JP7386315B2 - 被覆方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板をハードコートおよびメッキ等で被覆する被覆方法に関する。

フィルム基板などの各種の基板の表面を、２液の反応液を用いて被覆する技術は、各種の方法がある。
例えば、メッキもその１つであり、反応性の高いメッキ液をスプレーで塗布する方法が提案されている。

例えば、特許文献１には、基板全面にスプレー塗装によってアンダーコート層を形成する工程、アンダーコート層全面に塗装式無電解メッキによって無電解メッキ層を形成する工程、ならびに、無電解メッキ層の表面に、スプレー塗布によって保護膜および／または調色塗膜を形成する工程を備え、各工程が、塗装ロボットによって連続自動制御で行われる、メッキ塗装製品の製造方法が記載されている。
ここで、特許文献１では、好ましい無電解メッキ層の形成方法として、硝酸銀などの水溶性銀塩の水溶液のような銀イオンを含む溶液と、還元液との２液を、双頭スプレーガンを用いるスプレー塗布によって塗布することが記載されている。

また、特許文献２には、銀化合物およびアンモニアを含む銀含有水溶液、ならびに、還元剤を含む還元剤含有水溶液の２液化からなり、さらに、所定のエチレンアミン類が、銀含有水溶液および／または還元剤含有水溶液に含まれている、２液性無電解銀めっき液が記載されている。特許文献２には、この２液性無電解銀めっき液を用い、銀含有水溶液と還元剤含有水溶液とを、双頭スプレーガンおよび同芯スプレーガン等のスプレーガンを用いて、被メッキ物に同時に吹き付ける、無電解銀メッキ方法が記載されている。
特許文献２の方法によれば、別個に調製した銀含有水溶液と還元剤含有水溶液とを、吹き付け位置が一致するように同時に被めっき物表面に吹き付けることで、両溶液が吹き付けられた位置において、還元反応が生じて銀めっき皮膜が形成される。

特開２００４－０３５９９６号公報 特開２００６－０１６６５９号公報

特許文献１および特許文献２に記載される方法では、主剤である銀を含む水溶液と、助剤である還元剤を含む水溶液とからなる２液のメッキ液を、同時に塗布して、基板上で混合することで、無電解メッキを形成している。
この方法によれば、メッキ液の主剤と助剤とを、予め混合しないので、異物発生および目詰まりの原因となるメッキの析出を防止できる。そのため、特許文献１および特許文献２に記載される方法によれば、反応性の高い２液のメッキ液であっても、基板を適正なメッキで被覆できる。

ここで、基板を被覆するメッキは、緻密であることが望まれる。
例えば、特許文献１では、均一な電磁波遮蔽性を有するメッキ製品を作製できるが、より良好な電磁波遮蔽性を有するためには、メッキは緻密である方が好ましい。また、特許文献２では、光沢に優れ、変色およびムラの無い銀被膜を形成できるが、やはりメッキが緻密であるほど、より好適に、これらの効果を得られる。
しかしながら、従来の２液型のメッキ方法では、必ずしも、十分に緻密なメッキ被膜を安定して形成することができない場合もある。

本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、主剤と助剤との２液の反応液を用いて、基板の目的とする位置を緻密な被膜によって被覆することができる被覆方法を提供することにある。

この課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
［１］ 被覆材を含む下地が形成された基板を搬送しつつ、基板に、助剤を塗布し、その後、被覆材を含む主剤を塗布して、主剤と助剤とを反応させ、基板の下地の形成部を被覆材で被覆することを特徴とする被覆方法。
［２］ 基板の主面と基板の搬送方向とを一致して、基板を下方に向かって搬送しつつ、基板に助剤および主剤を塗布する、［１］に記載の被覆方法。
［３］ 基板を鉛直方向の下方に搬送しつつ、基板に助剤および主剤を塗布する、［２］に記載の被覆方法。
［４］ 基板に助剤および主剤を塗布する空間において、助剤および主剤の少なくとも一方に含まれる溶媒の蒸気圧を制御しつつ、基板に助剤および主剤を塗布する、［１］～［３］のいずれかに記載の被覆方法。
［５］ 基板に助剤および主剤を塗布する空間における溶媒の蒸気圧を、飽和蒸気圧の５０％以上にする、［４］に記載の被覆方法。
［６］ 基板に助剤および主剤を塗布する空間に、溶媒を含む気体を導入する、［４］または［５］に記載の被覆方法。
［７］ 助剤と主剤とで、同じ溶媒を用いる、［４］～［６］のいずれかに記載の被覆方法。
［８］ 基板に助剤および主剤を塗布する空間の温度を制御しつつ、基板に助剤および主剤を塗布する、［１］～［７］のいずれかに記載の被覆方法。
［９］ 主剤をスプレー塗布する、［１］～［８］のいずれかに記載の被覆方法。
［１０］ 助剤をスプレー塗布する、［１］～［９］のいずれかに記載の被覆方法。
［１１］ 基板の下地の形成部を被覆材で被覆した後、基板を洗浄する、［１］～［１０］のいずれかに記載の被覆方法。
［１２］ 長尺な基板を連続的に搬送しつつ、基板に助剤および主剤を塗布する、［１］～［１１］のいずれかに記載の被覆方法。
［１３］ 基板は両面に下地を有するものであり、助剤および主剤を、基板の両面に塗布する、［１］～［１２］のいずれかに記載の被覆方法。
［１４］ 下地が、基板の全面を覆う層状、離間する複数の面状パターン、および、１本以上の線状パターンのいずれかである、［１］～［１３］のいずれかに記載の被覆方法。

本発明によれば、主剤と助剤との２液の反応液を用いて、基板の目的とする位置を緻密な被膜によって被覆できる。

図１は、本発明の被覆方法を実施する装置の一例を概念的に示す図である。 図２は、図１に示す装置の塗布部の構成の一例を概念的に示す図である。 図３は、本発明の被覆方法における反応液の塗布方法の一例を説明するための概念図である。 図４は、本発明の被覆方法を実施する装置の別の例を概念的に示す図である。

以下、本発明の被覆方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。
なお、本発明において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

図１に、本発明の被覆方法を実施する被覆装置の一例を概念的に示す。
図１に示す被覆装置は、長尺な基板Ｚを長手方向に搬送しつつ、２液の反応液の主剤と助剤とを、基板Ｚに別々に塗布して、基板Ｚ上において主剤と助剤とを混合して反応させ、基板Ｚの所定の位置を被覆材で被覆するものである。

