TWI591450B - 微影裝置及製造元件之方法 - Google Patents

微影裝置及製造元件之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI591450B
TWI591450B TW105106809A TW105106809A TWI591450B TW I591450 B TWI591450 B TW I591450B TW 105106809 A TW105106809 A TW 105106809A TW 105106809 A TW105106809 A TW 105106809A TW I591450 B TWI591450 B TW I591450B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat
lithography apparatus
phase change
thermal
active module
Prior art date
Application number
TW105106809A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201636742A (zh
Inventor
葛尼斯 奈其巴格魯
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201636742A publication Critical patent/TW201636742A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI591450B publication Critical patent/TWI591450B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

微影裝置及製造元件之方法
本發明係關於微影裝置及使用微影裝置製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案應用於基板上(通常應用於基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。
在半導體行業中，存在提高形成於基板上之積體電路中之器件(例如，電晶體)之密度的極大壓力。為了達成增大之密度，必須改良微影裝置及製程之準確度及精確度。因此，改良微影裝置或檢測工具內的溫度控制之準確度及穩定度為尤其合乎需要的。
在微影裝置內，存在產生熱負荷之各種模組，其在本文中被稱作主動模組。一些主動模組產生隨著時間高度可變(例如，間歇)的熱負荷。微影裝置中之溫度控制系統可藉由使熱傳遞流體(例如，水)循環通過接近於需控制溫度之組件或在需控制溫度之組件中之管道來進行操作。需控制溫度之組件可或可不為主動模組之一部分。藉由溫度控制器件(例如，包括加熱器或冷卻器)來準確地控制熱傳遞流體之溫度。
若設定了對自目標溫度之偏差之大小及持續時間之嚴格規格，則溫度控制系統必須能夠在大約等於主動模組之峰值熱負荷的速率下自主動模組附近移除熱。對於給定熱傳遞流體，熱傳遞流體之比熱容 判定了達成熱移除之所要速率所需的質量流率。即使使用水作為熱傳遞流體(由於水具有高比熱容)，微影裝置中的大量主動模組亦意謂熱傳遞流體之總體所需質量流率很高。
在高質量流率下循環熱傳遞流體之不可避免的結果為振動之產生。儘管可採取措施以使振動減弱及/或使得微影裝置對振動不敏感，但振動仍可對所要圖案之影像至基板上之投影及/或基板之性質之量測具有不利的影響。舉例而言，振動可導致定位誤差，其被稱為疊對。
因此，需要提供可避免或減少振動之產生的用於控制微影裝置之組件之溫度的配置。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：投影系統，其經組態以將所要影像投影至基板上；主動模組，其產生時變熱負荷；溫度調節系統，其經組態以將微影裝置之組件維持在預定目標溫度；以及熱緩衝器，其包含與該主動模組熱接觸之相變材料，該相變材料具有相變溫度使得由該時變熱負荷引起該相變材料經歷相變，且其中在微影裝置之關鍵操作期間該相變材料相對於該投影系統靜止。
12‧‧‧液體限制結構
50‧‧‧瘤節
100‧‧‧溫度調節系統
102‧‧‧導熱部件
103‧‧‧管道
104‧‧‧熱傳遞流體
105‧‧‧冷卻器
110‧‧‧熱緩衝器
111‧‧‧熱傳遞部件/熱傳遞層
112‧‧‧鰭片
113‧‧‧相變材料
114‧‧‧側壁/外部絕緣覆蓋層
115‧‧‧蓋板/端蓋
116‧‧‧溫度感測器
117‧‧‧溫度感測器
120‧‧‧主動模組
120a‧‧‧基板固持器清潔模組
120b‧‧‧主動模組/氣壓計
121‧‧‧絕緣材料
500‧‧‧微影裝置控制單元/控制系統
1201‧‧‧基座單元
1202‧‧‧吊桿
1203‧‧‧馬達單元/馬達
1204‧‧‧傳動鏈
1205‧‧‧清潔輪
1211‧‧‧隔室
1212‧‧‧壓力感測器
1213‧‧‧伸縮式圓筒/伸縮式管
1214‧‧‧致動器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧投影光束
BD‧‧‧光束遞送系統
CO‧‧‧聚光器
H‧‧‧熱輸入
He‧‧‧過量熱
HTOT‧‧‧總熱輸出/廢熱總量
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P‧‧‧熱輸出
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
Pc‧‧‧導熱速率
PM‧‧‧第一定位器件
Pp‧‧‧峰值產熱速率/速率/時變熱負荷
Pr‧‧‧熱移除速率
PS‧‧‧投影系統
Pv‧‧‧可變熱負荷
PW‧‧‧第二定位器件
