の流体を蒸発させるのに、加熱を必要としない。

流体は、様々な技術を使用して、フレーム２０２からステージ２００に輸送可能である。１つの技術はガスの凝縮を利用する。これは、ステージ２００又は窪み２６４の温度を、輸送しようとするガス状態の流体が窪み２６４内で凝縮するのに十分低い温度に維持することを含む。この技術を実現するために、ガス状態の流体を、通路２５４を介して貯蔵部２５６から放出する。次いで、ガスは、窪み２６４の表面上で凝縮し、十分に低い温度に維持される。その後、凝縮された流体を、通路２６６を介して貯蔵部２６８中に収集することができる。窪み２６４の底面は、通路２６６の開口に向って下方向に傾斜しており、凝縮流体の収集を容易にする。

流体をフレーム２０２からステージ２００に輸送する別の技術は、フレーム２０２の通路２５４から、窪み２６４中に流体を注ぐことを含む。ここで理解すべきことは、倒立空隙２５０及び窪み２６４のそれぞれにおいて、ガス及び／又は液体を排出及び収集するのに様々な装置を使用することができることである。また、倒立空隙２５０及び窪み２６４の深さは、非常に浅い深さから比較的深い深さまで変えることができる。

ステージ及びフレーム間でのユーティリティ輸送用の接触技術によっても、リソグラフィシステムにおけるステージに対する位置決め精度を満足させるとともに、実質的に汚染物質なしの処理環境を維持することができる。接触ユーティリティ輸送は、ベースとステージとの間にゼロを越える剛性が存在するユーティリティ輸送を伴い、輸送装置がステージに実質的に加える正味の力が非ゼロである。リソグラフィシステムの精度及び清浄度要求を満足するために、ユーティリティ輸送用の接触技術は、ステージが支持構造（フレーム）に対して静止状態であるときに実行される。例えば、ユーティリティ輸送は、ウエハ交換及びウエハ位置合わせ中に、レチクルステージにおいて行うことができる。レチクルステージ又はウエハステージが静止位置に到達すると、フレーム上の輸送装置と、ステージ上の輸送装置が物理的に接続される。次いで、ユーティリティの輸送が完了し、物理的接続が切断された後に、ステージは、その走査運動を再び開始することができる。一部の実施形態においては、輸送されたユーティリティは、ステージによって蓄積又はバッファリングされて、それによってウエハ走査工程中にユーティリティを使用することができる。

図７は、本発明の一実施形態による接触技術によってユーティリティを輸送する、ステージ３００及びフレーム３０２の側断面図を示す。レチクル３１２は、ステージ３００によって支持される。

電力及び電気信号が、ステージとフレームとの間で電気導体を介して転送される。これらの導体は、ケーブル、配線、又は電極などの様々な形態をとることができる。導体は、端子、例えば接触パッドによって終端し、それによってステージ上の端子は、フレーム上の端子と結合することができる。導体は、ステージがフレームに対して静止位置に到達するときに、互いに接触することができる。例えば、ステージ３００及びフレーム３０２内の導体３０４は、ステージ３００が静止状態となり、フレーム３０２上に降ろされたときに、互いに接触することになる。接触すると、導体３０４は、フレーム３０２内の電源３１４を、ステージ３００内の電力バッファ装置３１２に接続する。

別の一実施形態において、導体３０４をステージ３００又はフレーム３０２から、あるいは両方から延ばすことによって、ステージ３００をフレーム３０２上に下げる必要なく、導体３０４を互いに接触させることができる。そのような伸びる導体は、ステージ３００又はフレーム３０２から伸びるように設計された、金属プロング（prong）、ケーブル、又は配線とすることができる。

電力及び電気信号は、非接触電力／信号送信について先に説明した同一の技術を用いて、バッファリングすることができる。

接触輸送技術における熱伝達は、物質（mass）、流体、及びガス交換及び伝導を利用することができる。交換技術において、ステージ３００が静止しているときに、ステージ３００とフレーム３０２との間で物質又は物体、流体、及び／又はガスが輸送される。