図１に示される被覆装置１０において、基板Ｚは、ガイドローラ１２に案内されて、鉛直方向（天地方向）の下方（矢印ｖ方向）に搬送されつつ、塗布部１４において、被覆材となる反応液を塗布され、少なくとも一部が被覆材によって被覆される。
被覆材によって被覆された基板Ｚは、次いで、洗浄槽１６において、洗浄液１６ａに浸漬されて洗浄され、洗浄槽１６中において、ガイドローラ１８によって搬送方向を上方に変更される。
上方に搬送された基板Ｚは、ガイドローラ２０によって、次工程に搬送される。

ここで、本発明の被覆方法においては、基板Ｚは、被覆材を含む下地を形成されたものである。被覆材による被覆は、この下地を形成された部位に行われる。すなわち、本発明において、基板Ｚの下地は、被覆材を含み、かつ、基板Ｚ上において、本発明の被覆方法によって被覆材で被覆する領域を決定するものである。
また、本発明の被覆方法は、被覆材となる反応液は、被覆材を含む主剤と、助剤とからなる２液の反応液である。本発明においては、基板Ｚを搬送しつつ、まず、助剤を基板Ｚに塗布して、その後、被覆材を含む主剤を塗布して、基板Ｚ上で主剤と助剤とを混合することにより反応させ、基板Ｚを被覆材で被覆する。

本発明の被覆方法において、基板Ｚには、制限はなく、各種のシート状物（板状物、フィルム）が利用可能である。
一例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムおよびポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、ポリイミドフィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルムおよびトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの樹脂フィルム、アルミニウム箔および銅箔などの金属箔、不織布、ならびに、紙等が例示される。
基板Ｚの厚さにも、制限はなく、被覆材で被覆した基板Ｚの用途に応じて、適宜、選択すればよい。

なお、図示例では、好ましい態様として、いわゆるロール・トゥ・ロールによる被処理材の処理のように、長尺な基板Ｚを用い、基板Ｚを長手方向に連続的に搬送しつつ、連続的に被覆材による被覆を行っている。しかしながら、本発明は、これに制限はされない。
すなわち、本発明の被覆方法では、カットシート状の基板を搬送しつつ、後述するように助剤および主剤を塗布して、基板の下地形成部を被覆材で被覆してもよい。

基板Ｚの搬送速度にも、制限はなく、後述する下地の状態、主剤および助剤の反応性および塗布量、ならびに、形成する被覆材等に応じて、適宜、設定すればよい。
生産性等を考慮すると、基板Ｚの搬送速度は、０．１～１００ｍ／ｍｉｎが好ましく、１～５０ｍ／ｍｉｎがより好ましく、５～３０ｍ／ｍｉｎがさらに好ましい。

本発明の被覆方法においては、基板Ｚには、予め、被覆材を含む下地を形成しておく。
後述するが、被覆材による基板Ｚの被覆は、この下地が形成された位置に行われる。
下地は、基板Ｚを被覆する被覆材を含むものである。例えば、被覆材が金属メッキである場合には、メッキする金属によって下地を形成する。また、被覆材がハードコートである場合には、基板を被覆するハードコートによって下地を形成しておく。また、被覆材が接着コートおよび粘着コートなどである場合には、基板を被膜する接着層および粘着層等によって下地を形成しておく。

後に詳述するが、本発明の被覆方法は、このような下地を有する基板Ｚ、および、２液の反応液を用いて、基板Ｚを搬送しつつ、まず、助剤を基板に塗布し、その後、被覆材を含む主剤を塗布する。これにより、基板Ｚ上で主剤と助剤を混合して、反応させて、下地に沿って緻密な被覆材で基板Ｚを被覆することを可能にしている。

下地の形成方法には、制限はなく、下地の形成材料、すなわち、本発明の被覆方法で被覆する被覆材に応じて、公知の方法で形成すればよい。なお、図示例のように、基板Ｚの両面を被覆材で被覆する場合には、基板Ｚの両面に下地を形成する。
下地の形成方法と、後述する被覆材による被覆方法とは、同じでも異なってもよい。例えば、被覆材が金属メッキである場合には、金属メッキ処理によって下地を形成してもよく、あるいは、スパッタリング等の金属薄膜の成膜が可能な成膜手段によって、メッキする金属の下地を形成してもよい。

下地の形状（平面形状）には、制限はなく、各種の形状が利用可能である。
例えば、基板Ｚの全面を覆って層状に下地を形成してもよく、基板Ｚの一部を覆って層状に下地を形成してもよい。すなわち、本発明の被覆方法では、基板Ｚの全面を被覆材で被覆してもよい。
または、水玉模様およびチェッカー模様（市松模様）のように、海島状に離間する面状パターンの下地を形成してもよい。この際において、面状パターンは、規則的に形成されても、不規則に形成されてもよい。
または、メッシュ状、正方格子、三角格子、および、六角格子（ハニカム状）のような格子状に下地を形成してもよい。
または、縞模様（ストライプ状）に下地を形成してもよい。縞模様の縞の太さおよび／または間隔は、均一でも不均一でも、均一な部分と不均一な部分とが混在してもよい。
または、１本あるいは複数本の線からなる線状パターンで下地を構成してもよい。線状パターンの下地は、直線状でも、曲線状でも、ジグザグの折れ線のように屈折部を有する線でも、これらが混在した線状パターンでもよい。線の太さおよび間隔は、均一でも不均一でも、均一な部分と不均一な部分とが混在してもよい。
これらの下地は、基板Ｚ上に凹凸があるパターンでもよい。
中でも、海島状に離間する面状パターンの下地、および、１本あるいは複数本の線からなる線状パターンの下地は、好適に利用される。

上述のように、このような下地を形成された基板Ｚは、長手方向に搬送されつつ、ガイドローラ１２によって搬送方向を鉛直方向の下方にされ、下方に搬送されつつ、塗布部１４において、主剤と助剤とからなる２液の反応液を塗布される。
具体的には、基板Ｚは、鉛直方向の下方に搬送されつつ、塗布部１４において、まず、第１塗布手段１４ａによって助剤が塗布され、次いで、第２塗布手段１４ｂによって主剤が塗布される。これにより、基板Ｚ上（基板Ｚの表面）で主剤と助剤とが混合され、主剤と助剤とが反応して、基板Ｚの下地の形成部を被覆材で被覆する。
なお、図示例においては、基板Ｚの両面を被覆材で被覆しているが、本発明は、これに制限はされない。すなわち、本発明の被覆方法は、基板Ｚの一面のみを被覆材で被覆するものであってもよい。

