KR20170122238A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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Abstract

리소그래피 장치로서, 요구되는 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 시변 열부하를 생성하는 능동 모듈(120); 상기 리소그래피 장치의 컴포넌트를 미리 결정된 타겟 온도에 유지시키도록 구성되는 온도 조절 시스템(100); 및 상기 능동 모듈과 열접촉하는 상변화 재료를 포함하는 열버퍼(110)로서, 상기 상변화 재료는, 상기 시변 열부하에 의해 상기 상변화 재료가 상변화를 겪게 되도록 하는 상변화 온도를 가지는, 열버퍼를 포함하고, 상기 상변화 재료는 상기 리소그래피 장치의 크리티컬 동작 중에 상기 투영 시스템에 대해 정지해 있는, 리소그래피 장치.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2015 년 3 월 24 일에 출원된 EP 15160525.0 의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 발명은 리소그래피 장치, 및 리소그래피 장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다.
반도체 산업에서는, 기판 상에 형성된 집적 회로 내의 디바이스, 예를 들어 트랜지스터의 밀도를 높여야 하는 강한 압박이 있다. 밀도를 증가시키기 위해서는, 리소그래피 장치 및 프로세스의 정확도 및 정밀도가 개선돼야 한다. 따라서, 리소그래피 장치 또는 검사 툴 내에서의 온도 제어의 정확도 및 안정성을 개선시키는 것이 무엇보다도 바람직하다.
리소그래피 장치 내에는, 본 명세서에서 능동 모듈이라고 불리는, 열부하를 생성하는 다양한 모듈이 존재한다. 일부 능동 모듈은 시간에 따라 크게 변동되는, 예를 들어 간헐적인 열부하를 생성한다. 리소그래피 장치 내의 온도 제어 시스템은 열전달 유체, 예를 들어 물을 그 온도가 제어돼야 하는 컴포넌트에 가깝거나 그 안에 있는 도관을 통해서 순환시킴으로써 작동할 수 있다. 온도가 제어돼야 하는 컴포넌트는 능동 모듈의 일부일 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 열전달 유체의 온도는, 예를 들어 히터 또는 쿨러를 포함하는 온도 제어 디바이스에 의해서 정확하게 제어된다.
타겟 온도로부터의 편차의 크기와 지속기간에 대해 엄격한 사양이 설정되면, 온도 제어 시스템은 능동 모듈의 피크 열부하와 거의 같은 속도로 능동 모듈의 근처에서 열을 제거할 수 있어야 한다. 주어진 열전달 유체에 대하여, 열제거의 요구되는 속도를 얻기 위해 요구되는 질량 유량률(mass flow rate)은 열전달 유체의 비열용량(specific heat capacity)에 의해 결정된다. 열전달 유체로서 물을 사용하는 경우에도 - 물이 높은 비열용량을 가지기 때문 - 리소그래피 장치 내에 능동 모듈이 많다는 것은 열전달 유체의 요구되는 총 질량 유량률이 높다는 것을 의미한다.
높은 질량 유량률로 열전달 유체를 순환시킴에 따른 피할 수 없는 결과는 진동이 발생한다는 것이다. 비록 진동을 감쇠시키고 및/또는 리소그래피 장치가 진동에 둔감하게 하기 위한 조치들이 취해질 수 있지만, 진동은 여전히 요구되는 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하는 데에 및/또는 기판의 특성을 측정하는 데에 해로운 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 진동은 오버레이라고 알려지는 포지셔닝 오차를 야기할 수 있다.
그러므로, 진동이 생성되는 것을 방지하거나 감소시키는, 리소그래피 장치의 컴포넌트의 온도를 제어하기 위한 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 요구되는 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 시변 열부하를 생성하는 능동 모듈; 상기 리소그래피 장치의 컴포넌트를 미리 결정된 타겟 온도에 유지시키도록 구성되는 온도 조절 시스템; 및 상기 능동 모듈과 열접촉하는 상변화 재료를 포함하는 열버퍼를 포함하고, 상기 상변화 재료는 상기 시변 열부하에 의해 상기 상변화 재료가 상변화를 겪게 되도록 하는 상변화 온도를 가지고, 상기 상변화 재료는 상기 리소그래피 장치의 크리티컬 동작 중에 상기 투영 시스템에 대해 정지해 있는, 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1 은 리소그래피 장치를 개략적으로 묘사한다;
도 2 는 일 실시예의 능동 모듈에서의 열출력 대 시간의 그래프이다;
도 3 은 일 실시예의 다른 능동 모듈에서의 열출력 대 시간의 그래프이다;
도 4 는 일 실시예에 따른 열버퍼를 가진 온도 조절 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 5 는 일 실시예에 따른 열버퍼를 가진 온도 조절 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 6 은 본 발명의 실시예들에서 사용될 수 있는 열버퍼를 개략적으로 도시한다;
도 7 은 일 실시예에 따른 열버퍼에서의 온도 대 열입력의 그래프이다;
도 8 은 일 실시예에 있는 기판 테이블 세정 모듈을 도시한다;
도 9 는 일 실시예의 열버퍼에 의해 둘러싸인 모터를 도시한다; 그리고
도 10 은 일 실시예에 있는 에어 게이지를 개략적으로 도시한다.
도 1 은 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 장치는 투영 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 임의의 다른 적합한 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성되는 조명 시스템(illuminator; IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제1 포지셔닝 디바이스(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 이러한 장치는 기판(예를 들어 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 기판(W)을 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제2 포지셔닝 디바이스(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"를 더 포함한다. 이러한 장치는 투영 빔(B)에 부여된 패턴을 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어 하나 이상의 다이를 포함함)로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 더 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 디렉팅하고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절형 컴포넌트, 반사형 컴포넌트, 자기적 컴포넌트, 전자기 컴포넌트, 정전기 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지, 즉 이의 무게를 지탱한다. 이것은 패터닝 디바이스(MA)를, 패터닝 디바이스(MA)의 지향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수도 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C) 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 투영 빔에(B) 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 상전이 피처(phase shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판(W)의 타겟부(C)에서의 요구된 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 투영 빔(B)에 부여된 패턴은 타겟부, 예컨대 집적 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정한 기능성 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형일 수도 있다. 패터닝 장치의 예는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능(LCD) 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 주지되며, 이진, 교번 상전이, 감쇄 상전이, 및 다양한 하이브리드 마스크 타입과 같은 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일 예는 소형 미러들의 매트릭스 정렬을 채용하는데, 이들 각각은 인입하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사하기 위하여 개별적으로 틸팅될 수 있다. 틸팅된 미러는 미러 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔 내에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학계, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어가 임의로 사용되면 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 같은 의미인 것으로 간주될 수도 있다.