RF‧‧‧參考框架
SO‧‧‧輻射源
t‧‧‧時間
T‧‧‧溫度
Tpc‧‧‧相變之溫度
W‧‧‧基板
WH‧‧‧基板固持器
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2為在一實施例之主動模組中熱輸出對比時間之曲線圖；圖3為在一實施例之另一主動模組中熱輸出對比時間之曲線圖；圖4示意性地描繪根據一實施例之具有熱緩衝器之溫度調節系 統；圖5示意性地描繪根據一實施例之具有熱緩衝器之溫度調節系統；圖6示意性地描繪可用於實施例中之熱緩衝器；圖7為在根據一實施例之熱緩衝器中溫度對比熱輸入之曲線圖；圖8描繪在一實施例中之基板台清潔模組；圖9描繪由一實施例之熱緩衝器環繞之馬達；以及圖10示意性地描繪在一實施例中之氣壓計。
圖1示意性地描繪根據一個實施例之微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節投影光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板W之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至投影光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、整形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射組件、反射組件、磁性組件、電磁組件、靜電組件或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT支撐圖案化器件MA，亦即，承載圖案化器件MA之重量。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式 來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至投影光束B之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分C中之所要圖案。一般而言，被賦予至投影光束B之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射性光罩)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射性光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上載物台或台之類型。該等台中之至少一者具有可固持基板之基板支撐件。該等台中之至少一者可為未經組態以固持基板之量測台。在一實施例中，該等台中之兩者或兩者以上各自具有基板支撐件。微影裝置可具有兩個或兩個以上圖案化器件台或「光罩支撐件」。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置屬於如下類型：其中基板W之至少一部分可由例如水(諸如，超純水(UPW))之具有相對高折射率之液體覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間。亦可將浸潤液體應用於微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術可用以增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板W之結構必須浸沒於液體中；而是「浸潤」僅意謂液體在曝光期間位於投影系統PS與基板W之間。經圖案化輻射光束自投影系統PS至基板W之路徑完全通過液體。儘管將浸潤類型之微影裝置描述為例示性實施例，但本發明亦適用於非浸潤微影裝置。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，並不認為輻射源SO形成微影裝置之一部分。在輻射源SO與微影裝置分離之配置中，輻射光束藉助於光束遞送系統BD(包括例如合適之導向鏡面及/或擴束器)自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。一般而言，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外 部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可認為或可不認為照明器IL形成微影裝置之一部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL為可拆卸的，且可分離地提供照明器IL(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
投影光束B入射於被固持於支撐結構MT(例如，光罩台)上之圖案化器件MA(例如，光罩)上，且由該圖案化器件MA圖案化。已由圖案化器件MA圖案化之投影光束B可被稱為經圖案化光束。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，投影光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉測量器件、編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，(例如)以便使不同目標部分C定位於投影光束B之路徑中。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間相對於投影光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。
