JP2007332453A5 - - Google Patents
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Description
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板上に前記金属のカルボン酸塩ガスを供給する工程と、前記基板にエネルギーを与え、前記基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法を提供する。
また、第1の観点において、真空に保持された処理容器内に前記基板を配置する工程をさらに有し、前記処理容器内で前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給し、前記金属膜を形成するようにしてもよい。
この場合に、前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器外でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入するようにすることができる。前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することによりカルボン酸金属ガスを生成するようにすることができる。また、前記配管として内面に酸素含有金属化合物をコーティングしたものを用い、その配管にカルボン酸ガスを通流させることによりカルボン酸塩ガスを生成させるようにすることができる。
また、カルボン酸塩ガスは、前記処理容器内でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて生成するようにすることができ、この場合に、前記酸素含有金属化合物は酸化銅からなり、それを含む部材を前記処理容器内に配置し、その部材にカルボン酸ガスを供給することによりカルボン酸塩ガスを生成するようにすることができる。
上記第1の観点において、前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給することにより前記基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、前記カルボン酸塩が堆積された前記基板にエネルギーを与えることにより前記基板上のカルボン酸塩を分解するようにしてもよいし、前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給しながら、前記基板にエネルギーを与えるようにしてもよい。また、前記金属として銅または銀を好適に用いることができる。この場合に、前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、Ag2O2(酸化第二銀)からなる群から選択されたものを用いることができる。前記カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものを用いることができる。
上記第1の観点において、前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜である構成とすることができる。
この場合に、前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅とすることができる。
上記第1の観点において、基板に与えられるエネルギーとしては、熱エネルギーを用いることができる。この場合に、基板を支持する基板支持部材に設けられた抵抗発熱体により基板に熱エネルギーを与えてもよく、また、基板から離れた位置に設けられた加熱ランプにより基板に熱エネルギーを与えてもよい。
本発明の第2の観点では、真空に保持され、基板が配置される処理容器と、前記処理容器内で前記基板を支持する基板支持部材と、カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成するととともに、前記処理容器内の前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給するガス生成および供給手段と、前記基板支持部材上の前記基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、前記処理容器内を排気する排気系とを具備し、前記ガス生成および供給手段により前記基板上に前記カルボン酸塩が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記カルボン酸塩が分解して前記基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置を提供する。
上記第2の観点において、前記ガス生成および供給手段は、前記カルボン酸と前記酸素含有金属化合物との反応により前記カルボン酸塩ガスを生成する反応部と、前記カルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記反応部から前記カルボン酸塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸塩導入部とを有する構成とすることができる。この場合に、前記反応部は、前記酸素含有金属化合物の粉末を貯留する反応容器を有するものであってよく、また、前記酸素含有金属化合物からなる部材を有するものであってもよい。そして、前記反応部の前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記カルボン酸ガス供給配管の内面に設けられた前記酸素含有金属化合物からなる内面層であってよい。さらに、前記カルボン酸塩導入部は、前記カルボン酸塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有する構成とすることができる。
上記第2の観点において、前記ガス生成および供給手段は、前記処理容器内に配置された、前記酸素含有金属化合物からなる部材と、前記反応容器内に前記カルボン酸ガスを供給するガス供給系とを具備するものとすることができる。
この場合に、前記ガス供給系は、カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、カルボン酸ガスを前記処理容器に供給するカルボン酸ガス供給配管と、カルボン酸ガスを前記処理容器内に導入するカルボン酸ガス導入部とを有するものであってよく、この場合に、前記酸素含有金属化合物からなる部材は前記カルボン酸ガス導入部に設けられていてよい。そして、前記カルボン酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された前記カルボン酸ガスが前記吐出孔を通過する際に酸素含有金属化合物と反応してカルボン酸塩ガスを吐出するようにすることが好ましい。前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された酸素含有金属化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有金属化合物からなる部材として機能するようにしてよい。
上記第2の観点において、前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されて前記カルボン酸塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記基板上に堆積した前記カルボン酸塩が分解するようにしてもよいし、前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により前記基板にエネルギーが付与されるようにしてもよい。また、前記金属として銅または銀を好適に用いることができる。この場合に、前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、酸化第二銀(Ag2O2)からなる群から選択されたものを用いることができる。前記カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものを用いることができる。
上記第2の観点において、前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜である構成とすることができる。
この場合に、前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅とすることができる。
上記第2の観点において、前記エネルギー付与手段としては、前記基板に熱エネルギーを与えるものであることが好ましく、その場合に、前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材に設けられた抵抗発熱体を有するものであっても、前記基板支持部材から離隔して設けられた加熱ランプを有するものであってもよい。
本発明の第3の観点では、真空に保持され、基板が配置されて、配置された前記基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して前記基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第1の処理容器と、真空に保持され、前記第1の処理容器内で前記カルボン酸塩膜が堆積された前記基板が配置されて、配置された前記基板にエネルギーを与えて前記基板上のカルボン酸塩を分解し、前記基板上に金属膜を形成する第2の処理容器と、前記第1の処理容器から前記第2の処理容器へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構とを具備することを特徴とする成膜装置を提供する。
本発明の第4の観点では、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶されたコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第1の観点の成膜方法が実施されるようにコンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
Claims (41)
- カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、
基板上に前記金属のカルボン酸塩ガスを供給する工程と、