도시된 것처럼, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 또는, 장치는 반사형 타입(예를 들어 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나, 반사 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 스테이지 또는 테이블을 갖는 유형의 것일 수 있다. 테이블 중 적어도 하나는 기판을 홀딩할 수 있는 기판 지지체를 가진다. 테이블 중 적어도 하나는 기판을 홀딩하도록 구성되지 않는 측정 테이블일 수 있다. 일 실시예에서, 두 개 이상의 테이블 각각은 기판 지지체를 가진다. 리소그래피 장치는 두 개 이상의 패터닝 디바이스 테이블 또는 "마스크 지지체"를 가질 수 있다. 그러한 "다중 스테이지" 기계에서, 부가적인 테이블 또는 지지체는 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 테이블 또는 지지체들이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 또는 지지체 상에 수행될 수 있다.
리소그래피 장치는, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 액침 공간을 채우기 위해 기판(W)의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예를 들어 초순수(ultra pure water; UPW)와 같은 물에 의해 덮힐 수 있는 유형이다. 액침액은 또한 예컨대 패터닝 디바이스(MA)와 투영 시스템(PS) 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 적용될 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구수(NA)를 증가시키기 위해 이용될 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는, 기판(W)과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 하는 것을 의미하지 않고, 오히려 "액침"은 노광 동안에 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다. 투영 시스템(PS)으로부터 기판(W)까지의 패터닝된 방사선 빔의 경로는 전체적으로 액체를 관통한다. 비록 액침 타입 리소그래피 장치가 예시적인 실시예로서 설명되지만, 본 발명은 비-액침 리소그래피 장치에도 적용된다.
도 1 을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사원(SO)으로부터 수광한다. 예를 들어, 방사원(SO)이 엑시머 레이저인 경우, 방사원(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 엔티티일 수 있다. 이러한 경우에, 방사원(SO)은 리소그래피 장치의 일부를 구성하는 것으로 간주되지 않는다. 방사원(SO)이 리소그래피 장치와 분리되는 구성에서, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 방사원(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사원(SO)이 수은 램프인 경우에, 이러한 방사원(SO)은 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수 있다. 방사원(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하도록 구성되는 조절기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)는 조절될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator; IN) 및 집광기(condenser; CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다. 소스(SO)와 유사하게, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 구성한다고 간주될 수도, 간주되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 내장 부품일 수도 있고, 또는 리소그래피 장치와 별개의 엔티티일 수도 있다. 후자의 경우에, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 그 위에 탑재되게 하도록 구성될 수 있다. 또는, 조명기(IL)는 탈부착가능하고, 별개로 제공될 수도 있다(예를 들어, 리소그래피 장치 제조사 또는 다른 공급자에 의하여).
투영 빔(B)은 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된 투영 빔(B)은 패터닝된 빔이라고 불릴 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 투영 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제2 포지셔닝 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 투영 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 포지셔닝하기 위하여, 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1 포지셔닝 디바이스 및 다른 위치 센서(도 1 에는 명확하게 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 투영 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 포지셔닝하기 위하여 사용될 수 있다.
일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 포지셔닝 디바이스(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 정밀 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 제2 포지셔닝 디바이스(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대로) 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다.
패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들(P1, P2)이 전용 타겟 영역을 점유하지만, 이들은 타겟 영역 사이의 공간(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수도 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 경우, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
투영 시스템(PS)은 레퍼런스 프레임(RF)(계측 프레임이라고도 불릴 수 있음) 상에 장착된다. 투영 시스템은 레퍼런스 프레임(RF)에 대해 위치가 고정되거나, 진동이 투영 시스템으로 전파되는 것을 막는 능동 마운트를 사용하여 장착될 수 있다. 레퍼런스 프레임은 측정 시스템을 위한 측정 시스템 -, 예컨대 간섭 측정식 위치 측정 시스템, 정렬 센서 또는 레벨 센서 - 및/또는 타겟- 예컨대 격자 플레이트 또는 미러 -를 역시 가질 수 있다.
이러한 리소그래피 장치는 설명되는 다양한 액츄에이터 및 센서의 모든 이동 및 측정을 제어하는 리소그래피 장치 제어 유닛(500)을 더 포함한다. 리소그래피 장치 제어 유닛(500)은 리소그래피 장치의 동작과 관련된 원하는 계산을 구현하는 신호 처리와 데이터 처리 능력을 더 포함한다. 실무상, 리소그래피 장치 제어 유닛(500)은, 리소그래피 장치 내의 서브시스템 또는 컴포넌트의 실시간 데이터 획득, 처리 및 제어를 각각 처리하는 많은 서브유닛들의 시스템으로서 구현될 것이다. 예를 들어, 하나의 처리 서브시스템이 제2 포지셔닝 디바이스(PW)의 서보 제어를 전담할 수 있다. 별개의 유닛들은 상이한 액츄에이터, 또는 상이한 축들을 다룰 수 있다. 다른 서브-유닛은 위치 센서(IF)의 판독을 전담할 수도 있다. 리소그래피 장치의 전체 제어는 중앙 처리 유닛에 의해 제어될 수 있다. 중앙 처리 유닛은 서브유닛과, 운영자와 그리고 리소그래피 제조 프로세스에 수반된 다른 장치들과 통신할 수 있다.
투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소와 기판(W) 사이에 액체를 제공하기 위한 장치는 3 개의 일반적 카테고리로 분류될 수 있다. 이것들은 배쓰(bath) 타입 장치, 소위 국지화된 액침 시스템 및 전습식(all-wet) 액침 시스템이다. 본 발명의 일 실시예는 특히 국지화된 액침 시스템에 관한 것이다.
국지화된 액침 시스템에 대해 제안된 바 있는 구성에서, 액체 구속 구조체(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(FE)와 투영 시스템(PS)을 바라보는 스테이지 또는 테이블의 대향면 사이에서 액침 공간(10)의 경계의 적어도 일부를 따라 연장된다. 테이블이 사용 시에 이동되고, 거의 고정되지 않기 때문에 테이블의 대향면은 이와 같이 지칭된다. 일반적으로, 테이블의 대향면은 기판(W), 기판(W)을 둘러싸는 기판 테이블(WT) 또는 양자 모두의 표면이다. 투영 시스템의 최종 광학 요소와 기판 사이에 액체를 제공하기 위한 다른 구성이 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있다.
