JP6275861B2 - 積層体、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、転写フィルム - Google Patents
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Description
本発明は、積層体、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、および、転写フィルムに関する。
基板上に導電層（導電性細線）が形成された導電性フィルムは、種々の用途に使用されており、特に、近年、携帯電話や携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用の導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
導電層の作製方法としては種々の方法が提案されており、例えば、特許文献１においては、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基および重合性基を有する樹脂と、重合開始剤とを含む樹脂組成物層（被めっき層形成用層）を用いて、パターン状被めっき層を形成し、そのパターン状被めっき層にめっき触媒を付与して、めっき処理を実施することによりパターン状被めっき層上に導電層に該当する金属層を形成する方法が提案されている。
導電層の作製方法としては種々の方法が提案されており、例えば、特許文献１においては、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基および重合性基を有する樹脂と、重合開始剤とを含む樹脂組成物層（被めっき層形成用層）を用いて、パターン状被めっき層を形成し、そのパターン状被めっき層にめっき触媒を付与して、めっき処理を実施することによりパターン状被めっき層上に導電層に該当する金属層を形成する方法が提案されている。
一方、近年、タッチパネルのより一層の薄型化が求められており、例えば、ＯＧＳ（Ｏｎｅ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と呼ばれる方法が注目を集めている。この方法は、保護カバー用ガラスなど保護基板となり得る基板上に加飾層を配置し、さらにその上に検出電極などを直接形成する方法である。
本発明者らは、特許文献１を参照して、上記のような加飾層が周縁領域に配置された基板上に所定の成分を含む被めっき層形成用層を配置して、マスクを介して被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施したところ、形成されたパターン状被めっき層の形状がマスクの開口形状よりも広くなってしまい、所望の精度でパターン状被めっき層を形成することができなかった。
本発明者らは、特許文献１を参照して、上記のような加飾層が周縁領域に配置された基板上に所定の成分を含む被めっき層形成用層を配置して、マスクを介して被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施したところ、形成されたパターン状被めっき層の形状がマスクの開口形状よりも広くなってしまい、所望の精度でパターン状被めっき層を形成することができなかった。
本発明は、上記実情に鑑みて、優れたパターン精度にてパターン状被めっき層を形成することができる積層体を提供することを課題とする。
また、本発明は、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、および、転写フィルムを提供することも課題とする。
また、本発明は、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、および、転写フィルムを提供することも課題とする。
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、所定の構成を有する積層体を使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） 基板と、
基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
基板および加飾層上に配置された粘着層と、
粘着層上に配置された、後述する化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、を有する、積層体。
（２） 粘着層に酸基が実質的に含まれない、（１）に記載の積層体。
（３） 基板がガラス基板である、（１）または（２）に記載の積層体。
（４） 被めっき層形成用層の厚みが０．０１〜２０μｍである、（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５） 粘着層の厚みと加飾層の厚みとの比が２以上である、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。なお、上記比は、粘着層の厚み／加飾層の厚みを表す。
（６） （１）〜（５）のいずれかに記載の積層体中の被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施し、被めっき層形成用層の未露光領域を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程と、
パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程と、を備える、導電性積層体の製造方法。
（７） 基板と、
基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
基板および加飾層上に配置された粘着層と、
粘着層上に配置された、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するパターン状被めっき層と、
パターン状被めっき層上に配置された金属層と、を有する、導電性積層体。
（８） （７）に記載の導電性積層体を含む、タッチパネルセンサー。
（９） （７）に記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
（１０） 仮支持体と、
仮支持体上に配置された、後述する化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、
被めっき層形成用層上に配置された粘着層と、を備える、転写フィルム。
基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
基板および加飾層上に配置された粘着層と、
粘着層上に配置された、後述する化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、を有する、積層体。
（２） 粘着層に酸基が実質的に含まれない、（１）に記載の積層体。
（３） 基板がガラス基板である、（１）または（２）に記載の積層体。
（４） 被めっき層形成用層の厚みが０．０１〜２０μｍである、（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５） 粘着層の厚みと加飾層の厚みとの比が２以上である、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。なお、上記比は、粘着層の厚み／加飾層の厚みを表す。
（６） （１）〜（５）のいずれかに記載の積層体中の被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施し、被めっき層形成用層の未露光領域を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程と、
パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程と、を備える、導電性積層体の製造方法。
（７） 基板と、
基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
基板および加飾層上に配置された粘着層と、
粘着層上に配置された、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するパターン状被めっき層と、
パターン状被めっき層上に配置された金属層と、を有する、導電性積層体。
（８） （７）に記載の導電性積層体を含む、タッチパネルセンサー。
（９） （７）に記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
（１０） 仮支持体と、
仮支持体上に配置された、後述する化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、
被めっき層形成用層上に配置された粘着層と、を備える、転写フィルム。
本発明によれば、優れたパターン精度にてパターン状被めっき層を形成することができる積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、および、転写フィルムを提供することもできる。
また、本発明によれば、導電性積層体およびその製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル、および、転写フィルムを提供することもできる。
以下に、本発明の積層体などについて詳述する。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係や位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係や位置関係などは必ずしも実際のものとは一致しない。
本発明の積層体の特徴点の一つとしては、基板と被めっき層形成用層との間に粘着層を配置している点が挙げられる。
