JP2002057262A - 電子部品のためのヒート・シンクにおける相変化材料の使用法 - Google Patents

電子部品のためのヒート・シンクにおける相変化材料の使用法

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JP2002057262A JP2001174400A JP2001174400A JP2002057262A JP 2002057262 A JP2002057262 A JP 2002057262A JP 2001174400 A JP2001174400 A JP 2001174400A JP 2001174400 A JP2001174400 A JP 2001174400A JP 2002057262 A JP2002057262 A JP 2002057262A
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ノイシューツ マルク
Ralf Glausch
グラウシュ ラルフ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品のためのヒート・シンクにおけるＰ
ＣＭの使用法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、電気部品および電子部品を冷
却するための装置における相変化材料の使用法に関す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品および電
子部品のための冷却装置における相変化材料の使用法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】工業プロセスでは、しばしば熱ピークま
たは不足を避けなければならない。すなわち、温度制御
を行わなければならない。これは通常、熱交換器を用い
て達成される。最も簡単な場合、熱交換器は、熱を散逸
し熱を周囲の空気へ放出する熱伝導プレートだけからな
るか、あるいは、まず熱を１つの場所または媒体から他
に伝達する熱伝達媒体を含むことができる。
【０００３】例えばマイクロプロセッサ(中央処理ユニ
ット＝ＣＰＵ)(２)などの電子部品を冷却するための現
行技術(図１)は、押し出されたアルミニウムから作られ
たヒート・シンクであり、このヒート・シンクは、電子
部品から熱を吸収し、支持体(３)上に取り付けられ、冷
却フィン(１)を介して周囲に熱を放出する。冷却フィン
での対流は、ほとんど常にファンによって維持される。
【０００４】このタイプのヒート・シンクは、部品の寿
命および信頼性を低下させる過熱を避けるために、高い
外部温度および部品の最大負荷の最も好ましくない場合
に対して常に設計されなければならない。ＣＰＵについ
ての最大作動温度は、設計に応じて 60℃と 90℃との間
である。
【０００５】ＣＰＵのクロック速度が常により速くなる
ので、ＣＰＵが放射する熱の量は、新しい世代毎に上昇
する。従来最大 30Ｗのピーク出力が放散されなければ
ならなかったが、次の８カ月から 12カ月では、最大 90
Ｗまでの冷却能力が必要になるであろうことが予想され
る。これらの出力は、従来の冷却システムを用いる限り
は放散されることはできない。
【０００６】例えば遠隔制御されるミサイルで起こるよ
うな極端な周囲条件のために、電子部品によって放出さ
れる熱が、例えば溶融熱の形態の相変化材料に吸収され
る、ヒート・シンクが開示されている(ＵＳ 4673030
Ａ、ＥＰ 116503 Ａ、ＵＳ 4446916 Ａ)。これらのＰＣ
Ｍヒート・シンクは、環境へのエネルギー放散の短期間
の置き換えを行うが、再利用できない(およびしてはな
らない)。
【０００７】知られている貯蔵媒体は、例えば、溶融熱
(潜熱)の形態で熱の貯蔵のための、塩、塩水和物または
それらの混合物、または有機化合物(例えばパラフィン)
などの、熱に敏感な材料または相変化材料(ＰＣＭ)の貯
蔵のための水または石/コンクリートである。
【０００８】物質が溶けると、すなわち物質が固相から
液相に変換されると、熱は消費され、すなわち吸収さ
れ、物質が液相である限り潜熱として蓄積され、この潜
熱は、固体化するとき、すなわち液相から固相に変換さ
れるとき、再び解放されることが知られている。
【０００９】異なる温度が、熱の移送/フローのために
必要であるため、基本的に熱蓄積システムの蓄積は、放
出中に得られることができる温度より高い温度を必要と