공지된 리소그래피 장치는 리소그래피 장치의 컴포넌트 및 또한 투영 빔의 경로의 고도로 정밀한 온도 제어를 구현하기 위한 온도 조절 시스템을 포함한다. 온도 제어는: 그 치수 및/또는 형상이 중요한 컴포넌트의 열팽창 또는 수축을 방지하고; 노광되는 중인 기판의 온도 변동을 최소화하거나 감소시키며; 그리고 투영 빔 또는 측정 빔에 의해 횡단되는 매질과 같이 방사선 빔에 의해 횡단되는 매질의 굴절률의 변동을 최소화하거나 감소시키기 위해서 제공된다. 예를 들어, 국지화된 액침 시스템을 구현하는 리소그래피 장치에서, 투영 빔에 의해 횡단되는 매질은 기판과 투영 시스템의 마지막 렌즈 요소 사이에 액침 액체를 포함한다. 리소그래피 장치 내의 기체(예를 들어 극청정 건조 공기)의 온도를 제어하는 것과 함께, 온도 제어를 위한 공지된 접근법은 열전달 유체(예를 들어 물)를 리소그래피 장치의 다양한 컴포넌트 내의 도관을 통해서 순환시키는 것이다. 열전달 유체의 순환은 도관이 그 안에 제공된 컴포넌트의 온도를 제어하는 것은 물론, 인접한 컴포넌트의 온도도 제어할 수 있다. 매우 엄격한 온도 사양을 만족시키기 위해서, 열전달 유체는 흔히 높은 유속으로 순환되고, 이것이 바람직하지 않은 진동을 발생시킬 수 있다.
리소그래피 장치는 각각의 열부하를 생성하는 많은 열원을 포함한다. 하나의 중요한 열부하는 기판 및/또는 광학 컴포넌트에 의한 투영 빔의 방사선의 흡수이다. 다른 열부하는 액츄에이터 및 전자 회로와 같은 능동 컴포넌트에 의해 생성된 폐열을 포함한다. 온도 제어 시스템은 리소그래피 장치 내에서 열이 생성되는 것과 동일한 속도를 열을 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
비록 리소그래피 장치 내의 다수의 열부하가 시간에 따라 크게 변하는 많은 열부하를 포함하지만, 리소그래피 장치 내의 상이한 열원의 피크 열부하들 전부의 합과 동일한 속도를 장치로부터 열을 제거할 수 있는 온도 조절 시스템을 제공하는 것이 통상적이었다. (예를 들어 액침 액체의 기화가 리소그래피 장치 내의 특정한 위치로부터 열을 제거할 수 있는 것처럼 음의 열부하가 가능하지만, 이러한 음의 열부하는 그 수가 일반적으로 적다). 이것은, 리소그래피 장치 내의 상이한 시변 열부하들이 언제 그들의 피크 속도에서 열을 생성할 것인지 정확하게 예측하는 것이 일반적으로 가능하지 않기 때문이고, 따라서 온도 조절 시스템은 모든 시변 열부하가 동시에 피크에 있을 경우에 리소그래피 장치 내에서 생성되는 열을 제거할 수 있는 용량을 가지도록 구체화된다. 이러한 관점에서, 열팽창 때문에 비가역적 형상 변화가 생길 수 있기 때문에, 리소그래피 장치의 일부 부분은 타겟 온도로부터 절대로 좁은 한계보다 더 크게 벗어나서는 안 된다는 것이 요구된다는 점에 주의해야 한다. 리소그래피 장치의 특정 부분도 단기 온도 변화에 대한 매우 엄격한 사양을 공통적으로 가질 것이다. 장기 온도 변화는 캘리브레이션에 의해 보상될 수 있지만, 크리티컬 동작 중에 10 초 내지 20 초 정도의 시간 기간에 걸친 변화는 측정 결과에 정정할 수 없는 오차가 생기게 할 수 있다.
시스템으로부터 열을 제거하기 위한 온도 조절 시스템의 용량이 사용되는 열전달 유체의 비열용량 및 질량 유량률에 의해 결정되기 때문에, 온도 조절 시스템이 피크 부하들 모두와 같은 속도로 열을 제거할 수 있도록 보장한다는 것은 열전달 유체가 고속의 질량 유량률로 순환되어야 한다는 것을 의미한다. 질량 유량률이 높아지면 리소그래피 장치 내에 진동이 생기게 할 수 있고, 이것은 예를 들어 포지셔닝 오차를 초래함으로써 그 성능에 해로울 수 있다. 리소그래피 장치 내의 시변 열부하가 동시에 그들의 피크 속도로 열을 생성하는 것은 드물기 때문에, 온도 조절 시스템은 거의 대부분의 시간 동안에 과소하게 활용될 것이다.
본 발명의 일 실시예는 요구되는 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치이다. 이러한 리소그래피 장치는, 시변 열부하를 생성하는 능동 모듈 및 리소그래피 시스템의 일부를 미리 결정된 타겟 온도에서 유지시키도록 구성되는 온도 조절 시스템을 더 가진다. 능동 모듈과 열접촉하는 상변화 재료를 포함하는 열버퍼가 제공된다. 상변화 재료는, 상변화 재료가 시변 열부하에 의한 상변화를 겪게 되게 하는 상변화 온도를 가진다. 상변화 재료는 리소그래피 장치의 크리티컬 동작 중에 투영 시스템에 대해 정지된다.
그러므로, 일 실시예에서, 열버퍼가 능동 모듈의 피크 열생성 기간 중에 상변화에 의해 열을 흡수한 뒤 이것을 더 느리게 방출하기 때문에, 리소그래피 장치 내의 진동을 감소시키는 것이 가능해진다. 일 실시예에서, 상변화 온도는 미리 결정된 온도(예를 들어, 약 22 0C임)에 충분히 가까워서, 상변화 재료의 온도가 시변 열부하 때문에 상변화를 겪을 만큼 충분히 올라가게 한다. 사실상, 능동 모듈의 피크 열출력의 크기는 완화된다. 그러므로, 온도 조절 시스템은 더 낮은 최대 열제거 능력을 갖도록 공급될 수 있고, 열전달 유체의 감소된 질량 유량률을 채용할 수 있다. 또는, 높은 열제거 용량을 가지는 온도 조절 시스템은 그 열전달 유체의 감소된 질량 유량률에서 작동될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 그렇지 않을 경우 능동 모듈을 냉각하기 위하여 필요한 냉각 시스템의 브랜치가 생략될 수 있다.