上述したように、本発明者らは、特許文献１に記載の方法を参照して、加飾層を有する基板（例えば、ガラス基板）上に被めっき層形成用層を配置して、パターン状の露光を実施した場合、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度が悪いことを知見している。その理由について、図１を用いて説明する。図１に示すように、基板１２と、基板１２の周縁領域に配置された加飾層１４と、被めっき層形成用層１８とを備える積層体上に、開口部を有するマスク５０を配置して、露光処理を行う場合、加飾層１４による段差の存在のために、基板１２上の被めっき層形成用層１８とマスク５０との距離Ｄが大きくなる。このような態様においては、開口部から入る光（白抜き矢印）の一部が広がりながら被めっき層形成用層１８に照射されるため、結果として、形成されるパターン状被めっき層がマスク５０の開口部の形状よりも大きくなる。
それに対して、本発明では、図２に示すように、粘着層１６を被めっき層形成用層１８と基板１２との間に配置することにより、粘着層１６の機能により加飾層１４の段差が吸収され、粘着層１６の基板１２側とは反対側の表面の平坦性が向上し、結果として、マスク５０と被めっき層形成用層１８との距離Ｄをより狭くすることができる。そのため、開口部から入る光の広がる距離が減るため、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度がより向上する。
上述したように、本発明者らは、特許文献１に記載の方法を参照して、加飾層を有する基板（例えば、ガラス基板）上に被めっき層形成用層を配置して、パターン状の露光を実施した場合、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度が悪いことを知見している。その理由について、図１を用いて説明する。図１に示すように、基板１２と、基板１２の周縁領域に配置された加飾層１４と、被めっき層形成用層１８とを備える積層体上に、開口部を有するマスク５０を配置して、露光処理を行う場合、加飾層１４による段差の存在のために、基板１２上の被めっき層形成用層１８とマスク５０との距離Ｄが大きくなる。このような態様においては、開口部から入る光（白抜き矢印）の一部が広がりながら被めっき層形成用層１８に照射されるため、結果として、形成されるパターン状被めっき層がマスク５０の開口部の形状よりも大きくなる。
それに対して、本発明では、図２に示すように、粘着層１６を被めっき層形成用層１８と基板１２との間に配置することにより、粘着層１６の機能により加飾層１４の段差が吸収され、粘着層１６の基板１２側とは反対側の表面の平坦性が向上し、結果として、マスク５０と被めっき層形成用層１８との距離Ｄをより狭くすることができる。そのため、開口部から入る光の広がる距離が減るため、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度がより向上する。
＜＜積層体＞＞
図３は、本発明の積層体の一実施形態の断面図を示す。
積層体１０は、基板１２と、加飾層１４と、粘着層１６と、被めっき層形成用層１８とを備える。後述するように、被めっき層形成用層１８にはパターン状の露光処理が実施され、パターン状被めっき層が形成される。つまり、積層体１０は、パターン状被めっき層含有積層体を作製するための前駆体積層体に該当する。
以下、積層体１０に含まれる各部材の構成について詳述する。
図３は、本発明の積層体の一実施形態の断面図を示す。
積層体１０は、基板１２と、加飾層１４と、粘着層１６と、被めっき層形成用層１８とを備える。後述するように、被めっき層形成用層１８にはパターン状の露光処理が実施され、パターン状被めっき層が形成される。つまり、積層体１０は、パターン状被めっき層含有積層体を作製するための前駆体積層体に該当する。
以下、積層体１０に含まれる各部材の構成について詳述する。
＜基板＞
基板は、後述する加飾層や粘着層を支持することができれば特に制限はなく、公知の基板を使用することができる。
基板の種類は特に制限されず、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができ、タッチパネルの保護カバーとして機能の点からは、ガラス基板が好ましい。
基板の厚み（ｍｍ）は特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。
基板は、後述する加飾層や粘着層を支持することができれば特に制限はなく、公知の基板を使用することができる。
基板の種類は特に制限されず、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板などを使用することができ、タッチパネルの保護カバーとして機能の点からは、ガラス基板が好ましい。
基板の厚み（ｍｍ）は特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％であることが好ましい。
＜加飾層＞
加飾層は、基板の周縁領域に配置される層であり、タッチパネルセンサー中の引き出し配線を隠すことができ、意匠性を高めるための層としての役割を果たす。加飾層は、通常、後述するタッチパネルセンサーの入力領域の外側に位置する外側領域に配置されることが好ましい。
なお、周縁領域とは基板の外周縁から中央側に延びる外周縁に近接した領域であり、通常、枠状（通常、矩形枠状）に形成されているが、この形態に限定されず、ハート型、たまご型、丸型など、任意である。
加飾層は、基板の周縁領域に配置される層であり、タッチパネルセンサー中の引き出し配線を隠すことができ、意匠性を高めるための層としての役割を果たす。加飾層は、通常、後述するタッチパネルセンサーの入力領域の外側に位置する外側領域に配置されることが好ましい。
なお、周縁領域とは基板の外周縁から中央側に延びる外周縁に近接した領域であり、通常、枠状（通常、矩形枠状）に形成されているが、この形態に限定されず、ハート型、たまご型、丸型など、任意である。
加飾層としては、例えば、黒色または白色に着色された層が使用される。
加飾層の材料は特に制限されないが、例えば、バインダー樹脂および着色剤を含有する着色樹脂組成物が挙げられる。また、加飾層には、金属層を用いることもできる。
加飾層の形成方法としては、基板上に形成可能な方法であれば特に限定されない。着色樹脂組成物を用いる場合には、例えば、グラビア印刷、スクリーン印刷等の印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、金属層の場合には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
加飾層の材料は特に制限されないが、例えば、バインダー樹脂および着色剤を含有する着色樹脂組成物が挙げられる。また、加飾層には、金属層を用いることもできる。
加飾層の形成方法としては、基板上に形成可能な方法であれば特に限定されない。着色樹脂組成物を用いる場合には、例えば、グラビア印刷、スクリーン印刷等の印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、金属層の場合には、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
加飾層の厚みとしては、目的に応じて適宜選択されるが、２〜８０μｍの場合が多く、タッチパネルの薄型化の点から、２〜５０μｍが好ましく、２〜３０μｍがより好ましい。
上記の加飾層の厚みは平均厚みであり、加飾層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
上記の加飾層の厚みは平均厚みであり、加飾層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
加飾層の厚みと被めっき層形成用層との厚みとの比（加飾層の厚み／被めっき層形成用層の厚み）は、０．１〜８０００の場合が多く、４〜８０００の場合がより多い。なお、加飾層は、後述する被めっき層形成用層よりも厚い場合が多い。
また、加飾層の厚みと被めっき層形成用層との厚みの差（加飾層の厚み−被めっき層形成用層の厚み）は、５μｍ以上の場合が多く、１０μｍ以上の場合がより多い。上限は特に制限されないが、８０μｍ以下の場合が多い。
なお、上記加飾層の厚みおよび被めっき層形成用層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
また、加飾層の厚みと被めっき層形成用層との厚みの差（加飾層の厚み−被めっき層形成用層の厚み）は、５μｍ以上の場合が多く、１０μｍ以上の場合がより多い。上限は特に制限されないが、８０μｍ以下の場合が多い。
なお、上記加飾層の厚みおよび被めっき層形成用層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
＜粘着層＞
粘着層は、基板および加飾層上に配置される層であり、加飾層の段差を吸収し、基板と反対側の表面が平坦となりやすい。
粘着層を構成する材料（粘着剤）の種類は特に制限されず、公知の材料を使用することができる。例えば、（メタ）アクリル樹脂、スチレン／アクリル樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を含む概念である。
粘着層は、基板および加飾層上に配置される層であり、加飾層の段差を吸収し、基板と反対側の表面が平坦となりやすい。
粘着層を構成する材料（粘着剤）の種類は特に制限されず、公知の材料を使用することができる。例えば、（メタ）アクリル樹脂、スチレン／アクリル樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、（メタ）アクリル樹脂とは、アクリル樹脂およびメタクリル樹脂を含む概念である。
粘着層には、酸基が実質的に含まれないことが好ましい。酸基が実質的に含まれないことにより、後述するめっき触媒付与工程において、粘着層にめっき触媒またはその前駆体が付与されることがより抑制され、所望の位置にのみ金属層（めっき膜）を形成することがより容易にできる。
