TW201706453A - 鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板 - Google Patents

鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板 Download PDF

Info

Publication number
TW201706453A
TW201706453A TW105113800A TW105113800A TW201706453A TW 201706453 A TW201706453 A TW 201706453A TW 105113800 A TW105113800 A TW 105113800A TW 105113800 A TW105113800 A TW 105113800A TW 201706453 A TW201706453 A TW 201706453A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
group
cerium oxide
oxide particles
plated
Prior art date
Application number
TW105113800A
Other languages
English (en)
Inventor
塚本直樹
成田岳史
Original Assignee
富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士軟片股份有限公司 filed Critical 富士軟片股份有限公司
Publication of TW201706453A publication Critical patent/TW201706453A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/16—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer formed of particles, e.g. chips, powder or granules
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

本發明的課題在於提供一種可形成視認性優異的導電性積層體、抗黏連性亦優異的鍍覆處理用積層體。另外，本發明的課題在於提供一種導電性積層體的製造方法、以及觸控面板感測器及觸控面板。本發明的鍍覆處理用積層體具有基材、形成於所述基材上的底塗層、以及形成於所述底塗層上的被鍍覆層形成用層，且所述底塗層含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。

Description

鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板
本發明是有關於一種鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板。
於基材上形成有包含金屬等的導電層（導電性細線）的導電性膜用於多種用途，尤其近年來，隨著觸控面板於行動電話及可攜式遊戲裝置等中的搭載率的上升，能進行多點檢測的靜電電容方式的觸控面板感測器用的導電性膜的需求急速擴大。
關於此種導電層的形成，例如提出有使用被鍍覆層的方法。 例如，於專利文獻1中提出有以下方法，即，將含有規定成分的被鍍覆層形成用組成物賦予至基板上，使用具有規定的圖案狀開口部的遮罩，對所形成的被鍍覆層形成用層以圖案狀進行能量賦予，形成圖案狀的被鍍覆層後，於所形成的圖案狀的被鍍覆層上實施鍍覆處理，藉此形成所期望的圖案狀的包含金屬層的導電層。 進而，於專利文獻1中揭示有以下內容，即，為了確保基板與被鍍覆層的密接，於基板與被鍍覆層之間形成密接輔助層。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-248464號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，將如專利文獻1所記載般的密接輔助層（以下亦稱為「底塗層」）形成於基材上後，於捲繞基材，或將基材裁斷而積層時，有時因底塗層而導致基材彼此貼附，產生所謂的黏連。 於使用此種基材在底塗層上形成其他層（被鍍覆層形成用層等）的情況下，若將貼附的基材彼此剝離，則有時底塗層遭受損傷。如此，於使用此種基材來製造導電性膜（以下亦稱為「導電性積層體」）的情況下，底塗層的刮傷顯眼，成為使視認性降低的原因。尤其，於應用於觸控面板式的顯示器等顯示裝置時，視認性的降低更顯著地顯現。
針對此種問題，例如考慮藉由使用含有二氧化矽粒子等填料等的底塗層來抑制黏連的產生的方法。然而，根據填料的種類而有時會損傷底塗層，或填料自身的粒狀感突出。如此，於應用於導電性積層體的情況下，刮傷或粒狀感顯眼，故成為視認性降低的原因。
因此，本發明的目的在於提供一種可形成視認性優異的導電性積層體、抗黏連性亦優異的鍍覆處理用積層體。 另外，本發明的目的亦在於提供一種導電性積層體的製造方法、以及觸控面板感測器及觸控面板。 [解決課題之手段]
本發明者對所述課題進行了努力研究，結果發現，藉由使用含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的底塗層，可獲得所期望的效果，從而完成了本發明。 即，本發明者發現，藉由以下構成可解決所述課題。
[1] 一種鍍覆處理用積層體，其具有基材、形成於基材上的底塗層、以及形成於所述底塗層上的被鍍覆層形成用層，且 所述底塗層含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。 [2] 如所述[1]所述的鍍覆處理用積層體，其中所述多種二氧化矽粒子含有：粒度分佈的峰值處於5 nm以上且未滿200 nm的範圍的第1二氧化矽粒子；以及粒度分佈的峰值處於200 nm以上且15 μm以下的範圍的第2二氧化矽粒子。 [3] 如所述[2]所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第1二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值處於5 nm以上且80 nm以下的範圍。 [4] 如所述[2]或[3]所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第2二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值處於250 nm以上且10 μm以下的範圍。 [5] 如所述[2]～[4]中任一項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第2二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值中的粒徑的值大於所述被鍍覆層形成用層的膜厚。 [6] 如所述[2]～[5]中任一項所述的鍍覆處理用積層體，其中相對於所述底塗層的總質量，所述第1二氧化矽粒子的含量為0.5質量%～10質量%。 [7] 如所述[2]～[6]中任一項所述的鍍覆處理用積層體，其中於所述基材的形成有所述底塗層的面的每單位面積，所述第2二氧化矽粒子的含量為0.05 mg/m2 ～0.4 mg/m2 。 [8] 如所述[1]～[7]中任一項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述被鍍覆形成用層含有聚合起始劑、與以下的化合物X或組成物Y， 化合物X：具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基、及聚合性基的化合物； 組成物Y：含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的化合物、及具有聚合性基的化合物的組成物。 [9] 一種導電性積層體的製造方法，其包括： 對如所述[1]～[8]中任一項所述的鍍覆處理用積層體中的所述被鍍覆層形成用層以圖案狀實施曝光處理，而形成圖案狀被鍍覆層的步驟；以及 將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至所述圖案狀被鍍覆層，對賦予有所述鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，而將金屬層形成於所述圖案狀被鍍覆層上的步驟。 [10] 一種觸控面板感測器，其含有利用如所述[9]所述的製造方法而得的導電性積層體。 [11] 一種觸控面板，其含有利用如所述[9]所述的製造方法而得的導電性積層體。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種可形成視認性優異的導電性積層體、抗黏連性亦優異的鍍覆處理用積層體。 另外，本發明亦可提供一種導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板。
以下，對本發明的鍍覆處理用積層體進行說明。 此外，本發明中使用「～」所表示的數值範圍是指含有「～」的前後所記載的數值作為下限值以及上限值的範圍。
[鍍覆處理用積層體] 本發明的鍍覆處理用積層體具有基材、形成於所述基材上的底塗層、以及形成於所述底塗層上的被鍍覆層形成用層。另外，所述底塗層含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。 根據本發明的鍍覆處理用積層體，藉由具有含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的底塗層，可獲得抗黏連性優異的鍍覆處理用積層體，進而使用其所製造的導電性積層體的視認性優異。詳細的理由仍未明確，認為藉由多種二氧化矽粒子相輔相成地作用，可獲得此種效果。