一般而言，可藉助於形成第一定位器件PM之一部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器件PW之一部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可被固定。
可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據 專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
投影系統PS安裝在參考框架RF(其亦可被稱作度量衡框架)上。投影系統可相對於參考框架RF經固定在適當的位置，或使用防止振動傳輸至投影系統之主動安裝台安裝。參考框架亦可承載量測系統，諸如干涉位置量測系統、對準感測器或位階感測器；及/或量測系統之目標，諸如柵格板或鏡面。
微影裝置進一步包括控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測的微影裝置控制單元500。微影裝置控制單元500亦包括信號處理及資料處理能力以實施與微影裝置之操作相關的所要計算。實務上，微影裝置控制單元500將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置微影裝置內之子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於第二定位器件PW之伺服控制。分離單元可處置不同致動器或不同軸線。另一子單元可專用於位置感測器IF之讀出。微影裝置之總體控制可由中央處理單元控制。中央處理單元可與子單元通信，與操作者通信，且與微影製造程序中所涉及之其他裝置通信。
用於在投影系統PS之最終光學元件與基板W之間提供液體之配置可分類成三個一般類別。此等類別為浴類型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕式浸潤系統。本發明之一實施例尤其係關於局域化浸潤系統。
在已針對局域化浸潤系統提議之配置中，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終光學元件FE與載物台或台之面對投影系統PS之面向表面之間的浸潤空間10之邊界之至少一部分延伸。台之面向表面如此得名係因為台在使用期間移動且很少靜止。一般而言，台之面向表 面為基板W、環繞基板W之基板台WT或該兩者之表面。用於在投影系統之最終光學元件與基板之間提供液體之其他配置可用於本發明之實施例中。
已知微影裝置包括對微影裝置之組件以及投影光束之路徑實行高度精密溫度控制之溫度調節系統。提供溫度控制以：防止尺寸及/或形狀至關重要之組件之熱膨脹或收縮；最小化或減小經曝光之基板之溫度變化；以及最小化或減小由輻射光束橫穿之媒體(諸如，由投影光束或由量測光束橫穿之彼等媒體)之折射率的變化。舉例而言，在實施局域化浸潤系統之微影裝置中，由投影光束橫穿之媒體包括在基板與投影系統之最末透鏡元件之間的浸潤液體。像控制微影裝置內氣體(例如，極其清潔的乾燥空氣)之溫度一樣，溫度控制之已知方法為使熱傳遞流體(例如，水)循環通過微影裝置之各種組件中之管道。熱傳遞流體之循環可控制相鄰組件之溫度，以及控制其中設有管道之組件之溫度。為了符合極其嚴格之溫度規格，熱傳遞流體常常以高流動速率循環，此可產生不當振動。
微影裝置包括許多熱源，其產生各別熱負荷。一個顯著熱負荷為基板及/或光學組件對投影光束之輻射之吸收。其他熱負荷包括由主動組件(諸如，致動器及電子電路)產生之廢熱。溫度控制系統宜能夠以與微影裝置內之產熱速率相同之速率移除熱。
儘管微影裝置內之大量熱負荷包括隨時間高度可變之許多熱負荷，但已習知提供能夠在等於微影裝置內之所有不同熱源之所有峰值熱負荷之總和的速率下自該裝置移除熱之溫度調節系統。(負熱負荷為可能的，例如浸潤液體之蒸發可自微影裝置內之特定位置移除熱，但此等負熱負荷通常極少)。此係由於通常不可能確切地預測微影裝置內之不同時變熱負荷將在何時以其峰值速率產熱，且因此指定溫度調節系統具有能夠移除在所有時變熱負荷同時達至峰值的情況下微影 裝置中所產生之熱之能力。就此而言，應注意，由於可歸因於熱膨脹而出現不可逆形狀改變，因此要求微影裝置之一些部分永遠不與目標溫度相差有限限制。微影裝置之某些部分對於短期溫度改變通常亦具有極其嚴格之規格。較長期溫度改變可藉由校準加以補償，但在關鍵操作期間約10秒至20秒之時段內之改變可引起量測之不可校正誤差。
由於溫度調節系統自系統移除熱之能力係由所使用之熱傳遞流體之比熱容及質量流率判定，因此確保溫度調節系統可以等於峰值負荷之總和之速率移除熱就意謂熱傳遞流體必須以高質量流率循環。高質量流率可導致在微影裝置內產生振動，此可(例如)藉由引起定位誤差而對微影裝置之效能不利。由於微影裝置中之時變熱負荷同時以其峰值速率產熱的情況為罕見的，因此溫度調節系統大部分時間將得不到充分使用。
本發明之一實施例為包含經組態以將所要影像投影至基板上之投影系統的微影裝置。微影裝置亦具有：主動模組，其產生時變熱負荷；及溫度調節系統，其經組態以使微影系統之一部分維持在預定目標溫度。提供包含與主動模組熱接觸之相變材料之熱緩衝器。相變材料具有相變溫度，使得藉由時變熱負荷引起相變材料經歷相變。在微影裝置之關鍵操作期間相變材料相對於投影系統靜止。
因此，在一實施例中，由於在主動模組之峰值產熱週期期間熱緩衝器藉由相變吸收熱且接著更為緩慢地釋放熱，因此有可能減小微影裝置中之振動。在一實施例中，相變溫度充分接近於預定溫度(其為例如約22℃)以使得相變材料之溫度歸因於時變熱負荷而充分地上升以經歷相變。實際上，緩和了主動模組之峰值熱輸出之量值。因此，可提供具有較低最大熱移除能力之溫度調節系統，且因此溫度調節系統可使用熱傳遞流體之經減小之質量流率。或者，具有高熱移除能力之溫度調節系統可在其熱傳遞流體之質量流率經減小的情況下操 作。替代地或另外，可省略冷卻主動模組原本所需之冷卻系統之分支。