동시에, 상변화 재료가 리소그래피 장치의 크리티컬 동작 중에 정지해 있기 때문에, 상변화 재료는 그 스스로는 장치에 추가적인 진동을 도입하지 않는다. 운동 중인 상변화 재료는 운동의 요동 때문에 장치 내에 진동을 생성할 수 있다. 특정 시점에서의 상변화 재료의 상, 또는 상들의 비율이 예측불가능할 수 있기 때문에 이러한 진동은 특히 예측할 수 없을 수 있다.
리소그래피 장치의 크리티컬 동작은 기판 위의 방사선 감응층을 노광하기 위해 요구되는 패턴을 그 위에 투영하는 것을 포함한다. 이러한 동작은 노광이라고 불릴 수 있다. 다른 크리티컬 동작은 노광될 또는 노광된 기판의 특성을 측정하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 특성은 기판 상의 정렬 마커들의 서로에 대한 상대 위치 및/또는 기판 테이블 상의 기준점들의 상대 위치를 포함할 수 있다. 이러한 동작은 정렬이라고 불릴 수 있다. 크리티컬 동작 중에 측정될 수 있는 기판의 다른 특성은 기판의 표면 컨투어 및/또는 기판면과 투영 시스템 사이의 거리를 포함하는데, 이들은 레벨링(levelling)이라고 불릴 수 있다.
일 실시예에서, 능동 모듈은 미리 결정된 동작을 수행하도록 간헐적으로 동작한다. 시간"t"(예를 들어, 초 단위)의 함수인 능동 모듈의 열출력(P)(예를 들어, 와트 단위)의 그래프인 도 2 에 도시된 바와 같이, 능동 모듈은 자신의 동작 주기에 대응하는 특정 시간 기간 동안 속도(Pp)에서 열을 생성한다. 동작 주기(여기에서: 단일 동작 사이클) 동안의 총 열출력(HTOT)은 그래프의 선 아래의 면적에 의해 표현된다. 즉, 동작 사이클 당 총 열출력(HTOT)은 단일 동작 사이클 동안의 시간에 걸친 열출력(P)의 시간 적분이다. 능동 모듈의 동작 주기 동안의 열출력은 간결성을 위하여 상수로 표시되지만, 일반적으로 변수일 수도 있다. 동작 주기는 정규 간격으로 또는 리소그래피 장치에 의해 수행되는 동작에 따라서 비정규적으로 반복될 수 있다. 열버퍼가 총 열출력(HTOT)의 적어도 75%를 캡쳐하는 것이 바람직하다. 열버퍼가 능동 모듈의 하나의 동작 주기 내에 생성된 열량의 적어도 75%를 캡쳐할 수 있으면, 능동 모듈 근처에서 발생하는 피크 온도가 크기 감소될 수 있다. 열버퍼는 능동 모듈과 근접 열접촉 상태로 배치되어 능동 모듈에 의해 출력되는 열이 캡쳐되게 보장한다. 절연이 제공되어 능동 모듈로부터의 열이 열버퍼가 아닌 리소그래피 장치의 다른 부분으로 빠져나가는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 능동 모듈 및 열버퍼는, 능동 모듈에 의해 생성된 열이 열적으로 고립된 시스템으로부터 빠져나가는 우선 경로가 열버퍼를 통과하는 것이 되도록 구성되는 실질적으로 열적으로 고립된 시스템을 형성한다. 열적으로 고립된 구조체는, 그로부터의 열유출 속도가 능동 모듈의 피크 열생성 속도보다 낮게 되도록 구성된다. 바람직하게는, 열유출 속도는 능동 모듈의 피크 열생성 속도보다 20%보다 적거나 10%보다 적다.
열버퍼가 상전이의 잠열에 의해 캡쳐된 열 전부를, 그리고 더 바람직하게는 총 열출력(HTOT)의 적어도 두 배 또는 세 배를 흡수하기에 충분한 상변화 재료를 포함하는 것도 역시 바람직하다. 열버퍼가 능동 모듈의 여러 동작 주기 내에 캡쳐된 열을 흡수할 수 있으면, 능동 모듈이 재빨리 연속적으로 수 회 작동되고 있거나 능동 모듈의 근처로부터 열을 제거하는 것이 손상되는 것과 같이 특이한 상황에서도 캡쳐된 모든 열이 흡수되도록 보장할 수 있다.
일 실시예에서, 온도 조절 시스템은 미리 결정된 열제거 속도 Pr에서 능동 모듈로부터의 열을 제거하도록 구성되지만, 시변 열부하는 미리 결정된 열제거 속도보다 더 큰 피크 열생성 속도 Pp를 특정 시간에만 가진다.
시변 열부하 Pp가, 이것이 피크 열생성 속도를 가지는 정규의 미리 결정된 주기, 또는 피크 열생성 속도가 비정규적 간격으로 발생하는 비정규적 주기를 가지면서 순환한다면, 유사한 고려 사항이 적용된다. 능동 모듈이 미리 결정된 열제거 속도 Pr보다 빠른 속도로 열을 생성하고 있는 기간은 과다 열생성 기간이라고 불린다. 이것은 시간 t의 함수인 능동 모듈의 열출력(P)의 그래프인 도 3 에 도시된다. 열 과도량 He는 과다 열생성 기간 동안 열제거 속도 Pr을 초과하여 능동 모듈에 의해 생성된 열의 총량이다. 바람직하게는, 열버퍼는 기대된 최대 열 과도량의 적어도 75%를 캡쳐한다. 바람직하게는, 열버퍼는 최대 기대된 열 과도량의 적어도 두 배 내지 세 배를 상전이에 의해 흡수하기에 충분한 상변화 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 능동 모듈은 액츄에이터, 예를 들어 회전식 전기 모터 또는 선형 모터를 포함한다. 액츄에이터는 그 동작 중에 상당량의 폐열을 생성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 능동 모듈은 전력 전자 디바이스, 예를 들어 전력 증폭기 또는 전력 트랜지스터를 포함한다. 전력 전자 디바이스는 그 동작 중에 상당량의 폐열을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에서, 열버퍼는 능동 모듈 및 상변화 재료와 열접촉하는 열전달 부재를 포함한다. 열전달 부재는 능동 모듈에 의해 생성된 열의 상변화 재료로의 우선 경로를 제공하여, 능동 모듈에 의해 생성된 열이 그 주위로 분산되는 것을 방지한다. 바람직하게는, 열전달 부재는 상변화 재료와 접촉하는 복수 개의 핀을 포함하여, 상변화 재료와의 접촉 면적을 최대화한다. 핀을 제공하면 상변화 재료가 낮은 열전도율을 가질 경우에도 상변화 재료로의 열전달을 개선한다.
