JP2007332453A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007332453A5
JP2007332453A5 JP2007043910A JP2007043910A JP2007332453A5 JP 2007332453 A5 JP2007332453 A5 JP 2007332453A5 JP 2007043910 A JP2007043910 A JP 2007043910A JP 2007043910 A JP2007043910 A JP 2007043910A JP 2007332453 A5 JP2007332453 A5 JP 2007332453A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
carboxylic acid
film forming
carboxylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007043910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007332453A (ja
JP4936928B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007043910A priority Critical patent/JP4936928B2/ja
Priority claimed from JP2007043910A external-priority patent/JP4936928B2/ja
Priority to US11/747,647 priority patent/US8029856B2/en
Publication of JP2007332453A publication Critical patent/JP2007332453A/ja
Publication of JP2007332453A5 publication Critical patent/JP2007332453A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4936928B2 publication Critical patent/JP4936928B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板上に前記金属のカルボン酸塩ガスを供給する工程と、前記基板にエネルギーを与え、前記基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供する。
また、第1の観点において、真空に保持された処理容器内に前記基板を配置する工程をさらに有し、前記処理容器内で前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給し、前記金属膜を形成するようにしてもよい。
この場合に、前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器外でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入するようにすることができる。前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することによりカルボン酸金属ガスを生成するようにすることができる。また、前記配管として内面に酸素含有金属化合物をコーティングしたものを用い、その配管にカルボン酸ガスを通流させることによりカルボン酸塩ガスを生成させるようにすることができる。
た、カルボン酸塩ガスは、前記処理容器内でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて生成するようにすることができ、この場合に、前記酸素含有金属化合物は酸化銅からなり、それを含む部材を前記処理容器内に配置し、その部材にカルボン酸ガスを供給することによりカルボン酸塩ガスを生成するようにすることができる。
上記第1の観点において、前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給することにより前記基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、前記カルボン酸塩が堆積された前記基板にエネルギーを与えることにより前記基板上のカルボン酸塩を分解するようにしてもよいし、前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給しながら、前記基板にエネルギーを与えるようにしてもよい。また、前記金属として銅または銀を好適に用いることができる。この場合に、前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH))、酸化第一銀(AgO)、Ag(酸化第二銀)からなる群から選択されたものを用いることができる。前記カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものを用いることができる。
上記第1の観点において、前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜である構成とすることができる。
この場合に、前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅とすることができる。
上記第1の観点において、基板に与えられるエネルギーとしては、熱エネルギーを用いることができる。この場合に、基板を支持する基板支持部材に設けられた抵抗発熱体により基板に熱エネルギーを与えてもよく、また、基板から離れた位置に設けられた加熱ランプにより基板に熱エネルギーを与えてもよい。
本発明の第の観点では、真空に保持され、基板が配置される処理容器と、前記処理容器内で前記基板を支持する基板支持部材と、カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成するととともに、前記処理容器内の前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給するガス生成および供給手段と、前記基板支持部材上の前記基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、前記処理容器内を排気する排気系とを具備し、前記ガス生成および供給手段により前記基板上に前記カルボン酸塩が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記カルボン酸塩が分解して前記基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置を提供する。
上記第の観点において、前記ガス生成および供給手段は、前記カルボン酸と前記酸素含有金属化合物との反応により前記カルボン酸塩ガスを生成する反応部と、前記カルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記反応部から前記カルボン酸塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸塩導入部とを有する構成とすることができる。この場合に、前記反応部は、前記酸素含有金属化合物粉末を貯留する反応容器を有するものであってよく、また、前記酸素含有金属化合物からなる部材を有するものであってもよい。そして、前記反応部の前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記カルボン酸ガス供給配管の内面に設けられた前記酸素含有金属化合物からなる内面層であってよい。さらに、前記カルボン酸塩導入部は、前記カルボン酸塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有する構成とすることができる。
上記第2の観点において、前記ガス生成および供給手段は、前記処理容器内に配置された、前記酸素含有金属化合物からなる部材と、前記反応容器内に前記カルボン酸ガスを供給するガス供給系とを具備するものとすることができる。