本発明の被覆方法において、基板Ｚを被覆する被覆材には制限はなく、主剤と助剤とによる２液の反応で基板Ｚを被覆する被覆材を生成できるものであれば、各種のものが利用可能である。
被覆材としては、一例として、銀メッキ、銅メッキ、ニッケルメッキおよびコバルトメッキなどの無電解金属メッキ、アクリル系の硬化樹脂およびシラノール系の硬化樹脂などのハードコート、ならびに、エポキシ系粘着剤およびウレタン系粘着剤などの粘着剤等が例示される。

本発明の被覆方法は、主剤と助剤とからなる２液の反応液を反応させて、基板Ｚを被覆材で被覆する。
主剤とは、被覆材を含むものである。他方、助剤とは、主剤の被覆材と反応して、被覆材を生成させる成分、被覆材の生成を加速させる成分、被覆材同士の結合を加速する成分、被覆材を安定化させる成分、および、被覆材同士を反応させる成分のうちの少なくとも１つを含むものである。

例えば、被覆材が無電解金属メッキである場合には、主剤は、メッキ用の金属イオン、金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）およびｐＨ調節剤等を含むものであり、助剤は、還元剤等を含むものである。主剤に含まれるメッキ用の金属イオンの種類は、析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。主剤には、硝酸銀など、水に溶解することで、これらのイオンを生成する化合物が添加される。
被覆材がハードコートである場合に、例えば、シラン膜で基板Ｚを被覆する場合には、主剤は、アルコキシシラン等のハードコートとなる材料を含むものであり、助剤は硬化剤を含むものである。
被覆材が粘着剤である場合、例えばウレタン膜で基板Ｚを被覆する場合には、主剤は、ウレタン系の樹脂等の粘着性を有する材料を含むものであり、助剤は、末端イソシアネート基の反応を加速する硬化剤を含むものである。

主剤および助剤は、含有する成分を溶媒で溶解した溶液である。
溶媒には、制限はなく、被覆材に応じて、成分を溶解可能な溶媒が、各種、利用可能である。環境を考慮すると、溶媒は、水であるのが好ましい。すなわち、主剤と助剤は、水溶液であるのが好ましい。
また、主剤と助剤の溶媒は、同じでも、異なってもよい。後述する主剤および助剤を塗布する塗布空間の雰囲気の制御を考慮すると、主剤と助剤の溶媒は、同じであるのが好ましい。すなわち、主剤および助剤が、共に１種の溶媒を用いる場合は、両者で同じ溶媒を用いるのが好ましい。また、主剤および助剤が、共に複数種の溶媒を用いる場合には、主剤と助剤とで同じ溶媒を用いるのが好ましく、さらに、各溶媒の比率も同じであるのがより好ましい。

上述のように、本発明の被覆方法は、被覆材を含む下地を有する基板Ｚ、および、２液の反応液を用いて、まず、助剤を基板に塗布し、その後、被覆材を含む主剤を塗布して、基板Ｚ上で主剤と助剤を混合して、反応させることで、下地に沿って緻密な被覆材で基板Ｚを被覆することを可能にしている。

主剤と助剤とからなる２液の反応液を用いて、基板の表面を被覆材で被覆する際には、２液の混合性が重要である。特に、反応性の高い液ほど、２液の混合が重要である。
しかしながら、主剤と助剤を予め混合してしまうと、その時点で被覆材が析出してしまい、途中の配管および貯留槽などでの異物発生および目詰まり等の原因になる。
これに対して、特許文献１および特許文献２に示されるように、主剤と助剤を別系統で同時に塗布し、基板上での混合することで、異物の発生および目詰まりを防止できる。
しかしながら、本発明者らは、無電解メッキのような高反応液で被膜を形成するには、基板への助剤の親和と、２液の反応の状態および基板が重要であることを見出した。なぜならば、特許文献１および特許文献２にあるような反応性の高い２液を塗布して、基板上で混合すると、被覆材が形成されると同時に、基板上の液膜における気液界面側で被覆材が析出し、異物化してしまい、緻密な被覆材が形成できないことに気づいた。

そこで、本発明者らは鋭意検討した結果、基板を緻密な被覆材で被覆する方法として、被覆材を含む下地を形成した基板Ｚを用い、かつ、主剤と助剤を同時に塗布するのではなく、反応を加速するための助剤を先に塗布し、基板Ｚ（下地）に充分に馴染ませた後に、被覆材を含有する主剤を塗布することで解決できることを見出した。
下地は、被覆物を含むものである。他方、助剤は、被覆材を含む主剤と反応して、被覆材を形成する。すなわち、助剤は、ある程度、被覆材との反応性を有し、かつ、被覆材に対する親和性が高いと考えられる。
そのため、被覆材を含む下地を形成した基板Ｚに、まず、助剤を塗布することにより、助剤は、選択的に下地に付着し、かつ、若干の反応を起こしつつ下地に浸透したような状態となる。この状態で、次いで、主剤を塗布すると、下地の内部でも主剤と助剤との反応が進行して、下地の形成部において、選択的に被覆材が形成される。
その結果、本発明の被覆方法によれば、下地に沿って、緻密な被覆材によって基板Ｚを被覆することができる。本発明は、特に、反応性の高い主剤と助剤を用いる場合、すなわち、多くの緻密な被覆材で、迅速に基板Ｚを被覆したい場合に、好適である。加えて、下地の深さ方向への助剤の浸透を利用することで、下地が上述のようなパターン構造である場合においては、パターン部と非パターン部とにおける被覆材の被覆量を制御することも可能となり、面内の被覆性を任意に変えることに対しても優位に働く。

本発明の被覆方法においては、基板Ｚに助剤を先に塗布し、その後、基板Ｚに主剤を塗布すれば、助剤を塗布した後、主剤を塗布するタイミングには、制限はない。
すなわち、基板Ｚに助剤を塗布した後、基板Ｚに主剤を塗布するタイミングは、被覆材の種類、基板Ｚの搬送速度、基板Ｚにおける助剤および主剤の塗布量、基板Ｚに形成する下地の状態、助剤および主剤の溶媒の乾燥速度、ならびに、助剤および主剤のレベリング速度等に応じて、助剤が十分に下地に馴染み、かつ、基板Ｚ上で好適に主剤と助剤とを混合できるタイミングを、適宜、設定すればよい。
基板Ｚへの主剤の塗布は、助剤を塗布した後、０．０１～１２０秒後が好ましく、０．１～６０秒後がより好ましく、０．５～３０秒後がさらに好ましい。