본 발명의 일 실시예는, 레퍼런스 프레임; 레퍼런스 프레임에 장착되고 요구되는 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 시변 열부하를 생성하는 능동 모듈; 레퍼런스 프레임을 미리 결정된 타겟 온도에서 유지시키도록 구성되는 온도 조절 시스템; 및 능동 모듈 및 레퍼런스 프레임과 열접촉하는 상변화 재료를 포함하는 열버퍼를 포함하고, 상기 상변화 재료는 상변화 재료가 시변 열부하에 의해 상변화를 겪게 되도록 하는 상변화 온도를 가지는 리소그래피 장치인데, 여기에서 능동 모듈에 의해 생성된 열부하의 적어도 75%는 열버퍼로 흘러간 후 레퍼런스 프레임으로 흘러간다.
리소그래피 장치 내에 포함된 측정 시스템에 대한 고도로 안정한 레퍼런스를 제공하도록 열적으로 안정하게 유지되어야 하는 리소그래피 장치의 레퍼런스 프레임으로 시변 열부하를 디렉팅하는 것은 일반적으로 바람직하지 않다고 여겨질 것이다. 그러나, 능동 모듈에 의해 생성된 열부하를 상변화 재료를 포함하는 열버퍼를 통과해서 디렉팅함으로써, 예를 들어 다른 열 조절 시스템이 레퍼런스 프레임의 온도를 제어하게 함으로써, 최대 온도 변화(excursion) 및 온도 변화(drift)의 속도는 수락가능한 한계 내에서 제어될 수 있다. 그러면 레퍼런스 프레임이 더 적은 크기의 더 많은 정상 열부하를 수신하며, 그 효과는 캘리브레이션되어 없어질 수 있거나 다른 열 조절 시스템에 의해 더 효과적으로 관리될 수 있다.
일 실시예에서, 열버퍼는 주변으로의(예를 들어 레퍼런스 프레임으로의) 열흐름을 지연시켜서, 능동 모듈의 하나의 동작 사이클 중에 열버퍼에 의해 캡쳐된 열이 능동 모듈의 동작 주기의 적어도 다섯 배, 바람직하게는 열 배인 기간 동안 열버퍼에서 흘러나가게 하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 능동 모듈은 예를 들어 한 시간 당 10 초의 기간 동안 작동할 수 있고, 열버퍼는 해당 기간 동안 캡쳐된 열을 일 분 이상의 과정에 걸쳐 방출한다.
특정한 실시예가 도 4 에 개략적으로 도시된다. 리소그래피 장치의 능동 모듈(120)은 제어 시스템(500)에 의하여 가변적으로 또는 간헐적으로 작동하도록 제어된다. 그 가변 또는 간헐적 동작의 결과, 열부하 Pv가 생성된다. 가변 열부하 Pv는 본 명세서에서 피크 열생성 속도 Pp라고 불리는 최대치 속도까지 변한다. 능동 모듈(120)에 의해 생성된 열은, 예를 들어 고체로부터 액체로의 상변화를 거치는 상변화 재료에 의해 열버퍼(110) 내에서 흡수된다.
상변화 재료는, 상변화의 온도 Tpc가, 리소그래피 장치 또는 열적으로 조절되어야 할 관련 컴포넌트가 유지되어야 할 요구되는 타겟 온도 Tt에 가깝지만 그보다 높아지도록 선택되거나 변형된다. 상변화의 온도 Tpc는, 능동 모듈에 의해 생성된 열이, 상변화 재료가 상변화의 온도 Tpc에 도달하고 상변화 재료의 적어도 일부가 상변화를 겪게 하기에 충분하도록 한다. 일 실시예에서, 상변화의 온도 Tpc는 5 K보다 적게, 더 바람직하게는 3 K보다 적게, 더 바람직하게는 2 K보다 적게 요구되는 타겟 온도 Tt보다 높다. 일 실시예에서, 요구되는 타겟 온도 Tt는 약 295 K이다. 적절한 상변화 재료는 파라핀, 지방산 및 폴리에틸렌 글리콜을 포함한다. 이러한 재료는 약 290 K 내지 약 310 K 범위에 있는 녹는점을 가질 수 있다. 상변화의 온도는 재료의 정확한 제형(formulation)을 제어함으로써 요구되는 값으로 결정될 수 있다. 이러한 재료는 약 100 내지 약 300 kJ/kg의 범위에 있는 잠열을 가질 수 있다. 잠열이 높으면 더 많은 열이 상변화 재료의 주어진 양에 의해 흡수되기 때문에 잠열은 높을수록 바람직하다.
열버퍼의 효과는 상변화 재료의 온도 "T" 대 열버퍼로의 열입력 "H"를 나타내는 도 7 에 도시된다. 처음에, 입력 열이 상승함에 따라, 상변화 재료 및 버퍼의 다른 부분의 비열용량에 의해 결정되는 온도 상승의 기울기를 가지고 상변화 재료의 온도도 증가한다. 그러나, 상변화의 온도 Tpc에 도달하면, 열버퍼로의 추가적 열입력은 상변화 재료 전부가 상변화를 할 때까지 온도가 증가함이 없이 상변화 재료가 상을 점진적으로 변화하게 한다. 그러므로, 열버퍼의 온도는 실질적으로 일정하게 유지된다. 열버퍼는 적어도 모든 상변화 재료가 상변화를 겪을 때까지 온도 제한기로서 작동하는 것으로 간주될 수 있다.
도 4 의 다이어그램으로 복귀하면, 온도 조절 시스템(100)은 열제거 속도 Pr로 열버퍼(110)로부터 열을 제거하도록 제공된다. 열제거 속도 Pr은 가변 열부하 Pv의 피크 열생성 속도 Pp 보다 적지만 가변 열부하 Pv의 장기 평균 이상이다. 온도 조절 시스템(100)은 열전달 유체(104)가 통과해서 순환되는 도관(103)이 제공되는 열 도전성 부재(102)를 포함한다. 쿨러(105)는 열전달 유체(104)를 요구되는 타겟 온도 Tt로 유지한다. 일 실시예에서, 열 도전성 부재(102)는 리소그래피 장치의 다른 컴포넌트의 일부, 예를 들어 레퍼런스 프레임이고 및 큰 열 용량을 가질 수 있다.
