KR20010111034A - 전자 부품용 흡열부에서의 피씨엠의 용도 - Google Patents

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노이쉬쯔마르크
글라우쉬랄프
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플레믹 크리스티안
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Abstract

본 발명은 전기 전자 부품용 냉각 장치에서 상변화 물질(phase change material; PCM)의 용도에 관한 것이다.

Description

전자 부품용 흡열부에서의 피씨엠의 용도{USE OF PCMS IN HEAT SINKS FOR ELECTRONIC COMPONENTS}
본 발명은 전기 전자 부품용 냉각 장치에서 상변화 물질(phase change material; PCM)의 용도에 관한 것이다.
공업적인 공정에서, 열피크 또는 열부족은 방지되어야 한다. 즉, 온도가 제어되어야 한다. 이는 통상적으로 열교환기를 사용하여 성취된다. 가장 간단하게, 열교환기는 단순히 열을 방산하여 주위 공기로 방출시키는 열전도판으로 구성되거나, 한 위치 또는 매질로부터 다른 위치 또는 매질로 열을 신속하게 수송시키는 열전달 매질을 함유할 수 있다.
전자 부품, 예컨대 마이크로프로세서(중앙 처리 장치=CPU)(2)를 냉각시키기 위한 종래 상태(도 1)는 지지체(3)상에 설치된 전자 부품으로부터 열을 흡수하여 냉각 핀(cooling fin)(1)을 통해 공기중으로 열을 방출시키는, 압출된 알루미늄으로 제조된 흡열부이다. 냉각 핀에서의 대류는 거의 항상 팬에 의해 지지된다.
이러한 유형의 흡열부는 부품의 유효 수명 및 신뢰성을 감소시키는 과열을 방지하기 위해서는 항상 높은 외부 온도 및 부품의 완전 부하와 같은 가장 불리한 경우를 대비하여 설계되어야 한다. CPU에 대한 최대 작동 온도는 60 내지 90℃이며, 이는 설계에 따라 달라진다.
CPU의 클록 속도가 더욱 빨라질수록, CPU가 방출하는 열량은 각각의 새로운 생성률과 일치해진다. 지금까지는 최대 30W의 피크 출력을 방산시켜야 했지만, 향후 8 내지 12개월내에는 90W까지의 냉각 용량이 필요해질 것으로 예상된다. 종래의 냉각 시스템을 사용하여서는 더이상 이와 같은 출력을 방산시킬 수 없다.
예컨대 원격 제어된 미사일에서 발생하는 것과 같은 극한 주위 조건에 대해, 전자 부품에 의해 방출되는 열을 상변화 물질로, 예컨대 용융 열의 형태로 흡수하는 흡열부가 기술되었다(미국 특허 제 4673030A 호, 유럽 특허 제 116503A 호 및 미국 특허 제 4446916A 호). 이러한 PCM 흡열부는 에너지의 공기중으로의 손실을 위한 단기간 대체물로 작용하며, 재사용될 수 없다.
공지되어 있는 저장 매질은, 예컨대 현열 저장용 물 또는 돌/콘크리트, 또는 염, 염 수화물 또는 이들의 혼합물 또는 용융열(잠열)의 형태로 열을 저장하기 위한 유기 화합물(예: 파라핀)과 같은 상변화 물질(PCM)이다.
물질이 용융할 때(즉, 고상에서 액상으로 변환될 때), 열은 소비(즉, 흡수)되고 물질이 액체 상태로 잔류하는 경우에는 잠열로서 저장되며, 이러한 잠열이 응고(즉, 액상에서 고상으로의 전환)시에 다시 사용되는 것으로 알려져 있다.
열을 수송/유동시키기 위해서는 온도차가 필요하므로 열저장 시스템의 충전을 위해서는 기본적으로 방출도중 얻어질 수 있는 것보다 높은 온도가 요구된다. 열의 품질은 이용될 수 있는 온도에 따라 상이하다. 즉, 고온일수록 보다 탁월한 열 방산능을 나타낸다. 이러한 이유로, 저장도중 온도 수준이 가능한 떨어지지 않는 것이 바람직하다.
현열 저장인 경우(예: 물을 가열함으로써), 열투입은 저장 물질의 일정한 가열과 관련되지만(방출동안에는 반대이다), 잠열은 PCM의 융점에서 저장되고 방출된다. 따라서, 잠열 저장은 온도 손실이 저장 시스템을 통한 열수송 동안의 손실로 제한된다는 점에서 현열 저장보다 유리하다.