塗布部１４における主剤および助剤の塗布方法、すなわち、第１塗布手段１４ａおよび第２塗布手段１４ｂには、制限はなく、公知の塗布方法が利用可能である。一例として、インクジェット方式、カーテンコーター方式、ローラーコーター方式、スプレー方式、バーコーター方式、ディスペンサー方式、および、ダイコーター方式等が例示される。
中でも、基板Ｚ上で主剤と助剤とを好適に混合できる等の点で、スプレー方式は、好適に用いられる。スプレー方式は、１流体スプレー方式、２流体スプレー方式、超音波スプレー方式、静電容量スプレー方式、および、遠心スプレー方式等、公知の方法が、各種、利用可能である。
主剤および助剤の塗布方法は、同じでも異なってもよいが、両者ともにスプレー方式で塗布するのが、最も好ましい。

塗布部１４に設ける第１塗布手段１４ａおよび第２塗布手段１４ｂは、１つでもよく、あるいは、図２にスプレー方式を例示して概念的に示すように、基板Ｚの幅に応じて、複数の塗布手段を基板Ｚの幅方向に配列して、助剤および主剤を塗布してもよい。
基板Ｚの幅方向とは、すなわち、基板Ｚの搬送方向と直交する方向である。

なお、本発明の被覆方法においては、全ての助剤を同時に基板Ｚに塗布し、また、全ての主剤を同時に基板Ｚに塗布するのに制限はされない。例えば、図２に示す例では、基板Ｚの幅方向に配列される第１塗布手段１４ａを、基板Ｚの搬送方向に異なる位置に配置してもよい。また、図２に示す例では、基板Ｚの幅方向に配列される第２塗布手段１４ｂを、基板Ｚの搬送方向に異なる位置に配置してもよい。
すなわち、本発明の被覆方法は、被覆装置の設置位置および装置構成、基板Ｚに形成する下地、被覆材の種類、主剤および助剤の塗布量、助剤および主剤の塗布タイミング、ならびに、助剤および主剤の溶媒の乾燥速度等に応じて、時間差を設けて助剤を基板Ｚに塗布してもよく、および／または、時間差を設けて主剤を基板Ｚに塗布してもよい。
しかしながら、この場合でも、基板Ｚ上における塗布は、主剤が、助剤の後になるようにする。

また、第１塗布手段１４ａおよび第２塗布手段１４ｂによる助剤および主剤の塗布は、基板Ｚに形成された下地に応じて、下地と同様のパターン（絵柄）で行ってもよい。

本発明の被覆方法は、基板Ｚを搬送しつつ、助剤および主剤の順番で、２液の反応液を塗布する。ここで、本発明の被覆方法においては、基板Ｚを下方に向かって搬送しつつ、助剤および主剤を塗布するのが好ましい。
図示例の被覆装置１０は、最も好ましい態様として、基板の搬送方向を鉛直方向の下方（図中矢印ｖ方向）に向かう方向にしている。
本発明の被覆方法では、これにより、異物等の付着が無く、ムラの無い均一性の高い被覆材で基板を被覆することが可能になる。

図３に、基板Ｚを鉛直方向の下方（図中矢印ｖ方向）に搬送しつつ、助剤ｈを塗布し、次いで、主剤ｍを塗布した基板Ｚの状態を、概念的に示す。
上述のように、本発明の被覆方法では、基板Ｚに、助剤ｈを塗布した後、主剤ｍを塗布する。その後、時間の経過、すなわち、基板Ｚの搬送に伴い、助剤ｈと主剤ｍとが混合された混合液ｒとなる。

ここで、重力によって下方に流れる助剤ｈの流速は、基板Ｚと助剤ｈとの分子間力によって、基板Ｚ側は遅く、基板Ｚから離間するにしたがって速くなる。すなわち、基板Ｚと助剤ｈとの界面では、基板Ｚの搬送速度と、下方への助剤ｈの流速との差は、ほぼゼロであり、基板Ｚと助剤ｈとは、ほぼ一緒に下方に移動する。
同様に、重力によって下方に流れる主剤ｍの流速も、助剤ｈ側は遅く、助剤ｈから離間するにしたがって速くなる。助剤ｈと主剤ｍとの界面では、助剤ｈの流速と、主剤ｍとの流速との差は、ほぼゼロであり、助剤ｈと主剤ｍとは、一緒に下方に移動する。
この状態は、混合液ｒでも同様で、図中に矢印で示すように、基板Ｚに近いほど流速は遅く、基板Ｚから離間するにしたがって、流速は速くなる。

従って、基板Ｚ上では、先に塗布された助剤ｈは、基板Ｚ上に留まったような状態になっており、上述のように基板Ｚに形成された下地に対して、十分に浸透したような状態にできる。また、混合液ｒとなった状態でも、基板Ｚの搬送速度と混合液ｒの流速との差は小さい。
すなわち、基板Ｚ上では、下地に助剤ｈを十分に浸透させたような状態で、重力による混合液ｒの流れに影響を受けることなく主剤ｍと助剤ｈとの反応を行って、下地の形成部において、被覆材で基板Ｚを被覆ざきる。

他方、基板Ｚから離間した位置でも、被覆材は生成される。特に、気液界面では、濃度勾配があるために、反応性が高く、被覆材が生成され易い。
基板Ｚから離間した位置で生成される被覆材は、被覆材の表面に付着した異物となる可能性が高い。しかしながら、上述したように、基板Ｚから離間した位置では、重力によって流れる助剤ｈ、主剤ｍおよび混合液ｒの流速は速い（図中矢印）。そのため、基板Ｚから離間した位置で生成した異物となる可能性のある被覆材は、重力によって流されてしまい、基板Ｚの下地の形成部を被覆する被覆材への付着を防止できる。
すなわち、基板Ｚを下方に搬送しつつ助剤ｈおよび主剤ｍを塗布することにより、異物等の付着が無く、ムラの無い均一性の高い被覆材で基板を被覆することができる。

上述の作用効果は、基板Ｚを下方に向かって搬送しつつ助剤および主剤を塗布すれば、下方に向かう基板Ｚの搬送方向の角度によらず、発現する。しかしながら、上述の作用効果は、下方に向かう基板Ｚの搬送方向と、水平方向とが成す角度が、大きいほど、大きくなる。
この点を考慮すると、下方に向かう基板Ｚの搬送方向は、水平方向に対して３０°以上が好ましく、４５°以上がより好ましく、６０°以上がさらに好ましく、図示例のように鉛直方向の下方に向かうのが最も好ましい。