尤其，如後述般，藉由具有含有粒度分佈的峰值中的粒徑小的第1二氧化矽粒子、與粒度分佈的峰值中的粒徑大的第2二氧化矽粒子的底塗層，可進一步發揮該效果。 即，第2二氧化矽粒子可於底塗層及鍍覆處理用積層體的表面形成凹凸，故可抑制形成被鍍覆層形成用層之前的形成有底塗層的基材彼此的貼附、或形成被鍍覆層形成用層之後的鍍覆處理用積層體彼此的貼附，從而可提高抗黏連性。然而，第2二氧化矽粒子的粒狀感顯眼，因此形成導電性積層體時的視認性降低。 另一方面，第1二氧化矽粒子的提高抗黏連性的效果低，但不存在使粒狀感顯眼的情況，進而藉由位於第2二氧化矽粒子之間，可增加底塗層的強度。另外，導電性積層體的一部分存在底塗層為表面的情況，因含有第2二氧化矽粒子故可抑制底塗層的刮傷的產生。其結果為，可提高形成導電性積層體時的視認性。 因而，認為藉由具有含有第1二氧化矽粒子及第2二氧化矽粒子的底塗層，兩種二氧化矽粒子的功能相輔相成地作用，可進一步發揮所述效果。
以下，參照圖式來對本發明的鍍覆處理用積層體進行說明。 圖1為表示本發明的鍍覆處理用積層體的一實施形態的部分剖面圖。如圖1所示般，鍍覆處理用積層體1具有基材10、形成於基材10上的底塗層20、以及形成於底塗層20上的被鍍覆層形成用層30。
＜＜基材＞＞ 基材10的種類並無特別限制，例如可列舉絕緣基板，更具體而言，可使用樹脂基板（尤其是膜）、陶瓷基板、玻璃基板等，較佳為樹脂基板，且較佳為膜。 基材10可為單片（切片），亦可為長條狀（連續體），就製造效率的觀點而言，較佳為長條狀，更佳為長條狀的膜。 基材10的厚度（mm）並無特別限制，就操作性及薄型化的平衡的觀點而言，較佳為0.01 mm～1 mm，更佳為0.02 mm～0.5 mm。 另外，基材10較佳為適當地透過光。具體而言，基材10的總光線透過率較佳為85%～100%。 於使用膜作為基材10的情況下，可使用延伸的膜，亦可使用未延伸的膜。另外，於使用延伸的膜的情況下，可在形成底塗層20之前進行延伸，亦可在形成底塗層20後進行延伸。
＜＜底塗層＞＞ 底塗層20如上所述，含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。 於本說明書中所謂「粒度分佈互不相同的粒子」，是指於粒度分佈曲線（通常在橫軸表示粒徑且縱軸表示粒子存在比例的座標平面上表示）中粒度分佈的峰值的位置不同。例如，於使用粒度分佈互不相同的兩種粒子的情況下，於底塗層中的粒子的粒度分佈曲線中，並非獲得具有單一峰值的粒度分佈，而是獲得兩種粒度分佈的峰值。更具體而言，於使用後述的第1二氧化矽粒子及第2二氧化矽粒子的情況下，於5 nm以上且未滿200 nm處觀測到一個峰值，於200 nm以上且15 μm以下觀測到另一個峰值。 於本發明中底塗層20中的二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值是藉由以下方式而求出，即，自利用穿透式電子顯微鏡（transmission electron microscope，TEM）來觀察底塗層20的剖面時所顯現的二氧化矽粒子中，選擇至少一百個以上的二氧化矽粒子，製成將橫軸設為各二氧化矽粒子的粒徑（直徑）、縱軸設為具有其粒徑的二氧化矽粒子的數量（存在比例）的粒徑-頻度關係圖。
所述多種二氧化矽粒子較佳為含有粒度分佈的峰值處於5 nm以上且未滿200 nm的範圍的第1二氧化矽粒子、以及粒度分佈的峰值處於200 nm以上且15 μm以下的範圍的第2二氧化矽粒子。藉此，鍍覆處理用積層體1的抗黏連性及導電性積層體的視認性更優異。 為了將多種二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值設為所述各範圍，例如只要將平均粒徑處於5 nm以上且未滿200 nm的範圍的二氧化矽粒子用作第1二氧化矽粒子，將平均粒徑處於200 nm以上且15 μm以下的範圍的二氧化矽粒子用作第2二氧化矽粒子來形成底塗層即可。 此外，此處所述的用作底塗層的原料的二氧化矽粒子的平均粒徑為藉由TEM觀察來測定至少一百個以上的二氧化矽粒子的粒徑（直徑）並將該些進行算術平均而得的值。
於圖1的例子中示出底塗層20含有粒度分佈的峰值為5 nm以上且未滿200 nm的第1二氧化矽粒子22、以及粒度分佈的峰值為200 nm以上且15 μm以下的第2二氧化矽粒子24。
第1二氧化矽粒子22的粒度分佈的峰值較佳為5 nm以上且未滿200 nm，更佳為5 nm以上且80 nm以下，進而佳為10 nm以上且80 nm以下。 藉由第1二氧化矽粒子22的粒度分佈的峰值處於所述範圍內，第1二氧化矽粒子22的粒狀感不易顯眼，且進一步提高底塗層20的強度，藉此可進一步抑制底塗層20的損傷的產生。
相對於底塗層20的總質量，第1二氧化矽粒子22的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.2質量%～15質量%，進而佳為0.5質量%～10質量%。藉由為0.1質量%以上，作為耐刮傷性而獲得充分的強度，藉由為20質量%以下，可抑制因凝聚而導致第1二氧化矽粒子的粒狀感顯眼的情況。 第1二氧化矽粒子22的含量例如可根據於形成底塗層20時使用的底塗層形成用組成物（後述）中所含的第1二氧化矽粒子22的含量來算出。
第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值較佳為200 nm以上且15 μm以下，更佳為250 nm以上且10 μm以下。 藉由第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值為200 nm以上，可進一步提高鍍覆處理用積層體1的抗黏連性。藉由第2二氧化矽粒子24的平均粒徑為15 μm以下，可抑制第2二氧化矽粒子24自底塗層20脫落的情況，或可抑制第2二氧化矽粒子24的粒狀感顯眼的情況。
於基材10的形成有底塗層20的面的每單位面積，第2二氧化矽粒子24的含量較佳為0.01 mg/m2 ～1 mg/m2 ，更佳為0.02 mg/m2 ～0.8 mg/m2 ，進而佳為0.05 mg/m2 ～0.4 mg/m2 。藉由為0.01 mg/m2 以上，存在鍍覆處理用積層體1的抗黏連性進一步提高的傾向，藉由為1 mg/m2 以下，可抑制第2二氧化矽粒子24的粒狀感顯眼的情況。 第2二氧化矽粒子24的含量例如可根據於形成底塗層20時使用的底塗層形成用組成物（後述）中所含的第2二氧化矽粒子24的含量與底塗層20的塗佈膜厚來算出。
第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值中的粒徑較佳為大於後述的被鍍覆層形成用層30的膜厚。即，較佳為0＜（第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值中的粒徑）-（被鍍覆層形成用層30的膜厚），更佳為0.1 μm≤（第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值中的粒徑）-（被鍍覆層形成用層30的膜厚）≤20 μm，進而佳為0.2 μm≤（第2二氧化矽粒子24的粒度分佈的峰值中的粒徑）-（被鍍覆層形成用層30的膜厚）≤10 μm。藉此，進一步提高鍍覆處理用積層體的抗黏連性。
底塗層20較佳為含有樹脂。藉由含有樹脂，可使底塗層20的硬化性良好，或使對基材10的密接性良好。 此種樹脂並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、氯乙烯樹脂、環氧樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂、聚碳酸酯樹脂、苯氧基樹脂、萜烯樹脂、及酚樹脂等。該些樹脂可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。 相對於底塗層20的總質量，樹脂的含量較佳為30質量%～99質量%，更佳為40質量%～98質量%。
亦可於底塗層20中含有所述以外的成分，例如亦可含有增感劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、所述二氧化矽粒子以外的填料、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、及塑化劑等。
底塗層20的厚度並無特別限制，通常較佳為0.01 μm～10 μm，更佳為0.05 μm～2 μm，進而佳為0.05 μm～1 μm。
＜底塗層形成用組成物＞ 底塗層20較佳為使用含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的底塗層形成用組成物而形成。以下，對底塗層形成用組成物中所含的成分、及可含有的成分進行說明。
（二氧化矽粒子） 底塗層形成用組成物含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。 相對於底塗層形成用組成物，粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的含量（固體成分量）較佳為0.007質量%～1.4質量%，更佳為0.015質量%～1.0質量%，進而佳為0.035質量%～0.7質量%。
作為粒度分佈不同的二氧化矽粒子，如上所述，較佳為使用平均粒徑為5 nm以上且未滿200 nm的第1二氧化矽粒子、以及平均粒徑為300 nm以上且10 μm以下的第2二氧化矽粒子。 相對於底塗層形成用組成物，第1二氧化矽粒子的含量（固體成分量）較佳為0.006質量%～1.2質量%，更佳為0.012質量%～0.9質量%，進而佳為0.3質量%～0.6質量%。藉由為0.06質量%以上，作為耐刮傷性而獲得充分的強度，藉由為0.6質量%以下，可抑制因凝聚而導致第1二氧化矽粒子的粒狀感顯眼的情況。 相對於底塗層形成用組成物，第2二氧化矽粒子的含量（固體成分量）較佳為0.0006質量%～0.12質量%，更佳為0.0012質量%～0.09質量%，進而佳為0.03質量%～0.06質量%。藉由為0.006質量%以上，可抑制基材彼此的黏附，藉由為0.06質量%以下，可抑制因凝聚而導致第2二氧化矽粒子的粒狀感顯眼的情況。
本態樣中示出了含有平均粒徑互不相同的兩種二氧化矽粒子的情況，但亦可含有平均粒徑互不相同的三種以上的二氧化矽粒子。 關於所述二氧化矽粒子，可以粉末狀態使用，亦可添加在各種溶媒中分散的狀態的二氧化矽粒子。