この場合に、前記ガス供給系は、カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、カルボン酸ガスを前記処理容器に供給するカルボン酸ガス供給配管と、カルボン酸ガスを前記処理容器内に導入するカルボン酸ガス導入部とを有するものであってよく、この場合に、前記酸素含有金属化合物からなる部材は前記カルボン酸ガス導入部に設けられていてよい。そして、前記カルボン酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された前記カルボン酸ガスが前記吐出孔を通過する際に酸素含有金属化合物と反応してカルボン酸塩ガスを吐出するようにすることが好ましい。前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された酸素含有金属化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有金属化合物からなる部材として機能するようにしてよい。
上記第2の観点において、前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されて前記カルボン酸塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記基板上に堆積した前記カルボン酸塩が分解するようにしてもよいし、前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により前記基板にエネルギーが付与されるようにしてもよい。また、前記金属として銅または銀を好適に用いることができる。この場合に、前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH))、酸化第一銀(AgO)、酸化第二銀(Agからなる群から選択されたものを用いることができる。前記カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものを用いることができる。
上記第2の観点において、前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜である構成とすることができる。
この場合に、前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅とすることができる。
上記第2の観点において、前記エネルギー付与手段としては、前記基板に熱エネルギーを与えるものであることが好ましく、その場合に、前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材に設けられた抵抗発熱体を有するものであっても、前記基板支持部材から離隔して設けられた加熱ランプを有するものであってもよい。
本発明の第3の観点では、真空に保持され、基板が配置されて、配置された前記基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して前記基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第1の処理容器と、真空に保持され、前記第1の処理容器内で前記カルボン酸塩膜が堆積された前記基板が配置されて、配置された前記基板にエネルギーを与えて前記基板上のカルボン酸塩を分解し、前記基板上に金属膜を形成する第2の処理容器と、前記第1の処理容器から前記第2の処理容器へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構とを具備することを特徴とする成膜装置を提供する。
本発明の第4の観点では、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶されたコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第1の観点の成膜方法が実施されるようにコンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。

Claims (41)

  1. カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、
    基板上に前記金属のカルボン酸塩ガスを供給する工程と、
    前記基板にエネルギーを与え、前記基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
    を有することを特徴とする成膜方法。
  2. 前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
  3. 真空に保持された処理容器内に前記基板を配置する工程をさらに有し、前記処理容器内で前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給し、前記金属膜を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
  4. 前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器外でカルボン酸と前記酸素含有金属化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
  5. 前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
  6. 前記配管として内面に前記酸素含有金属化合物をコーティングしたものを用い、その配管にカルボン酸ガスを通流させることにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
  7. 前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器内でカルボン酸と前記酸素含有金属化合物とを反応させて生成することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
  8. 前記酸素含有金属化合物は酸化銅からなり、それを含む部材を前記処理容器内に配置し、その部材にカルボン酸ガスを供給することによりカルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項7に記載の成膜方法。
  9. 前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給することにより前記基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、
    前記カルボン酸塩が堆積された前記基板にエネルギーを与えることにより前記基板上の前記カルボン酸塩を分解することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
  10. 前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給しながら、前記基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
  11. 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
  12. 前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH))、酸化第一銀(AgO)、Ag(酸化第二銀)からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。
  13. 前記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
  14. 前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
  15. 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項14に記載の成膜方法。
  16. 前記基板に与えられるエネルギーは、熱エネルギーであることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の成膜方法。
  17. 前記基板を支持する基板支持部材に設けられた抵抗発熱体により前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
  18. 前記基板から離れた位置に設けられた加熱ランプにより前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
  19. 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
    前記処理容器内で前記基板を支持する基板支持部材と、
    カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成するととともに、前記処理容器内の前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給するガス生成および供給手段と、