바람직하게는, 열버퍼(110)는 능동 모듈(120)과 밀접 열접촉 상태이고, 열접촉은 밀접한 물리적 접촉을 보장하거나 및/또는 열 구리스를 사용함으로써 향상될 수 있다. 추가하여, 능동 모듈(120) 및 열버퍼(110)가 열적으로 고립된 시스템을 형성하도록 능동 모듈(120) 및 열버퍼(110)를 감싸는 절연 재료(121)를 제공하는 것이 가능하다. 절연 재료(121)는, 예를 들어 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene; POM)으로 제작될 수 있다.
다른 실시예가 도 5 에 개략적으로 도시된다. 도 5 의 실시예는, 후술되는 바와 같은 점을 제외하고는 도 4 의 실시예와 본질적으로 동일하고, 공통 부분은 간략화를 위하여 반복되지 않는다.
도 5 의 실시예에서, 온도 조절 시스템(100)은 제공되지 않고, 그 대신에 열버퍼(110)가 큰 열용량을 가지는 리소그래피 장치의 부분, 예를 들어 레퍼런스 프레임(RF)과 열접촉하게 배치된다. 열버퍼(110)와 레퍼런스 프레임(RF)(또는 리소그래피 장치의 다른 부분) 사이의 접촉은, 피크 열생성 속도 보다 낮지만 가변 열부하 Pv의 장기 평균 이상인 열전도 속도 PC에서 열버퍼(110) 밖으로 열이 전도되도록 배치된다. 레퍼런스 프레임(RF)(또는 리소그래피 장치의 다른 부분)은 충분히 큰 열 용량을 가져서 그 온도는 수락가능한 속도보다 빠른 속도로 변하지 않게 되고, 즉 온도 드리프트가 제한된다. 바람직하게는, 온도는 열버퍼(110)로부터 수용되는 열 때문에 수락가능한 양보다 많이 달라지지 않는다.
도 6 은 일 실시예에서 사용될 수 있는 열버퍼(110)를 개략적으로 도시한다. 열버퍼(110)는 높은 열전도율을 가지는 알루미늄 또는 구리와 같은 재료로 제작된 열전달 부재(111)를 포함한다. 열전달 부재(111)는 능동 모듈(120)로부터 열을 전도시켜 없애기 위해 능동 모듈과 접촉되게 배치된다. 열버퍼(110)는 열전달 부재(111)와 열접촉 상태이며 그로부터 연장되는 복수 개의 핀(112)을 더 포함한다. 핀들(112) 사이에는 상변화 재료(113)가 있다. 상변화 재료(113)는 측벽(114), 열전달 부재(111) 및 커버 플레이트(115)에 의해 구속된다. 일 실시예에서, 측벽(114)은 예를 들어 POM으로 제작되어 절연성을 가진다. 일 실시예에서, 커버 플레이트(115)는 알루미늄 또는 구리와 같은 열전도성 재료로 제작되어, 열이 상변화 재료로부터 빠져나와서, 예를 들어 온도 조절 시스템(100) 또는 레퍼런스 프레임(RF)(또는 리소그래피 장치의 다른 부분)으로 전도될 수 있게 한다. 커버 플레이트(115)는 열버퍼(100)로부터의 열전달 속도를 제어하기 위하여 부분적으로 절연성이고 부분적으로 열전도성이 되도록 제작될 수 있다. 상변화 재료 자체가 상대적으로 낮은 열전도율을 가지더라도, 핀(112)은 열을 더 빨리 상변화 재료의 모든 부분으로 전도시키는 역할을 한다.
일 실시예에서, 입력측과 출력측의 온도를 각각 모니터링하기 위하여 온도 센서(116 및 117)가 제공된다. 온도 센서(116)는 열전달 부재(111)에 부착될 수 있다. 온도 센서(117)는 커버 플레이트(115)에 부착될 수 있다. 온도 센서(116 및 117)는 예를 들어, 열전대(thermocouples)일 수 있다. 온도 센서(116 및 117)는 예를 들어 이것이 충분한 상변화 재료를 포함한다는 것과 흡수된 열이 온도를 상변화의 온도 Tpc 위로 올라가게 하기에 충분하다는 것을 검증하기 위하여, 열버퍼(110)의 동작을 모니터링하기에 충분한 정보를 제공한다.
상변화 재료(113)는 상변화 중에, 예를 들어 고체로부터 액체로의 팽창을 겪을 수 있고, 또는 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 열버퍼의 부분, 예를 들어 측벽(114)은 예측가능한 양인 이러한 팽창을 수용하기 위해서 가요성으로 제작될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 열버퍼(110)는, 열버퍼(110) 내에 상변화 재료(113)의 팽창을 허용하기에 충분한 공간이 있도록 진공 상태에서 언더필될 수 있다.
도 8 은 일 실시예에 있는 능동 모듈의 더 상세한 개략도이다. 도 8 의 경우, 능동 모듈(120a)은 기판 홀더 세정 모듈이다. 기판 홀더 세정 모듈(120a)은 연장가능한 붐(boom; 1202)을 지지하는 베이스 유닛(1201)을 포함한다. 일반적으로 연장가능 붐은 기판 테이블의 움직임을 방해하지 않도록 수축된다. 기판 스테이지 세정 디바이스는 듀얼-스테이지 리소그래피 장치의 측정 스테이지에, 예를 들어 기판 로딩/언로딩 스테이션에 제공될 수 있다. 연장가능 붐(1202)의 끝에는 드라이브 체인(1204)을 통해 세정 휠(1205)로 연결되는 모터 유닛(1203)이 있다. 기판 홀더 세정 모듈(120a)은 기판 홀더(WH) 상에 있는 하나 이상의 옹이(burl; 50)를 세정하기 위해 주기적으로 사용된다. 연장가능 붐이 연장되고 세정 휠이 구동되면, 기판 홀더는 세정될 옹이가 세정 휠 아래에 위치되도록 이동된다. 옹이 세정 동작 중에, 예측가능한 양의 폐열이 모터(1203)에 의해 생성된다. 옹이 세정 동작 중에 생성된 폐열을 흡수하기 위해서 열버퍼(110)는 모터(1203)와 밀접 열접촉 상태로 제공된다.
