JP2020504904A - 放熱装置およびそれを有する端末装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、Qは吸収または放出される熱、すなわち熱容量を表し、
Wは、熱がPCM材料を通過するときの電力消費を示し、
tは、熱を連続的に吸収するのに必要な時間を示し、
Hは、PCM材料の相変化に対する潜熱値を示し、
mは、PCM材料の要求品質を示す。
無機相変化材料は、金属合金(Mg−Cu)、金属塩水和物(Na2SO4・4H2OおよびMgCl・6H2O)、アルカリ金属水和物、活性白土、鉱物綿などを主に含む。相変化の機構は次のとおりである。材料が加熱されると、結晶水が除去されて熱を吸収し、反対に、水が吸収されると、熱が放出される。材料は高い相変化温度および大きな蓄熱容量を有しており、高温熱環境に適用される。
有機相変化材料の固−液相変化および固−固相変化は、高い適用値を有しており、広く研究されている。広く適用されている固−液相変化材料は、パルミチン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ドデカン酸、短環酸、ヤギ酸、パラフィン、ドデカノール、テトラデカノイル、ブチルステアリン酸などを含む。
複合相変化材料は、相変化の間に液体から固体へ、または固体から液体へと変化し、別の混合材料と容易に相互作用する。解法は、(1)マイクロカプセルを調製すること、(2)成形PCMを調整すること、(3)ナノ複合PCMを調製すること、および(4)多孔性複合PCMを調製すること、を主に含む。
マイクロカプセル技術は、膜形成材料を用いて固体または液体をカプセル化し、コアシェル構造(2μmから1000μmの粒径および通常0.2μmから10μmのシェル厚さ)の微小粒子を形成する技術である。主なマイクロカプセルの調製方法は、界面重合法およびその場重合法がある。
成形PCMは、ポリマー材料の基材上に分散されたパラフィンにより形成されたPCMである。パラフィンおよび高分子ポリマー(ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレンプロピレンゴムなど)が溶融混合され、パラフィンは硬化した高分子重合体において均一に分散される。ポリエチレンは一般的なマトリクス被覆された材料であり、パラフィン漏出は架橋およびグラフト化を介して防止される。
ナノスケールまたは金属酸化物粒子は、ナノ複合PCMを調製するために、特定の方法で、および特定の比率で基材液体に追加される。ナノ複合PCMは、熱エネルギー工学の分野における革新的な研究に適用することができる。
無機多孔性材料(アタパルジャイト、タンパク質性土壌、膨張黒鉛、ベントナイト、パーライトなど)の場合、PCMを制御して特定の空間範囲内で相を変化させるために、有機PCMは、真空吸着、パーコレーション法、メルトインターカレーション法および混合方法などの方法を使用することにより吸収され、安定した相変化温度および相変化エンタルピーを有する多孔性パラフィンPCMを調製する。
110 RF回路
120 メモリ
130 他の入力装置
140 表示画面
141 表示パネル
142 タッチパネル
150 センサ
160 可聴周波回路
161 スピーカ
162 マイク
170 サブシステム
171 他の入力装置コントローラ
172 センサコントローラ
173 表示コントローラ
180 プロセッサ
190 電源
200 放熱装置
210 PCM材料
211 保護フィルム
220 熱伝達ユニット
221 溝
230 温度均等化ユニット
Claims (28)
- 端末装置に適用される放熱装置であって、
相変化材料と、
熱伝達ユニットであって、前記相変化材料と接触して、前記端末装置の熱を前記相変化材料に伝導する、熱伝達ユニットと、を含む放熱装置。 - 前記熱伝達ユニットは、前記端末装置のプロセッサと接触して、前記プロセッサの熱を前記相変化材料に伝導する、請求項1に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料の相変化点は、10℃から70℃の範囲である、請求項1または2に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料の相変化点は、30℃から45℃の範囲である、請求項1から3のいずれかに記載の放熱装置。
- 前記相変化材料の熱容量は、100ジュールから10000ジュールの範囲である、請求項1から4のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料の熱容量は、1gから200gの範囲である、請求項1から5のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料は、固−固相変化材料または固−液相変化材料を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料は、複合相変化材料を含み、前記複合相変化材料の形態は、マイクロカプセル、成形PCM、ナノ複合PCM、または多孔性複合PCMを含む、請求項7に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料は、固−気相変化材料または液−気相変化材料を含み、相変化の間に、前記相変化材料の形状および体積が実質的に変化しない状態を保つのに十分な強度のハウジングを有している、請求項1から6のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料と前記熱伝達ユニットとの間に配置され、前記熱伝達ユニットの熱を前記相変化材料に均一に伝導するように構成された温度均等化ユニットをさらに含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記熱伝達ユニットは、前記温度均等化ユニットの形状に合わせた溝が設けられており、前記温度均等化ユニットは、前記溝内に配置されて前記放熱装置の厚さを低減している、請求項1から10のいずれか一項に記載の放熱装置。
- 前記相変化材料は、前記熱伝達ユニットの内部に埋め込まれている、請求項1から11のいずれかに記載の放熱装置。
- 前記相変化材料は、前記温度均等化ユニットの形状に合わせた間隙を有しており、前記温度均等化ユニットは、前記間隙内に配置されている、請求項1から12のいずれかに記載の放熱装置。
- 端末装置であって、
ハウジングと、
前記ハウジングの内部に配置され、動作モードを動的に調整するように構成されたプロセッサと、
前記端末装置の熱を吸収するように構成された、前記ハウジングと接触している相変化材料とを含む端末装置。 - 前記ハウジングの壁は空洞を有しており、前記相変化材料は前記空洞内に配置されている、請求項14に記載の端末装置。
- 前記ハウジングの前記空洞内に配置され、前記相変化材料と接触している温度均等化ユニットをさらに含む、請求項15に記載の端末装置。
- 空気層が前記相変化材料と前記プロセッサとの間に配置されている、請求項14から16のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記プロセッサおよび前記相変化材料に接触して、前記プロセッサの熱を前記相変化材料に伝導する熱伝達ユニットをさらに含む、請求項14から17のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料の相変化点は、10℃から70℃の範囲である、請求項14から18のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料の相変化点は、30℃から45℃の範囲である、請求項14から19のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料の熱容量は、100ジュールから10000ジュールの範囲である、請求項14から20のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料の熱容量は、1gから200gの範囲である、請求項14から21のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料は、固−固相変化材料または固−液相変化材料を含む、請求項14から22のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料は、複合相変化材料を含み、前記複合相変化材料の形態は、マイクロカプセル、成形PCM、ナノ複合PCM、または多孔性複合PCMを含む、請求項23に記載の端末装置。
- 前記相変化材料は、固−気相変化材料または液−気相変化材料を含み、相変化の間に、前記相変化材料の形状および体積が実質的に変化しない状態を保つのに十分な強度のハウジングを有している、請求項14から22のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記熱伝達ユニットは、前記温度均等化ユニットの形状に合わせた溝が設けられており、前記温度均等化ユニットは、前記溝内に配置されて前記放熱装置の厚さを低減している、請求項16から25のいずれか一項に記載の端末装置。
- 前記相変化材料は、前記温度均等化ユニットの形状に合わせた間隙を有しており、前記温度均等化ユニットは前記間隙内に配置されている、請求項16から25のいずれか一項に記載の端末装置。
- 請求項1から27のいずれか一項に記載の放熱装置を有している端末装置。
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