酸基としては、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられる。
なお、粘着層に酸基が実質的に含まれないとは、具体的には、粘着剤中における酸基の合計の含有量が１×１０-3モル％以下であることを意図し、１×１０-4モル％以下であることが好ましい。下限は特に制限されないが、０モル％が好ましい。
酸基としては、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられる。
なお、粘着層に酸基が実質的に含まれないとは、具体的には、粘着剤中における酸基の合計の含有量が１×１０-3モル％以下であることを意図し、１×１０-4モル％以下であることが好ましい。下限は特に制限されないが、０モル％が好ましい。
粘着層の形成方法は特に制限されず、所定の成分を含む粘着層形成用組成物を塗布して、粘着層を形成する方法や、後段で詳述する転写フィルムを使用する方法などが挙げられる。
粘着層の厚みは特に制限されないが、形成されるパターン状被めっき層のパターン精度がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）から、５０〜３００μｍが好ましく、５０〜２５０μｍがより好ましく、６０〜２２０μｍがさらに好ましい。
上記の粘着層の厚みは平均厚みであり、粘着層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
なお、積層体中における粘着層の厚みは、粘着層が基板と接している位置での粘着層の厚みを意図し、粘着層の基板と接している表面とその反対側の表面との間の長さを意図する。
上記の粘着層の厚みは平均厚みであり、粘着層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
なお、積層体中における粘着層の厚みは、粘着層が基板と接している位置での粘着層の厚みを意図し、粘着層の基板と接している表面とその反対側の表面との間の長さを意図する。
粘着層の厚みと加飾層の厚みとの関係は、本発明の効果が得られる範囲であれば特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、粘着層の厚みと加飾層との厚みの比（粘着層の厚み／加飾層の厚み）は、２以上であることが好ましく、３以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、薄型化の点から、５未満が好ましい。
上述したように、上記粘着層の厚みおよび加飾層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
なお、粘着層と基板の間には、特開２０１３−１６１２０３号公報に記載の絶縁性保護膜層が配置されていてもよい。特開２０１２−２０３７０１号公報に記載の光学調整層を上記絶縁性保護膜層として使用してもよい。
上述したように、上記粘着層の厚みおよび加飾層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
なお、粘着層と基板の間には、特開２０１３−１６１２０３号公報に記載の絶縁性保護膜層が配置されていてもよい。特開２０１２−２０３７０１号公報に記載の光学調整層を上記絶縁性保護膜層として使用してもよい。
＜被めっき層形成用層＞
被めっき層形成用層は、上記粘着層上に配置される層であり、パターン状の露光処理が施されてパターン状被めっき層を形成するための層である。
被めっき層形成用層は、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを少なくとも含む。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
以下では、まず、被めっき層形成用層に含まれる材料について詳述する。
被めっき層形成用層は、上記粘着層上に配置される層であり、パターン状の露光処理が施されてパターン状被めっき層を形成するための層である。
被めっき層形成用層は、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを少なくとも含む。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
以下では、まず、被めっき層形成用層に含まれる材料について詳述する。
（化合物Ｘ）
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。
相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、または、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がさらに好ましい。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。
相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図し、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、または、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、含酸素官能基などを使用することができる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基や、エーテル基、またはシアノ基が特に好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がさらに好ましい。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。
重合性基は、エネルギー付与により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、スチリル基がより好ましい。
化合物Ｘ中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物Ｘ中に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。
化合物Ｘ中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物Ｘ中に含まれる重合性基の数は特に制限されず、１つでも、２つ以上でもよい。
上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、溶解性など取扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、さらに好ましくは２０００以上２０万以下である。特に、重合感度の観点から、２００００以上であることが好ましい。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に制限されず、公知の合成方法（特許公開２００９−２８０９０５号の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
（ポリマーの好適態様１）
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。
ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）を表す。なお、置換基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子などが挙げられる。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ1およびＬ2は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた２価の有機基と同義である。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、なかでも、総炭素数１〜９であるものが好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
また、Ｌ2は、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ2は、単結合、または、総炭素数が１〜１５であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ2の総炭素数とは、Ｌ2で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。
（ポリマーの好適態様２）
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる
ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる
式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、エーテル基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される２価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される２価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、金属層の密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい
式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボキシル基などが挙げられる。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。
上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