일 실시예에서, 기판 홀더 세정 모듈은 각각의 세정 동작이 적은 수의 옹이, 예를 들어 하나 내지 다섯 개의 옹이를 세정하고 예를 들어 20 내지 100 초의 짧은 기간이 걸리는 제1 모드에서 작동된다. 세정 동작은 미리 결정된 횟수, 예를 들어 하루에 5 회 내지 40 회 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 홀더 세정 모듈(120a)은 전체 기판 홀더가 세정되는 제2 모드에서 작동될 수 있다. 제2 모드 세정 동작은 5 분 내지 10 분이 걸릴 수 있고, 상대적으로 드물게, 예를 들어 한 주에 약 한 번에서 하루에 약 세 번의 빈도로 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 홀더 세정 모듈(120a)에 제공된 열버퍼(110)는 기판 홀더 세정 모듈(120a)에 의해 수행되는 가장 광범위한 동작 중에 생성되는 폐열 모두(HTOT)를 흡수하기에 충분한 열 흡수 용량을 가진다. 일 실시예에서, 약 200 내지 약 300 J의 총 열 소모를 가져올 수 있는 것은 제2 모드 세정 동작이다. 이러한 양의 열을 흡수하기 위해 필요한 상변화 재료의 양은 상변화 재료의 잠열에 따라 달라진다. 염수화물, 파라핀 또는 폴리에틸렌과 같은 적합한 재료의 경우, 요구된 볼륨은 오차에 대한 큰 마진을 허용하면서도 약 5 cm3보다 적을 수 있다. 열버퍼의 다른 컴포넌트를 포함하면, 열버퍼의 총 볼륨은 약 15 cm3에까지 커질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 이러한 볼륨은 충분히 작아서, 이것은 기판 홀더 세정 모듈에 대해 허용된 공간 내에 쉽게 수용될 수 있다.
도 9 는, 열버퍼(110)가 모터(1203)를 근접하게 둘러싸는 원통형 재킷의 형태로 제공되는 한 구성을 더 상세하게 도시한다. 이러한 구성에서 열버퍼(110)는 상변화 재료(113)가 열전달 층(111)과 외부 절연 커버 층(114) 사이에 샌드위치되는 3-층 구조를 가질 수 있다. 단부 커버(115)는 온도 조절 시스템에 의하여 및/또는 리소그래피 장치의 다른 부분의 열전도에 의하여 열이 열버퍼(110)로부터 추출되기 위한 루트를 제공한다. 열버퍼(110)를 모터(1203)를 근접하게 둘러싸는 재킷으로 형성함으로써, 모터(1203) 내에서 발생된 실질적으로 모든 폐열이 상변화 재료로 디렉팅되게 보장하기가 쉬워진다. 재킷은 열버퍼 및 모터를 포함하는 열적으로 고립된 시스템을 생성한다. 재킷의 형상은 도 9 에 도시되는 간단한 실린더 이외의 다른 형상인 능동 디바이스에 근접하게 맞춤되고, 전기적 연결, 드라이브 샤프트 출력 및 장착 장치 등을 수용하도록 적응될 수 있다.
도 10 은 에어-게이지의 형태인 다른 능동 모듈(120b)을 개략적으로 도시한다. 에어 게이지(120b)는 듀얼-스테이지 리소그래피 장치의 측정 스테이션에 제공되고 광학적 레벨 센서(LS)의 캘리브레이션을 위해 사용된다. 광학적 레벨 센서(LS)는 기판의 상면의 지형도(topographical map)를 생성하도록 사용된다. 에어 게이지(120b)는 레퍼런스 프레임(RF)(도 10 에는 미도시)에 고정된 구획(1211) 내에 장착된다. 에어 게이지(120b)는 예를 들어 선형 모터의 형태인 액츄에이터(1214)에 의해 기판을 향해 연장되는 신축 실린더(1213)를 포함한다. 압력 센서(1212)는 신축 실린더(1213)의 단부와 대향면, 예를 들어 기판(W) 또는 기판 테이블(WT)의 상면 사이의 거리의 고도로 정확한 측정을 수행하기 위해 사용된다.
액츄에이터(1214)가 신축 튜브(1213)를 연장 또는 수축시키도록 작동되면, 작은 양의 폐열이 생성된다. 일 실시예에서, 생성된 폐열의 총량(HTOT)은 약 10 J 내지 약 50 J의 범위에 있다. 비록 이것은 매우 작은 양의 에너지인 것처럼 보이지만, 에어 게이지(120b) 및 레벨 센서(LS)에 의해 이뤄져야 하는 측정의 극한의 정밀도 때문에, 이러한 양의 폐열이 에어 게이지(120b) 및 레벨 센서(LS)의 주변으로 방출되는 것은 바람직하지 않다. 에어 게이지(120b) 주위에 있는 기체의 온도가 조금만 변해도 에어 게이지를 통해 이뤄지는 압력 측정에 영향을 줄 수 있다. 이와 유사하게, 기체의 온도에서의 작은 변화가 레벨 센서(LS)에 의한 측정에 의해 트래버스되면 레벨 센서(LS)의 측정에 영향을 주는 바람직하지 않은 굴절률 변화를 초래할 수 있다. 다른 측정 시스템, 예컨대 다른 센서의 위치를 측정하는 정렬 센서 및 레퍼런스 센서가 에어 게이지의 근처에 제공될 수 있고 액츄에이터(1214)로부터의 열 방출에 의해 교란될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예는 액츄에이터(1214)에 밀접 열접촉 상태로 열버퍼(110)를 제공한다. 액츄에이터(1214)에 의해 생성되는 폐열이 소량이라는 것을 고려하면, 열버퍼(110) 내에 제공된 상변화 재료의 총 볼륨은 1cm3보다 적을 수 있다.
비록 본문에서 IC의 제조에서 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
본 실시예에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 자외선(UV) 방사선을 포함하는, 예를 들어 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm이거나 거의 그 값인 파장을 가지는 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.