同時，由於在微影裝置之關鍵操作期間相變材料靜止，因此相變材料自身並不將另外的振動引入至裝置中。運動中之相變材料可歸因於其搖動而在裝置中產生振動。由於在特定時間點處相變材料之相位或相位之比率可能不可預測，因此此類振動可能尤其不可預測。
微影裝置之關鍵操作包括將所要圖案投影至基板上以便曝光其上之輻射敏感層。此類操作可被稱為曝光。其他關鍵操作可包括量測待曝光或已曝光之基板之性質。此類性質可包括基板上之對準標記相對於彼此及/或基板台上之基準件之相對位置。此操作可被稱為對準。可在關鍵操作期間經量測之基板之其他性質包括基板之表面輪廓及/或基板表面與投影系統之間的距離，此可被稱為調平。
在一實施例中，主動模組間歇性地操作以執行預定操作。如圖2中所展示，圖2為隨時間「t」(例如，以秒為單位)變化的主動模組之熱輸出P(例如，以瓦特為單位)之曲線圖，主動模組在對應於其操作週期之某一時間段內以速率Pp產熱。在操作週期(在此為單個操作循環)期間之總熱輸出HTOT由曲線圖中之線下方之區域表示。亦即，每個操作循環之總熱輸出HTOT為在單個操作循環期間熱輸出P隨時間推移之時間積分。為簡單起見，在主動模組之操作週期期間的熱輸出經展示為恆定，但一般而言可為可變的。舉例而言，可取決於由微影裝置執行之操作而以規則間隔或不規則地重複操作週期。需要熱緩衝器俘獲總熱輸出HTOT之至少75%。若熱緩衝器可俘獲在主動模組之一個操作週期中所產生之熱之至少75%，則可實現在主動模組附近出現之峰值溫度之大量減小。熱緩衝器與主動模組緊密熱接觸地置放以確保俘獲由主動模組輸出之熱。可提供絕緣以防止熱自主動模組逸出至微影裝置的其他部分而不是熱緩衝器。
在一實施例中，主動模組及熱緩衝器形成實質上熱隔絕系統，其經構造以使得由主動模組產生之熱自熱隔絕系統逸出之優先路徑係通過熱緩衝器。熱隔絕結構經配置使得熱自其流出之速率小於主動模組之峰值產熱速率。熱流出之速率宜小於主動模組之峰值產熱速率之20%或小於該峰值產熱速率之10%。
亦需要熱緩衝器包含充足相變材料以藉由相位轉換之潛熱吸收所有經俘獲之熱，且更為理想地吸收總熱輸出HTOT之至少兩倍或三倍。若熱緩衝器可吸收在主動模組之若干操作週期中所俘獲之熱，則可確保即使在異常情形(諸如，當快速連續地操作主動模組若干次時或若自主動模組附近之熱移除受阻)下仍可吸收所有經俘獲之熱。
在一實施例中，溫度調節系統經組態以在預定熱移除速率Pr下自主動模組移除熱，但時變熱負荷具有大於該預定熱移除速率之峰值產熱速率Pp(但僅在某些時間)。
若時變熱負荷Pp為循環的(具有其中會出現峰值產熱速率之規則預定週期)或不規則的(峰值產熱速率以不規則間隔出現)，則類似考慮因素可適用。當主動模組以大於預定熱移除速率Pr之速率產熱時之週期被稱作過量熱產生週期。此展示於圖3中，圖3為主動模組之熱輸出P隨時間t變化之曲線圖。過量熱He為在過量熱產生週期期間由主動模組以超過熱移除速率Pr的速率產生之熱之總量。熱緩衝器宜俘獲最大預期過量熱之至少75%。熱緩衝器宜包含充足相變材料以藉由相變吸收最大預期過量熱之至少兩倍至三倍。
在一實施例中，主動模組包括致動器，例如旋轉式電動馬達或線性馬達。致動器可在其操作中產生大量廢熱。在本發明之一實施例中，主動模組包括功率電子器件，例如功率放大器或功率電晶體。功率電子器件可在其操作中產生大量廢熱。
在一實施例中，熱緩衝器包含與主動模組及相變材料熱接觸之 熱傳遞部件。熱傳遞部件提供由主動模組產生之熱朝向相變材料傳遞之優先路徑以便防止由主動模組產生之熱在其周圍環境中分散。理想地，熱傳遞部件具有與相變材料接觸之複數個鰭片以便使與相變材料接觸之區域最大化。鰭片之提供改良至相變材料中之熱傳遞，即使當相變材料具有低熱導率時亦然。
本發明之一實施例為微影裝置，其包含：參考框架；投影系統，其安裝在參考框架上且經組態以將所要影像投影至基板上；主動模組，其產生時變熱負荷；溫度調節系統，其經組態以將參考框架維持在預定目標溫度；以及熱緩衝器，其包含與主動模組及參考框架熱接觸之相變材料，該相變材料具有相變溫度使得由時變熱負荷引起該相變材料經歷相變，其中由主動模組產生之熱負荷之至少75%流動至熱緩衝器且接著流動至參考框架。
通常認為將時變熱負荷導向至微影裝置之參考框架為不當的，該參考框架必須保持熱穩定以為微影裝置中所包括之量測系統提供高度穩定之參考。然而，藉由將由主動模組產生之熱負荷引導通過包括相變材料之熱緩衝器，可例如藉由使另一熱調節系統控制參考框架之溫度而將最大溫度變化(偏移)及溫度變化之速率(漂移)控制在可接受的界限內。接著參考框架接收較低量值之更為穩定之熱負荷，可藉由另一熱調節系統將該熱負荷之效應校準消除或更為有效地處置。
在一實施例中，熱緩衝器可經配置以延遲熱向周圍環境(例如，參考框架)的流動，以使得在主動模組之一個操作循環期間由熱緩衝器俘獲之熱在為主動模組之操作週期的至少五倍，理想地為十倍之週期期間流動至熱緩衝器之外。舉例而言，主動模組可每小時操作例如10秒之週期，且熱緩衝器在一分鐘或一分鐘以上之時程內釋放在彼週期期間所俘獲之熱。
特定實施例示意性地描繪於圖4中。由控制系統500控制微影裝 置之主動模組120以可變地或間歇性地操作。由於其可變或間歇操作，因此產生可變熱負荷Pv。可變熱負荷Pv的變化可達在本文中被稱作峰值產熱速率Pp之最大速率。由主動模組120產生之熱由經歷相變(例如，自固體至液體)之相變材料吸收在熱緩衝器110內。
選擇或修改相變材料以使得相變之溫度Tpc接近於但大於所要目標溫度Tt，微影裝置或待熱調節之相關組件應維持在該目標溫度下。相變之溫度Tpc使得由主動模組所產生之熱足以使得相變材料達到相變之溫度Tpc且使得相變材料中之至少一些經歷相變。在一實施例中，相變之溫度Tpc比所要目標溫度Tt大的量不到5K，更為理想地不到3K，更為理想地不到2K。在一實施例中，所要目標溫度Tt為約295K。合適之相變材料包括石蠟、脂肪酸及聚乙二醇。此等材料可具有在自約290K至約310K範圍內之熔點。可藉由控制材料之確切配方而將相變之溫度判定為所要值。此等材料可具有在自約100至約300kJ/kg範圍內之潛熱。需要較高潛熱，由於其允許較多熱由給定數量之相變材料吸收。