지금까지의 잠열 저장 시스템에 사용된 저장 매질은 통상적으로 사용에 필요한 온도 범위에서 고-액 전이 물질, 즉 사용도중 용융되는 물질이다.
따라서, 문헌에는 잠열 저장 시스템의 저장 매질로서 파라핀의 용도가 개시되어 있다. 국제 특허공개공보 제 WO 93/15625 호에는 PCM함유 마이크로캡슐을 함유하는 슈 졸(shoe sol)이 기술되어 있다. 상기 문헌에서 제시한 PCM은 파라핀 또는 결정질 2,2-디메틸-1,3-프로판디올 또는 2-하이드록시메틸-2-메틸-1,3-프로판디올이다. 국제 특허공개공보 제 WO 93/24241 호에는 상기 유형의 마이크로캡슐을 포함하는 피복물 및 결합제를 갖는 직물이 기술되어 있다. 이 문헌에서는 탄소수 13 내지 28의 파라핀성 탄화수소가 바람직한 것으로 제시되어 있다. 유럽 특허 제 EP-B-306 202 호에는, 저장 매질이 파라핀성 탄화수소 또는 결정질 플라스틱이고, 저장 물질이 마이크로캡슐 형태로 기재 섬유 물질내에 통합되어 있는, 열저장 특성을 갖는 섬유가 기술되어 있다.
미국 특허 제 5,728,316 호에는 열에너지의 저장 및 이용을 위한 것으로 마그네슘 니트레이트 및 리튬 니트레이트계 염 혼합물이 제시되어 있다. 상기 문헌에서 열저장은 75℃ 융점보다 높은 용융에서 수행된다.
잠열 저장 시스템의 이러한 저장 매질에서, 사용도중 액체 상태로의 전이가 일어난다. 이는 잠열 저장 시스템에서 저장 매질을 공업적으로 사용하는 경우 문제를 동반하는데, 왜냐하면 액체가 누출되어 물질이 손실되거나 환경이 오염되지 않도록 하기 위해서는 밀봉 또는 캡슐화가 항상 필요하기 때문이다. 특히 섬유, 직물 또는 발포체와 같은 가요성 구조체내 또는 구조체상에서 사용하는 경우, 일반적으로 열저장 물질을 마이크로캡슐화시킬 필요가 있다.
추가로, 다수의 적합한 화합물의 증기압이 용융도중 크게 증가하여, 결과적으로 용융물의 휘발성은 저장 물질의 장기간 사용 방식에 기여한다. 용융성 PCM을 공업적으로 사용하는 경우, 이와 같은 문제는 종종 다수의 물질을 용융시키는 동안의 상당한 부피 변화로 인해 발생한다.
따라서, 신규 분야의 상변화 물질에 대한 특별히 관심이 요구된다. 이러한 물질은 고체-고체 상변화 물질이다. 이러한 물질은 사용기간 전반에 걸쳐 고체 상태를 유지하므로, 캡슐화는 더이상 필요없다. 따라서, 잠열 저장 시스템에서의 저장 매질의 용융으로 인한 저장 매질의 손실 또는 환경 오염이 일어날 수 없다. 이러한 상변화 물질의 군은 다수의 새로운 적용 분야를 찾고 있다.
미국 특허 제 5831831A 호, 일본 특허 제 10135381A 호 및 SU 570131A에는유사한 PCM 흡열부를 비군사적 용도로 사용하는 것이 기술되어 있다. 이러한 발명의 공통된 특징은 종래의 흡열부중에 생략된 부분(예: 냉각 핀 및 팬)이다.
전술한 PCM 흡열부는 PCM의 최적화된 방출을 보장하지 못하거나 기본 부하를 흡수하지 못하므로, 불규칙적인 출력 프로파일을 갖는 부품의 피크 출력을 흡수하는데 적합하지 않다.
본 발명에서는 전자 전기 부품을 효과적으로 냉각시켜 온도 피크를 흡수하는 냉각 장치를 제공하고자 한다.
도 1은 종래의 전자 부품 냉각용 흡열부가 구비되어 있는 냉각 장치를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따라 상변화 물질(PCM)이 설치된 흡열부가 구비되어 있는 냉각 장치를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따라 히트 파이프를 갖는 흡열부가 구비되어 있는 냉각 장치를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따라 지지체상에 중앙처리장치(CPU)를 갖는 흡열부가 구비되어 있는 냉각 장치를 도시한 것이다.