作為平均粒徑互不相同的二氧化矽粒子，可使用市售品，例如可列舉：斯諾特（Snowtex）O-40、CM、20L、OL、XL、ZL、及MP-2040（以上均為日產化學工業公司製造的商品名），艾羅西爾（AEROSIL）OX 50、90、130、200、及380（以上均為日本艾羅西爾（AEROSIL）公司製造的商品名），西卡斯特（sicastar）1 μm、5 μm、及10 μm（以上均為考福隆特（Corefront）股份有限公司製造的商品名），以及希豪斯特（seahostar）KE-P10、KE-P30、KE-P50、KE-P100、KE-P150、及KE-P250（以上均為日本觸媒公司製造的商品名）等。
（樹脂） 底塗層形成用組成物較佳為含有樹脂。樹脂為進行硬化而形成皮膜的成分。樹脂的具體例如上所述，故省略其說明。 作為樹脂，可使用以溶解於溶媒中的狀態存在的溶液型、及樹脂成為粒子狀而分散的乳液型（乳膠型）等任一形態的樹脂。 相對於底塗層形成用組成物的總質量，樹脂的含量（固體成分量）較佳為0.5質量%～30質量%，更佳為1質量%～20質量%。
（溶媒） 底塗層形成用組成物較佳為含有溶媒。溶媒為於形成底塗層20時蒸發或飛散的成分。 作為溶媒，可列舉水及有機溶媒。作為有機溶媒，例如可列舉：甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、及醚類等。該些溶媒可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 相對於底塗層形成用組成物的總質量，含有溶媒時的含量較佳為50質量%～99質量%，更佳為70質量%～98質量%。
（交聯劑） 底塗層形成用組成物亦可含有交聯劑。藉此，可提高底塗層的密接性及耐摩擦性。 作為交聯劑，例如可列舉：噁唑啉系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、及三聚氰胺系交聯劑（C3 N6 H6 ）等。交聯劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 相對於底塗層形成用組成物的總質量，含有交聯劑時的含量（固體成分量）較佳為0.05質量%～30質量%，更佳為0.1質量%～20質量%。
（界面活性劑） 底塗層形成用組成物亦可含有界面活性劑。 作為界面活性劑，可使用氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、及矽酮系界面活性劑等各種界面活性劑。界面活性劑可僅使用一種，亦可組合使用兩種以上。 相對於底塗層形成用組成物的總質量，含有界面活性劑時的含量（固體成分量）較佳為0.001質量%～5質量%，更佳為0.002質量%～3質量%。
（其他成分） 底塗層形成用組成物亦可含有所述以外的其他成分。作為此種其他成分，例如可列舉：觸媒、增感劑、抗氧化劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、所述二氧化矽粒子以外的填料、阻燃劑、潤滑劑、及塑化劑等。
底塗層形成用組成物的製造方法並無特別限定，可藉由將所述各成分混合、攪拌而獲得。另外，亦可將各成分攪拌後利用過濾器等進行過濾。
＜＜被鍍覆層形成用層＞＞ 被鍍覆層形成用層30為藉由後述的曝光處理而成為被鍍覆層（圖案狀的被鍍覆層）的層。 被鍍覆層形成用層30的厚度並無特別限制，較佳為0.01 μm～20 μm，更佳為0.1 μm～10 μm，進而佳為0.1 μm～5 μm。
被鍍覆層形成用層30較佳為至少含有聚合起始劑、及以下的化合物X或組成物Y。更具體而言，被鍍覆層形成用層30可為含有聚合起始劑與化合物X的層，亦可為含有聚合起始劑與組成物Y的層。 化合物X：具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基（以後亦簡稱為「相互作用性基」）、及聚合性基的化合物 組成物Y：含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的化合物、及具有聚合性基的化合物的組成物 以下，對被鍍覆層形成用層30中所含的材料進行詳細敘述。
（聚合起始劑） 聚合起始劑並無特別限制，可使用公知的聚合起始劑（所謂的光聚合起始劑）等。作為聚合起始劑的例子，可列舉：二苯甲酮類、苯乙酮類、α-胺基苯烷基酮類、安息香類、酮類、硫雜蒽酮類、苯偶醯類、苯偶醯縮酮類、肟酯類、蒽酮（anthrone）類、一硫化四甲基秋蘭姆類、雙醯基氧化膦類、醯基氧化膦類、蒽醌類、偶氮化合物等及其衍生物。
被鍍覆層形成用層30中的聚合起始劑的含量並無特別限制，就被鍍覆層的硬化性的觀點而言，相對於被鍍覆層形成用層30的總質量，較佳為0.01質量%～5質量%，更佳為0.1質量%～3質量%。
（化合物X） 化合物X為具有相互作用性基與聚合性基的化合物。 所謂相互作用性基，是指可與賦予至圖案狀被鍍覆層的鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基，例如可使用：能與鍍覆觸媒或其前驅物形成靜電相互作用的官能基、或者能與鍍覆觸媒或其前驅物形成配位的含氮官能基、含硫官能基、或含氧官能基等。 作為相互作用性基，更具體而言，可列舉：胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、脒基、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、含有烷基胺結構的基、含有異三聚氰酸結構的基、硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、及氰酸酯基等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、羧酸基、碳酸酯基、羰基、酯基、含有N-氧化物結構的基、含有S-氧化物結構的基、及含有N-羥基結構的基等含氧官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、三聚硫氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚（thioether）基、硫氧基、亞碸基、碸基、硫醚（sulfite）基、含有磺醯亞胺結構的基、含有氧化鋶鹽結構的基、磺酸基、及含有磺酸酯結構的基等含硫官能基；膦酸酯基、磷醯胺基、膦基、及含有磷酸酯結構的基等含磷官能基；以及含有氯、及溴等鹵素原子的基等，於可採取鹽結構的官能基中亦可使用該些的鹽。 其中，就極性高、對鍍覆觸媒或其前驅物等的吸附能力高的方面而言，特佳為羧酸基、磺酸基、磷酸基、及硼酸基等離子性極性基，醚基，或氰基，進而佳為羧酸基（羧基）或氰基。 亦可於化合物X中含有兩種以上的相互作用性基。
聚合性基為藉由能量賦予而可形成化學鍵的官能基，例如可列舉自由基聚合性基及陽離子聚合性基等。其中，就反應性更優異的觀點而言，較佳為自由基聚合性基。作為自由基聚合性基，例如可列舉：丙烯酸酯基（丙烯醯氧基）、甲基丙烯酸酯基（甲基丙烯醯氧基）、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、及馬來酸酯基等不飽和羧酸酯基，苯乙烯基，乙烯基，丙烯醯胺基，及甲基丙烯醯胺基等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、及甲基丙烯醯胺基，更佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基及苯乙烯基。 亦可於化合物X中含有兩種以上的聚合性基。另外，化合物X中所含的聚合性基的數量並無特別限制，可為一個，亦可為兩個。
所述化合物X可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。低分子化合物是指分子量未滿1000的化合物，所謂高分子化合物，是指分子量為1000以上的化合物。 此外，所謂具有所述聚合性基的低分子化合物，相當於所謂的單體（單量體）。另外，所謂高分子化合物亦可為具有規定的重複單元的聚合物。 另外，化合物可僅使用一種，亦可倂用兩種以上。
於所述化合物X為聚合物的情況下，聚合物的重量平均分子量並無特別限制，就溶解性等操作性更優異的觀點而言，較佳為1000以上且70萬以下，進而佳為2000以上且20萬以下。尤其，就聚合感度的觀點而言，較佳為20000以上。 具有此種聚合性基及相互作用性基的聚合物的合成方法並無特別限制，可使用公知的合成方法（參照日本專利公開2009-280905號的段落[0097]～段落[0125]）。
（聚合物的較佳態樣1） 作為聚合物的第一較佳態樣，可列舉含有下述式（a）所表示的具有聚合性基的重複單元（以下亦適宜地稱為聚合性基單元）、及下述式（b）所表示的具有相互作用性基的重複單元（以下亦適宜地稱為相互作用性基單元）的共聚物。
[化1]
所述式（a）及式（b）中，R1 ～R5 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基（例如甲基、乙基、丙基、丁基等）。此外，取代基的種類並無特別限制，可列舉：甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等。 此外，R1 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R2 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R3 較佳為氫原子。R4 較佳為氫原子。R5 較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。
所述式（a）及式（b）中，X、Y、及Z分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基可列舉：經取代或未經取代的二價脂肪族烴基（較佳為碳數1～8。例如亞甲基、伸乙基、及伸丙基等伸烷基）、經取代或未經取代的二價芳香族烴基（較佳為碳數6～12。例如伸苯基）、-O-、-S-、-SO2 -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或者將該些組合而成的基（例如伸烷氧基、伸烷氧基羰基、及伸烷基羰氧基等）等。