熱緩衝器之效應說明於圖7中，圖7展示相變材料之溫度「T」對比對熱緩衝器之熱輸入「H」的關係。最初，隨著輸入之熱上升，相變材料之溫度亦上升，其中溫度上升之斜率由相變材料及緩衝器之其他部分之比熱容判定。然而，當達到相變之溫度Tpc時，至熱緩衝器之另外的熱輸入致使相變材料逐漸地發生相變，但無溫度之更進一步提高，直至所有相變材料均經歷相變為止。因此，熱緩衝器之溫度保持實質上恆定。至少在所有相變材料均已經歷相變之前，可將熱緩衝器看作充當溫度限制器。
返回至圖4之圖，提供溫度調節系統100以在熱移除速率Pr下自熱緩衝器110移除熱。熱移除速率Pr小於可變熱負荷Pv之峰值產熱速率Pp，但大於或等於可變熱負荷Pv之長期平均值。溫度調節系統100包 含導熱部件102，其具備熱傳遞流體104循環通過之管道103。冷卻器105將熱傳遞流體104維持在所要目標溫度Tt。在一實施例中，導熱部件102為微影裝置之另一組件(例如，參考框架)之一部分，且可具有相當大的熱容量。
熱緩衝器110宜與主動模組120緊密熱接觸，且可藉由確保緊密實體接觸及/或藉由使用熱潤滑脂來增強熱接觸。另外，有可能提供環繞主動模組120及熱緩衝器110之絕緣材料121以使得主動模組120及熱緩衝器110形成熱隔絕系統。絕緣材料121可由例如聚甲醛(POM)製成。
圖5中示意性地描繪另一實施例。圖5之實施例基本上與圖4之實施例相同，不同之處僅如下文所述，且為簡潔起見，對共同部分之描述並不重複。
在圖5之實施例中，並不提供溫度調節系統100，且熱緩衝器110改為與具有較大熱質量之微影裝置之一部分(例如，參考框架RF)熱接觸地置放。熱緩衝器110與參考框架RF(或微影裝置之另一部分)之間的接觸經配置以使得熱在小於峰值產熱速率但大於或等於可變熱負荷Pv之長期平均值的導熱速率PC下傳導至熱緩衝器110之外。參考框架RF(或微影裝置之另一部分)具有足夠大的熱容量以至於其溫度不在大於可接受速率的速率下改變，亦即溫度漂移受到限制。理想地，溫度並不歸因於自熱緩衝器110接收到的熱而偏離超過可接受的量。
圖6示意性地展示可用於一實施例中之熱緩衝器110。熱緩衝器110包含由具有高熱導率之材料(諸如，鋁或銅)製成之熱傳遞部件111。熱傳遞部件111與主動模組120接觸地置放以便使熱傳導離開該主動模組。熱緩衝器110進一步包括與熱傳遞部件111熱接觸且延伸遠離熱傳遞部件111之複數個鰭片112。在鰭片112之間為相變材料113。相變材料113被側壁114、熱傳遞部件111及蓋板115限制。在一實施例 中，側壁114為熱絕緣的，例如由POM製成。在一實施例中，蓋板115由導熱材料(諸如，鋁或銅)製成，以使得熱可自相變材料傳導離開(例如)至溫度調節系統100或參考框架RF(或微影裝置之另一部分)。可使得蓋板115部分絕緣及部分傳導以便控制熱傳遞遠離熱緩衝器100之速率。鰭片112用以更為快速地將熱傳導至相變材料之所有部分，即使相變材料自身具有相對低熱導率亦然。
在一實施例中，提供溫度感測器116及117以分別監測輸入側及輸出側之溫度。溫度感測器116可附接至熱傳遞部件111。溫度感測器117可附接至蓋板115。舉例而言，溫度感測器116及117可為熱電偶。溫度感測器116及117提供充足資訊以監測熱緩衝器110之功能，例如驗證熱緩衝器110含有充足相變材料且所吸收之熱足以使溫度提高到大於相變之溫度Tpc。
相變材料113在相變(例如，自固體至液體)期間可經歷膨脹，或反之亦然。可使熱緩衝器之部分(例如，側壁114)為可撓性的以便適應具有可預測之量的此類膨脹。替代地或另外，熱緩衝器110可在真空條件下未填滿以使得熱緩衝器110內存在允許相變材料113之膨脹的充足空間。
圖8為在一實施例中之主動模組之更為詳細的示意圖。在圖8之狀況下，主動模組120A為基板固持器清潔模組。基板固持器清潔模組120A包含支撐可延伸吊桿1202之基座單元1201。通常，可延伸吊桿經回縮以使得其不阻礙基板台之移動。可在雙載物台微影裝置之量測載物台處(例如，在基板裝載/卸載站處)提供基板載物台清潔器件。在可延伸吊桿1202之末端處為經由傳動鏈1204連接至清潔輪1205之馬達單元1203。週期性地，基板固持器清潔模組120A用於清潔設在基板固持器WH上之一或多個瘤節50。當延伸可延伸吊桿且驅動清潔輪時，移動基板固持器以使得待清潔之瘤節位於清潔輪下方。在瘤節清 潔操作期間，馬達1203產生可預測量之廢熱。熱緩衝器110與馬達1203緊密熱接觸地設置以便吸收在瘤節清潔操作期間產生之廢熱。
在一實施例中，在第一模式下操作基板固持器清潔模組，在該模式中每一清潔操作清潔小數目之瘤節(例如，1至5個瘤節)且耗費短時間段(例如，20至100秒)。可每天進行預定數目次(例如，5至40次)清潔操作。在一實施例中，可在第二模式下操作基板固持器清潔模組120A，在該模式中清潔整個基板固持器。第二模式清潔操作可耗費5分鐘與10分鐘之間的時間且可相對不頻繁地進行(例如，以約每週一次至約每天三次之頻率)。
在一實施例中，提供於基板固持器清潔模組120A中之熱緩衝器110具有足以吸收在由基板固持器清潔模組120A執行之最廣泛操作期間所產生之所有廢熱HTOT的熱吸收能力。在一實施例中，此為可導致約200J與約300J之間的總熱耗散之第二模式清潔操作。吸收此量之熱所需的相變材料之量取決於相變材料之潛熱。對於合適之材料(諸如，水合鹽、石蠟或聚乙烯)，所需體積可小於約5cm3，甚至允許相當大的誤差裕度。包括熱緩衝器之其他組件，熱緩衝器之總體積可達約15cm3。儘管如此，此體積足夠小以至於其可易於容納在供基板固持器清潔模組使用之空間內。