流体及びガスは、ステージとフレームとの間で輸送されて、ステージから熱を除去する冷却剤として使用される。流体及びガスは、ステージ３００内の冷却チャネル中に注入される。次いで、流体（又はガス）は、ステージ３００のまわりを循環するときに熱を収集する。流体（又はガス）がある量の熱を収集すると、次いで、その流体はステージ３００から除去されて、別の低温流体（又はガス）を注入して置き換えられる。また、流体又はガスは、例えば、レチクルとレチクルを支持するチャックとを分ける流体又はガスのフィルムとして使用することもできる。流体又はガスのフィルムは、レチクルからチャック、ステージ、又は熱シンク中への熱伝達を促進する。

流体及びガスの冷却剤は、ステージ３００が静止している状態で、ホース３０６を介して輸送可能である。要するに、熱はステージ３００から断続的に輸送される。これは、ステージ３００が静止しているときに、ホース３０６をステージ３００に接続し、次いで、ステージがその走査運動を開始する前に、ホースを切り離すことによって実現することができる。具体的には、ホース３０６は、ステージ３００内の冷却システム３０８とフレーム３０２内の貯蔵部３１０との間をガス又は流体が移動する経路を提供する。ホース３０６はフレーム３０２から延びてステージ３００と接続するか、又はホース３０６はステージ３００から延びてフレーム３０２に接続することができる。アクチュエータなどの様々な機械的装置を使用してホース３０６を延ばすことができる。

流体及びガス輸送用のホースの代替物は、ステージ３００及びフレーム３０２のそれぞれの固定ポートである。図８は、ポート３１２がガス及び／又は流体を輸送するために互いに接触する、本発明の別の実施形態に係るステージ３００とフレーム３０２の間のインターフェイスの拡大図を示す。ポート３１２は、ステージ３００がフレーム３０２の下部支持表面上に下げられるときに、互いに接触する。ステージ３００は、貯蔵部又は圧力容器３１４、貯蔵部３１４からポート３１２につながる通路３１６を有する。真空ポンプ３１８は、通路３１６に接続されるとともに、ポート３１２の周縁のまわりの点においてステージ３００の表面につながる真空配管３２０を有する。バルブ３２２は、通路３１６及び真空配管３２０を介した流体又はガスの流れの制御に使用される。フレーム３０２は、貯蔵層又は圧力容器３３０、貯蔵部３３０からポート３１２に導く通路３３２を有する。真空ポンプ３３４は、通路３３２に接続されて、ポート３１２の周縁のまわりの点でフレーム３０２の表面につながる真空配管３３６を有する。バルブ３３８は、通路３３２及び真空配管３３６を介した流体又はガスの流れの制御に使用される。真空ポンプ３１８は、輸送工程中に接続ポート３１２から漏れ出る流体又はガスを排出するのに使用することができる。

ガス交換は、真空及び非真空処理環境において使用することができる。ヘリウム又は水素は、それらの熱伝導率が高いので、使用することができる。冷却剤として使用するガスは、低圧力レベルに維持して、それらがホースから漏れたときに、リソグラフィシステムに与えるそれらの影響を最小化しなければならない。流体交換は、非真空環境において効果的に使用することができる。水は、その高い比熱容量のために、有効な流体冷却剤である。

熱は、ステージ３００とフレーム３０２との間で、質量交換と呼ばれる技術によって、交換することもできる。質量交換は、熱シンクとして作用する比較的低温物体をステージ３００内に配置することを含む。物体がある量の熱を収集した後に、その物体を除去し、次いで、別の比較的低温の物体に置き換える。このようにして、熱は、除去される物体とともに、ステージ３００から伝達される。

熱は、ステージ３００及びフレーム３０２の各熱伝達表面間の直接接触によって、ステージ３００及びフレーム３０２間で交換可能である。熱伝達表面２２６の例は、図２及び図３に示してある。表面２２６は、ステージがフレームと接触するときに、互いに接触することができる。ステージは、その側面、上面、又は底面のいずれにも熱伝達表面を有することができる。その結果、ステージは任意の方向に移動可能であり、それによって、熱伝達表面を含むステージの各表面が、フレーム上の組合せ熱伝達表面と接触することができる。