なお、図示例の様に長尺な基板を搬送しつつ、連続的に助剤および主剤を塗布する場合には、必然的に、基板Ｚの搬送方向と基板Ｚの主面とは一致する。主面とは、シート状物の最大面である。
カットシート状の基板を用いる場合でも、長尺な基板を用いた場合と同様、基板Ｚの搬送方向と基板Ｚの主面とを一致させるのが好ましい。

主剤と助剤との反応による被覆材での基板の被覆において、主剤と助剤とを適正に反応させるためには、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を制御するのが好ましい。例えば、無電解金属メッキであれば、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度は、１５～７０℃が好ましく、２０～５０℃がより好ましい。
無電解金属メッキによらず、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を、或る所定の温度以上とすることにより、基板Ｚに形成した下地への助剤の浸透を好適にできると共に、主剤と助剤との反応速度を早くして、生産性を向上できる。また、主剤および助剤の温度を、或る所定の温度以下にすることで、溶液である主剤および助剤からの溶媒の蒸発を抑制して、基板Ｚに密着せずに異物となってしまう被覆材の生成を抑制できる。
すなわち、主剤および助剤を適正な温度に制御しつつ、基板Ｚに塗布することにより、下地の形成部において基板Ｚを被覆材で適正に被覆しつつ、被覆材の表面に異物が付着することを好適に防止できる。

ここで、本発明のように、基板Ｚを搬送しつつ、助剤および主剤を、順次、塗布する被覆方法では、基板Ｚ上における主剤および助剤を、目的とする温度に制御すことが困難な場合がある。特に、スプレー方式で塗布を行う場合には、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を適正に制御することは、困難である。
すなわち、基板Ｚを加熱して主剤および助剤を塗布しても、主剤および助剤の温度が低い場合には、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度は、すぐに塗布した主剤および助剤の温度になってしまう。この傾向は、基板Ｚが薄いほど、また、主剤および助剤の塗布量が多いほど、顕著になる。
特に、スプレー方式で主剤および助剤を塗布する場合には、この傾向が高くなる。すなわち、スプレー方式とは、塗布物の比表面積を急激に増大させる塗布方法である。そのため、噴霧する主剤および助剤の温度を上げても、気化熱によって、急激に主剤および助剤の温度は低下してしまう。例えば、常温で主剤および助剤をスプレー塗布する場合には、基板Ｚの近傍では、主剤および助剤の温度は、常温よりも遥かに冷却された温度となり、加えて、基板Ｚの熱を奪う。

このような問題を解決し、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を適正にする方法として、基板Ｚに主剤および助剤を塗布する空間における、主剤および／または助剤の溶媒の蒸気圧を制御する方法が例示される。
例えば、主剤および助剤が水溶液である場合には、基板Ｚに主剤および助剤を塗布する空間における水蒸気圧を制御する。
好ましくは、加えて、基板Ｚに主剤および助剤を塗布する空間の温度も制御する。
これにより、基板Ｚに塗布する主剤および助剤の気化を防止して、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を適正に制御できる。

図４に、この基板Ｚに主剤および助剤を塗布する空間における溶媒の蒸気圧、および、同空間の温度を制御する方法の一例を示す。以下の説明では、便宜的に、基板Ｚに主剤および助剤を塗布する空間を『塗布空間』ともいう。
この例では、塗布空間を、ケーシング３０で覆う。すなわち、本例では、ケーシング３０内が塗布空間となる。
ケーシング３０には、配管３２ａを介して供給手段３２が接続される。また、ケーシング３０には、配管３４ａを介して、排気手段３４が接続される。
供給手段３２は、主剤および助剤の溶媒を含む気体を、温度制御して、ケーシング３０内に供給する。例えば、主剤および助剤が水溶液である場合には、供給手段３２は、加熱加湿風を、ケーシング３０内に供給する。溶媒を含む気体としては、空気、および、不活性ガス等が例示される。
一方、排気手段３４は、ケーシング３０内を排気することで、ケーシング３０内すなわち塗布空間の圧力を適正に保つと共に、ケーシング３０内での溶媒の結露を防止する。

このような装置を用い、ケーシング３０に供給する溶媒を含む気体の温度、および、溶媒の含有量を制御する。これにより、塗布空間における温度、ならびに、主剤および助剤の溶媒の蒸気圧を、目的とする範囲に保てる。
例えば、主剤および助剤が水溶液である場合には、ケーシング３０内に供給する加熱加湿風の温度および湿度を制御することで、塗布空間において、温度、および、水蒸気圧を、目的とする範囲に保てる。

塗布空間における溶媒の蒸気圧には、制限はなく、主剤および助剤の塗布方法および塗布量、塗布空間の温度、溶媒の濃度、ならびに、溶媒が水である場合には湿度等に応じて、適宜、設定すればよい。
塗布空間における溶媒の蒸気圧は、飽和蒸気圧の５０％以上が好ましく、飽和蒸気圧の６０％以上が好ましく、飽和蒸気圧または過飽和がさらに好ましい。

塗布空間の温度は、基本的に、目的とする基板Ｚ上における主剤および助剤の温度に応じて、適宜、設定すればよい。
例えば、無電解金属メッキであれば、基板Ｚ上における主剤および助剤の、上述した目的とする温度に応じて、塗布空間の温度を１５～７０℃とするのが好ましく、２０～５０℃とするのがより好ましい。

ただし、溶媒を含む気体の温度、および、溶媒を含む気体における溶媒の含有量は、基板Ｚ上で、溶媒が結露しないように、調節するのが好ましい。

なお、主剤と助剤との溶媒が異なる場合、ならびに、主剤および／または助剤が、複数の溶媒を用いている場合には、塗布空間に最も多く供給される溶媒の蒸気圧を制御すればよい。
塗布空間の蒸気圧を考慮すると、主剤と助剤との溶媒は、同じであるのが好ましい。上述のように、主剤および助剤の溶媒は、好ましくは同じであれば、１種でも、複数種でもよい。

本発明の被覆方法では、塗布空間における溶媒の蒸気圧の制御、および、塗布空間の温度の制御の、一方のみを行っても、基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を制御できる。
しかしながら、より好適に基板Ｚ上における主剤および助剤の温度を制御できる点では、塗布空間における溶媒の蒸気圧の制御、および、塗布空間の温度の制御の、両方を行うのが好ましい。

本発明の被覆方法においては、必要に応じて、塗布空間に搬入する基板Ｚの温度の制御を行ってもよい。
さらに、本発明の被覆方法においては、必要に応じて、第１塗布手段１４ａに供給する助剤の温度、および／または、第２塗布手段１４ｂに供給する主剤の温度の制御を行ってもよい。
基板Ｚ、助剤および主剤の温度制御における温度は、基本的に、上述した塗布空間の温度に準ずる。