圖9更詳細地展示一配置，其中提供呈緊密地環繞馬達1203之圓柱體護封之形式的熱緩衝器110。在此配置中之熱緩衝器110可具有3層結構，其中相變材料113包夾在熱傳遞層111與外部絕緣覆蓋層114之間。端蓋115提供了藉由溫度調節系統及/或藉由微影裝置之另一部分之傳導自熱緩衝器110擷取熱之路線。藉由將熱緩衝器110形成為緊密地環繞馬達1203之護封，易於確保在馬達1203中所產生之實質上所有廢熱皆被導向至相變材料。該護封產生含有熱緩衝器及馬達之熱隔絕系統。護封之形狀可經調適以緊密地配合具有除圖9中所展示之簡 單圓柱體的其他形狀之主動器件且容納電連接、傳動軸輸出及安裝配置等。
圖10示意性地描繪呈氣壓計形式之另一主動模組120B。氣壓計120B提供在雙載物台微影裝置之量測站處且用於光學位階感測器LS之校準。光學位階感測器LS用於產生基板之上部表面之表面形貌圖。氣壓計120B安裝在固定至參考框架RF(圖10中未展示)之隔室1211中。氣壓計120B包括藉由致動器1214(例如，呈線性馬達形式)朝向基板延伸之伸縮式圓筒1213。壓力感測器1212用於對伸縮式圓筒1213之末端與面向表面(例如，基板W或基板台WT之上部表面)之間的距離進行高度準確的量測。
當操作致動器1214以延伸或縮回伸縮式管1213時，產生少量廢熱。在一實施例中，所產生之廢熱之總量HTOT在自約10J至約50J範圍內。儘管此似乎為極少量之能量，但由於由氣壓計120B及位階感測器LS進行之量測之極端精確度，因此將此量之廢熱釋放至氣壓計120B及位階感測器LS之環境中為非所要的。在環繞氣壓計120B之環境中氣體之溫度的即使微小改變亦可影響由氣壓計進行之壓力量測。類似地，由位階感測器LS之量測橫穿之氣體的溫度的小變化可導致會影響位階感測器LS之量測的非所要折射率變化。其他量測系統，諸如對準感測器及量測另一感測器之位置的參考感測器，可提供在氣壓計附近，且可被自致動器1214釋放之熱干擾。
因此，本發明之一實施例提供與致動器1214緊密熱接觸之熱緩衝器110。鑒於由致動器1214產生之廢熱量不大，提供於熱緩衝器110中之相變材料之總體積可小於1cm3。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯 示器(LCD)、薄膜磁頭，等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)自動化光阻塗佈及顯影系統(通常將抗蝕劑層塗覆於基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，以使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件(包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件)中之任一者或組合。
儘管上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明之實施例。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述的本發明進行修改。
100‧‧‧溫度調節系統
102‧‧‧導熱部件
103‧‧‧管道
104‧‧‧熱傳遞流體
105‧‧‧冷卻器
110‧‧‧熱緩衝器
120‧‧‧主動模組
121‧‧‧絕緣材料
500‧‧‧微影裝置控制單元/控制系統
Pr‧‧‧熱移除速率
Pv‧‧‧可變熱負荷

Claims (15)

  1. 一種微影裝置，其包含：一投影系統，其經組態以將一所要影像投影至一基板上；一主動模組，其產生一時變熱負荷；一溫度調節系統，其經組態以將該微影裝置之一組件維持在一預定目標溫度；及一熱緩衝器，其包含與該主動模組熱接觸之一相變材料，該相變材料具有一相變溫度使得由該時變熱負荷引起該相變材料經歷(undergo)一相變；且其中在該微影裝置之關鍵(critical)操作期間該相變材料相對於該投影系統靜止(stationary)，該溫度調節系統能夠在小於該主動模組之一峰值產熱速率之一速率下自該熱緩衝器除熱。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該等關鍵操作包括將該所要圖案投影至該基板上及對該基板之一性質之量測。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該熱緩衝器經配置以俘獲在該主動模組執行之一操作期間該主動模組之一總熱輸出之至少75%。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該熱緩衝器包含充足相變材料以藉由相變之潛熱吸收在該預定操作期間該主動模組之該總熱輸出之至少兩倍。
  5. 如請求項1或2之微影裝置，其中：該溫度調節系統能夠在一預定熱移除速率下自該主動模組移除熱；該時變熱負荷包括一過量熱產生週期，其中在大於該預定熱移除速率之一速率下產生熱；且 該熱緩衝器經配置以在該過量熱產生週期期間俘獲由該主動模組以超過該預定熱移除速率之速率產生的熱之至少75%。
  6. 如請求項5之微影裝置，其中該熱緩衝器包含充足相變材料以在該過量熱產生週期期間藉由相變之潛熱吸收由該主動模組以超過該預定熱移除速率之速率產生的熱之至少兩倍。
  7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該主動模組包括一致動器及/或一功率電子器件、一基板載物台清潔器或一氣壓計。
  8. 如請求項1或2之微影裝置，其中該主動模組及該熱緩衝器位於一熱隔絕系統內，使得熱自該熱隔絕系統流出之速率小於該時變熱負荷之一峰值。