ステージ３００からの熱の除去を促進することのできる材料の一種は、パラフィンワックスなどの相変化材料（ＰＣＭ）である。ＰＣＭは、十分な熱が加えられると液体状態に相変化を起こす固体状態にできる。ＰＣＭは、固体から液体への相変化中の潜熱として、大量のエネルギーを蓄積することができる。有利な点として、多くの用途において、大量の熱エネルギーを、比較的一定の温度で蓄積及び放出することができる。このことは、限定された体積及び低い動作温度差が利用可能なときにも同様である。

ＰＣＭは、ＰＣＭが支持構造に支持された結合形式（bound form）にもできる。結合ＰＣＭは、スポンジ状又は格子型の支持構造全体にわたってＰＣＭが分散した（suspended）複合材料である。各結合ＰＣＭは、大量の顆粒によって熱伝達技術に有用な粉末が形成されるような大きさ及び形態の顆粒とすることができる。結合ＰＣＭは、少なくとも２つの観点において有利である。第１に、ＰＣＭは熱の蓄積に対して大きな容量を有するが、ＰＣＭは相対的に熱の不良導体である。したがって、スポンジ状支持構造内にＰＣＭを分布させることによって、より容易にＰＣＭに熱を伝達することができる。第２に、スポンジ状支持構造は、ＰＣＭが相変化を起こして液体状態に変化した後も、ＰＣＭを保持する。したがって、結合ＰＣＭは、ＰＣＭリークの困難さを回避する。結合ＰＣＭの一例としては、Rubitherm（商標）PXがある。

ＰＣＭを熱伝達目的に利用する方法の１つは、物質移動（mass transfer）である。ある質量のＰＣＭ、例えばブロックを、ステージ内で熱を収集及び蓄積する物質として利用することができる。ある質量のＰＣＭによって蓄積可能な大量の熱エネルギーは、熱伝達目的に対する質量交換の効率を増大させる。

ＰＣＭを熱伝達目的に利用するその他の方法は、粉末状態のＰＣＭを使用する。ＰＣＭ粉末を様々な接触方法でステージに輸送し、ＰＣＭ粉末がステージから熱を収集するようにできる。例えば、ガス又は液体内にＰＣＭを分散させながら、次いで、フレームにステージを接続するホースを介して、輸送することができる。ＰＣＭは、輸送されるガス又は流体の熱容量を増大させる。また、ＰＣＭ粉末それ自体を、ステージ中に直接注ぎ込んだり、そこから取り出したりすることができる。例えば、ＰＣＭ粉末は、ステージの上面上の開口を介してステージ中に注ぎ込むことができる。ＰＣＭ粉末がある量の熱を収集して蓄積した後に、次いで、ＰＣＭ粉末をステージから流出させることができる。例えば、ステージの底部のポートを、ＰＣＭ粉末がステージから流出するように開けることができる。重力を力として、ＰＣＭをステージに注ぎ込むとともに、そこから取り出すことができる。ステージの上面及び底面に加えてステージの側面に開口が作られた、ステージ内の漏斗（funnel）と傾斜面を構成することもできる。

ＰＣＭは、ステージ内に配置された熱シンクの熱容量を増大させるのに利用することもできる。そのような熱シンクは、通常、ステージ内の熱源と、ステージの表面上の熱伝達表面との間に位置する。分散ＰＣＭを有する熱シンクは、非常に効果的である。例えば、ＰＣＭの分散を助けるグラファイト格子内部にＰＣＭを分散させることができ、これにより、ＰＣＭがより容易に熱エネルギーを収集できる。また、ＰＣＭを、熱シンク内部の薄層内に分布させることもできる。ＰＣＭの薄層は、熱流軸に対して直角に延びるように配置することができる。ここでも、結合ＰＣＭは、ステージの温度を大幅に変えることなく、ステージが大量の熱エネルギーを蓄積することを可能にする。