（モノマーの好適態様）
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｘ）中、Ｒ11〜Ｒ13は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。なお、Ｒ11としては、水素原子、またはメチル基が好ましい。Ｒ12としては、水素原子が好ましい。Ｒ13としては、水素原子が好ましい。
Ｌ10は、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ10の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ10の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。
Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。
上記化合物がいわゆるモノマーである場合、他の好適態様の一つとして式（１）で表される化合物が挙げられる。
式（１）中、Ｒ10は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン（ナトリウムイオン、カルシウムイオン）、銅イオン、パラジウムイオン、銀イオンなどが挙げられる。なお、金属カチオンとしては、主に１価または２価のものが使用され、２価のもの（例えば、パラジウムイオン）が使用される場合、後述するｎは２を表す。
第四級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
なかでも、めっき触媒またはその前駆体の付着、および、パターニング後の金属残渣の点から、水素原子であることが好ましい。
第四級アンモニウムカチオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
なかでも、めっき触媒またはその前駆体の付着、および、パターニング後の金属残渣の点から、水素原子であることが好ましい。
式（１）中のＬ10の定義は、上述した式（Ｘ）中のＬ10の定義と同義であり、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。
式（１）中のＲ11〜Ｒ13の定義は、上述した式（Ｘ）中のＲ11〜Ｒ13の定義と同義であり、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。なお、Ｒ11〜Ｒ13の好適態様は上述の通りである。
ｎは、１または２の整数を表す。なかでも、化合物の入手性の観点から、ｎは１であることが好ましい。
ｎは、１または２の整数を表す。なかでも、化合物の入手性の観点から、ｎは１であることが好ましい。
式（１）で表される化合物の好適態様として、式（２）で表される化合物が挙げられる。
式（２）中、Ｒ10、Ｒ11およびｎは、上記の定義と同じである。
Ｌ11は、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、またはフェニレン基を表す。なかでも、Ｌ11がアミド基であると、耐溶剤性（例えば、アルカリ溶剤耐性）が向上する。
Ｌ12は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数３〜５）、または、２価の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。なお、Ｌ12が単結合の場合、Ｌ11はフェニレン基を表す。
Ｌ11は、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、またはフェニレン基を表す。なかでも、Ｌ11がアミド基であると、耐溶剤性（例えば、アルカリ溶剤耐性）が向上する。
Ｌ12は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数３〜５）、または、２価の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状であってもよい。なお、Ｌ12が単結合の場合、Ｌ11はフェニレン基を表す。
式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、揮発性、溶剤への溶解性、成膜性、および、取扱い性などの観点から、１００〜１０００が好ましく、１００〜３００がより好ましい。
（組成物Ｙ）
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物とは、相互作用性基を有する化合物である。相互作用性基の定義は上述の通りである。このような化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれない。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、さらに好ましくは２００〜７００である。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがさらに好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物とは、相互作用性基を有する化合物である。相互作用性基の定義は上述の通りである。このような化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれない。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーを使用することが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、さらに好ましくは２００〜７００である。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがさらに好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。
重合性基を有する化合物の好適形態の一つとしては、以下の式（１）で表される化合物が挙げられる。
式（１）中、Ｒ20は、重合性基を表す。
Ｌは、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。
Ｑは、ｎ価の有機基を表す。ｎ価の有機基としては、下記式（１Ａ）で表される基、下記式（１Ｂ）で表される基、
Ｌは、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述の通りである。
Ｑは、ｎ価の有機基を表す。ｎ価の有機基としては、下記式（１Ａ）で表される基、下記式（１Ｂ）で表される基、
−ＮＨ−、−ＮＲ（Ｒ：アルキル基）−、−Ｏ−、−Ｓ−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、芳香族基、ヘテロ環基、および、これらを２種以上組み合わせた基からなるｎ価の有機基を好ましい例として挙げることができる。
ｎは、２以上の整数を表し、２〜６が好ましい。
ｎは、２以上の整数を表し、２〜６が好ましい。
なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に制限されないが、形成される被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜５がより好ましい。
被めっき層形成用層中の化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に制限されないが、被めっき層形成用層全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９．５質量％以下が好ましい。
被めっき層形成用層には、上記化合物Ｘ、組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
被めっき層形成用層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
重合開始剤としては特に制限はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、アゾ化合物等およびその誘導体を挙げることができる。
被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用層全質量に対して、０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．１〜０．５質量％であることがより好ましい。
被めっき層形成用層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
重合開始剤としては特に制限はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、アゾ化合物等およびその誘導体を挙げることができる。
被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用層全質量に対して、０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．１〜０．５質量％であることがより好ましい。
被めっき層形成用層には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤など）を必要に応じて添加してもよい。
被めっき層形成用層の厚みは特に制限されないが、０．０１〜２０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１〜５μｍがさらに好ましい。
上記の被めっき層形成用層の厚みは平均厚みであり、粘着層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
上記の被めっき層形成用層の厚みは平均厚みであり、粘着層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