就聚合物的合成容易，金屬層的密接性更優異的觀點而言，X、Y、及Z較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價芳香族烴基，更佳為單鍵、酯基（-COO-）、或醯胺基（-CONH-）。
所述式（a）及式（b）中，L1 及L2 分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。作為二價有機基的定義，與所述X、Y、及Z中所述的二價有機基相同。 就聚合物的合成容易，金屬層的密接性更優異的觀點而言，L1 較佳為脂肪族烴基、或者具有胺基甲酸酯鍵或脲鍵的二價有機基（例如脂肪族烴基），其中，較佳為總碳數1～9者。此外，此處所謂L1 的總碳數，是指L1 所表示的經取代或未經取代的二價有機基中所含的總碳原子數。
另外，就金屬層的密接性更優異的觀點而言，L2 較佳為單鍵、或二價脂肪族烴基、二價芳香族烴基、或者將該些組合而成的基。其中，L2 較佳為單鍵、或者總碳數為1～15，特佳為未經取代。此外，此處所謂L2 的總碳數，是指L2 所表示的經取代或未經取代的二價有機基中所含的總碳原子數。
所述式（b）中，W表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上所述。
就抑制反應性（硬化性、聚合性）及合成時的凝膠化的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述聚合性基單元的含量較佳為5莫耳%～50莫耳%，更佳為5莫耳%～40莫耳%。 另外，就對鍍覆觸媒或其前驅物的吸附性的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，所述相互作用性基單元的含量較佳為5莫耳%～95莫耳%，更佳為10莫耳%～95莫耳%。
（聚合物的較佳態樣2） 作為聚合物的第二較佳態樣，可列舉含有下述式（A）、式（B）、及式（C）所表示的重複單元的共聚物。
[化2]
式（A）所表示的重複單元與所述式（a）所表示的重複單元相同，各基的說明亦相同。 式（B）所表示的重複單元中的R5 、X及L2 與所述式（b）所表示的重複單元中的R5 、X及L2 相同，各基的說明亦相同。 式（B）中的Wa表示除後述的V所表示的親水性基或其前驅物基以外的與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的基。其中，較佳為氰基、或醚基。
式（C）中，R6 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。 式（C）中，U表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述X、Y及Z所表示的二價有機基相同。就聚合物的合成容易，金屬層的密接性更優異的觀點而言，U較佳為單鍵、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、醚基（-O-）、或者經取代或未經取代的二價芳香族烴基。 式（C）中，L3 表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與所述L1 及L2 所表示的二價有機基相同。就聚合物的合成容易，金屬層的密接性更優異的觀點而言，L3 較佳為單鍵、或二價脂肪族烴基、二價芳香族烴基、或者將該些組合而成的基。
式（C）中，V表示親水性基或其前驅物基。所謂親水性基，只要為顯示親水性的基則並無特別限定，例如可列舉羥基及羧酸基等。另外，所謂親水性基的前驅物基，是指藉由規定的處理（例如利用酸或鹼的處理）而生成親水性基的基，例如可列舉經2-四氫吡喃基（tetrahydropyranyl，THP）保護的羧基等。 就與鍍覆觸媒或其前驅物的相互作用的觀點而言，親水性基較佳為離子性極性基。作為離子性極性基，具體而言，可列舉：羧酸基、磺酸基、磷酸基、及硼酸基。其中，就適度的酸性（不分解其他官能基）的觀點而言，較佳為羧酸基。
所述聚合物的第二較佳態樣中的各單元的較佳含量如下所示。 就抑制反應性（硬化性、聚合性）及合成時的凝膠化的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（A）所表示的重複單元的含量較佳為5莫耳%～50莫耳%，更佳為5莫耳%～30莫耳%。 就對鍍覆觸媒或其前驅物的吸附性的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（B）所表示的重複單元的含量較佳為5莫耳%～75莫耳%，更佳為10莫耳%～70莫耳%。 就利用水溶液的顯影性或耐濕密接性的觀點而言，相對於聚合物中的所有重複單元，式（C）所表示的重複單元的含量較佳為10莫耳%～70莫耳%，更佳為20莫耳%～60莫耳%，進而佳為30莫耳%～50莫耳%。
作為所述聚合物的具體例，例如可列舉：日本專利特開2009-007540號公報的段落[0106]～段落[0112]中所記載的聚合物、日本專利特開2006-135271號公報的段落[0065]～段落[0070]中所記載的聚合物、及US2010-080964號的段落[0030]～段落[0108]中所記載的聚合物等。 該聚合物可利用公知的方法（例如所述列舉的文獻中的方法）來製造。
（單體的較佳態樣） 於所述化合物為所謂的單體的情況下，可列舉式（X）所表示的化合物作為較佳態樣之一。
[化3]
式（X）中，R11 ～R13 分別獨立地表示氫原子、或者經取代或未經取代的烷基。作為未經取代的烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、及丁基。另外，作為經取代的烷基，可列舉：經甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代的甲基、乙基、丙基、丁基。此外，R11 較佳為氫原子、或甲基。R12 較佳為氫原子。R13 較佳為氫原子。
L10 表示單鍵、或二價有機基。二價有機基可列舉：經取代或未經取代的脂肪族烴基（較佳為碳數1～8）、經取代或未經取代的芳香族烴基（較佳為碳數6～12）、-O-、-S-、-SO2 -、-N(R)-（R：烷基）、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或者將該些組合而成的基（例如伸烷氧基、伸烷氧基羰基、及伸烷基羰氧基等）等。 作為經取代或未經取代的脂肪族烴基，較佳為亞甲基、伸乙基、伸丙基、或伸丁基、或者該些基經甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等取代而成者。 作為經取代或未經取代的芳香族烴基，較佳為未經取代的伸苯基、或者經甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等所取代的伸苯基。 式（X）中，作為L10 的較佳態樣之一，可列舉：-NH-脂肪族烴基-、或-CO-脂肪族烴基-。
W的定義與式（b）中的W的定義相同，表示相互作用性基。相互作用性基的定義如上所述。 式（X）中，W的較佳態樣可列舉離子性極性基，更佳為羧酸基。
（組成物Y） 組成物Y為含有具有相互作用性基的化合物、以及具有聚合性基的化合物的組成物。即，被鍍覆層形成用層30含有具有相互作用性基的化合物、及具有聚合性基的化合物這兩種。相互作用性基及聚合性基的定義如上所述。 所謂具有相互作用性基的化合物為具有相互作用性基的化合物。相互作用性基的定義如上所述。作為此種化合物，可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。作為具有相互作用性基的化合物的較佳態樣，可列舉具有所述式（b）所表示的重複單元的高分子（例如聚丙烯酸）。此外，於具有相互作用性基的化合物中不含有聚合性基。 所謂具有聚合性基的化合物為所謂的單體，就所形成的被鍍覆層的硬度更優異的觀點而言，較佳為具有兩個以上的聚合性基的多官能單體。所謂多官能單體，具體而言，較佳為使用具有2個～6個聚合性基的單體。就對反應性造成影響的交聯反應中的分子的運動性的觀點而言，所使用的多官能單體的分子量較佳為150～1000，進而佳為200～700。另外，存在多個的聚合性基彼此的間隔（距離）較佳為以原子數計為1～15，更佳為6～10。 於具有聚合性基的化合物中亦可含有相互作用性基。
作為具有聚合性基的化合物的較佳態樣之一，可列舉以下式（1）所表示的化合物。
[化4]
式（1）中，R20 表示聚合性基。 L表示單鍵、或二價有機基。二價有機基的定義如上所述。 Q表示n價有機基。作為n價有機基，可列舉包含下述式（1A）所表示的基、下述式（1B）所表示的基、
[化5]
可列舉-NH-、-NR（R：烷基）-、-O-、-S-、羰基、伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸環烷基、芳香族基、雜環基、以及將該些組合兩種以上而成的基的n價有機基作為較佳例。 n表示2以上的整數，較佳為2～6。 此外，具有相互作用性基的化合物與具有聚合性基的化合物的質量比（具有相互作用性基的化合物的質量/具有聚合性基的化合物的質量）並無特別限制，就所形成的被鍍覆層的強度以及鍍覆適應性的平衡的觀點而言，較佳為0.1～10，更佳為0.5～5。
被鍍覆層形成用層30中的化合物X（或組成物Y）的含量並無特別限制，相對於被鍍覆層形成用層30的總質量，較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上。上限並無特別限制，較佳為99.5質量%以下。
亦可於被鍍覆層形成用層30中含有所述聚合起始劑、化合物X、組成物Y以外的成分。 例如，亦可於被鍍覆層形成用層30中含有單體（其中，所述式（X）或式（1）所表示的化合物除外）。藉由含有單體，可適宜地控制被鍍覆層中的交聯密度等。 所使用的單體並無特別限制，例如，作為具有加成聚合性的化合物可列舉具有乙烯性不飽和鍵的化合物等，作為具有開環聚合性的化合物可列舉具有環氧基的化合物等。其中，就提高被鍍覆層中的交聯密度的觀點而言，較佳為使用多官能單體。所謂多官能單體，是指具有兩個以上聚合性基的單體。具體而言，較佳為使用具有2個～6個聚合性基的單體。