비록 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명의 실시예들이 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치로서,
    요구되는 이미지를 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템;
    시변 열부하를 생성하는 능동 모듈;
    상기 리소그래피 장치의 컴포넌트를 미리 결정된 타겟 온도에 유지시키도록 구성되는 온도 조절 시스템; 및
    상기 능동 모듈과 열접촉하는 상변화 재료를 포함하는 열버퍼를 포함하고, 상기 상변화 재료는 상기 시변 열부하에 의해 상기 상변화 재료가 상변화를 겪게 되도록 하는 상변화 온도를 가지고,
    상기 상변화 재료는 상기 리소그래피 장치의 크리티컬 동작(critical operation) 중에 상기 투영 시스템에 대해 정지해 있는(stationary), 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 크리티컬 동작은 상기 기판 상에 상기 요구되는 패턴을 투영하는 것 및 상기 기판의 특성을 측정하는 것을 포함하는, 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 능동 모듈은 미리 결정된 동작을 수행하도록 구성되고;
    상기 열버퍼는 상기 미리 결정된 동작 중에 상기 능동 모듈에 의해 출력되는 총 열량의 적어도 75%를 캡쳐하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 열버퍼는, 상기 미리 결정된 동작 중에 상기 능동 모듈에 의해 출력되는 총 열량의 적어도 두 배를 상변화의 잠열에 의해 흡수하기에 충분한 상변화 재료를 포함하는, 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 조절 시스템은 미리 결정된 열제거 속도로 상기 능동 모듈로부터 열을 제거할 수 있고;
    상기 시변 열부하는, 열이 상기 미리 결정된 열제거 속도보다 더 빠른 속도로 생성되는 과다 열생성 기간을 포함하며;
    상기 열버퍼는 상기 과다 열생성 기간 중에 상기 미리 결정된 열제거 속도를 초과하여 상기 능동 모듈에 의해 생성된 열량의 적어도 75%를 캡쳐하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 열버퍼는 상기 과다 열생성 기간 중에 상기 미리 결정된 열제거 속도를 초과하여 상기 능동 모듈에 의해 생성된 열량의 적어도 두 배를 상변화의 잠열에 의해 흡수하기에 충분한 상변화 재료를 포함하는, 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동 모듈은 액츄에이터 및/또는 전력 전자 디바이스, 기판 스테이지 클리너 또는 에어 게이지를 포함하는, 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동 모듈 및 열버퍼는, 열적으로 고립된 시스템으로부터의 열유출 속도가 상기 시변 열부하의 피크 값보다 낮도록, 상기 열적으로 고립된 시스템 내에 위치되는, 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상변화는 고체로부터 액체로의 상변이인, 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열버퍼는 상기 능동 모듈 및 상변화 재료와 열접촉하는 열전달 부재를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    열전달 부재는 상기 상변화 재료와 접촉하는 복수 개의 핀(fin)을 가지는, 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동 모듈은 상기 리소그래피 장치의 컴포넌트 상에 장착되는, 리소그래피 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치의 컴포넌트는 상기 리소그래피 장치의 프레임인, 리소그래피 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는, 상기 능동 모듈 및 열버퍼를 특히 둘러싸는 단열재를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  15. 투영 시스템 및 능동 모듈을 가지는 리소그래피 장치를 사용하는 디바이스 제조 방법으로서,
    시변 열부하가 생성되도록 상기 능동 모듈을 작동시키는 단계;
    상변화를 겪는 상변화 재료에 의하여, 상기 상변화 재료를 포함하는 열버퍼에서 상기 시변 열부하를 흡수하는 단계;
    상기 능동 모듈의 피크 열생성 속도보다 느린 속도로 상기 열버퍼에 대한 열을 제거하는 단계; 및
    상기 투영 시스템을 사용하여, 요구되는 이미지를 기판에 투영하는 단계를 포함하고,
    상기 상변화 재료는 투영시에 상기 투영 시스템에 대해 정지해 있는, 디바이스 제조 방법.

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057262A (ja) * 2000-06-08 2002-02-22 Merck Patent Gmbh 電子部品のためのヒート・シンクにおける相変化材料の使用法
JP2002523676A (ja) * 1998-08-31 2002-07-30 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト タービン静翼
JP2005523676A (ja) * 2002-04-17 2005-08-04 ロッキード・マーティン・コーポレーション 電気的ソレノイドおよびモータに使用する相変化吸熱器
JP2007514319A (ja) * 2003-12-12 2007-05-31 株式会社ニコン リソグラフィシステムにおけるユーティリティ輸送システム
JP2009027006A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Nikon Corp 断熱構造、断熱装置、ヒートシンク、駆動装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法。

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
JP2737010B2 (ja) 1989-08-01 1998-04-08 キヤノン株式会社 露光装置
US5315154A (en) 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
JP3919387B2 (ja) 1999-07-15 2007-05-23 キヤノン株式会社 露光装置
US6397618B1 (en) 2001-05-30 2002-06-04 International Business Machines Corporation Cooling system with auxiliary thermal buffer unit for cooling an electronics module
JP4006251B2 (ja) * 2002-03-20 2007-11-14 キヤノン株式会社 ミラー装置、ミラーの調整方法、露光装置、露光方法及び半導体デバイスの製造方法
DE10250604A1 (de) 2002-10-30 2004-05-19 Tyco Electronics Amp Gmbh Integriertes Schaltungssystem mit Latentwärmespeichermodul
DE10347518A1 (de) 2003-10-13 2005-05-25 Siemens Ag Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher
US7106416B2 (en) * 2003-12-10 2006-09-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060088271A1 (en) 2004-10-22 2006-04-27 Nanocoolers, Inc. Transient thermoelectric cooling of optoelectronic devices
DE102004062582A1 (de) 2004-12-24 2006-07-13 Carl Zeiss Ag Optische Abbildungsvorrichtung
US20080073563A1 (en) * 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
US7528349B1 (en) 2006-07-25 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Temperature stabilization for substrate processing
US8325321B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
JP2008311595A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
WO2009150018A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-17 Asml Netherlands B.V. Method and system for thermally conditioning an optical element
US20130140372A1 (en) 2011-06-30 2013-06-06 Nikon Corporation Temperature control of a mover with active bypass, predictive feedforward control, and phase change housing
JP6328126B2 (ja) * 2012-10-31 2018-05-23 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法
DE102012221923A1 (de) * 2012-11-29 2014-06-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlsystem für zumindest eine Systemkomponente eines optischen Systems für EUV-Anwendungen sowie derartige Systemkomponente und derartiges optisches System

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002523676A (ja) * 1998-08-31 2002-07-30 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト タービン静翼
JP2002057262A (ja) * 2000-06-08 2002-02-22 Merck Patent Gmbh 電子部品のためのヒート・シンクにおける相変化材料の使用法
JP2005523676A (ja) * 2002-04-17 2005-08-04 ロッキード・マーティン・コーポレーション 電気的ソレノイドおよびモータに使用する相変化吸熱器
JP2007514319A (ja) * 2003-12-12 2007-05-31 株式会社ニコン リソグラフィシステムにおけるユーティリティ輸送システム
JP2009027006A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Nikon Corp 断熱構造、断熱装置、ヒートシンク、駆動装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法。

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