する。熱の特性は、それが利用できる温度に依存する。
温度が高いほど、より良く熱が散逸されることができ
る。この理由のため、蓄積中の温度レベルは、低下が可
能な限り小さいことが望ましい。
【００１０】実際的な熱の蓄積の場合(例えば水を加熱
することによって)、熱の入力は、蓄積材料の一定の加
熱に関連付けられ(放出中は反対)、一方潜熱は、ＰＣＭ
の融点で蓄積され放出される。したがって、潜熱蓄積
は、温度の損失が、蓄積システムからの熱伝達と蓄積シ
ステムへの熱伝達との間の損失に制限される、感知でき
る熱蓄積に対する利点を有する。
【００１１】潜熱蓄積システムに従来用いられた蓄積媒
体は、通常、本質的に使用される温度範囲において固体
-液体相転移を有する物質、すなわち使用中に溶融する
物質である。
【００１２】したがって、文献では、潜熱蓄積システム
における蓄積媒体としてパラフィンの使用法を開示して
いる。国際特許出願ＷＯ93/15625 は、ＰＣＭ含有マイ
クロカプセルを含む靴底を記載している。この文献で提
案されているＰＣＭは、パラフィン、結晶２,２-ジメチ
ル-１,３-プロパンジオール、または２-ヒドロキシメチ
ル-２-メチル-１,３-プロパンジオールである。出願Ｗ
Ｏ93/24241 は、このタイプのマイクロカプセルとバイ
ンダとを備えるコーティングを有するファブリックを記
載している。この出願では、13個から 28個の炭素原子
を有するパラフィン炭化水素が、好ましいことが示され
ている。欧州特許ＥＰ-Ｂ-306202 は、蓄積媒体が、パ
ラフィン炭化水素または結晶プラスチックであり、蓄積
材料が、マイクロカプセルの形態で基本ファイバ材料に
組み込まれた、熱蓄積特性を有するファイバを記載して
いる。
【００１３】米国特許 5,728,316 は、熱エネルギーの
蓄積および利用のために、硝酸マグネシウムおよび硝酸
リチウムに基づく塩混合物を推奨している。この特許の
熱蓄積は、75℃の融点以上での溶融で実施される。
【００１４】潜熱蓄積システムの前記蓄積媒体におい
て、液相への転移は、使用中に行われる。このことは、
液体の漏れが、物質の損失または環境の汚染を引き起こ
すことを防止するために、シーリングまたはカプセル化
が常に必要である理由から、潜熱蓄積システムにおける
蓄積媒体の工業的な使用の場合に問題を伴う。特に、例
えばファイバ、ファブリック、またはフォームなどの柔
軟な構造での使用または柔軟な構造上の使用の場合、こ
のことは、一般に熱蓄積材料のマイクロカプセル化を必
要とする。
【００１５】さらに、多くの可能性があり適した化合物
の蒸気圧は、溶融中非常に増加し、その結果、しばしば
溶融物の揮発性が、蓄積材料の長期間使用の妨げになっ
ている。溶融ＰＣＭの工業的な使用の際に、多くの物質
が溶融中にかなりの容積の変化をするために、頻繁に問
題を提起する。
【００１６】したがって、相変化材料の新たな領域が、
特に関心を集めている。これらは、固体-固体相変化材
料である。これらの物質は、使用全体の間、固体のまま
であるので、カプセル化する必要はもはや存在しない。
したがって、潜熱蓄積システムにおける蓄積媒体の溶融
による蓄積媒体の損失または環境の汚染は、排除され得
る。相変化材料のこのグループは、応用の新たな領域を
見出した。
【００１７】ＵＳ 5831831 Ａ、JＰ 10135381 Ａ、およ
びＳＵ 570131 Ａは、非軍事的な応用における類似した
ＰＣＭヒート・シンクの使用法を記載している。その発
明の共通の特徴は、従来のヒート・シンク(例えば冷却
フィンおよびファン)の省略である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述されたＰＣＭヒー
ト・シンクは、ＰＣＭの最適化された放出を確実にせ
ず、または基本負荷を吸収するため、不規則な出力プロ
ファイルを有する部品のピーク出力の吸収には適してい
ない。
【００１９】目的は、電子および電気部品を効率的に冷
却し、温度ピークを吸収することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この目的は、熱伝導ユニ
ットと、相変化材料(ＰＣＭ)を含んでいる熱吸収ユニッ
トとを含む、不規則な出力プロファイルを有する発熱電
気部品および電子部品を冷却するための装置によって達
成される。
【００２１】本発明は、不均一な出力プロファイルを有
する電気部品および電子部品(マザーボード上と、グラ
フィックス・カード、電源部品、および動作中熱を放出
する他の部品上との、デスクトップおよびラップトップ