亦可於被鍍覆層形成用層30中視需要添加其他添加劑（例如增感劑、硬化劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、抗靜電劑、填料、粒子、阻燃劑、界面活性劑、潤滑劑、以及塑化劑等）。
作為其他被鍍覆層的形態，亦可將至少含有金屬微粒子的觸媒油墨以圖案狀形成於基材上後，將基材浸漬於無電解鍍覆浴中，從而形成金屬鍍覆膜。更具體而言，可參考國際公開第2012/141216號或日本專利特開2008-300724號公報中記載的觸媒油墨的製造方法。
[鍍覆處理用積層體的製造方法] 本發明的鍍覆處理用積層體的製造方法具有：將所述底塗層形成於所述基材上的步驟；以及將所述被鍍覆層形成用層形成於所述底塗層上的步驟。 圖2A及圖2B為表示本發明的鍍覆處理用積層體的製造方法的一例的圖。以下，參照圖2A及圖2B來對每個步驟進行詳細說明。
＜底塗層的形成步驟＞ 如圖2A所示，將底塗層20形成於基材10上。 底塗層20的形成方法並不限定於此，例如可列舉將所述底塗層形成用組成物塗佈於基材10上的方法。 底塗層形成用組成物的塗佈具體而言，可使用凹版印刷塗佈機、缺角輪塗佈機、棒塗機、浸漬塗佈、旋塗機、刮刀式塗佈機、模塗機、或輥塗機等來進行。 就製造效率的觀點而言，底塗層20的形成較佳為藉由輥對輥來進行。由於底塗層20的抗黏連性優異，故可達成由輥對輥帶來的製造的效率化，並且亦可減少鍍覆處理用積層體1的貼附的產生。 此外，底塗層20的形成方法並不限定於所述方法，例如亦可利用使用所述底塗層形成用組成物預先形成片狀的底塗層20，並將其與基材10貼合的方法。
亦可於塗佈底塗層形成用組成物後，視需要進行將溶媒等去除的乾燥處理。乾燥處理的條件並無特別限制，就生產性更優異的觀點而言，較佳為於室溫～220℃（較佳為50℃～120℃）下實施1分鐘～30分鐘（較佳為1分鐘～10分鐘）。
就提高底塗層形成用組成物的密接性等觀點而言，亦可於形成底塗層20之前進行基材10的表面處理。或者，作為基材10，亦可使用預先實施了表面處理者。 作為表面處理，例如可列舉：藥品處理、機械處理、電暈放電處理、火焰處理、紫外線處理、高頻處理、輝光放電處理、活性電漿處理、雷射處理、混酸處理、及臭氧酸處理等表面活性處理。
＜被鍍覆層形成用層的形成步驟＞ 如圖2B所示，將被鍍覆層形成用層30形成於所述底塗層20上。 形成被鍍覆層形成用層30的步驟並無特別限制，可列舉：將含有所述各種成分的組成物塗佈於所述底塗層20上而形成被鍍覆層形成用層30的方法（塗佈法），以及將被鍍覆層形成用層30形成於臨時基材上，並轉印至底塗層20上的方法（轉印法）等。其中，就容易控制厚度的觀點而言，較佳為塗佈法。 以如上方式獲得本發明的鍍覆處理用積層體1。 以下，對塗佈法的態樣進行詳細敘述。
於塗佈法所使用的組成物中至少含有所述聚合起始劑、及化合物X或組成物Y。亦可視需要含有所述其他成分。 此外，就操作性的觀點而言，較佳為於組成物中含有溶劑。 可使用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：水；甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、甘油、及丙二醇單甲醚等醇系溶劑；乙酸等酸；丙酮、甲基乙基酮、及環己酮等酮系溶劑；甲醯胺、二甲基乙醯胺、及N-甲基吡咯啶酮等醯胺系溶劑；乙腈、及丙腈等腈系溶劑；乙酸甲酯、及乙酸乙酯等酯系溶劑；以及碳酸二甲酯、及碳酸二乙酯等碳酸酯系溶劑等，除此以外，亦可列舉：醚系溶劑、二醇系溶劑、胺系溶劑、硫醇系溶劑、及鹵素系溶劑等。 其中，較佳為醇系溶劑、醯胺系溶劑、酮系溶劑、腈系溶劑、及碳酸酯系溶劑。 組成物中的溶劑的含量並無特別限制，相對於組成物總質量，較佳為50質量%～98質量%，更佳為70質量%～95質量%。若為所述範圍內，則組成物的操作性優異，容易進行層厚的控制等。
於塗佈法的情況下，將組成物塗佈於基材上的方法並無特別限制，可使用底塗層20的形成步驟中所例示的方法。 就製造效率的觀點而言，被鍍覆層形成用層30的形成較佳為藉由輥對輥來進行。由於底塗層20的抗黏連性優異，故可達成由輥對輥帶來的製造的效率化，並且亦可減少鍍覆處理用積層體1的黏連的產生。
就操作性或製造效率的觀點而言，較佳為將組成物塗佈於基材上，視需要進行乾燥處理來去除殘存的溶劑，從而形成被鍍覆層形成用層30的態樣。 此外，乾燥處理的條件並無特別限制，就生產性更優異的觀點而言，較佳為於室溫～220℃（較佳為50℃～120℃）下實施1分鐘～30分鐘（較佳為1分鐘～10分鐘）。
於圖2A及圖2B的例子中，將底塗層20及被鍍覆層形成用層30形成於基材10的其中一面，但並不限定於此，亦可形成於基材10的兩面。該情況下，亦可與所述方法同樣地形成。
[導電性積層體的製造方法] 本發明的導電性積層體的製造方法包括：對所述鍍覆處理用積層體中的所述被鍍覆層形成用層以圖案狀實施曝光處理，而形成圖案狀被鍍覆層的步驟；以及將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至所述圖案狀被鍍覆層，對賦予有所述鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，而將金屬層形成於所述圖案狀被鍍覆層上的步驟。 圖3A～圖3C為表示本發明的導電性積層體的製造方法的一例的圖。以下，參照圖3A～圖3C來對每個步驟進行詳細說明。
＜圖案狀被鍍覆層的形成步驟＞ 於圖案狀被鍍覆層30A的形成步驟中，首先，如圖3A所示，對被鍍覆層形成用層30實施以圖案狀照射聚合起始劑感光的波長的光的曝光處理。於照射有光的照射區域30a中，聚合性基之間進行聚合等而發生硬化，而成為不溶部。該不溶部成為所謂的圖案狀被鍍覆層30A。
對被鍍覆層形成用層30以圖案狀進行能量賦予的方法並無特別限制。 照射處理中所用的光源並無特別限制，只要可射出所述波長的光即可，例如可使用利用紫外線（ultraviolet，UV）燈、可見光線等的光照射等。作為光源，例如存在水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、及碳弧燈等。 曝光時間根據反應性及光源而不同，通常為10秒～5小時之間。曝光能量只要為10 mJ～8000 mJ左右即可，較佳為50 mJ～3000 mJ的範圍。 此外，以圖案狀實施所述曝光處理的方法並無特別限制，可採用公知的方法，例如只要介隔遮罩對被鍍覆層形成用層30照射曝光光即可。 所述鍍覆處理用積層體1中的被鍍覆層形成用層30的上表面因底塗層20中所含的二氧化矽粒子而成為凹凸形狀。因此，於以被鍍覆層形成用層30與遮罩接觸的狀態進行曝光處理的情況下，具有容易於曝光處理後去除（剝離）遮罩的優點。
於所述曝光處理後進行將被鍍覆層形成用層30中照射有光的照射區域30a以外的未照射區域30b去除的去除處理。藉由實施去除處理，被鍍覆層形成用層30中的未照射區域30b被去除，從而形成圖案狀被鍍覆層30A（圖3B）。 所述去除處理的方法並無特別限制，根據被鍍覆層形成用層30中所含的化合物來適宜地選擇最佳的方法，通常可列舉使溶解有所述化合物的溶劑與被鍍覆層形成用層30接觸的方法。 更具體而言，可列舉將鹼性溶液用作顯影液的方法。於使用鹼性溶液來去除未照射區域30b的情況下，可列舉：使實施了照射處理的積層體浸漬於鹼性溶液中的方法，及將鹼性溶液塗佈於所述被鍍覆層形成用層30上的方法等，較佳為進行浸漬的方法。於為進行浸漬的方法的情況下，就生產性及作業性等觀點而言，浸漬時間較佳為1分鐘至30分鐘左右。
經過所述般的處理，獲得具有基材10、設置於基材10上的底塗層20、以及設置於底塗層20上的一部分區域的圖案狀被鍍覆層30A的含有圖案狀被鍍覆層的積層體100。 含有圖案狀被鍍覆層的積層體100中，未形成有圖案狀被鍍覆層30A的底塗層20的上表面的一部分露出，但由於底塗層20中含有所述二氧化矽粒子，故不易遭受損傷。因而，具有於含有圖案狀被鍍覆層的積層體100的操作性方面優異的優點。
＜金屬層的形成步驟＞ 如圖3C所示，金屬層40的形成步驟為以下步驟：將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至含有圖案狀被鍍覆層的積層體1A中的圖案狀被鍍覆層30A上，對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層30A進行鍍覆處理，從而將金屬層40形成於圖案狀被鍍覆層30A上。 以下，分開來說明將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至圖案狀被鍍覆層30A的步驟（步驟X）、與對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層30A進行鍍覆處理的步驟（步驟Y）。
（步驟X：鍍覆觸媒賦予步驟） 本步驟中，首先，將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至圖案狀被鍍覆層30A。源自所述化合物的相互作用性基根據其功能而附著（吸附）所賦予的鍍覆觸媒或其前驅物。更具體而言，將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至圖案狀被鍍覆層30A中及圖案狀被鍍覆層30A的表面上。 鍍覆觸媒或其前驅物作為鍍覆處理的觸媒或電極而發揮功能。因此，藉由鍍覆處理的種類來適宜地決定所使用的鍍覆觸媒或其前驅物的種類。 此外，所使用的鍍覆觸媒或其前驅物較佳為無電解鍍覆觸媒或其前驅物。以下，主要對無電解鍍覆觸媒或其前驅物等進行詳細敘述。