  9. 如請求項1或2之微影裝置，其中該相變為自固體至液體之轉變。
  10. 如請求項1或2之微影裝置，其中該熱緩衝器進一步包含與該主動模組及該相變材料熱接觸之一熱傳遞部件。
  11. 如請求項9之微影裝置，其中該熱傳遞部件具有與該相變材料接觸之複數個鰭片。
  12. 如請求項1或2之微影裝置，其中該主動模組安裝在該微影裝置之該組件上。
  13. 如請求項12之微影裝置，其中該微影裝置之該組件為該微影裝置之一框架。
  14. 如請求項1或2之微影裝置，其進一步包含尤其環繞該主動模組及該熱緩衝器之一熱絕緣體。
  15. 一種使用具有一投影系統及一主動模組之一微影裝置的器件製造方法，該方法包含：操作該主動模組以使得產生一時變熱負荷；在包含一相變材料之一熱緩衝器中藉由該相變材料經歷一相 變而吸收該時變熱負荷；在小於該主動模組之一峰值產熱速率之一速率下移除該熱緩衝器之熱；且使用該投影系統將所要影像投影至一基板中；其中在該投影期間該相變材料相對於該投影系統靜止。
TW105106809A 2015-03-24 2016-03-04 微影裝置及製造元件之方法 TWI591450B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15160525 2015-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201636742A TW201636742A (zh) 2016-10-16
TWI591450B true TWI591450B (zh) 2017-07-11

Family

ID=52697312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105106809A TWI591450B (zh) 2015-03-24 2016-03-04 微影裝置及製造元件之方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10241422B2 (zh)
JP (1) JP6511534B2 (zh)
KR (1) KR102007351B1 (zh)
CN (1) CN107407892B (zh)
IL (1) IL254432A0 (zh)
NL (1) NL2016268A (zh)
SG (1) SG11201707040PA (zh)
TW (1) TWI591450B (zh)
WO (1) WO2016150622A1 (zh)

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
JP2737010B2 (ja) 1989-08-01 1998-04-08 キヤノン株式会社 露光装置
US5315154A (en) 1993-05-14 1994-05-24 Hughes Aircraft Company Electronic assembly including heat absorbing material for limiting temperature through isothermal solid-solid phase transition
EP1112440B1 (de) 1998-08-31 2003-06-18 Siemens Aktiengesellschaft Turbinenleitschaufel
JP3919387B2 (ja) 1999-07-15 2007-05-23 キヤノン株式会社 露光装置
EP1162659A3 (de) 2000-06-08 2005-02-16 MERCK PATENT GmbH Einsatz von PCM in Kühlern für elektronische Bauteile
US7069979B2 (en) 2001-05-02 2006-07-04 Lockheed Martin Corporation Phase change heat sink for use in electrical solenoids and motors
US6397618B1 (en) 2001-05-30 2002-06-04 International Business Machines Corporation Cooling system with auxiliary thermal buffer unit for cooling an electronics module
JP4006251B2 (ja) * 2002-03-20 2007-11-14 キヤノン株式会社 ミラー装置、ミラーの調整方法、露光装置、露光方法及び半導体デバイスの製造方法
DE10250604A1 (de) 2002-10-30 2004-05-19 Tyco Electronics Amp Gmbh Integriertes Schaltungssystem mit Latentwärmespeichermodul
DE10347518A1 (de) 2003-10-13 2005-05-25 Siemens Ag Elektronisches Bauelement, Schaltungsträgeraufbau und Elektronikeinheit mit Wärmespeicher
US7106416B2 (en) * 2003-12-10 2006-09-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050128449A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 Nikon Corporation, A Japanese Corporation Utilities transfer system in a lithography system