도 5는 전자 부품에 직접 몰딩을 삽입시킨, PCM이 배열된 흡열부가 구비되어 있는 냉각 장치를 도시한 것이다.
<도면 부호의 설명>
1: 냉각 리브
2: 중앙 처리 장치(CPU)
3: 지지체
4: 상변화 물질(PCM)
5: 액상/기상 열교환 매질
6: 공동
7: 공동중 냉각 핀
Z: 전체 부품
본 발명의 목적은, 본질적으로 열전도성 단위 및 상변화 물질(PCM)을 함유하는 열흡수성 단위로 구성된, 불규칙적인 출력 프로파일을 갖는 열생성 전기 전자 부품용 냉각 장치에 의해 성취된다.
본 발명은 불균일한 출력 프로파일을 갖는 전기 전자 부품(머더보드와 그래픽 카드에 대한 데스크탑 및 랩탑 컴퓨터내 마이크로프로세서, 전원 공급 부품 및 작동도중 열을 방출하는 다른 부품)을 냉각시키기 위한 장치에 관한 것이다.
냉각 장치의 예로는 흡열부가 있다. 통상적인 흡열부는, 전자 부품으로부터 흡열부로의 열 흐름이 차단되지 않는다면 PCM의 사용으로 개선될 수 있다. 흡열부의 설계로 인해 열이 냉각 핀을 통해 방산되기 전에 PCM이 열을 신속하게 흡수해야한다면, 상기와 같은 열 흐름이 차단되어 주어진 설계의 흡열부의 성능이 손상된다.
PCM만이 출력 피크를 흡수하도록 하는 다양한 방법이 있다.
전기 전자 부품은 통상적으로 냉각 핀을 갖는 흡열부(도 1)로 냉각된다.
흡열부가 PCM의 상변화 온도(TPC)를 초과하는 경우, PCM으로의 열 흐름만이 현저히 유동하도록 흡열부내 또는 흡열부상에 PCM을 배열시키는 것이 유리한 것으로 밝혀졌다(도 2, 3, 4 및 5).
상변화 온도에 도달하는 경우 냉각 핀의 냉각 용량이 PCM에 의한 열흡수에 의해 부가되는 것으로 밝혀졌다. 이는 흡열부의 효율을 향상시킨다. 따라서, 전기 또는 전자 부품이 과열되지 않는다.
과도한 열 피크를 방산시켜서는 안되므로, 본 발명에 따른 방식에서 PCM의 용도는 저용량 흡열부의 사용을 가능하게 한다.
특히 적합한 상변화 물질은 그의 상변화 온도 TPC가 부품에 대해 중요한 최대 온도보다 낮은 것이 적합한 것으로 밝혀졌다.
바람직한 최대 온도에 따라, 공지된 PCM은 모두 적합하다. 열전달 매질에 불용성인 캡슐화된 물질 또는 고체-고체 PCM은 열전달 매질에서 PCM으로 사용하기에 적합하다.
본 발명의 일반적인 예는 하기에 보다 상세히 설명된다.
본 발명에 따른 장치는 컴퓨터의 CPU(중앙 처리 장치)를 냉각시키는 한 예를참고로 하여 기술된다.
본 발명에 따른 장치(도 2)에서, 흡열부(1)가 PCM(4)의 상변화 온도 TPC를 초과하는 경우 지지체(3)상의 CPU(2)로부터 PCM(4)으로의 열 흐름만이 현저히 유동하도록 PCM(4)을 흡열부(1)내 또는 흡열부(1)상에 배열시킨다. 따라서, PCM만이 출력 피크를 흡수하게 된다.
이와 같은 용도에 다양한 PCM을 사용할 수 있다. 상변화 온도가 -100 내지 150℃인 PCM을 사용할 수 있다. 전기 전자 부품에 사용하기 위해, 40 내지 95℃의 상변화 온도를 갖는 PCM이 바람직하다. 이러한 경우, PCM은 파라핀(C20-C45), 무기 염, 염 수화물 및 이들의 혼합물, 카복실산 및 당 알콜로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 선택된 예를 표 1에 나타낸다.