被めっき層形成用層の厚みと粘着層の厚みとの関係は、本発明の効果が得られる範囲であれば特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、被めっき層形成用層の厚みと粘着層との厚みの比（被めっき層形成用層の厚み／粘着層の厚み）は、３×１０-5〜１．０であることが好ましく、１×１０-4〜０．００１であることがより好ましい。
上述したように、上記被めっき層形成用層の厚み、および、粘着層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
上述したように、上記被めっき層形成用層の厚み、および、粘着層の厚みは、それぞれ平均厚みを意図する。
＜＜積層体の製造方法＞＞
上記積層体の製造方法は特に制限されず、例えば、仮支持体上に被めっき層形成用層および粘着層がこの順で配置された転写フィルムを用いて、転写フィルムの粘着層側を加飾層が周縁領域に配置された基板上に貼り合せる方法や、基板上の周縁領域に加飾層を配置し、その後、粘着層を形成し、さらに、粘着層上に被めっき層形成用層を順に形成する方法などが挙げられる。
以下では、上記転写フィルムを使用する方法、および、各層を順に形成する方法について説明する。
上記積層体の製造方法は特に制限されず、例えば、仮支持体上に被めっき層形成用層および粘着層がこの順で配置された転写フィルムを用いて、転写フィルムの粘着層側を加飾層が周縁領域に配置された基板上に貼り合せる方法や、基板上の周縁領域に加飾層を配置し、その後、粘着層を形成し、さらに、粘着層上に被めっき層形成用層を順に形成する方法などが挙げられる。
以下では、上記転写フィルムを使用する方法、および、各層を順に形成する方法について説明する。
（製造方法（その１））
積層体の製造方法の第１の実施態様としては、転写フィルムを使用する方法が挙げられる。具体的には、まず、仮支持体と、仮支持体上に配置された被めっき層形成用層と、被めっき層形成用層上に配置された粘着層とを有する転写フィルムを用意する。次に、転写フィルムの粘着層側を、周縁領域に加飾層が配置された基板上に貼り合せて、仮支持体を剥離することにより、所望の積層体を得ることができる。
本態様で使用される転写フィルムは、上記のように、仮支持体、被めっき層形成用層、および、粘着層をこの順で有する。被めっき層形成用層および粘着層の定義（成分、厚みなど）は、上述の通りである。
なお、必要に応じて、粘着層の被めっき層形成用層と反対側の表面上に、さらに後述する剥離フィルムが配置されていてもよい。
積層体の製造方法の第１の実施態様としては、転写フィルムを使用する方法が挙げられる。具体的には、まず、仮支持体と、仮支持体上に配置された被めっき層形成用層と、被めっき層形成用層上に配置された粘着層とを有する転写フィルムを用意する。次に、転写フィルムの粘着層側を、周縁領域に加飾層が配置された基板上に貼り合せて、仮支持体を剥離することにより、所望の積層体を得ることができる。
本態様で使用される転写フィルムは、上記のように、仮支持体、被めっき層形成用層、および、粘着層をこの順で有する。被めっき層形成用層および粘着層の定義（成分、厚みなど）は、上述の通りである。
なお、必要に応じて、粘着層の被めっき層形成用層と反対側の表面上に、さらに後述する剥離フィルムが配置されていてもよい。
仮支持体は、周縁領域に加飾層が配置された基板上に粘着層を貼り合せるまで、被めっき層形成用層および粘着層を支持する基板であり、基板と粘着層とを貼り合せた後分離される。つまり、仮支持体は、被めっき層形成用層と剥離可能に密着する。
仮支持体としては、被めっき層形成用層と剥離可能であれば特にその種類は制限されず、公知の仮支持体を使用することができ、いわゆる剥離フィルム（セパレータ）を使用することができる。
仮支持体としては、シリコーン系剥離剤やその他の剥離剤で表面に離型処理が施されたフィルム（好ましくは、樹脂フィルム）や、それ自体が剥離性を有するフィルムが好適に使用できる。
離型処理としては、例えば、シリコーン系離型剤の塗布、長鎖アルキル系離型剤の塗布、フッ素系離型剤の塗布が挙げられる。
樹脂フィルムとしては公知のフィルムを使用することができ、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリスチレン等の各種の樹脂フィルムを使用できる。
仮支持体の厚みは特に制限されないが、取扱い性が優れる点で、２５〜１５０μｍが好ましく、３８〜１００μｍがより好ましい。
仮支持体としては、被めっき層形成用層と剥離可能であれば特にその種類は制限されず、公知の仮支持体を使用することができ、いわゆる剥離フィルム（セパレータ）を使用することができる。
仮支持体としては、シリコーン系剥離剤やその他の剥離剤で表面に離型処理が施されたフィルム（好ましくは、樹脂フィルム）や、それ自体が剥離性を有するフィルムが好適に使用できる。
離型処理としては、例えば、シリコーン系離型剤の塗布、長鎖アルキル系離型剤の塗布、フッ素系離型剤の塗布が挙げられる。
樹脂フィルムとしては公知のフィルムを使用することができ、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリスチレン等の各種の樹脂フィルムを使用できる。
仮支持体の厚みは特に制限されないが、取扱い性が優れる点で、２５〜１５０μｍが好ましく、３８〜１００μｍがより好ましい。
転写フィルムの製造方法は特に制限されず、化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む組成物を仮支持体上に塗布して、被めっき層形成用層を形成し、その後、被めっき層形成用層上に粘着層形成用組成物を塗布して、粘着層を形成する方法が挙げられる。
なお、上記被めっき層形成用層を形成するために使用される組成物には、上記化合物Ｘまたは組成物Ｙが少なくとも含まれるが、組成物には、取扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤；酢酸などの酸；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤；この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
このなかでも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましい。
組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、層厚の制御などがしやすい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤；酢酸などの酸；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤；ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤；この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
このなかでも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましい。
組成物中の溶剤の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、層厚の制御などがしやすい。
粘着層形成用組成物には、上述した粘着層を形成する成分（粘着剤）が少なくとも含まれていればよく、他の成分が含まれていてもよい。
粘着層形成用組成物には、取り扱い性の点から、上記溶媒が含まれていてもよい。
粘着層形成用組成物には、取り扱い性の点から、上記溶媒が含まれていてもよい。
被めっき層形成用層を形成するための組成物および粘着層形成用組成物の塗布の方法は特に制限されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）を使用できる。
また、取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用層を形成するための組成物または粘着層形成用組成物の塗布後に、必要に応じて乾燥処理を行って残存する溶剤を除去してもよい。
なお、乾燥処理の条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。
また、取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用層を形成するための組成物または粘着層形成用組成物の塗布後に、必要に応じて乾燥処理を行って残存する溶剤を除去してもよい。
なお、乾燥処理の条件は特に制限されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。
（製造方法（その２））
積層体の製造方法の第２の実施態様としては、各層を順に製造する方法が挙げられる。具体的には、基板上に加飾層を形成し、その後、粘着層を形成し、さらに、被めっき層形成用層を形成する方法が挙げられる。
各層を形成する方法は上述の通りである。
積層体の製造方法の第２の実施態様としては、各層を順に製造する方法が挙げられる。具体的には、基板上に加飾層を形成し、その後、粘着層を形成し、さらに、被めっき層形成用層を形成する方法が挙げられる。
各層を形成する方法は上述の通りである。
＜＜パターン状被めっき層含有積層体およびその製造方法＞＞
上記積層体は、めっき触媒またはその前駆体が付与されるパターン状被めっき層を形成するために使用される。つまり、上記積層体は、パターン状被めっき層含有積層体を製造するために使用される。
以下、上記積層体を用いて、パターン状被めっき層を形成する方法について詳述する。
上記積層体は、めっき触媒またはその前駆体が付与されるパターン状被めっき層を形成するために使用される。つまり、上記積層体は、パターン状被めっき層含有積層体を製造するために使用される。