若於本步驟中所使用的無電解鍍覆觸媒成為無電解鍍覆時的活性核，則無論何種觸媒均可使用，具體而言，可列舉具有自觸媒還原反應的觸媒能力的金屬（作為可進行離子化傾向低於Ni的無電解鍍覆的金屬而已知者）等。具體而言，可列舉：鈀（Pd）、銀（Ag）、銅（Cu）、鎳（Ni）、鉑（Pt）、金（Au）、及鈷（Co）等。其中，就觸媒能力的高低的方面而言，特佳為銀（Ag）、鈀（Pd）、鉑（Pt）、及銅（Cu）。 亦可使用金屬膠體來作為該無電解鍍覆觸媒。 所謂於本步驟中使用的無電解鍍覆觸媒前驅物，若為藉由化學反應而可成為無電解鍍覆觸媒者，則可無特別限制地使用。主要使用作為所述無電解鍍覆觸媒而列舉的金屬的金屬離子。作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子藉由還原反應而成為作為無電解鍍覆觸媒的0價金屬。作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子亦可於被賦予至圖案狀被鍍覆層30A之後、浸漬於無電解鍍覆浴之前，另外藉由還原反應而變化為0價金屬來作為無電解鍍覆觸媒。另外，亦可於保持無電解鍍覆觸媒前驅物的狀態下浸漬於無電解鍍覆浴，並藉由無電解鍍覆浴中的還原劑而變化為金屬（無電解鍍覆觸媒）。
作為無電解鍍覆觸媒前驅物的金屬離子較佳為使用金屬鹽而賦予至圖案狀被鍍覆層30A。作為所使用的金屬鹽，只要為溶解於適當的溶媒中而解離為金屬離子與鹼（陰離子）者則並無特別限制，可列舉：M(NO3 )n 、MCln 、M2/n (SO4 )、及M3/n (PO4 )（M表示n價金屬原子）等。金屬離子可較佳地使用所述金屬鹽解離而成者。例如可列舉：銀（Ag）離子、銅（Cu）離子、鎳（Ni）離子、鈷（Co）離子、鉑（Pt）離子、及鈀（Pd）離子。其中，較佳為能進行多牙配位者，尤其就能進行配位的官能基的種類數及觸媒能力的觀點而言，較佳為銀（Ag）離子、鈀（Pd）離子、及銅（Cu）離子。 於本步驟中，作為用以不進行無電解鍍覆而直接進行電鍍的觸媒，亦可使用0價金屬。
作為將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至圖案狀被鍍覆層30A的方法，例如只要製備將鍍覆觸媒或其前驅物分散或溶解於適當的溶劑中而成的溶液，並將所述溶液塗佈於圖案狀被鍍覆層30A上，或者將形成有圖案狀被鍍覆層30A的積層體浸漬於所述溶液中即可。 所述溶劑可適宜地使用水或有機溶劑。作為有機溶劑，較佳為可滲透於圖案狀被鍍覆層30A中的溶劑，例如可使用：丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環己酮、乙醯丙酮、苯乙酮、2-(1-環己烯基)環己酮、丙二醇二乙酸酯、甘油三乙酸酯、二乙二醇二乙酸酯、二噁烷、N-甲基吡咯啶酮、碳酸二甲酯、及二甲基溶纖劑等。
溶液中的鍍覆觸媒或其前驅物的濃度並無特別限制，較佳為0.001質量%～50質量%，更佳為0.005質量%～30質量%。 另外，接觸時間較佳為30秒～24小時左右，更佳為1分鐘～1小時左右。
關於圖案狀被鍍覆層30A的鍍覆觸媒或其前驅物的吸附量，根據使用的鍍覆浴種、觸媒金屬種、圖案狀被鍍覆層30A的相互作用性基種、使用方法等而不同，就鍍覆的析出性的觀點而言，較佳為5 mg/m2 ～1000 mg/m2 ，更佳為10 mg/m2 ～800 mg/m2 ，特佳為20 mg/m2 ～600 mg/m2 。
（步驟Y：鍍覆處理步驟） 其次，對賦予有鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層30A進行鍍覆處理。 鍍覆處理的方法並無特別限制，例如可列舉無電解鍍覆處理或電解鍍覆處理（電鍍處理）。本步驟中，可單獨實施無電解鍍覆處理，亦可於實施無電解鍍覆處理後進而實施電解鍍覆處理。 此外，於本說明書中，所謂的銀鏡反應是作為所述無電解鍍覆處理的一種而含有。如此，例如可藉由銀鏡反應等而使所附著的金屬離子還原，從而形成所期望的圖案狀金屬層，進而亦可於其後實施電解鍍覆處理。 以下，對無電解鍍覆處理、以及電解鍍覆處理的程序進行詳細敘述。
所謂無電解鍍覆處理，是指使用溶解有欲以鍍覆的方式析出的金屬離子的溶液，藉由化學反應而使金屬析出的操作。 本步驟中的無電解鍍覆例如較佳為，對包括賦予有無電解鍍覆觸媒的圖案狀被鍍覆層30A的含有圖案狀被鍍覆層的積層體100進行水洗而去除多餘的無電解鍍覆觸媒（金屬）後，浸漬於無電解鍍覆浴中來進行。所使用的無電解鍍覆浴可使用公知的無電解鍍覆浴。 另外，於在無電解鍍覆觸媒前驅物吸附或含浸於圖案狀被鍍覆層30A的狀態下，將包括賦予有無電解鍍覆觸媒前驅物的圖案狀被鍍覆層30A的含有圖案狀被鍍覆層的積層體100浸漬於無電解鍍覆浴中的情況下，較佳為對含有圖案狀被鍍覆層的積層體100進行水洗而去除多餘的無電解鍍覆觸媒前驅物（金屬鹽等）後，浸漬於無電解鍍覆浴中。於該情況下，於無電解鍍覆浴中，進行無電解鍍覆觸媒前驅物的還原，緊接著進行無電解鍍覆。此處所使用的無電解鍍覆浴亦可與所述同樣地使用公知的無電解鍍覆浴。 此外，無電解鍍覆觸媒前驅物的還原亦能夠與使用所述般的無電解鍍覆液的態樣不同，準備觸媒活性化液（還原液）而作為無電解鍍覆前的另一步驟而進行。
作為通常的無電解鍍覆浴的組成，除溶劑（例如水）以外，主要含有1.鍍覆用的金屬離子、2.還原劑、3.提高金屬離子的穩定性的添加劑（穩定劑）。除該些以外，亦可於該鍍覆浴中含有鍍覆浴的穩定劑等公知的添加劑。 作為無電解鍍覆浴中所使用的有機溶劑，需要為能於水的溶劑，就該觀點而言，可較佳地使用丙酮等酮類，以及甲醇、乙醇、及異丙醇等醇類。作為無電解鍍覆浴中所使用的金屬的種類，已知有銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀、及銠，其中，就導電性的觀點而言，較佳為銅、銀、及金，更佳為銅。另外，根據所述金屬來選擇最佳的還原劑以及添加劑。 於無電解鍍覆浴中的浸漬時間較佳為1分鐘～6小時左右，更佳為1分鐘～3小時左右。
於本步驟中，於賦予至圖案狀被鍍覆層30A上的鍍覆觸媒或其前驅物具有作為電機的功能的情況下，可對賦予有所述觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層30A進行電鍍。 此外，如上所述，於本步驟中，可於所述無電解鍍覆處理之後，視需要進行電解鍍覆處理。於此種態樣中，能適宜地調整所形成的金屬層40的厚度。 作為電鍍的方法，可使用現有公知的方法。此外，作為電鍍中所使用的金屬，可列舉：銅、鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、及鋅等，就導電性的觀點而言，較佳為銅、金、及銀，更佳為銅。
藉由實施所述步驟，可將金屬層（鍍覆層）40形成於圖案狀被鍍覆層30A上。藉此，獲得具有基材10、設置於基材10上的底塗層20、設置於底塗層20上的一部分區域的圖案狀被鍍覆層30A、以及設置於圖案狀被鍍覆層30A上的金屬層40的導電性積層體200。 導電性積層體200中的圖案狀被鍍覆層30A的上表面因底塗層20中所含的二氧化矽粒子而成為凹凸形狀。因此，配置於圖案狀被鍍覆層30A上的金屬層40的上表面亦同樣地成為凹凸形狀。藉此，具有當視認金屬層40時的消光感增加，從而可不易使金屬層40顯眼的優點。 此外，於圖3C中，示出將金屬層40僅配置於圖案狀被鍍覆層30A的上表面的態樣，但並不限定於該態樣，如圖4所示，亦可為將金屬層140配置於圖案狀被鍍覆層30A的表面（即，上表面與連接於上表面且延伸至底塗層20的側面）上的態樣。 另外，於圖3C及圖4的例子中，將底塗層20、圖案狀被鍍覆層30A、以及金屬層40形成於基材10的其中一面，但並不限定於此，亦可形成於基材10的單面。該情況下，亦可與所述方法同樣地形成。
（用途） 以如上方式獲得的導電性積層體200可應用於多種用途，可應用於觸控面板（或觸控面板感測器）、半導體晶片、各種電性配線板、撓性印刷電路（Flexible Printed Circuits，FPC）、覆晶薄膜（Chip on Film，COF）、捲帶式自動接合（Tape Automated Bonding，TAB）、天線、多層配線基板、以及主機板等多種用途。其中，較佳為用於觸控面板感測器（靜電電容式觸控面板感測器）。於將導電性積層體200應用於觸控面板感測器的情況下，金屬層40作為觸控面板感測器中的檢測電極或引出配線而發揮功能。 再者，於本說明書中，將使觸控面板感測器、各種顯示裝置（例如液晶顯示裝置、有機電致發光（Electro-Luminescence，EL）顯示裝置）組合而成者稱為觸控面板。觸控面板可較佳地列舉所謂的靜電電容式觸控面板。
另外，於圖5中示出將導電性積層體應用於觸控面板感測器時的一實施態樣。 於圖5中，導電性積層體500具有基材10、配置於基材10的其中一主面上的第1底塗層320、配置於第1底塗層320上的第1圖案狀被鍍覆層330A、配置於第1圖案狀被鍍覆層330A上的第1檢測電極342及第1引出配線344、配置於基材10的另一主面上的第2底塗層420、配置於第2底塗層420上的第2圖案狀被鍍覆層430A、以及配置於第2圖案狀被鍍覆層430A上的第2檢測電極442及第2引出配線444。此外，第1檢測電極342、第1引出配線344、第2檢測電極442、及第2引出配線444由所述金屬層40構成。
此外，於將含有該導電性積層體500的觸控面板感測器作為觸控面板的構件而組入時，第1檢測電極342及第2檢測電極442作為感知靜電電容的變化的感測電極而發揮功能，從而構成感知部（感測部）。即，當使指尖與觸控面板接觸時，第1檢測電極342及第2檢測電極442之間的相互靜電電容發生變化，基於該變化量而藉由IC電路來計算指尖的位置。 第1檢測電極342具有對接近觸控面板感測器的輸入區域的操作者的手指在X方向上的輸入位置進行檢測的作用，且具有與手指之間產生靜電電容的功能。第1檢測電極342為沿第1方向（X方向）延伸、且在與第1方向正交的第2方向（Y方向）上隔開規定的間隔而排列的電極。 第2檢測電極442具有對接近觸控面板感測器的輸入區域的操作者的手指在Y方向上的輸入位置進行檢測的作用，且具有與手指之間產生靜電電容的功能。第2檢測電極442為沿第2方向（Y方向）延伸、且在第1方向（X方向）上隔開規定的間隔而排列的電極。於圖5中，第1檢測電極342設置有5個，第2檢測電極442設置有5個，其數量並無特別限制，只要具有多個即可。 第1引出配線344及第2引出配線444分別為擔負用以對第1檢測電極342及第2檢測電極442施加電壓的作用的構件。 [實施例]