塗布空間において助剤および主剤を、順次、塗布され、下地の形成部を被覆材で被覆された基板Ｚは、次いで、好ましい態様として、洗浄槽１６において、洗浄液１６ａに浸漬されて洗浄される。
これにより、基板Ｚに付着して余分な被覆材等の異物が除去される。特に、図示例のように、基板Ｚを下方に向かって搬送しつつ、助剤および主剤を、順次、塗布する場合には、上述のように、異物となる被覆材は重力によって下方に流されるので、洗浄槽１６における洗浄で、より好適に異物を除去できる。
また、この洗浄により、主剤と助剤との反応を停止するようにしてもよい。

洗浄液には、制限はなく、基板Ｚに塗布した主剤および助剤に応じて、適宜、選択すれば良い。
洗浄液としては、例えば、主剤および助剤の溶媒、主剤および助剤に含まれる成分を溶解可能な液体、主剤と助剤との反応を止める液体、ならびに、主剤および助剤を溶解しない無害な液体（例えば純水）等が例示される。

なお、下地の形成部を被覆材で被覆された基板Ｚの洗浄方法は、洗浄液１６ａへの浸漬に制限はされず、基板Ｚへの洗浄液の噴射による洗浄、気体の噴射による洗浄、および、洗浄液の拭き取り等、公知の方法が、各種、利用可能である。
なお、基板Ｚを被覆する被覆材によっては、塗布部１４で助剤および主剤を塗布した後、基板Ｚの洗浄ではなく、基板Ｚに塗布した主剤および助剤の乾燥、被覆材の光硬化、ならびに、被覆材の熱硬化等を行ってもよい。
これらの処理は、基板Ｚの洗浄に変えて行ってもよく、基板Ｚの洗浄の前に行ってもよく、基板Ｚの洗浄の後に行ってもよい。また、洗浄を含め、これらの処理は、複数を行ってもよい。

基板Ｚは、洗浄槽１６内に配置されたガイドローラ１８によって、搬送経路を折り返され、鉛直方向の上方に向かって搬送され、ガイドローラ２０によって、搬送方向を水平方向にされて、後段に配置される次工程に搬送される。
本発明の被覆方法によって、下地の形成部を被覆材で被覆された基板Ｚに施す次工程には、制限はない。次工程としては、例えば、同様の被覆装置、基板Ｚの巻き取り装置、保護層の形成装置、カレンダー処理装置、スリット装置、異物の除去装置、および、除塵装置等が例示される。

以上、本発明の被覆方法について詳細に説明したが、本発明は上記の態様に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々、改良や変更を行ってもよい。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、以下に示す具体例に限定されない。

［実施例１］
＜基板および下地の形成＞
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡社製、コスモシャインＡ４３００）を用意した。このＰＥＴフィルムを、２０×２０ｃｍの正方形に切断して、基板とした。
基板の一面の全面に、市販のスパッタリング装置を用いて、銀薄膜を形成し、下地とした。銀薄膜の厚さは１ｎｍ程度と推測される。

＜主剤および助剤の準備＞
３０ｍＭ（ｍｏｌ）の硝酸銀、１２０ｍＭのアンモニア水、および、１４０ｍＭのエチレンジアミンを、純水に溶解して、無電解銀メッキを行うための主剤を２００ｍＬ（リットル）、調製した。
また、１５０ｍＭのヒドラジンヒドラートを純水に溶解して、無電解銀メッキを行うための助剤を２００ｍＬ、調製した。

＜スプレー装置の準備＞
２流体スプレーのスプレーヘッド（アトマックス社製、ＡＭ６）を用意し、それぞれのスプレーヘッドに、市販の圧空装置（アズワン社製）およびダイヤフラムポンプ（タクミナ社製、ＱＩ－１００－６Ｔ－Ｐ－Ｓ）をＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のチューブ（φ６ｍｍ）で接続した。
ポンプからスプレーヘッドまでのＰＴＦＥ製のチューブにリボンヒーターを巻いて、液温が３０℃になるように調節した。
２流体スプレーのヘッドは、上段として水平方向に３個、上段よりも下方の下段として水平方向に３個を配置した。上段と下段との間隔は、後述するＸＹステージによる基板の搬送方向に１００ｍｍとした。
上段の３個のスプレーヘッドから、助剤が１ヘッドあたり１０ｍｌ／ｍｉｎ噴霧されるように調節した。また、下段の３個のスプレーヘッドから、主剤が１ヘッドあたり１０ｍｌ／ｍｉｎ噴霧されるように調節した。

＜基板の搬送手段＞
下地を形成した基板を、市販のＸＹステージに固定し、スプレー装置のスプレーヘッドと対向するように配置した。また、ＸＹステージは、基板を鉛直方向に下降できるように設置した。
スプレーヘッドと基板との距離は、上段および下段共に、７０ｍｍとした。

＜塗布空間＞
スプレーヘッドによって基板に主剤および助剤の塗布を行う空間（塗布空間）を、ケーシングで覆った（図４参照）。
ケーシングの内部に加熱加湿風を供給し、ケーシングの内部を、温度が３０℃、湿度が６０％ＲＨ（蒸気圧が飽和蒸気圧の６０％）となるように、雰囲気を調節した。

＜無電解銀メッキ＞
基板を鉛直方向の下方に０．５ｍ／ｍｉｎで移動させながら、上段のスプレーヘッドから助剤を、下段のスプレーヘッドから主剤を、それぞれ噴霧して、助剤および主剤の順番で、基板に塗布した。助剤および主剤の塗布量は、乾燥前の液体の塗布厚で３０μｍ程度となるように調節した。
助剤および主剤を、順次、塗布された基板を、３０秒間、放置し、液膜の流れが目視では止まる程度の状態になっていることを確認した。その後、基板を純水で洗浄し、反応を停止させることで、基板を無電解銀メッキで被覆した。
銀メッキの厚さは、１μｍであることを確認した。

［実施例２］
ＸＹステージによる基板の搬送方向を、鉛直方向に対して３０°の角度で下方に向かう方向とした以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。鉛直方向に対して３０°の角度で下方に向かう方向とは、水平方向に対して６０°の角度で下方に向かう方向である。

［実施例３］
ＸＹステージによる基板の搬送を、水平方向とした以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。

［実施例４］
ケーシングの内部の雰囲気を、温度２５℃、湿度２０％ＲＨ（蒸気圧が飽和蒸気圧の２０％）に変更した以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。