以下、上記積層体を用いて、パターン状被めっき層を形成する方法について詳述する。
パターン状被めっき層の形成方法としては、上記積層体中の被めっき層形成用層にパターン状に露光処理を実施して、被めっき層形成用層の未露光領域を除去する方法が挙げられる。より具体的には、まず、図４（Ａ）に示すように、被めっき層形成用層１８の所定量の領域（露光領域２０）に露光処理を施す。光が照射された露光領域２０においては、重合性基間の重合や、基板と重合性基との反応などが進行し、硬化して、不溶部となる。この不溶部は、いわゆる被めっき層となる。次に、図４（Ｂ）に示すように、被めっき層形成用層１８の露光処理が施されなかった領域（未露光領域）を除去することにより、パターン状被めっき層２２が形成される。
以下では、まず、露光処理の方法について詳述し、その後、未露光領域の除去処理について詳述する。
以下では、まず、露光処理の方法について詳述し、その後、未露光領域の除去処理について詳述する。
露光処理では、使用される被めっき層形成用層の材料に応じて最適な波長の光での露光が実施されるが、例えば、ＵＶ（紫外線）ランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。また、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線なども使用可能である。
露光時間としては、被めっき層形成用層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。
なお、上記露光処理をパターン状に実施する方法は特に制限されず、公知の方法が採用され、例えば、マスクを介して露光光を被めっき層形成用層に照射すればよい。
露光時間としては、被めっき層形成用層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０〜３０００ｍＪの範囲である。
なお、上記露光処理をパターン状に実施する方法は特に制限されず、公知の方法が採用され、例えば、マスクを介して露光光を被めっき層形成用層に照射すればよい。
次に、被めっき層形成用層中の露光処理が施されなかった領域（未露光領域）を除去して、パターン状被めっき層を形成する。
未露光領域を除去する方法は特に制限されないが、被めっき層形成用層が溶解する溶剤を被めっき層形成用層に接触させる方法が挙げられる。
より具体的には、アルカリ性溶液を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、未露光領域を除去する場合は、露光処理が施された積層体をアルカリ性溶液中に浸漬させる方法や、その被めっき層形成用層上にアルカリ性溶液を塗布する方法などが挙げられるが、浸漬する方法が好ましい。浸漬する方法の場合、浸漬時間としては生産性・作業性などの観点から、１分から３０分程度が好ましい。
未露光領域を除去する方法は特に制限されないが、被めっき層形成用層が溶解する溶剤を被めっき層形成用層に接触させる方法が挙げられる。
より具体的には、アルカリ性溶液を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、未露光領域を除去する場合は、露光処理が施された積層体をアルカリ性溶液中に浸漬させる方法や、その被めっき層形成用層上にアルカリ性溶液を塗布する方法などが挙げられるが、浸漬する方法が好ましい。浸漬する方法の場合、浸漬時間としては生産性・作業性などの観点から、１分から３０分程度が好ましい。
＜＜導電性積層体およびその製造方法＞＞
上記手順によって、パターン状被めっき層を有するパターン状被めっき層含有積層体が得られる。パターン状被めっき層には、相互作用性基が含まれる。
この積層体は、金属膜（導電膜）を形成する用途に好適に適用できる。つまり、積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、さらに、めっき処理を施すことにより、パターン状被めっき層上に金属層を形成することができる。つまり、パターン状被めっき層の形状を制御することにより、金属層のパターンを制御することができる。また、このようなパターン状被めっき層を使用することにより、金属層の基板に対する密着性が優れる。
以下、上記金属層を形成する工程（金属層形成工程）について詳述する。
上記手順によって、パターン状被めっき層を有するパターン状被めっき層含有積層体が得られる。パターン状被めっき層には、相互作用性基が含まれる。
この積層体は、金属膜（導電膜）を形成する用途に好適に適用できる。つまり、積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、さらに、めっき処理を施すことにより、パターン状被めっき層上に金属層を形成することができる。つまり、パターン状被めっき層の形状を制御することにより、金属層のパターンを制御することができる。また、このようなパターン状被めっき層を使用することにより、金属層の基板に対する密着性が優れる。
以下、上記金属層を形成する工程（金属層形成工程）について詳述する。
（金属層形成工程）
本工程は、パターン状被めっき層含有積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図４（Ｃ）に示すように、パターン状被めっき層２２上に金属層２４が形成され、導電性積層体２６が得られる。
以下では、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。
本工程は、パターン状被めっき層含有積層体中のパターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程である。より具体的には、本工程を実施することにより、図４（Ｃ）に示すように、パターン状被めっき層２２上に金属層２４が形成され、導電性積層体２６が得られる。
以下では、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。
（工程Ｘ：めっき触媒付与工程）
本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。上記化合物由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。より具体的には、パターン状被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体が付与される。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。
本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。上記化合物由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。より具体的には、パターン状被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体が付与される。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒や電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。
本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏなどが挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕが特に好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ(ＮＯ3)n、ＭＣｌn、Ｍ2/n(ＳＯ4)、Ｍ3/n(ＰＯ4)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、Ｃｕイオンが好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。
めっき触媒またはその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を適切な溶剤に分散または溶解させた溶液（めっき触媒またはその前駆体、および、溶媒を含む触媒付与液）を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、または、その溶液中にパターン状被めっき層が形成された積層体を浸漬すればよい。
上記溶剤としては、水や有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透しうる溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。
上記溶剤としては、水や有機溶剤が適宜使用される。有機溶剤としては、パターン状被めっき層に浸透しうる溶剤が好ましく、例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、２−（１−シクロヘキセニル）シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。
めっき触媒またはその前駆体、および、溶剤を含む触媒付与液のｐＨは特に制限されないが、後述するめっき処理の際に、所望の位置に所望の量の金属層が形成されやすい点で、３．０〜７．０であることが好ましく、３．２〜６．８がより好ましく、３．５〜６．６がさらに好ましい。
触媒付与液の調製方法は特に制限されず、所定の金属塩を適切な溶剤で溶解させ、必要に応じて、酸またはアルカリを用いてｐＨを所定の範囲に調整する。
触媒付与液の調製方法は特に制限されず、所定の金属塩を適切な溶剤で溶解させ、必要に応じて、酸またはアルカリを用いてｐＨを所定の範囲に調整する。
溶液（触媒付与液）中のめっき触媒またはその前駆体の濃度は特に制限されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。