上記で考察したように、本発明のステージは、様々な処理、蓄積、又は機能の制御のための様々な電子装置や機械装置を有することができる。例えば、ステージ内の搭載電子機器を、データ処理、制御、電力変換、エネルギー蓄積、診断、及びレチクルステージ監視のために設けることができる。そのような電子機器としては、コンピュータ処理ユニット、アクチュエータ、圧電ドライバ、センサドライバ、電子チャックドライバ、増幅器、温度センサ、隙間センサ、及び無線周波数及び光の送受信機が挙げられる。駆動装置及び増幅器は、（ガス及び流体輸送のための）センサ、アクチュエータ、及びバルブを制御するのに使用することができる。ドライバは、レチクルをステージに対して移動させるためのアクチュエータを駆動することもできる。アクチュエータの種類としては、それに限定はされないが、ボールスクリュー式、静電式、及び磁気式のアクチュエータが挙げられる。コントローラは、電力消費、信号処理、ガス及び流体使用などの機能面を制御することができる。コンピュータ処理ユニットを、ステージ内に配置して、信号を処理し、ステージ上のセンサを監視することができる。センサは、温度、圧力、及び距離などの様々な計測のために使用することができる。一般に、センサはフレーム上に配置されるが、ステージ上の処理装置及びバッファ装置は、センサをステージ上に配置することを可能にする。変圧器は、ＡＣ／ＡＣ、ＡＣ／ＤＣ、及び／又はＤＣ／ＤＣの電力変換用に使用することができる。様々な電子装置及び機械装置は、ステージ全体にわたって、又はステージ内部の電子部品室内に配置することができる。例えば、図３にボックス２２８を示してあり、これは、電子部品室２２８内に保管された、様々な種類の電気装置及び機械装置を表わしている。

半導体デバイスは、上述のシステムを使用して、図９に全体的に示すプロセスによって製造することができる。ステプ１００１において、デバイスの機能及び特性が設計される。次に、ステップ１００２において、先の設計ステップに従ってパターンを有するマスク（レチクル）が設計され、並行したステップ１００３において、シリコン材料からウエハが製造される。ステップ１００４において、上述のシステムのようなフォトリソグラフィシステムによって、ステップ１００２において設計されたマスクパターンが、ステップ１００３からのウエハ上に露光される。ステップ１００５において、半導体デバイスが組み立てられ（ダイシング工程、ボンディング工程及びパッケージング工程を含む）、最後にステップ１００６においてデバイスが検査される。

図１０は、半導体デバイスを製造する場合の、上述のステップ１００４の詳細なフローチャート例を示す。ステップ１０１１（酸化ステップ）において、ウエハ表面が酸化される。ステップ１０１２（ＣＶＤステップ）において、ウエハ表面に絶縁膜が形成される。ステップ１０１３（電極形成ステップ）において、蒸着によってウエハ上に電極が形成される。ステップ１０１４（イオン注入ステップ）において、ウエハにイオンが注入される。上述のステップ１０１１〜１０１４は、ウエハ処理のウエハに対する前処理ステップを構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択される。

ウエハ処理の各段階において、上述の前処理ステップが完了すると、以下の後処理ステップが実行される。後処理では、まず、ステップ１０１５（フォトレジスト形成ステップ）において、フォトレジストがウエハに塗布される。次に、ステップ１０１６（露光ステップ）において、上述の露光装置を使用して、マスク（レチクル）の回路パターンがウエハに転写される。次いで、ステップ１０１７（現像ステップ）において、露光されたウエハが現像され、ステップ１０１８（エッチングステップ）において、残留フォトレジスト以外の部分（露光材料表面）がエッチングによって除去される。ステップ１０１９（フォトレジスト除去ステップ）において、エッチング後に残る不必要なフォトレジストが除去される。これらの前処理及び後処理ステップの繰り返しによって、多数の回路パターンが形成される。

本発明を、いくつかの好ましい実施形態について説明したが、本発明の範囲に含まれる、変更、置換、及び均等物が存在する。ここで留意すべきことは、本発明の方法及び装置を実現する、多数の代替方法があることである。したがって、添付のクレームは、そのような変更、置換、及び均等物のすべてが本発明の真の趣旨と範囲に含まれると解釈することを意図するものである。