［実施例５］
基板に下地を形成する際に、幅５μｍで２００μｍ間隔のストライプ状の開口を有するマスクを用いて銀をスパッタリングし、次いで、ストライプが直交するようにマスクを配置して同様に銀をスパッタリングすることにより、メッシュ状の銀の下地を形成した。
この下地を形成した基板を用いた以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。

［実施例６］
２４．６ｇの硝酸銀、４６．２ｇの亜硫酸ナトリウム、および、４０．５ｇのチオ硫酸ナトリウムを、純水７００ｇに溶解して、無電解銀メッキを行うための主剤を調製した。
また、４７．５２ｇの亜硫酸ナトリウム、１４．４９ｇのメチルハイドロキノン、３９．６ｇの分散剤（東亞合成社製、Ｔ－５０）、８．２９ｇの炭酸カリウム、および、１．０７ｇの水酸化カリウムを、６００ｇの純水に溶解して、無電解銀メッキを行うための助剤を調製した。
この主剤および助剤を用いた以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。

［比較例１］
助剤と主剤との塗布順を逆にして、主剤を先に基板に塗布し、その後、助剤を基板に塗布した以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。
［比較例２］
下地（銀薄膜）を形成しない基板を用いた以外は、実施例１と同様にして、基板を無電解銀メッキで被覆した。下地を形成しない基板とは、通常のＰＥＴフィルムである。

［評価］
無電解銀メッキで被覆した基板について、導電性および表面性状を評価した。
＜導電性＞
無電解銀メッキを施した基板の表面抵抗を、抵抗率計（ロレスタＧＰ、日東精工アナリテック社製）用いて測定した。基板を被覆する銀メッキが緻密なほど、表面抵抗は低い。評価基準は以下のとおりである。
表面抵抗が５０Ω未満である場合をＡ、
表面抵抗が５０Ω以上１００Ω未満である場合をＢ、
表面抵抗が１００以上３００Ω未満である場合をＣ、
表面抵抗が３００Ω以上である場合をＤ、と評価した。

＜表面性状＞
光学顕微鏡を用いて、１０ｍｍ角の視野での欠陥（表面析出メッキ物）の数をカウントした。欠陥の計数は、任意の１０か所で行い、その平均値で評価した。評価基準は以下のとおりである。
欠陥数が５個未満である場合をＡ、
欠陥数が５個以上１０個未満である場合をＢ、
欠陥数が１０個以上５０個未満である場合をＣ
欠陥数が５０個以上である場合をＤ、と評価した。
結果を下記の表１に示す。

表１に示すように、本発明の被覆方法によれば、導電性が良好で、すなわち、緻密で、かつ、欠陥も少ない良好な表面性状を有する銀メッキで基板を被覆できる。
特に、実施例１～３に示されるように、基板の搬送方向を下方に向けることにより、気液界面で発生する基板に付着しないメッキ物が流れ落ち、より緻密で導電性が高く、かつ、表面性状が良好な銀メッキで基板を被覆できる。また、実施例１および実施例４に示されるように、塗布空間の湿度を５０％ＲＨ以上、すなわち飽和蒸気圧の５０％以上とすることにより、スプレーの気化熱による温度低下を起こさずに塗布することが可能となり、より緻密で導電性が高い銀メッキで基板を被覆できる。
また、実施例５に示されるように、本発明の被覆方法によれば、銀メッキをメッシュ状のパターンにしても、緻密で導電性が高く、かつ、表面性状が良好な銀メッキで基板を被覆できる。これにより、スプレー塗布にすることで、基板の形状に対してもロバスト性が高いことが分かる。さらに、実施例６に示されるように、本発明の被覆方法によれば、主剤および助剤の種類によらず、緻密で導電性が高く、かつ、表面性状が良好な銀メッキで基板を被覆できる。
これに対して、主剤を先に塗布し、助剤を後から塗布した比較例１では、緻密な銀メッキを形成できず導電性が低い。この理由は、基板上での反応よりも、めっき液と空気界面とのめっき反応の方が支配するからである。また、下地を形成しない比較例２も、緻密な銀メッキを形成できず導電性が低い。これも、先と同様に、基板での反応よりも、めっき液と空気の界面に反応が支配されることを示している。

［実施例７］
＜基板および下地の形成＞
ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、コスモシャインＡ４３００）を２０ｃｍ×２０ｃｍの正方形状に切り出して、基板とした。

基板の一面に、下地としてトリメトキシ（２－フェニルエチル）シラン膜を形成した。
まず、３ｍＬのバイアルビンに、トリメトキシ（２－フェニルエチル）シラン（東京化成社製）を１ｍＬ、入れた。
次いで、このバイアルビンと、形成した基板とを、１３０℃のオーブンに入れ３時間加熱した。これにより、バイアルビンの中のトリメトキシ（２－フェニルエチル）シランが蒸発し、基板の表面に下地としてトリメトキシ（２－フェニルエチル）シラン膜を形成した。膜の厚さは１ｎｍであった。

＜主剤および助剤の準備＞
アルコキシシランとして、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学社製、ＫＢＥ－４０３）と、テトラエトキシシラン（信越化学社製、ＫＢＥ－０４）とを用いた。まず、酸性水としての酢酸水溶液を４０℃で激しく攪拌しながら、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランを、この酢酸水溶液中に３分間かけて滴下した。なお、酢酸水溶液は、酢酸濃度が１質量％の酢酸水溶液である。次に、テトラエトキシシランを、酢酸水溶液中に強く攪拌しながら５分かけて添加し、その後、４０℃で、３時間攪拌を続けて、シラノール水溶液を調製した。
このシラノール水溶液を、ハードコートを形成するための主剤とした。

硬化剤（アルミキレート（川研ファインケミカル社製、アルミキレートＤ））と、界面活性剤（日油社製、ラピゾールａ９０、および、三洋化成工業社製、ナロアクティｃｌ－９５）とを、順次、酢酸水溶液に添加して、ハードコートを形成するための助剤を調製した。

主剤および助剤は、各２００ｍＬとして、応液Ａと反応液Ｂは各２００ｍＬとし、総量として４００ｍＬとした。
内訳として、総量の塗布液において、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランの添加量は６７．５質量部、テトラエトキシシランの添加量は２２．５質量部、硬化剤の添加量は９質量部、界面活性剤の添加量は１質量部（０．５質量部ずつ添加）、とした。

＜スプレー装置の準備＞
実施例１と同様のスプレー装置を準備した。
ただし、噴霧量は、上段の３個のスプレーヘッドから、助剤が１ヘッドあたり２０ｍｌ／ｍｉｎ噴霧されるように調節した。また、下段の３個のスプレーヘッドから、主剤が１ヘッドあたり５ｍｌ／ｍｉｎ噴霧されるように調節した。