    前記基板支持部材上の前記基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
    前記処理容器内を排気する排気系
    を具備し、
    前記ガス生成および供給手段により前記基板上に前記カルボン酸塩が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記カルボン酸塩が分解して前記基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。
  20. 前記ガス生成および供給手段は、前記カルボン酸と前記酸素含有金属化合物との反応により前記カルボン酸塩ガスを生成する反応部と、前記カルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記反応部から前記カルボン酸塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸塩導入部とを有することを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。
  21. 前記反応部は、前記酸素含有金属化合物粉末を貯留する反応容器を有することを特徴とする請求項20に記載の成膜装置。
  22. 前記反応部は、前記酸素含有金属化合物からなる部材を有することを特徴とする請求項20に記載の成膜装置。
  23. 前記反応部の前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記カルボン酸ガス供給配管の内面に設けられた前記酸素含有金属化合物からなる内面層であることを特徴とする請求項22に記載の成膜装置。
  24. 前記カルボン酸塩導入部は、前記カルボン酸塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項20から請求項23のいずれか1項に記載の成膜装置。
  25. 前記ガス生成および供給手段は、前記処理容器内に配置された、前記酸素含有金属化合物からなる部材と、前記反応容器内に前記カルボン酸ガスを供給するガス供給系とを具備することを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。
  26. 前記ガス供給系は、前記カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、前記カルボン酸ガスを前記処理容器に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記カルボン酸ガスを前記処理容器内に導入するカルボン酸ガス導入部とを有することを特徴とする請求項25に記載の成膜装置。
  27. 前記酸素含有金属化合物からなる部材は前記カルボン酸ガス導入部に設けられていることを特徴とする請求項26に記載の成膜装置。
  28. 前記カルボン酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された前記カルボン酸ガスが前記吐出孔を通過する際に前記酸素含有金属化合物と反応してカルボン酸塩ガスを吐出することを特徴とする請求項27に記載の成膜装置。
  29. 前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された前記酸素含有金属化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有金属化合物からなる部材として機能することを特徴とする請求項28に記載の成膜装置。
  30. 前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されて前記カルボン酸塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記基板上に堆積した前記カルボン酸塩が分解することを特徴とする請求項19から請求項29のいずれか1項に記載の成膜装置。
  31. 前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により前記基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項19から請求項29のいずれか1項に記載の成膜装置。
  32. 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項19から請求項31のいずれか1項に記載の成膜装置。
  33. 記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH))、酸化第一銀(AgO)、酸化第二銀(Agからなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項32に記載の成膜装置。
  34. 記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項19から請求項33のいずれか1項に記載の成膜装置。
  35. 前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜であることを特徴とする請求項19から請求項31のいずれか1項に記載の成膜装置。
  36. 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(CuO)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH))のいずれかであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項35に記載の成膜装置。
  37. 前記エネルギー付与手段は、前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項19から請求項36のいずれか1項に記載の成膜装置。
  38. 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材に設けられた抵抗発熱体を有することを特徴とする請求項37に記載の成膜装置。
  39. 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材から離隔して設けられた加熱ランプを有することを特徴とする請求項37に記載の成膜装置。
  40. 真空に保持され、基板が配置されて、配置された前記基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して前記基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第1の処理容器と、
    真空に保持され、前記第1の処理容器内で前記カルボン酸塩膜が堆積された前記基板が配置されて、配置された前記基板にエネルギーを与えて前記基板上のカルボン酸塩を分解し、前記基板上に金属膜を形成する第2の処理容器と、
    前記第1の処理容器から前記第2の処理容器へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構と
    を具備することを特徴とする成膜装置。
  41. コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶されたコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項18のいずれかの成膜方法が実施されるようにコンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
JP2007043910A 2006-05-16 2007-02-23 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 Expired - Fee Related JP4936928B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007043910A JP4936928B2 (ja) 2006-05-16 2007-02-23 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
US11/747,647 US8029856B2 (en) 2006-05-16 2007-05-11 Film formation method and apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006136657 2006-05-16