リソグラフィシステムの代表的な構成要素の概観を示す図である。 本発明の一実施形態による、レチクルステージ、その支持フレーム、及びユーティリティの非接触輸送用の装置を示す斜視断面図である。 ３−３線に沿った図２のステージを示す側断面図である。 フレーム及びステージ間の非接触電力輸送用の変圧器の別の一実施形態を使用するフレーム及びステージを示す斜視図である。 図４Ａのフレーム及びステージを示す平面図である。 フレーム及びステージ間の非接触電力輸送用の変圧器のさらに別の実施形態を使用するフレーム及びステージを示す斜視図である。 図５Ａのフレーム及びステージの平面図を示す図である。 ガス及び流体の非接触輸送を行うことのできるステージ及びフレームを示す拡大横断面図である。 本発明の一実施形態による、接触技術によりユーティリティを輸送するステージ及びフレームを示す側断面図である。 ガス及び／又は流体を輸送するためにポートが互いに接触する、本発明の別の一実施形態による、ステージ及びフレーム間のインターフェイスを示す拡大図である。 上述のシステムを使用する半導体デバイスを製造するための例証的プロセスを示す図である。 図９のプロセスの上記のステップ１００４の詳細なフローチャート例を示す図である。

符号の説明

１００…リソグラフィシステム、１０２…搭載ベース、１０４…支持フレーム、１１０…照明システム、１１２…光学フレーム、１１４…光学機器、１１６…レチクルステージ、１１８…レチクル、１２２…ウエハステージ、１２４…ウエハ、１２６…下部筐体、２００…レチクルステージ、２０２…支持フレーム、２０４…スロット、２０６…レチクル、２０７…チャック、２１０…変圧器、２１２…誘導コア、２１４…誘導一次コイル、２１６…誘導二次コイル、２２０…電子部品室、２５０…空隙、２５４…通路、２５６、２６０、２６８…貯蔵部、２６２…バルブ、２６４…窪み、３００…ステージ、３０２…フレーム、３０４…導体、３１２…レチクル、３１２…電力バッファ装置、３１２…ポート、３１４、３３０…貯蔵部、３１４…電源、３１８、３３４…真空ポンプ、４００…フレーム、４０２…ステージ、４０４…誘導コア、４０６…誘導一次コイル、４０８…誘導二次コイル、４１２…走査軸、５００…フレーム、５０２…ステージ、５０４…通路、５０６…一次コイル、５０８…二次コイル。

Claims (59)