以下，使用實施例來對本發明的鍍覆處理用積層體進行詳細說明。其中，本發明並不限定於此。
[底塗層形成用組成物的製備] ＜底塗層形成用組成物的母液的製備＞ 以將以下成分以如下的調配比例混合而得的混合液的pH成為6的方式，利用1%的碳酸氫鈉水溶液進行製備，從而製成底塗層形成用組成物的母液。 ・聚酯乳膠（東洋紡（股）製造、商品名「拜隆諾（vylonal）MD1500」、30%溶液）                                               100質量份 ・嵌段異氰酸酯（第一工業製藥（股）製造、商品名「艾拉斯隆（elastron）H-3」、20%溶液）                          140質量份 ・嵌段異氰酸酯用觸媒（第一工業製藥（股）製造、商品名「CAT21」）                                                                  5質量份 ・界面活性劑A（三洋化成工業（股）製造、商品名「沙德特（sandet）BL」的1%水溶液、陰離子性）                  20質量份 ・界面活性劑B（三洋化成工業（股）製造、商品名「那洛迪（naroacty）CL-95」的1%稀釋液、非離子性）        20質量份 ・水                                                                   715質量份
＜底塗層形成用組成物P1～P19的製備＞ 對於底塗層形成用組成物的母液，混合以下各二氧化矽分散液，從而製備底塗層形成用組成物P1～P19。關於底塗層形成用組成物P1～P19中所含的二氧化矽粒子的混合量，將以塗佈後的固體成分計的含量（質量%）示於下述第1表中。 第1表中所示的二氧化矽粒子的詳細情況如下所示。 （二氧化矽粒子） ・第1二氧化矽粒子的分散液 平均粒徑10 nm：日產化學工業（股）製造、商品名「斯諾特（Snowtex）S」、30質量%分散液 平均粒徑40 nm：日產化學工業（股）製造、商品名「斯諾特（Snowtex）OL」、20質量%分散液 平均粒徑70 nm：考福隆特（Corefront）（股）製造、商品名「西卡斯特（sicastar）70 nm」2.5質量%分散液 平均粒徑100 nm：對日本觸媒（股）製造、商品名「希豪斯特（seahostar）KE-P100」粉體進行超音波分散而製作1質量%的水分散液 平均粒徑250 nm：對日本觸媒（股）製造、商品名「希豪斯特（seahostar）KE-P250」粉體進行超音波分散而製作1質量%的水分散液 ・第2二氧化矽粒子的分散液 平均粒徑250 nm：對日本觸媒（股）製造、商品名「希豪斯特（seahostar）KE-P250」粉體進行超音波分散而製作1質量%的水分散液 平均粒徑3000 nm：考福隆特（Corefront）（股）製造、商品名「西卡斯特（sicastar）3 μm」5質量%分散液 平均粒徑5000 nm：考福隆特（Corefront）（股）製造、商品名「西卡斯特（sicastar）5 μm」5質量%分散液 平均粒徑10000 nm：考福隆特（Corefront）（股）製造、商品名「西卡斯特（sicastar）10 μm」5質量%分散液
[表1]
＜帶底塗層的基材A1～A19的製作＞ 將聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）的顆粒供給至擠出機，於280℃下以片狀擠出並藉由表面溫度20℃的金屬滾筒進行驟冷。一面加熱至100℃一面向卷片（roll film）的長邊方向延伸至3.5倍後，分別以5.5 cc/m2 塗佈底塗層形成用組成物P1～P19，以130℃進行乾燥，乾燥後於寬度方向延伸至4倍，從而製作100 μm厚的帶底塗層的雙軸延伸PET（基材A1～A19）。此時，底塗層大約為80 nm的膜厚。
[被鍍覆層形成用的組成物的製備] 以成為以下第2表或第3表的調配比例的方式將各成分混合、攪拌，從而獲得被鍍覆層形成用的組成物Y1（組成物Y1）及被鍍覆層形成用的組成物Y2（組成物Y2）。
[表2]
[表3]
[鍍覆處理用積層體的製造] 以成為第1表的基材及被鍍覆層形成用層的組合的方式，將被鍍覆層形成用組成物以成為第1表的膜厚的方式塗佈於基材A1～A19後進行乾燥，從而製作卷狀的鍍覆處理用積層體B1～B20。將其設為比較例1～比較例2及實施例1～實施例18。
[導電性積層體的製造] 將以如上方式獲得的卷狀的鍍覆處理用積層體B1～B20分別裁斷為片狀，隔著具有觸控面板用網眼圖案的遮罩，使用紫外線（UV）燈「深紫外線燈（Deep UV Lamp）」（商品名、牛尾（Ushio）製造）以光量2 J來對兩面進行曝光後，利用1%的碳酸鈉水溶液進行顯影。以如上方式獲得具有設置於底塗層上的一部分區域的圖案狀被鍍覆層的含有圖案狀被鍍覆層的積層體C1～C20。 其次，如以下般對所得的含有圖案狀被鍍覆層的積層體實施無電解鍍覆，從而將配線（金屬層）形成於圖案狀被鍍覆層上。 具體而言，首先，於室溫下在僅將Pd觸媒賦予液MAT-2（上村工業公司製造）的MAT-2A稀釋至5倍而得的溶液中，將所得的含有圖案狀被鍍覆層的積層體C1～C19浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。其次，於36℃下在還原劑MAB（上村工業公司製造）中浸漬5分鐘，利用純水清洗2次。然後，於室溫下在無電解鍍覆液速卡普（thru-cup）PEA（上村工業公司製造）中分別浸漬60分鐘，利用純水進行清洗。以如上方式獲得形成有觸控面板用配線（金屬層）的實施例及比較例的導電性積層體D1～D19。 另外，於室溫下將含有圖案狀被鍍覆層的積層體C20浸漬於無電解鍍覆液速卡普（thru-cup）PEA（上村工業公司製造）中60分鐘，利用純水進行清洗。以如上方式獲得形成有觸控面板用配線（金屬層）的實施例的導電性積層體D20。
[評價試驗] ＜抗黏連性＞ 依照以下基準來判定實施例及比較例的卷狀鍍覆處理用積層體B1～B20的捲繞的狀態，根據捲繞狀態來進行抗黏連性的評價。 A：可完全無問題地捲繞 B：雖可捲繞，但捲繞時發出吱吱嘎嘎的聲音 C：黏附而無法捲繞
＜視認性＞ 關於視認性的評價，在形成導電性積層體後，於在利用毛氈質地的布覆蓋而無反射光的房間內以鎢光照射膜（導電性積層體）的狀態下，利用目視來觀察底塗層的損傷狀態與底塗層的粒狀感，藉由以下的基準來進行評價。 （損傷狀態） A：完全看不到刮傷 B：有若利用黏接劑貼合於玻璃則無法看到的程度的刮傷 C：有顯眼的刮傷 （粒狀感） A：當10人觀察時，10人均感到無粒狀感 B：當10人觀察時，1～4人感到有粒狀感 C：當10人觀察時，5～7人感到有粒狀感 D：當10人觀察時，8～10人感到有粒狀感
＜評價結果＞
如第1表的評價結果所示般表示，藉由具有含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的底塗層，可獲得導電性積層體的視認性優異、抗黏連性亦優異的鍍覆處理用積層體（實施例）。 另外，利用TEM對各實施例（實施例1～實施例18）的導電性積層體中所含的底塗層的剖面進行觀察，製成所述粒徑-頻度關係圖。其結果為，可知於任一實施例中，均存在與所使用的第1二氧化矽粒子及第2二氧化矽粒子的平均粒徑相對應的兩個峰值。 根據實施例3與實施例4的比較，可知若第1二氧化矽粒子的平均粒徑超過80 nm（實施例4），則存在粒狀感增加，導電性積層體的視認性降低的傾向。 根據實施例8與實施例9的比較，可知若第2二氧化矽粒子的平均粒徑為被鍍覆層形成用層的膜厚以下（實施例9），則存在抗黏連性（尤其於搬送速度大至40 m/min的情況下）降低的傾向。 根據實施例14與實施例15的比較，可知若基材的形成有底塗層的面的每單位面積的第2二氧化矽粒子的含量（mg/m2 ）高（實施例14），則存在粒狀感增加，導電性積層體的視認性降低的傾向。 根據實施例16與實施例17的比較，可知若基材的形成有底塗層的面的每單位面積的第2二氧化矽粒子的含量（mg/m2 ）低（實施例17），則存在抗黏連性（尤其於搬送速度大至40 m/min的情況下）降低的傾向。 另外，對以如上方式獲得的實施例的導電性積層體是否作為觸控面板而反應進行確認，結果可知均無問題地反應。
相對於此示出，根據具有不含粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子的底塗層的比較例的鍍覆處理用積層體，抗黏連性或製成導電性積層體時的視認性降低。 另外，利用TEM來觀察比較例1及比較例2的導電性積層體中所含的底塗層的剖面並製成粒徑-頻度關係圖，結果確認到僅一個峰值。
1‧‧‧鍍覆處理用積層體
10‧‧‧基材
20‧‧‧底塗層
22‧‧‧第1二氧化矽粒子
24‧‧‧第2二氧化矽粒子
30‧‧‧被鍍覆層形成用層
30a‧‧‧照射區域
30b‧‧‧未照射區域
30A‧‧‧圖案狀被鍍覆層
40、140‧‧‧金屬層
100‧‧‧含有圖案狀被鍍覆層的積層體
200、500‧‧‧導電性積層體
320‧‧‧第1底塗層
330A‧‧‧第1圖案狀被鍍覆層
342‧‧‧第1檢測電極
344‧‧‧第1引出配線
420‧‧‧第2底塗層
430A‧‧‧第2圖案狀被鍍覆層
442‧‧‧第2檢測電極
444‧‧‧第2引出配線
圖1為示意性地表示本發明的鍍覆處理用積層體的一實施形態的部分剖面圖。 圖2A為示意性地表示本發明的鍍覆處理用積層體的製造方法的一例的部分剖面圖。 圖2B為示意性地表示本發明的鍍覆處理用積層體的製造方法的一例的部分剖面圖。 圖3A為示意性地表示本發明的導電性積層體的製造方法的一例的部分剖面圖。 圖3B為示意性地表示本發明的導電性積層體的製造方法的一例的部分剖面圖。 圖3C為示意性地表示本發明的導電性積層體的製造方法的一例的部分剖面圖。 圖4為示意性地表示本發明的導電性積層體的變形例的部分剖面圖。 圖5為將本發明的導電性積層體應用於觸控面板感測器時的概略平面圖。
1‧‧‧鍍覆處理用積層體
10‧‧‧基材
20‧‧‧底塗層
22‧‧‧第1二氧化矽粒子
24‧‧‧第2二氧化矽粒子