また、接触時間としては、３０秒〜２４時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。
パターン状被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ2が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ2がより好ましく、特に２０〜６００ｍｇ／ｍ2が好ましい。
（工程Ｙ：めっき処理工程）
次に、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上記無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応などによって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、さらにその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。
次に、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
めっき処理の方法は特に制限されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
なお、本明細書においては、いわゆる銀鏡反応は、上記無電解めっき処理の一種として含まれる。よって、例えば、銀鏡反応などによって、付着させた金属イオンを還元させて、所望のパターン状金属層を形成してもよく、さらにその後電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。
無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を備える積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を備える積層体を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を備える基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、積層体を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、銀、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の観点からは、銅、銀、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分〜６時間程度であることが好ましく、１分〜３時間程度であることがより好ましい。
本工程おいては、パターン状被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属層の厚みを適宜調整可能である。
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属層の厚みを適宜調整可能である。
電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。尚、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
（用途）
上記処理により得られた金属層を有する導電性積層体は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、マザーボード等の種々の用途に適用することができる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記導電性積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、導電性積層体中の金属層がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electro-luminescence）表示装置）を組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。
上記処理により得られた金属層を有する導電性積層体は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、マザーボード等の種々の用途に適用することができる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。上記導電性積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、導電性積層体中の金属層がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electro-luminescence）表示装置）を組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。
導電性積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合の一実施態様を図５に示す。
図５に示すように、導電性積層体１２６においては、粘着層１６上に配置されたパターン状被めっき層２２と、パターン状被めっき層２２上に配置された検出電極２８および引き出し配線３０とを有する。なお、検出電極２８および引き出し配線３０は、上述した金属層で構成されている。
このような導電性積層体１２６を製造するためには、検出電極２８および引き出し配線３０を配置させたい位置にパターン状被めっき層２２を形成し、これらの上に金属層を形成することにより得られる。つまり、検出電極２８および引き出し配線３０と粘着層１６との間には、パターン状被めっき層２２が配置されている。
図５に示すように、導電性積層体１２６においては、粘着層１６上に配置されたパターン状被めっき層２２と、パターン状被めっき層２２上に配置された検出電極２８および引き出し配線３０とを有する。なお、検出電極２８および引き出し配線３０は、上述した金属層で構成されている。
このような導電性積層体１２６を製造するためには、検出電極２８および引き出し配線３０を配置させたい位置にパターン状被めっき層２２を形成し、これらの上に金属層を形成することにより得られる。つまり、検出電極２８および引き出し配線３０と粘着層１６との間には、パターン状被めっき層２２が配置されている。
なお、検出電極２８は、この金属層含有積層体を含むタッチパネルセンサーがタッチパネルの部材として組み込まれた際には、静電容量の変化を感知するセンシング電極として機能し、感知部（センシング部）を構成する。
検出電極２８は、タッチパネルセンサーの入力領域に接近した操作者の指のＸ方向における入力位置の検出を行う役割を有するものであり、指との間に静電容量を発生する機能を有している。検出電極２８は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
引き出し配線３０は、検出電極２８に電圧を印加するための役割を担う部材である。
検出電極２８は、タッチパネルセンサーの入力領域に接近した操作者の指のＸ方向における入力位置の検出を行う役割を有するものであり、指との間に静電容量を発生する機能を有している。検出電極２８は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
引き出し配線３０は、検出電極２８に電圧を印加するための役割を担う部材である。
なお、図６に示すように、導電性積層体１２６の検出電極２８および引き出し配線３０上に、さらに、粘着層３２を介して、Ｙ方向に延び、Ｘ方向に所定の間隔をあけて配列された複数の検出電極３４をさらに配置することにより、検出電極２８と検出電極３４との間の相互静電容量の変化を検出して位置を操作者の指の入力位置を特定するタッチパネルセンサーが形成される。なお、検出電極３４には図示しない引き出し配線が接続される。
また、さらに、検出電極３４上に表示装置（図示しない）が配置されることにより、タッチパネルが構成される。
なお、上記では、金属層が一方向に延びる検出電極を構成する場合について述べたが、この態様には限定されず、金属層としてＸ方向およびＹ方向の検出を行うことができるパターン状の検出電極および引き出し配線を配置してもよい。例えば、Ｘ方向に延びる検出電極とＹ方向に延びる検出電極とを金属層として、被めっき層を介して粘着層の片面側にのみ配置することもできる。この場合、Ｘ方向に延びる検出電極とＹ方向に延びる検出電極との間には、絶縁層が配置される。また、別の態様としては、粘着層上に被めっき層を介して所定の面積でそれぞれ配置された複数の検出エリアパターン（ノード）ひとつひとつに直接取り出し配線を設ける態様も挙げられる。
また、さらに、検出電極３４上に表示装置（図示しない）が配置されることにより、タッチパネルが構成される。
なお、上記では、金属層が一方向に延びる検出電極を構成する場合について述べたが、この態様には限定されず、金属層としてＸ方向およびＹ方向の検出を行うことができるパターン状の検出電極および引き出し配線を配置してもよい。例えば、Ｘ方向に延びる検出電極とＹ方向に延びる検出電極とを金属層として、被めっき層を介して粘着層の片面側にのみ配置することもできる。この場合、Ｘ方向に延びる検出電極とＹ方向に延びる検出電極との間には、絶縁層が配置される。また、別の態様としては、粘着層上に被めっき層を介して所定の面積でそれぞれ配置された複数の検出エリアパターン（ノード）ひとつひとつに直接取り出し配線を設ける態様も挙げられる。
以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜実施例１＞
（合成例１：ポリマー１）
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却した。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて３時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーＭ１（２０ｇ）を得た。