1. 照明源と;
   光学系と；
   ウエハ又はレチクルを支持するのに適したステージと；
   前記ステージを支持するフレームと；
   前記ステージの内部又はその表面に配置され、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティを輸送するステージユーティリティ輸送手段と；
   前記フレームの内部又はその表面に配置され、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティを輸送するフレームユーティリティ輸送手段と、を備え、
   前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティが輸送される間、前記ステージ及び前記フレームを、互いに物理的に離れたままにできる、リソグラフィシステム。
2. 前記ステージ輸送手段及び前記フレーム輸送手段は、前記ステージと前記フレームとの間で、電力、電気信号、光信号、熱、ガス、固体、及び/又は流体を輸送する、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
3. 前記ステージは、前記フレームユーティリティ輸送手段から受け取る電気信号を処理する、少なくとも１つの処理手段をさらに有する、請求項２に記載のリソグラフィシステム。
4. 前記ステージは、前記ステージ内にユーティリティを蓄積する、少なくとも１つのバッファリング手段をさらに有する、請求項２に記載のリソグラフィシステム。
5. 請求項１のリソグラフィシステムで製造される物品。
6. 請求項１のリソグラフィシステムによって像がその上に形成されたウエハ。
7. リソグラフィプロセスを使用して物品を製作する方法であって、
   請求項１に記載のリソグラフィシステムを前記リソグラフィプロセスが利用する方法。
8. リソグラフィプロセスを使用してウエハにパターン形成する方法であって、
   請求項１に記載のリソグラフィシステムを前記リソグラフィプロセスが利用する方法。
9. 誘導コア、一次誘導コイル、及び二次誘導コイルを有する変圧器であって、前記誘導コアが第１端及び第２端を有し、前記誘導コアの第１端のまわりに前記一次誘導コイルが巻かれた前記変圧器と；
   前記二次誘導コイルを収容し、ウエハ又はレチクルを支持するのに適したステージと；
   前記誘導コアの第２端が前記二次誘導コイルの中に延びるように、前記ステージ及び前記誘導コアを支持するフレームと、を備え、
   前記誘導コアの各側面は、前記二次誘導コイルの内表面から最小離間距離を維持し、それによって前記一次誘導コイル内の電流が電磁場を生成し、この電磁場によって前記二次誘導コイル内に電流が流れるようにした、リソグラフィシステム。
10. 前記ステージの各表面は、前記フレームのそれぞれの表面から最小離間距離を維持する、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
11. 前記ステージは、走査軸に沿って前記フレームに対して移動し、前記誘導コアの前記第２端の長軸は、前記走査軸に平行である、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
12. 前記ステージは、複数の二次誘導コイルを収容し、前記誘導コアの第２端は、複数の二次誘導コイルのそれぞれを貫通して延びている、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
13. 前記ステージ内に位置する、ステージ無線周波数送信機、受信機、又は送受信機と；
    前記フレーム上に位置する、フレーム無線周波数送信機、受信機、又は送受信機と、
    をさらに備え、
    前記ステージ及び前記フレームの無線周波数送信機、受信機、又は送受信機は、それらの間で電気信号を送る、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
14. 前記ステージ内に位置する、ステージ光信号送信機、受信機、又は送受信機と；
    前記フレーム上に位置する、フレーム光信号送信機、受信機、又は送受信機と、
    をさらに備え、
    前記ステージ及び前記フレームの光信号送信機、受信機、又は送受信機は、それらの間で光信号を送る、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
15. 前記ステージは、走査軸に沿って前記フレームに対して移動し、前記ステージ及び前記フレームの光信号送信機、受信機、又は送受信機の間で送られる光信号は、前記走査軸と実質的に平行な軸に沿って伝わる、請求項１４に記載のリソグラフィシステム。
16. 前記ステージの表面上の少なくとも１つのステージ熱伝達表面と；
    前記フレーム上の少なくとも１つのフレーム熱伝達表面と、
    をさらに備え、
    前記ステージ及び前記フレームの熱伝達表面は、互いに離間しかつ隣接し、それによって前記ステージ熱伝達表面からの熱が前記フレーム熱伝達表面に伝達可能である、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
17. 前記ステージ内に位置しかつ前記ステージ熱伝達表面に接続された熱シンクをさらに備える、請求項１６に記載のリソグラフィシステム。