＜基板の搬送手段＞
実施例１と同様の基板の搬送手段を準備した。

＜塗布空間＞
実施例１と同様に、スプレーヘッドによって基板に主剤および助剤の塗布を行う空間（塗布空間）の雰囲気を調節した。

＜ハードコートの形成＞
基板を鉛直方向の下方に０．５ｍ／ｍｉｎで移動させながら、上段のスプレーヘッドから助剤を、下段のスプレーヘッドから主剤を、それぞれ噴霧して、助剤および主剤の順番で、基板に塗布した。助剤および主剤の塗布量は、乾燥前の液体の塗布厚で２０μｍ程度となるように調節した。
助剤および主剤を、順次、塗布された基板を３０秒間放置し、液膜の流れが目視では止まる程度の状態になっていることを確認した。その後、１３０℃のオーブンで５分間、乾燥させて、基板をハードコートで被覆した。
ハードコートの厚さは、１μｍであることを確認した。

［実施例８］
ＸＹステージによる基板の搬送を、鉛直方向に対して３０°の角度で下方に向かう方向とした以外は、実施例７と同様に、基板をハードコートで被覆した。鉛直方向に対して３０°の角度で下方に向かう方向とは、水平方向に対して６０°の角度で下方に向かう方向である。

［実施例９］
ＸＹステージによる基板の搬送を、水平方向とした以外は、実施例７と同様に、基板をハードコートで被覆した。

［実施例１０］
ケーシングの内部の雰囲気を、温度が２５℃、湿度が２０％ＲＨ（蒸気圧が飽和蒸気圧の２０％）に変更した以外は、実施例７と同様に、基板をハードコートで被覆した。

［比較例３］
助剤と主剤との塗布順を逆にして、主剤を先に基板い塗布し、その後、助剤を基板に塗布した以外は、実施例７と同様に、基板をハードコートで被覆した。
［比較例４］
下地（トリメトキシ（２－フェニルエチル）シラン膜）を形成しない基板を用いた以外は、実施例７と同様に、基板をハードコートで被覆した。下地を形成しない基板とは、通常のＰＥＴフィルムである。

［評価］
ハードコートで被覆した基板について、ハードコート性および表面性状を評価した。
＜ハードコート性（鉛筆硬度）＞
ＪＩＳ Ｋ ５６００に準拠して、鉛筆硬度を測定した。鉛筆硬度が高いほど、ハードコートが緻密で、ハードコート性に優れている。
＜表面性状＞
実施例１等と同様に、表面性状を評価した。
結果を下記の表２に示す。

表２に示すように、本発明の被覆方法によれば、鉛筆硬度が高く、すなわち、緻密で、かつ、欠陥も少ない良好な表面性状を有するハードコートで基板を被覆できる。
特に、実施例７～９に示されるように、基板の搬送方向を下方に向けることにより、より緻密で鉛筆硬度が高く、かつ、表面性状が良好なハードコートで基板を被覆できる。この理由は、基板ではなく、気液界面で発生したハードコート材料起因の異物が除去されるからである。また、実施例７および実施例１０に示されるように、塗布空間の湿度を５０％ＲＨ以上、すなわち飽和蒸気圧の５０％以上とすることにより、より緻密で鉛筆硬度が高いハードコートで基板を被覆できる。この理由は、基板に着弾するスプレーの液の温度が気化熱によって下がらないからである。
これに対して、主剤を先に塗布し、助剤を後から塗布した比較例３では、緻密なハードコートを形成できず鉛筆硬度が低い。また、下地を形成しない比較例４も、緻密なハードコートを形成できず鉛筆硬度が低い。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。

各種の製品に用いられるシート状物おいて、装飾性、耐久性および導電性などの付与および向上手段として、好適に利用可能である。

１０ 被覆装置
１２，１８，２０ ガイドローラ
１４ 塗布部
１４ａ 第１塗布手段
１４ｂ 第２塗布手段
１６ 洗浄槽
１６ａ 洗浄液
３０ ケーシング
３２ 供給手段
３４ 排気手段
Ｚ 基板
ｈ 助剤
ｍ 主剤
ｒ 混合液

Claims (13)

1. 被覆材を含む主剤と、前記主剤の被覆材と反応する助剤とを反応させて、基板を前記被覆材で被覆する被覆方法であって、
   前記基板は、少なくとも一方の主面に前記被覆材を含む下地が形成されたものであり、前記基板を水平方向または下方に搬送しつつ、前記基板の前記下地の形成面に前記助剤を塗布し、その後、前記基板の前記下地の形成面に前記主剤を塗布して、前記主剤と助剤とを反応させ、前記基板の前記下地の形成部を前記被覆材で被覆することを特徴とする被覆方法。
2. 前記基板を鉛直方向の下方に搬送しつつ、前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する、請求項１に記載の被覆方法。
3. 前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する空間において、前記助剤および前記主剤の少なくとも一方に含まれる溶媒の蒸気圧を制御しつつ、前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する、請求項１または２に記載の被覆方法。
4. 前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する空間における前記溶媒の蒸気圧を、飽和蒸気圧の５０％以上にする、請求項３に記載の被覆方法。
5. 前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する空間に、前記溶媒を含む気体を導入する、請求項３または４に記載の被覆方法。
6. 前記助剤と前記主剤とで、同じ溶媒を用いる、請求項３～５のいずれか１項に記載の被覆方法。
7. 前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する空間の温度を制御しつつ、前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する、請求項１～６のいずれか１項に記載の被覆方法。
8. 前記主剤をスプレー塗布する、請求項１～７のいずれか１項に記載の被覆方法。
9. 前記助剤をスプレー塗布する、請求項１～８のいずれか１項に記載の被覆方法。
10. 前記基板の前記下地の形成部を前記被覆材で被覆した後、前記基板を洗浄する、請求項１～９のいずれか１項に記載の被覆方法。
11. 長尺な前記基板を連続的に搬送しつつ、前記基板に前記助剤および前記主剤を塗布する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の被覆方法。
12. 前記基板は両面に前記下地を有するものであり、前記助剤および前記主剤を、前記基板の両面に塗布する、請求項１～１１のいずれか１項に記載の被覆方法。
13. 前記下地が、前記基板の全面を覆う層状パターン、離間する複数の面状パターン、および、１本以上の線状パターンのいずれかである、請求項１～１２のいずれか１項に記載の被覆方法。