前記基板にエネルギーを与え、前記基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 真空に保持された処理容器内に前記基板を配置する工程をさらに有し、前記処理容器内で前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給し、前記金属膜を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器外でカルボン酸と前記酸素含有金属化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記配管として内面に前記酸素含有金属化合物をコーティングしたものを用い、その配管にカルボン酸ガスを通流させることにより前記カルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器内でカルボン酸と前記酸素含有金属化合物とを反応させて生成することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有金属化合物は酸化銅からなり、それを含む部材を前記処理容器内に配置し、その部材にカルボン酸ガスを供給することによりカルボン酸塩ガスを生成することを特徴とする請求項7に記載の成膜方法。
- 前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給することにより前記基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、
前記カルボン酸塩が堆積された前記基板にエネルギーを与えることにより前記基板上の前記カルボン酸塩を分解することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給しながら、前記基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、Ag2O2(酸化第二銀)からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)からなる群から選択されたものであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項14に記載の成膜方法。
- 前記基板に与えられるエネルギーは、熱エネルギーであることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記基板を支持する基板支持部材に設けられた抵抗発熱体により前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
- 前記基板から離れた位置に設けられた加熱ランプにより前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を支持する基板支持部材と、
カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて前記金属化合物の金属のカルボン酸塩ガスを生成するととともに、前記処理容器内の前記基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給するガス生成および供給手段と、
前記基板支持部材上の前記基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気系と
を具備し、
前記ガス生成および供給手段により前記基板上に前記カルボン酸塩が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記カルボン酸塩が分解して前記基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス生成および供給手段は、前記カルボン酸と前記酸素含有金属化合物との反応により前記カルボン酸塩ガスを生成する反応部と、前記カルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記反応部から前記カルボン酸塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸塩導入部とを有することを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、前記酸素含有金属化合物の粉末を貯留する反応容器を有することを特徴とする請求項20に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、前記酸素含有金属化合物からなる部材を有することを特徴とする請求項20に記載の成膜装置。
- 前記反応部の前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記カルボン酸ガス供給配管の内面に設けられた前記酸素含有金属化合物からなる内面層であることを特徴とする請求項22に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸塩導入部は、前記カルボン酸塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項20から請求項23のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス生成および供給手段は、前記処理容器内に配置された、前記酸素含有金属化合物からなる部材と、前記反応容器内に前記カルボン酸ガスを供給するガス供給系とを具備することを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給系は、前記カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、前記カルボン酸ガスを前記処理容器に供給するカルボン酸ガス供給配管と、前記カルボン酸ガスを前記処理容器内に導入するカルボン酸ガス導入部とを有することを特徴とする請求項25に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有金属化合物からなる部材は前記カルボン酸ガス導入部に設けられていることを特徴とする請求項26に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された前記カルボン酸ガスが前記吐出孔を通過する際に前記酸素含有金属化合物と反応してカルボン酸塩ガスを吐出することを特徴とする請求項27に記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された前記酸素含有金属化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有金属化合物からなる部材として機能することを特徴とする請求項28に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されて前記カルボン酸塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記基板上に堆積した前記カルボン酸塩が分解することを特徴とする請求項19から請求項29のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給系により前記基板上に前記カルボン酸塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により前記基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項19から請求項29のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項19から請求項31のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、酸化第二銀(Ag2O2)からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項32に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項19から請求項33のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸は蟻酸であり、前記酸素含有金属化合物は酸素含有銅化合物であり、前記カルボン酸塩ガスは蟻酸銅ガスであり、前記金属膜は銅膜であることを特徴とする請求項19から請求項31のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)のいずれかであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項35に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項19から請求項36のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材に設けられた抵抗発熱体を有することを特徴とする請求項37に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材から離隔して設けられた加熱ランプを有することを特徴とする請求項37に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置されて、配置された前記基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して前記基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第1の処理容器と、
真空に保持され、前記第1の処理容器内で前記カルボン酸塩膜が堆積された前記基板が配置されて、配置された前記基板にエネルギーを与えて前記基板上のカルボン酸塩を分解し、前記基板上に金属膜を形成する第2の処理容器と、
前記第1の処理容器から前記第2の処理容器へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構と
を具備することを特徴とする成膜装置。 - コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶されたコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項18のいずれかの成膜方法が実施されるようにコンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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