18. 前記熱シンクは、熱蓄積材料を有し、前記熱蓄積材料が、前記ステージによって発生する熱を、前記ステージによって発生する熱によって前記熱蓄積材料が相変化を起こすときの潜熱として収集及び蓄積するのに適した、請求項１７に記載のリソグラフィシステム。
19. 前記ステージの上面は前記フレームの底面に隣接し、前記ステージの前記上面は通路開口を有し、前記フレームの前記底面は空隙を有し、前記空隙は前記通路開口の上方に位置し、それによってガス及び流体を前記通路開口と前記空隙との間で輸送可能である、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
20. 前記ステージは、前記通路開口を介してガスを放出可能なステージ貯蔵部をさらに有し、前記フレームは、真空ポンプと真空通路とを有し、前記真空通路は、前記空隙内に開口を有し、それによって前記真空ポンプは、前記ステージ貯蔵部から前記真空通路中に放出されたガスを収集可能である、請求項１９に記載のリソグラフィシステム。
21. 前記ステージは、熱蓄積材料をさらに有し、前記熱蓄積材料が、前記ステージによって発生する熱を、前記ステージによって発生する熱によって前記熱蓄積材料が相変化を起こすときの潜熱として収集及び蓄積するのに適した、請求項１９に記載のリソグラフィシステム。
22. 前記熱蓄積材料は、前記ステージからの熱を収集及び蓄積する間に、比較的一定の温度を維持する、請求項２１に記載のリソグラフィシステム。
23. 前記熱蓄積材料は、パラフィンワックスである、請求項２１に記載のリソグラフィシステム。
24. 前記熱蓄積材料は、それぞれの支持構造内にそれぞれカプセル化された顆粒の形態である、請求項２１に記載のリソグラフィシステム。
25. 堆積機構をさらに備え、
    前記堆積機構は、前記熱蓄積材料を前記ステージに輸送し、重力によって前記堆積機構から前記ステージに前記熱蓄積材料が移動するように構成されている、請求項２４に記載のリソグラフィシステム。
26. 前記ステージは、前記熱蓄積材料を前記堆積機構から受け入れるための開口を有する、請求項２５に記載のリソグラフィシステム。
27. 前記ステージは、前記熱蓄積材料を前記ステージから放出するための底部開口を有する、請求項２５に記載のリソグラフィシステム。
28. 前記ステージの上面は前記フレームの底面に隣接し、前記ステージの前記上面は窪んだ窪みを有し、前記フレームの前記底面は空隙を有し、前記空隙は前記窪みの上方に位置し、それによって前記窪みと前記空隙の間でガス及び流体を輸送可能である、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
29. 前記ステージは、前記窪み中にガスを放出可能なステージ貯蔵部をさらに有し、前記フレームは、真空ポンプと真空通路とを有し、前記真空通路は、前記空隙内に開口を有し、それによって前記真空ポンプは、前記ステージ貯蔵部から前記真空通路中に放出されたガスを収集可能である、請求項２８に記載のリソグラフィシステム。
30. 前記ステージ貯蔵部は、流体を前記窪み中に放出することがさらに可能であり、
    前記ステージは、前記窪みを加熱し、それによって前記空隙中に放出された液体を蒸発させ得るように構成された加熱要素をさらに有する、請求項２９に記載のリソグラフィシステム。
31. 前記ステージは、前記窪んだ空隙の表面を冷却し、それによって湿分を前記窪みの表面上に凝縮させ得るように構成された冷却要素をさらに有する、請求項２８に記載のリソグラフィシステム。
32. 前記ステージ内に、前記二次誘導コイルから受ける電力を蓄積するための蓄電池、キャパシタ、及び／又はウルトラキャパシタをさらに備える、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
33. 前記ステージ内に、少なくとも１つのメモリ装置、増幅器、駆動装置、アクチュエータ、及び／又はセンサをさらに備える、請求項９に記載のリソグラフィシステム。
34. リソグラフィシステムのステージとベースとの間でユーティリティを輸送する方法であって、
    フレームと前記ステージとの間に供給チャネルを接続する工程と；
    前記接続された供給チャネルを介して、前記ステージと前記フレームとの間でユーティリティを輸送する工程と；
    前記ステージから前記供給チャネルを切り離す工程と、
    を有する方法。
35. 前記供給チャネルを接続する前に、走査運動から静止位置にステージを安定化させる工程と；
    前記供給チャネルを切り離した後に、前記ステージに走査運動を再開させる工程と、
    をさらに有する、請求項３４に記載の方法。
36. 前記接続動作は、導電性ケーブルを前記ステージに接続する工程を有し、前記輸送動作は、前記ケーブルを介して電力及び／又は電気信号を送る工程を有する、請求項３４に記載の方法。
37. 前記接続動作は、導電性電極を、それらが前記ステージ上の電気端子と接触するように、前記フレームから延ばす工程を有する、請求項３４に記載の方法。
38. 前記接続動作は、前記供給チャネルが前記フレームと接触するように、前記ステージの表面を前記フレームの表面に近づくように移動させる工程を有する、請求項３４に記載の方法。
39. 前記接続動作は、前記ステージにホースを接続する工程を有し、前記輸送動作は、前記ホースを介してガス及び／又は流体を輸送する工程を有する、請求項３４に記載の方法。