물질 융점(℃) 용융 엔탈피(J/g) 군
헤네이코산 40 213 파라핀
도코산 44 252 파라핀
트리코산 48 234 파라핀
소듐티오술페이트 펜타하이드레이트 48 210 염 수화물
미리스트산 52 190 카복실산
테트라코산 53 255 파라핀
헥사코산 56 250 파라핀
소듐아세테이트 트리하이드레이트 58 265 염 수화물
노나코산 63 239 파라핀
소듐하이드록사이드 모노하이드레이트 64 272 염 수화물
스테아르산 69 200 카복실산
리튬니트레이트와 마그네슘니트레이트 헥사하이드레이트의 혼합물 75 180 염 수화물
트리소듐포스페이트도데카하이드레이트 75 216 염 수화물
마그네슘니트레이트헥사하이드레이트 89 160 염 수화물
크실리톨 93-95 270 당 알콜
또한, 디에틸암모늄 클로라이드, 디프로필암모늄 클로라이드, 디부틸암모늄 클로라이드, 디펜틸암모늄 클로라이드, 디헥실암모늄 클로라이드, 디옥틸암모늄 클로라이드, 디데실암모늄 클로라이드, 디도데실암모늄 클로라이드, 디옥타데실암모늄 클로라이드, 디에틸암모늄 브로마이드, 디프로필암모늄 브로마이드, 디부틸암모늄 브로마이드, 디펜틸암모늄 브로마이드, 디헥실암모늄 브로마이드, 디옥틸암모늄 브로마이드, 디데실암모늄 브로마이드, 디도데실암모늄 브로마이드, 디옥타데실암모늄 브로마이드, 디에틸암모늄 니트레이트, 디프로필암모늄 니트레이트, 디부틸암모늄 니트레이트, 디펜틸암모늄 니트레이트, 디헥실암모늄 니트레이트, 디옥틸암모늄 니트레이트, 디데실암모늄 니트레이트, 디옥틸암모늄 클로레이트, 디옥틸암모늄아세테이트, 디옥틸암모늄 포르메이트, 디데실암모늄 클로레이트, 디데실암모늄 아세테이트, 디데실암모늄 포르메이트, 디도데실암모늄 클로레이트, 디도데실암모늄 포르메이트, 디도데실암모늄 하이드로겐술페이트, 디도데실암모늄 프로피오네이트, 디부틸암모늄 2-니트로벤조에이트, 디운데실암모늄 니트레이트 및 디도데실암모늄 니트레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 고체-고체 PCM이 적합하다.
전기 전자 부품에 사용하기에 특히 적합한 PCM은 TPC가 40 내지 95℃인, 예컨대 디데실암모늄 클로라이드, 디도데실암모늄 클로라이드, 디옥타데실암모늄 클로라이드, 디에틸암모늄 브로마이드, 디데실암모늄 브로마이드, 디도데실암모늄 브로마이드, 디옥타데실암모늄 브로마이드, 디에틸암모늄 니트레이트, 디옥틸암모늄 니트레이트, 디데실암모늄 니트레이트 및 디도데실암모늄 니트레이트이다.
실제 열저장 물질 이외에, PCM은 바람직하게는 하나 이상의 보조제를 포함한다. 하나 이상의 보조제는 우수한 열전도성을 갖는 물질 또는 조성물, 특히 금속 분말, 금속 과립 또는 흑연이 바람직하다. 열저장 물질은 바람직하게는 보조제와의 긴밀한 혼합물 형태로 존재하고, 전체 조성물은 바람직하게는 유리된 상 또는 몰딩의 형태로 존재한다. 여기서 몰딩이란 특히 펠렛화, 정제화, 분말압연 또는 압출과 같은 압밀법에 의해 생성될 수 있는 모든 구조체를 의미하도록 취한 것이다. 몰딩은 광범위한 종류의 공간 형태, 예컨대 구형, 등축정계형 또는 입방형을 채택할 수 있다. 추가로, 본원에 기술된 혼합물 또는 몰딩은 추가의 보조제로서 파라핀을 포함할 수 있다. 특히 사용도중 열저장 조성물과 부품사이에 긴밀한 접촉이 이루어지는 경우 파라핀이 사용된다. 예컨대, 전자 부품을 냉각시키기 위한 이러한 방식에서 잠열 저장 시스템을 정확히 정합시켜 설치할 수 있다. 열저장 시스템의 설치동안, 특히 전술한 몰딩의 취급은 간단한데, 사용도중 파라핀 용융물이 접촉 표면에서 공기를 배출하여, 열저장 물질과 부품사이에 접촉을 확실히 근접시킨다. 따라서, 이러한 유형의 조성물은 전자 부품을 냉각시키기 위한 장치에 바람직하게 사용된다.