30‧‧‧被鍍覆層形成用層

Claims (11)

  1. 一種鍍覆處理用積層體，其具有基材、形成於所述基材上的底塗層、以及形成於所述底塗層上的被鍍覆層形成用層，且 所述底塗層含有粒度分佈互不相同的多種二氧化矽粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述多種二氧化矽粒子含有：粒度分佈的峰值處於5 nm以上且未滿200 nm的範圍的第1二氧化矽粒子；以及粒度分佈的峰值處於200 nm以上且15 μm以下的範圍的第2二氧化矽粒子。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第1二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值處於5 nm以上且80 nm以下的範圍。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第2二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值處於250 nm以上且10 μm以下的範圍。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述第2二氧化矽粒子的粒度分佈的峰值中的粒徑的值大於所述被鍍覆層形成用層的膜厚。
  6. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆處理用積層體，其中相對於所述底塗層的總質量，所述第1二氧化矽粒子的含量為0.5質量%～10質量%。
  7. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆處理用積層體，其中於所述基材的形成有所述底塗層的面的每單位面積，所述第2二氧化矽粒子的含量為0.05 mg/m2 ～0.4 mg/m2 。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的鍍覆處理用積層體，其中所述被鍍覆形成用層含有聚合起始劑、與以下的化合物X或組成物Y， 化合物X：具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基、及聚合性基的化合物； 組成物Y：含有具有與鍍覆觸媒或其前驅物進行相互作用的官能基的化合物、及具有聚合性基的化合物的組成物。
  9. 一種導電性積層體的製造方法，其包括： 對如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的鍍覆處理用積層體中的所述被鍍覆層形成用層以圖案狀實施曝光處理，而形成圖案狀被鍍覆層的步驟；以及 將鍍覆觸媒或其前驅物賦予至所述圖案狀被鍍覆層，對賦予有所述鍍覆觸媒或其前驅物的圖案狀被鍍覆層進行鍍覆處理，而將金屬層形成於所述圖案狀被鍍覆層上的步驟。
  10. 一種觸控面板感測器，其含有利用如申請專利範圍第9項所述的製造方法而得的導電性積層體。
  11. 一種觸控面板，其含有利用如申請專利範圍第9項所述的製造方法而得的導電性積層體。
TW105113800A 2015-05-08 2016-05-04 鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板 TW201706453A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015095676A JP2016212250A (ja) 2015-05-08 2015-05-08 めっき処理用積層体、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201706453A true TW201706453A (zh) 2017-02-16

Family

ID=57248937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105113800A TW201706453A (zh) 2015-05-08 2016-05-04 鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016212250A (zh)
TW (1) TW201706453A (zh)
WO (1) WO2016181794A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022054646A1 (ja) * 2020-09-14 2022-03-17 大日本印刷株式会社 艶消物品

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001047033A1 (fr) * 1999-12-20 2001-06-28 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Transducteur photoelectrique et substrat pour transducteur photoelectrique
KR101039543B1 (ko) * 2006-09-28 2011-06-09 후지필름 가부시키가이샤 자발광 표시 장치, 자발광 표시 장치의 제조 방법, 투명 도전성 필름, 전계 발광 소자, 태양 전지용 투명 전극 및 전자 페이퍼용 투명 전극
JP5348905B2 (ja) * 2008-02-26 2013-11-20 富士フイルム株式会社 透明導電膜
JP2010239080A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Fujifilm Corp 導電膜の形成方法、プリント配線板の製造方法及び導電膜材料

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016181794A1 (ja) 2016-11-17
JP2016212250A (ja) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6388558B2 (ja) 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル
TW201707944A (zh) 導電性積層體的製造方法、導電性積層體、帶被鍍覆層前驅體層基板、帶被鍍覆層基板、觸控感測器
JP6145219B2 (ja) タッチパネル用導電性積層体、タッチパネル、透明導電性積層体
TW201715309A (zh) 被鍍覆層形成用組合物、帶被鍍覆層前體層的膜、帶圖案狀被鍍覆層的膜、導電性膜、觸控面板
JP6688879B2 (ja) 導電性積層体の製造方法、積層体および導電性積層体
TW201734740A (zh) 導電性積層體的製造方法以及帶被鍍覆層前驅體層的立體結構物、帶圖案狀被鍍覆層的立體結構物、導電性積層體、觸控感測器、發熱構件及立體結構物
JPWO2015190484A6 (ja) タッチパネル用導電性積層体、タッチパネル、透明導電性積層体
US10152185B2 (en) Method for manufacturing laminate containing patterned layers to be plated, method for manufacturing metal layer-containing laminate, touch panel sensor, touch panel, laminate containing patterned layers to be plated, and metal layer-containing laminate
JP6275861B2 (ja) 積層体、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、転写フィルム
JP6611396B2 (ja) 被めっき層形成用組成物、被めっき層前駆体層付きフィルム、パターン状被めっき層付きフィルム、導電性フィルム、タッチパネル
WO2017154786A1 (ja) 被めっき層前駆体層付きフィルム、パターン状被めっき層付きフィルム、導電性フィルム、タッチパネル
JP6295330B2 (ja) タッチパネルセンサー用導電性積層体、および、その製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル
TW201706453A (zh) 鍍覆處理用積層體、導電性積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板
TW201643655A (zh) 觸控面板感測器用導電性膜的製造方法、觸控面板感測器用導電性膜以及觸控面板
WO2012133684A1 (ja) パターン状金属膜を有する積層体の製造方法、被めっき層形成用組成物
WO2013065628A1 (ja) 金属層を有する積層体の製造方法
WO2012073814A1 (ja) 金属膜を有する積層体の製造方法
WO2016009829A1 (ja) タッチパネルセンサー用導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル
WO2017170012A1 (ja) 金属配線含有積層体の製造方法、金属配線含有積層体、被めっき層付き基板
TW201733795A (zh) 積層體、帶圖案狀被鍍覆層的基板的製造方法、含有金屬層的積層體的製造方法、觸控面板感測器及觸控面板
JP2012209392A (ja) パターン状金属膜を有する積層体の製造方法、被めっき層形成用組成物
WO2012133297A1 (ja) 金属膜を有する積層体およびその製造方法、並びに、パターン状金属膜を有する積層体およびその製造方法
JP2012246535A (ja) 金属膜を有する積層体およびその製造方法、並びに、パターン状金属膜を有する積層体およびその製造方法