・コンピュータ内のマイクロプロセッサ)を冷却するた
めの装置に関する。
【００２２】例えば、冷却装置はヒート・シンクであ
る。電子部品からヒート・シンクへの熱流が中断されな
ければ、従来のヒート・シンクは、ＰＣＭの使用によっ
て改善され得る。ヒート・シンクの設計が原因で、熱が
冷却フィンを介して散逸され得る前に、ＰＣＭがまず熱
を吸収し、その結果所定の設計のヒート・シンク性能を
損なうならば、この意味における中断が存在する。
【００２３】ＰＣＭが出力ピークだけを吸収することを
確実にする様々な方法が存在する。
【００２４】電気部品および電子部品は、通常、冷却フ
ィンを有するヒート・シンク(図１)を使用して冷却され
る。
【００２５】ヒート・シンクが、ＰＣＭの相変化温度Ｔ
PC を超えると、ＰＣＭへの大きい熱流だけが発生する
ように、ＰＣＭをヒート・シンク内またはヒート・シン
ク上に配置することが有利であることが判明した(図
２、図３、図４、図５)。
【００２６】この温度に達成すると、冷却フィンの冷却
能力が、ＰＣＭによる熱吸収によって補足されることが
判明した。
【００２７】これが、ヒート・シンクの効率を急激に上
げる。したがって、電気部品および電子部品が過熱され
ないことが達成される。
【００２８】極端な熱ピークが散逸されなくてもよいの
で、本発明に記載のＰＣＭの使用により、より低い能力
のヒート・シンクが使用できる。
【００２９】特に適切な相変化材料は、その相変化温度
ＴPC が、部品の臨界最大温度以下であることが適して
いる相変化材料であることが判明した。
【００３０】所望される最大温度に応じて、知られてい
るすべてのＰＣＭが適している。熱伝達媒体におけるＰ
ＣＭの使用に適しているのが、カプセル化された材料、
または熱伝達媒体に溶けない固体-固体ＰＣＭである。
【００３１】本発明の一般的な例を、以下でより詳細に
説明する。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明による装置を、コンピュー
タのためのＣＰＵ(中央処理ユニット)の冷却の例を参照
して説明する。
【００３３】本発明による装置(図２)において、ヒート
・シンクがＰＣＭの相変化温度ＴPCを超えた場合だけ、
支持体(３)上のＣＰＵ(２)からＰＣＭ(４)へ大きい熱流
が発生するように、ＰＣＭ(４)が、ヒート・シンク(１)
内にまたはヒート・シンク(１)上に配置される。したが
って、ＰＣＭが出力ピークだけを吸収することが確実に
なされる。
【００３４】この応用のために、様々なＰＣＭが利用可
能である。相変化温度が、-100℃と150℃との間のＰＣ
Ｍを使用することが可能である。電気部品および電子部
品に使用するために、40℃から 95℃の範囲のＰＣＭが
好ましい。この場合、材料は、パラフィン(Ｃ
20-Ｃ45)、無機塩、塩水和物、およびそれらの混合物、
カルボキシル酸と糖アルコールからなるグループから選
択されることができる。選択を、表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】以下からなるグループから選択される固体
-固体ＰＣＭも適している。すなわち、塩化ジエチルア
ンモニウム、塩化ジプロピルアンモニウム、塩化ジブチ
ルアンモニウム、塩化ジペンチルアンモニウム、塩化ジ
ヘキシルアンモニウム、塩化ジオクチルアンモニウム、
塩化ジデシルアンモニウム、塩化ジドデシルアンモニウ
ム、塩化ジオクタデシルアンモニウム、臭化ジエチルア
ンモニウム、臭化ジプロピルアンモニウム、臭化ジブチ
ルアンモニウム、臭化ジペンチルアンモニウム、臭化ジ
ヘキシルアンモニウム、臭化ジオクチルアンモニウム、
臭化ジデシルアンモニウム、臭化ジドデシルアンモニウ
ム、臭化ジオクタデシルアンモニウム、硝酸ジエチルア
ンモニウム、硝酸ジプロピルアンモニウム、硝酸ジブチ
ルアンモニウム、硝酸ジペンチルアンモニウム、硝酸ジ
ヘキシルアンモニウム、硝酸ジオクチルアンモニウム、
硝酸ジデシルアンモニウム、塩素酸ジオクチルアンモニ
ウム、酢酸ジオクチルアンモニウム、蟻酸ジオクチルア
ンモニウム、塩素酸ジデシルアンモニウム、酢酸ジデシ
ルアンモニウム、蟻酸ジデシルアンモニウム、塩素酸ジ
ドデシルアンモニウム、蟻酸ジドデシルアンモニウム、
硫化水素ジドデシルアンモニウム、プロピオン酸ジドデ
シルアンモニウム、ジブチルアンモニウム２-ニトロベ
ンゾネート、硝酸ジアンデシルアンモニウム、および硝
酸ジドデシルアンモニウムである。
【００３７】電気部品および電子部品に使用するための