추가로, 결합제, 특히 중합체성 결합제가 보조제로서 존재할 수 있다. 이러한 경우, 열저장 물질의 미세결정은 결합제중 미세분쇄된 형태로 존재하는 것이 바람직하다. 존재할 수 있는 바람직한 중합체성 결합제는 용도에 따라 결합제로서 적합한 중합체일 수 있다. 바람직하게는, 중합체성 결합제는 폴리우레탄, 니트릴 고무, 클로로프렌, 폴리비닐 클로라이드, 실리콘, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체 및 폴리아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 경화성 중합체 또는 중합체 전구체로부터 선택된다. 열저장 물질을 이러한 중합체성 결합제내로 혼입시키기에 적합한 방법은 당해 분야의 숙련가들에게 널리 공지되어 있다. 당해 분야의 숙련가들은 상기와 같은 유형의 혼합물을 안정화시키는 유화제와 같은 적합한 필수 첨가제를 쉽게 찾는다.
액체-고체 PCM에 있어서, 보락스 또는 다양한 금속 산화물과 같은 기핵제를 추가로 사용하는 것이 바람직하다.
금속(알루미늄, 구리 등) 또는 다른 열전도 구조체(금속 분말, 흑연 등)를 통한 우수한 열전달을 보장하는 것 이외에, 흡열부의 열전달을 히트 파이프(예: 미국 특허 제 5770903A 호의 PCM을 포함하는 모토 냉각)의 형태로 수행시킬 수도 있다.
히트 파이프를 갖는 흡열부(도 3)에서, 흡열부(1)의 내부는 예컨대 액상 및/또는 기상 매질로 부분적으로 충전된 공동(6)을 갖는다. 액상/기상 열전달 매질(5)은 할로겐화된 탄화수소(예: 에틸 브로마이드, 트리클로로에틸렌 또는 프레온) 및 이의 등가물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 히트 파이프의 설계 및 적합한 매질의 선택은 당해 분야의 숙련가들에게는 어려운 일이 아니다.
이러한 매질 이외에, 공동은 히트 파이프의 내부 온도가 상변화 온도 TPC에 도달하자마자 열을 흡수하는 PCM 입자(4)를 함유할 수도 있다.
매질에 불용성인 캡슐화되거나 마이크로캡슐화된 PCM 및 고체-고체 PCM이 특히 적합한 것으로 밝혀졌다. 공지된 PCM을 모두 사용할 수 있다.
놀랍게도, PCM/매질 현탁액의 우수한 혼합성으로 인해 흡열부의 동력이 특별히 증대되는 것으로 밝혀졌다.
혼합된 형태로부터 추가의 가능성을 발견하였다(도 4). CPU(2)를 다시 지지체(3)상에 설치한다. 열전도율을 개선시키기 위해, 냉각 핀(7)을 액상/기상 열전달 매질(5)로 부분적으로 충전된 공동(6)에 통과시킨다. 연속적인 냉각 핀이 바람직하다. 앞서 설명한 변형체에서와 같이, 액상/기상 열전달 매질 이외에 공동도 또한 열 파이프의 내부 온도가 상변화 온도 TPC에 도달하자마자 열을 흡수하는 PCM 입자(4)를 함유한다.
PCM은 임의의 바람직한 형태로 압축 몰딩될 수 있다. 이러한 물질은 순수한 형태로, 분쇄(예: 연마)후에, 또는 다른 결합제 및/또는 보조제와의 혼합물로 압축 몰딩될 수 있다. 몰딩을 아무런 문제없이 다양한 방식으로 저장, 수송 및 사용할 수 있다. 예컨대, 몰딩을 전자 부품에 직접 삽입시킬 수 있다(도 5). 여기서, 또한 CPU(2)를 지지체(3)상에 설치한다. 몰딩이 냉각 핀의 표면과 긴밀하게 접촉되도록, 몰딩을 냉각 핀들 사이에 설치한다. 몰딩의 두께는 핀과 몰딩 사이에 마찰 관계가 형성되도록 선택한다. 또한, 몰딩을 냉각 핀/열교환기 사이에 삽입시킨 다음 열교환기와 연결시켜 스택을 형성시킨다.