40. 前記ガス及び／又は流体は、熱蓄積材料を有し、前記熱蓄積材料が、前記ステージによって発生する熱によって前記熱蓄積材料が相変化を起こすときの潜熱としての、前記ステージによって発生する熱を収集及び蓄積するのに適した、請求項３９に記載の方法。
41. 前記ステージと前記フレームとの間のホースを包囲する領域を空にする工程をさらに有し、それによって前記ホースから漏出するガス及び／又は流体を収集可能にした、請求項３９に記載の方法。
42. 前記ステージ上に位置するステージ熱伝達表面を、前記フレーム上に位置するフレーム熱伝達表面に接続し、それによって前記ステージから前記フレームに熱を伝達可能にする工程と；
    前記ステージ熱伝達表面を前記フレーム熱伝達表面から切り離す工程と、をさらに有する、請求項３４に記載の方法。
43. 前記接続供給チャネルを介して前記フレームから前記ステージ内のユーティリティを受け取る工程と；
    前記受け取ったユーティリティを前記ステージ内に蓄積する工程と、をさらに有する、請求項３４に記載の方法。
44. 少なくとも一次誘導コイル及び二次誘導コイルを有する変圧器であって、前記二次誘導コイルが第１端及び第２端を有し、前記第１端及び前記第２端が前記二次誘導コイルの長軸の両端にある、前記変圧器と；
    ウエハ又はレチクルを支持するのに適したステージであって、少なくとも前記二次コイルの第１端に取り付けられ、それによって前記二次誘導コイルを支持する前記ステージと；
    前記一次コイルが前記二次コイルに近接するように、前記一次コイルを支持するフレームと、を備え、
    前記ステージが前記二次コイルの長軸に沿って前記フレームに対して移動するときに、前記一次コイルと前記二次コイルが互いに離間距離を維持し、それによって前記一次コイル内の電流が電磁場を生成し、この電磁場によって前記二次誘導コイル内に電流が流れるようにした、リソグラフィシステム。
45. 前記ステージと前記フレームが、互いに物理的に離れたままとなるように、前記ステージが前記フレーム上に支持されている、請求項４４に記載のリソグラフィシステム。
46. 前記二次コイルは、その形状が細長い輪になるように巻かれている、請求項４４に記載のリソグラフィシステム。
47. 前記フレームは２つの通路を含み、前記二次コイルのそれぞれの部分が、各通路を通過している、請求項４６に記載のリソグラフィシステム。
48. 前記フレームは、前記２つの通路のそれぞれを分ける誘導コアを有し、前記一次誘導コイルは前記誘導コアのまわりに巻かれている、請求項４７に記載のリソグラフィシステム。
49. 前記フレームは少なくとも１つの通路を有し、前記二次誘導コイルは前記通路を通過して延びている、請求項４４に記載のリソグラフィシステム。
50. 前記二次誘導コイルは、ソレノイドである、請求項４９に記載のリソグラフィシステム。
51. 前記一次誘導コイルは、前記通路の内表面のまわりに巻かれて、前記一次誘導コイルが前記ソレノイドの少なくとも一部分を包囲している、請求項５０に記載のリソグラフィシステム。
52. 前記ステージは、前記二次誘導コイル内で生成される電流から電流を引き出す電気構成要素をさらに有する、請求項４４に記載のリソグラフィシステム。
53. 照明源と；
    光学系と；
    レチクル又はウエハを支持するのに適したステージと；
    前記ステージの表面上に位置するステージポートと；
    前記ステージを支持するフレームと；
    前記フレームの表面上に位置するフレームポートであって、前記ステージポート及び前記フレームポートが互いの接続に適し、それによってガス及び／又は流体を前記ステージと前記フレームとの間で輸送可能にされた、フレームポートと；
    前記フレーム内のフレーム真空ポンプであって、前記フレームポートの縁のまわりの位置において、前記フレームの表面に延びる真空通路を有し、それによって前記ステージポートと前記フレームポートとの間の接続から漏れるガス及び／又は流体を排出可能である、前記フレーム真空ポンプと、を備えるリソグラフィシステム。
54. 前記ステージ内のステージ真空ポンプであって、前記ステージポートの縁のまわりの位置で、前記ステージの表面に延びる真空通路を有し、それによって、前記ステージポートと前記フレームポートとの間の接続から漏れるガス及び／又は流体を排出可能である、ステージ真空ポンプをさらに備える、請求項５３に記載のリソグラフィシステム。
55. 前記ステージ内に位置するとともに、前記ステージポートに接続された、ガス及び／又は流体を蓄積するのに適したステージ貯蔵部と；
    前記フレーム内に位置するとともに、前記フレームポートに接続された、ガス及び／又は流体を蓄積するのに適したフレーム貯蔵部と、
    をさらに備える、請求項５３に記載のリソグラフィシステム。
56. 請求項５３のリソグラフィシステムを用いて製造される物品。
57. 請求項５３のリソグラフィシステムによって、像がその上に形成されたウエハ。
58. リソグラフィプロセスを使用して物品を製作する方法であって、
    請求項５３に記載のリソグラフィシステムを前記リソグラフィプロセスが利用する方法。
59. リソグラフィプロセスを使用してウエハにパターン形成する方法であって、
    請求項５３に記載のリソグラフィシステムを前記リソグラフィプロセスが利用する方法。

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