特に適したＰＣＭは、例えば、塩化ジデシルアンモニウ
ム、塩化ジドデシルアンモニウム、塩化ジオクタデシル
アンモニウム、臭化ジエチルアンモニウム、臭化ジデシ
ルアンモニウム、臭化ジドデシルアンモニウム、臭化ジ
オクタデシルアンモニウム、硝酸ジエチルアンモニウ
ム、硝酸ジオクチルアンモニウム、硝酸ジデシルアンモ
ニウム、および硝酸ジドデシルアンモニウムなどの、Ｔ
PC が 40℃と 95℃との間のＰＣＭである。
【００３８】実際の熱蓄積材料に加えて、好ましくは、
ＰＣＭが少なくとも１つの助剤を含む。少なくとも１つ
の助剤は、好ましくは、良好な熱伝導性を有する物質ま
たは成分、特に金属パウダー、金属顆粒、またはグラフ
ァイトである。熱蓄積材料は、好ましくは助剤を有する
良く混ざった(intiｍate)混合物の形態であり、成分全
体は、好ましくはルース・ベッドまたはモールディング
のいずれかの形態である。本明細書におけるモールディ
ングの用語は、特に、ペレット化、タブレット化、ロー
ル圧密、または押し出しなどの圧密によって生成される
ことができる、すべての構造を意味するものであると理
解される。本明細書におけるモールディングは、例えば
球形、立方体、または立方体様の形状などの様々な広範
囲の空間的形状を用いることができる。さらに、本明細
書に記載される混合物またはモールディングは、追加の
助剤としてパラフィンを含むことができる。熱蓄積成分
と部品との間の密接な接触が、使用中に確立されるなら
ば、パラフィンが用いられる。例えば、潜熱蓄積システ
ムは、電子部品の冷却のために、このように正確なはめ
込みで設置され得る。熱蓄積システムの設置中、特に上
述されたモールディングの取り扱いは簡単である。パラ
フィンは、使用中に溶融し、接触表面で空気を追い出
し、熱蓄積材料と部品との間の密な接触を確実にする。
したがって、このタイプの成分は、電子部品の冷却のた
めの装置に用いるに好ましい。
【００３９】更に、バインダ、好ましくはポリマー・バ
インダが、助剤として存在することができる。この場
合、熱蓄積材料の結晶子は、好ましくはバインダ内に微
細に分割された形態である。存在することが可能な好ま
しいポリマー・バインダは、応用に応じてバインダとし
て適しているポリマーであることができる。ポリマー・
バインダが、好ましくは、硬化可能なポリマーまたはポ
リマー前駆体から選択され、次にこの硬化可能なポリマ
ーまたはポリマー前駆体は、好ましくは、ポリウレタ
ン、ニトリル・ゴム、クロロプレン、塩化ポリビニル、
シリコーン、酢酸エチレン-ビニルコポリマー、および
ポリアクリレートからなるグループから選択される。こ
れらのポリマー・バインダへの熱蓄積材料の組み込みに
適した方法は、当業者には良く知られている。当業者
は、このタイプの混合物を安定化する、例えば乳化剤な
ど適切な必要である添加剤を困難なく、得ることができ
る。
【００４０】液体-固体ＰＣＭのために、例えばホウ砂
または様々な金属酸化物などの核形成剤が、好ましくは
追加して用いられる。
【００４１】金属(アルミニウム、銅など)を介する良好
な熱伝達、または他の熱伝導構造体(金属パウダー、グ
ラファイトなど)を確実にすることに加えて、ヒート・
シンクにおける熱伝達は、ヒート・パイプの形態で実施
することもできる(例えば、ＰＣＭを含むモータ冷却に
関するＵＳ 5770903 Ａ)。
【００４２】ヒート・パイプを有するヒート・シンクに
おいて(図３)、ヒート・シンク(１)の内部は、例えば、
部分的に液体および/または気体状媒体で充填された空
洞(６)を有する。液体/気体の熱伝達媒体(５)は、ハロ
ゲン化炭化水素(例えば、臭化エチル、トリクロロエチ
レン、またはフレオン)およびそれらの等価物からなる
グループから選択される。ヒート・パイプの設計および
適切な媒体の選択は、当業者には問題なく示される。
【００４３】この媒体に加えて、空洞はＰＣＭ粒子(４)
も含み、ＰＣＭ粒子(４)は、ヒート・パイプ内の内部温
度が相変化温度ＴPC に到達するとすぐに、熱を吸収す
る。
【００４４】媒体に溶けない、カプセル化されたまたは
マイクロカプセル化されたＰＣＭ、および固体-固体Ｐ
ＣＭは、特に適していることが判明した。すべての知ら
れているＰＣＭを使用することができる。
【００４５】意外に、ＰＣＭ/媒体懸濁液の良好な混合
のため、ヒート・シンクのダイナミックスが、特に大き
いことが判明した。
【００４６】更なる可能性が、混合された形態を介して
得られた(図４)。ＣＰＵ(２)は、また支持体(３)上に取