그러나, 열 피크를 흡수하기 위해 PCM 보조제로 냉각시키는 상기와 같은 유형이 컴퓨터에서의 사용만으로 한정되지는 않는다. 이러한 시스템은 이동 통신용 전원 스위치 및 전원 회로; 이동 전화 및 고정 송신기용 전송 회로; 공업용 전자제품 및 자동차의 전기기계 액추에이터용 제어 회로; 위성 통신 및 레이더용 고주파 회로; 싱글보드 컴퓨터; 및 가전제품 및 공업용 전자제품의 엑추에이터 및 제어 단위에 사용될 수 있다.
이러한 냉각 장치는 열 피크를 흡수해야 하는 모든 응용분야(예: 엘리베이터용 모터, 전기 변전소 및 내연 기관)에 적용될 수 있다.
실시예
실시예 1
도 2에 도시된 흡열부를 최대 작동 온도가 75℃인 프로세서에 대해 설계한다. TPC가 60 내지 65℃인 상변화 물질을 흡열부중 공동에서 선택한다. 여기서, TPC가 64℃인 소듐하이드록사이드 모노하이드레이트를 사용하였다.
실시예 2
도 3에 도시된 흡열부를 최대 작동 온도가 75℃인 프로세서에 대해 설계한다. 흡열부의 공동은 열전달 유체로서 트리클로로에틸렌을 함유한다. 사용되는 PCM은 캡슐화된 파라핀이다. TPC가 63℃인 노나코산을 사용한다.
그러나, 고체-고체 PCM도 상변화 물질로서 적합하다. 디도데실암모늄 니트레이트의 TPC가 65℃이므로 프로세서에 적합하다.
본 발명에 따라 PCM이 배열된 흡열부로 불규칙한 출력 프로파일을 갖는 전기 전자 부품을 냉각시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 본질적으로 열전도성 단위(1) 및 상변화 물질(phase change material; PCM)을 함유하는 열흡수성 단위(4)로 이루어진, 불균일한 출력 프로파일을 갖는 열생성 전기 전자 부품용 냉각 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 PCM이, 상기 열전도성 단위(1)의 온도가 PCM의 상변화 온도 TPC를 초과하는 경우 전자 부품으로부터 열전도성 단위(1)로의 열 흐름은 차단되지 않고 PCM으로의 열 흐름만이 현저히 유동하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    PCM 함유 단위(4)가 PCM을 도입하기 위한 하나 이상의 공동으로 이루어져 있고, 상기 공동(6)이 열흡수성 단위(4)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    PCM 함유 단위(4)가 액상/기상 열전달 매질(5)을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    액상/기상 열전달 매질(5)이 할로겐화된 탄화수소로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    고체-고체 상변화 물질(PCM)이 사용되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,
    PCM이 캡슐화되는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서,
    열전도성 단위(1)가 표면적 증가성 구조체를 갖는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    열전도성 단위(1)가 냉각 핀을 갖는 것을 특징으로 하는 냉각 장치.
  10. 본질적으로 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 따른 냉각 장치 및 열생성 전자 부품(2)으로 이루어진 부품(Z)으로서,
    열생성 전자 부품(2)과 열전도성 단위(1) 사이의 열 흐름이 직접적인 접촉에서 일어나도록 두 개의 구조 단위 (1) 및 (4) 및 부품(2)이 서로 연합되어 배열되는,
    부품(Z).
  11. 제 10 항에 있어서,
    전자 부품(2)이 컴퓨터 중앙처리장치(CPU) 또는 메모리 칩인 것을 특징으로 하는 부품(Z).
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 따른 부품이 탑재되어 있는 컴퓨터.
  13. 컴퓨터 및 전자 데이터 프로세싱 시스템에서 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 따른 냉각 장치 또는 제 10 항 또는 제 11 항에 따른 부품의 용도.
  14. 이동 통신용 전원 스위치 및 전원 회로; 이동 전화 및 고정 송신기용 전송 회로; 공업용 전자제품 및 자동차의 전기기계 액추에이터용 제어 회로; 위성 통신 및 레이더용 고주파 회로; 싱글보드 컴퓨터; 및 가전제품 및 공업용 전자제품의 엑추에이터 및 제어 단위에 사용하기 위한, 제 1 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 따른 냉각 장치 또는 제 10 항 또는 제 11 항에 따른 부품의 용도.
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