JP2006136657 2006-05-16
JP2007043910A JP4936928B2 (ja) 2006-05-16 2007-02-23 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012019498A Division JP5436589B2 (ja) 2006-05-16 2012-02-01 成膜装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007332453A JP2007332453A (ja) 2007-12-27
JP2007332453A5 true JP2007332453A5 (ja) 2010-03-18
JP4936928B2 JP4936928B2 (ja) 2012-05-23

Family

ID=38875285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007043910A Expired - Fee Related JP4936928B2 (ja) 2006-05-16 2007-02-23 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8029856B2 (ja)
JP (1) JP4936928B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4964097B2 (ja) * 2007-11-15 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
JP5145052B2 (ja) * 2008-01-07 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
WO2009148959A2 (en) 2008-05-29 2009-12-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Membranes with functionalized carbon nanotube pores for selective transport
JP5281856B2 (ja) * 2008-09-16 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
CN101768730B (zh) * 2009-01-05 2013-06-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种薄膜制备装置
CN102498238B (zh) * 2009-09-16 2015-04-22 日立化成工业株式会社 金属铜膜及其制造方法、金属铜图案及使用了其的导体布线、金属铜凸块、导热路径、粘合材料及液状组合物
KR101651932B1 (ko) * 2009-10-26 2016-08-30 한화케미칼 주식회사 카르복실산을 이용한 전도성 금속 박막의 제조방법
US11439708B2 (en) 2014-10-06 2022-09-13 Lawrence Livermore National Security, Llc Nanotube trans-membrane channels mimicking biological porins
US10541137B2 (en) * 2018-06-01 2020-01-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method and apparatus for non line-of-sight doping
KR102138149B1 (ko) * 2019-08-29 2020-07-27 솔브레인 주식회사 박막 형성용 성장 억제제, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 이로부터 제조된 반도체 기판

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0137370B1 (ko) * 1988-11-07 1998-04-27 니시가와 레이치 구리 도금된 수지 제품의 제조방법
JP2745677B2 (ja) 1989-05-18 1998-04-28 三菱瓦斯化学株式会社 銅張基板の製造法
US6232150B1 (en) * 1998-12-03 2001-05-15 The Regents Of The University Of Michigan Process for making microstructures and microstructures made thereby
CA2313155C (en) * 1999-06-30 2003-09-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group iii-v nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus
US7629017B2 (en) * 2001-10-05 2009-12-08 Cabot Corporation Methods for the deposition of conductive electronic features
JP3771882B2 (ja) 2002-04-30 2006-04-26 三菱重工業株式会社 金属膜作製装置及び金属膜作製方法
US7522822B2 (en) * 2004-01-06 2009-04-21 Robert Trujillo Halogen lamp assembly with integrated heat sink
WO2005106936A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Ebara Corporation 基板の処理装置
JP2007332422A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Ebara Corp 成膜方法及び成膜装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007332453A5 (ja)
CN107546106B (zh) 半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物
WO2006057706A3 (en) Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors
JP4936928B2 (ja) 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
TW201544619A (zh) 保形氮化鋁的高成長速度製程
TW201033394A (en) Web substrate deposition system
JP2009144242A5 (ja) タングステン膜の製造方法および装置
WO2004087991A1 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
KR20150041377A (ko) 플렉시블필름 박막 코팅용 연속 증착장치
JP4708130B2 (ja) 成膜装置および透明導電膜の製法
JP2009167522A (ja) 銅膜の形成方法
JP2008308748A (ja) 銅膜の形成方法
CN101910459B (zh) 成膜方法及成膜装置
JP2005248206A (ja) 成膜方法
JP4597847B2 (ja) 成膜装置
KR101349423B1 (ko) Cu막의 성막 방법
JP2010059488A5 (ja)
JP5179092B2 (ja) 銅膜の形成方法
JP4509900B2 (ja) 成膜装置
JP7386315B2 (ja) 被覆方法
JP2008119634A (ja) 成膜装置
JP5436589B2 (ja) 成膜装置
JP4964097B2 (ja) 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体
WO2021113742A1 (en) Single-walled carbon nanotube films and method and apparatus for fabricating thereof
TW202311555A (zh) 最小化錫氧化物腔室清潔時間