り付ける。熱伝導を向上するために、冷却フィン(７)が
空洞(６)を通って延び、空洞(６)は、次に液体/気体の
熱伝達媒体(５)で部分的に充填される。連続する冷却フ
ィンが好ましい。前述の変形形態として、液体/気体の
熱伝達媒体に加えて、空洞が、ここでも、熱パイプ内の
内部温度が相変化温度ＴPC に到達するとすぐに熱を吸
収するＰＣＭ粒子(４)を含む。
【００４７】ＰＣＭは、任意の所望形状に圧縮成形され
ることができる。材料は、純粋な形態に圧縮成形され、
連絡(例えば破砕)の後圧縮成形され、または他のバイン
ダおよび/または助剤を有する混合物に圧縮成形される
ことができる。成形は、問題なく様々な方法で、蓄積さ
れ、移送されおよび使用されることができる。例えば、
モールディングは、電子部品に直接挿入されることがで
きる(図５)。ここでも、ＣＰＵ(２)が支持体(３)上に取
り付けられる。冷却フィンの表面と密接な接触であるよ
うに、モールディングが冷却フィン間に設置される。摩
擦接続がフィンとモールディングとの間に形成されるよ
うに、モールディングの厚みが選択される。モールディ
ングが、冷却フィン/熱交換器がスタックを形成するた
めに接続される前に、冷却フィン/熱交換器間に挿入さ
れることができる。
【００４８】しかしながら、熱ピークを吸収するための
ＰＣＭの働きにより冷却するこれらのタイプは、コンピ
ュータにおける使用には制限されない。これらのシステ
ムは、移動体通信のためのパワー・スイッチおよびパワ
ー回路、移動体電話および固定された送信器のための送
信回路、工業電子装置および自動車における電子機械的
なアクチュエータのための制御回路、衛星通信およびレ
ーダー応用のための高周波数回路、シングルボード・コ
ンピュータ、および家庭装置および工業電子装置のため
のアクチュエータおよび制御装置のために使用されるこ
とができる。
【００４９】これらの冷却装置は、熱ピークが吸収され
るべきすべての用途に適用できる(例えば、エレベータ
のためのモータ、電子サブステーションにおいて、およ
び内部燃焼エンジンにおいて)。
【００５０】
【実施例】[実施例１]図２に示されるヒート・シンク
は、最大動作温度が 75℃であるプロセッサに対して設
計されている。60℃と 65℃との間のＴPC を有する相変
化材料が、ヒート・シンク内の空洞に選択された。64℃
のＴPC を有する水酸化モノハイドレートナトリウム
が、ここで使用された。
【００５１】[実施例２]図３に示されるヒート・シンク
が、75℃の最大動作温度を有するプロセッサのために設
計された。ヒート・シンクの空洞は、熱伝達流体として
トリクロロエチレンを含む。使用されたＰＣＭは、カプ
セル化されたパラフィンである。63℃のＴPC を有する
ノナコサンが使用された。しかしながら、固体-固体Ｐ
ＣＭは、ここで相変化材料として適している。硝酸ジデ
シルアンモニウムは、66℃のＴPCを有するので、このプ
ロセッサには適している。
【００５２】
【発明の効果】本発明の装置、該装置を組み込んだ部
品、該部品を組み込んだコンピュータ、ならびにこれら
の使用によって、電子および電気部品をより効率的に冷
却し、温度ピークを吸収することがより容易となり、従
来困難であった不規則な出力プロファイルを有する部品
の動作が容易となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】冷却フィンを有するヒート・シンクの図であ
る。
【図２】本発明による装置の図である。
【図３】ヒート・パイプを有するヒート・シンクの図で
ある。
【図４】混合された形態を有するヒート・シンクの図で
ある。
【図５】電子部品に直接挿入されたモールディングを有
するヒート・シンクの図である。
【符号の説明】
１ ヒート・シンク ２ ＣＰＵ ３ 支持体 ４ ＰＣＭ ５ 熱伝達媒体 ６ 空洞 ７ 空洞内の冷却フィン Ｚ 部品全体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591032596 Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ Ｓｔｒ． 250, Ｄ−64293 Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，Ｆｅｄ ｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｇｅ ｒｍａｎｙ (72)発明者 マルク ノイシューツ ドイツ連邦共和国 64285 ダームシュタ ット ブルフヴィーセンシュトラーセ 18 (72)発明者 ラルフ グラウシュ ドイツ連邦共和国 64367 ムールタル アリーシュトラーセ 22アー Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA06 BB05