US20060088271A1 (en) 2004-10-22 2006-04-27 Nanocoolers, Inc. Transient thermoelectric cooling of optoelectronic devices
DE102004062582A1 (de) 2004-12-24 2006-07-13 Carl Zeiss Ag Optische Abbildungsvorrichtung
US20080073563A1 (en) * 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
US7528349B1 (en) 2006-07-25 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Temperature stabilization for substrate processing
US8325321B2 (en) * 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
JP2008311595A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2009027006A (ja) 2007-07-20 2009-02-05 Nikon Corp 断熱構造、断熱装置、ヒートシンク、駆動装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法。
WO2009150018A1 (en) * 2008-06-10 2009-12-17 Asml Netherlands B.V. Method and system for thermally conditioning an optical element
US20130140372A1 (en) 2011-06-30 2013-06-06 Nikon Corporation Temperature control of a mover with active bypass, predictive feedforward control, and phase change housing
JP6328126B2 (ja) * 2012-10-31 2018-05-23 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法
DE102012221923A1 (de) * 2012-11-29 2014-06-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlsystem für zumindest eine Systemkomponente eines optischen Systems für EUV-Anwendungen sowie derartige Systemkomponente und derartiges optisches System

Also Published As

Publication number Publication date
NL2016268A (en) 2016-09-30
SG11201707040PA (en) 2017-10-30
KR102007351B1 (ko) 2019-08-05
CN107407892B (zh) 2019-09-06
JP2018512615A (ja) 2018-05-17
US10241422B2 (en) 2019-03-26
TW201636742A (zh) 2016-10-16
JP6511534B2 (ja) 2019-05-15
KR20170122238A (ko) 2017-11-03
WO2016150622A1 (en) 2016-09-29
IL254432A0 (en) 2017-11-30
US20180074416A1 (en) 2018-03-15
CN107407892A (zh) 2017-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10656538B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7525640B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101096141B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP5529865B2 (ja) 温度安定化システム、リソグラフィ投影装置、および温度制御方法
JP6420895B2 (ja) リソグラフィ装置及び物体位置決めシステム
US8797501B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4602317B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ装置の較正方法
TWI596441B (zh) 用於微影裝置之調節系統及方法及包含一調節系統之微影裝置
TWI591450B (zh) 微影裝置及製造元件之方法
TWI575336B (zh) 微影裝置及元件製造方法
WO2022258251A1 (en) Method and arrangement for determining thermally-induced deformations