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 不均一な出力プロファイルを有する発熱
    電気部品および電子部品を冷却するための装置におい
    て、 本質的に、熱伝導ユニット(１)と相変化材料(以下、Ｐ
    ＣＭと略す)を含んでいる熱吸収ユニット(４)とからな
    ることを特徴とする冷却装置。
  2. 【請求項２】 前記電子部品から前記熱伝導ユニット
    (１)への熱流が中断されず、かつ、前記熱伝導ユニット
    (１)の温度が前記ＰＣＭの相変化温度ＴPC を超えたと
    きだけ、前記ＰＣＭへの大きい熱流が発生するように、
    前記ＰＣＭが構成されている、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記ＰＣＭを含んでいるユニット(４)
    が、前記ＰＣＭが導入されている１つまたは複数のキャ
    ビティからなり、前記キャビティ(６)が前記熱吸収ユニ
    ット(４)によって形成される、請求項１または２に記載
    の装置。
  4. 【請求項４】 前記ＰＣＭを含んでいるユニット(４)が
    さらに、液体/気体の熱伝達媒体(５)を含んでいる、請
    求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記液体/気体の熱伝達媒体(５)が、ハ
    ロゲン化炭化水素からなるグループから選択されること
    を特徴とする、請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 固体-固体ＰＣＭが用いられることを特
    徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の装
    置。
  7. 【請求項７】 前記ＰＣＭがカプセル化されていること
    を特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の
    装置。
  8. 【請求項８】 前記熱伝導ユニット(１)が表面積増加構
    造を有することを特徴とする、請求項１から７のいずれ
    か一項に記載の装置。
  9. 【請求項９】 前記熱伝導ユニット(１)が冷却フィンを
    有することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 本質的に請求項１から９に記載の冷却
    装置および発熱電子部品(２)からなる部品(Ｚ)におい
    て、 前記発熱電子部品(２)と前記熱伝導ユニット(１)との間
    の前記熱流が直接接触で行われるように、前記２つの構
    造ユニット(１)、(４)と部品(２)とが互いに対して配置
    されていることを特徴とする部品(Ｚ)。
  11. 【請求項１１】 前記電子部品(２)がコンピュータＣＰ
    Ｕまたはメモリ・チップである、請求項１０に記載の部
    品(Ｚ)。
  12. 【請求項１２】 請求項１０または１１に記載の部品を
    含んでいることを特徴とするコンピュータ。
  13. 【請求項１３】 コンピュータおよび電子データ処理シ
    ステムから選ばれた少なくとも１つにおける、請求項１
    から９に記載の装置または請求項１０または１１に記載
    の部品の使用法。
  14. 【請求項１４】 移動体通信のためのパワー・スイッチ
    およびパワー回路、移動体電話および固定された送信機
    のための送信回路、工業電子部品および自動車における
    電子機械的なアクチュエータのための制御回路、人工衛
    星通信およびレーダ応用のための高周波数回路、シング
    ルボード・コンピュータ、アクチュエータのため、およ
    び家庭用装置および工業電子装置のための制御ユニット
    から選ばれた少なくとも１つにおける、請求項１から９
    に記載の装置または請求項１０または１１に記載の部品
    の使用法。
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