（合成例１：ポリマー１）
２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２−アミノエタノール１５９ｇを入れ、氷浴にて冷却した。そこへ、２−ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて３時間反応させた。反応終了後、蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーＭ１（２０ｇ）を得た。
５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇを入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。そこへ、モノマーＭ１：１４．３ｇ、アクリロニトリル（東京化成工業（株）製）３．０ｇ、アクリル酸（東京化成製）６．５ｇ、Ｖ−６５（和光純薬製）０．４ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１を１２ｇ得た。
得られたポリマー１の同定をＩＲ（赤外線）測定機（（株）堀場製作所製）を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させＫＢｒ結晶を用いて行った。ＩＲ測定の結果、２２４０ｃｍ-１付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸基含有ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）に溶解させ、ブルカー製３００ＭＨｚのＮＭＲ（ＡＶ−３００）にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（５Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが７．８−８．１ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．８−５．６ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．４−５．２ｐｐｍ（１Ｈ分）、４．２−３．９ｐｐｍ（２Ｈ分）、３．３−３．５ｐｐｍ（２Ｈ分）、２．５−０．７ｐｐｍ（６Ｈ分）にブロードに観察され、カルボン酸基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（３Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基含有ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であることが分かった。
滴下終了後、更に反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４−ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー１を１２ｇ得た。
得られたポリマー１の同定をＩＲ（赤外線）測定機（（株）堀場製作所製）を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させＫＢｒ結晶を用いて行った。ＩＲ測定の結果、２２４０ｃｍ-１付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸基含有ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）に溶解させ、ブルカー製３００ＭＨｚのＮＭＲ（ＡＶ−３００）にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（５Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが７．８−８．１ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．８−５．６ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．４−５．２ｐｐｍ（１Ｈ分）、４．２−３．９ｐｐｍ（２Ｈ分）、３．３−３．５ｐｐｍ（２Ｈ分）、２．５−０．７ｐｐｍ（６Ｈ分）にブロードに観察され、カルボン酸基含有ユニットに相当するピークが２．５−０．７ｐｐｍ（３Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基含有ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であることが分かった。
（組成物の調製）
イソプロパノール（ＩＰＡ）、ポリマー１、ポリアクリル酸、メチレンビスアクリルアミド（ＭＢＡ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（ＢＡＳＦ製）を表１に従って調液し、組成物１〜２を得た。
なお、表１中、各成分の含有量は、組成物全量に対する質量％として表示される。
イソプロパノール（ＩＰＡ）、ポリマー１、ポリアクリル酸、メチレンビスアクリルアミド（ＭＢＡ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（ＢＡＳＦ製）を表１に従って調液し、組成物１〜２を得た。
なお、表１中、各成分の含有量は、組成物全量に対する質量％として表示される。
（加飾層付きガラス基板の製造）
特開２０１３−２１８３１３号の実施例１で製造された加飾層形成用感光性フィルムＬ１を用いて、上記文献と同様の手順に従って、図３に示す加飾層１４と同様の位置（ガラス基板の周縁領域）に、加飾層をガラス基板上に配置して、加飾層付きガラス基板を作製した。なお、加飾層中には、着色剤が含まれていた。加飾層の平均厚みは、２５μｍであった。
特開２０１３−２１８３１３号の実施例１で製造された加飾層形成用感光性フィルムＬ１を用いて、上記文献と同様の手順に従って、図３に示す加飾層１４と同様の位置（ガラス基板の周縁領域）に、加飾層をガラス基板上に配置して、加飾層付きガラス基板を作製した。なお、加飾層中には、着色剤が含まれていた。加飾層の平均厚みは、２５μｍであった。
（転写フィルムの作製）
仮支持体としてＰＥＴフィルム（Ａ４３００東洋紡社製）を用意し、ＰＥＴフィルム上に組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成した。
仮支持体としてＰＥＴフィルム（Ａ４３００東洋紡社製）を用意し、ＰＥＴフィルム上に組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成した。
次に、ガラス容器中にＦＡ−５１２ＡＳ（日立化成工業製）４５質量部、２−エチルヘキシルアクリレート（ＥＨＡ、和光純薬製）４０質量部、ドデシルアクリレート（ＤＤＡ、和光純薬製）１０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ、和光純薬製）５質量部、酢酸エチル８０質量部を入れて加熱還流した。そこに２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ、和光純薬製）０．０３質量部を入れ２時間重合反応を行った。さらに、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ、和光純薬製）０．０３質量部を入れ、２時間攪拌した。そこにトルエンにて希釈し、固形分量が３５質量％のポリマー溶液を得た。ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）（ポリスチレン標準）により得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は５３万であった。得られたポリマー溶液にイソシアネート架橋剤としてコロネートＬ５５Ｅ（日本ポリウレタン製）を固形分で０．３質量％となるように添加してからよく攪拌し、得られた液体を上記被めっき層形成用層上に、乾燥膜厚（粘着層の平均厚み）が７５μｍとなるようにアプリケーターにて塗布し、１００℃で３分乾燥して、粘着層を形成し、仮支持体と被めっき層形成用層と粘着層とを備える転写フィルムを作製した。
（積層体の作製）
上記で作製した加飾層付きガラス基板の加飾層側と、転写フィルムの粘着層とを貼り合せた後、仮支持体を剥離して、ガラス基板と加飾層と粘着層と被めっき層形成用層とを有する積層体１を製造した。
上記で作製した加飾層付きガラス基板の加飾層側と、転写フィルムの粘着層とを貼り合せた後、仮支持体を剥離して、ガラス基板と加飾層と粘着層と被めっき層形成用層とを有する積層体１を製造した。
＜実施例２＞
被めっき層形成用層の平均厚みを０．２μｍから１．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体２を製造した。
被めっき層形成用層の平均厚みを０．２μｍから１．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体２を製造した。
＜実施例３＞
被めっき層形成用層の平均厚みを０．２μｍから２．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体３を製造した。
被めっき層形成用層の平均厚みを０．２μｍから２．０μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体３を製造した。
＜実施例４＞
使用する組成物を組成物１から組成物２に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体４を製造した。
使用する組成物を組成物１から組成物２に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体４を製造した。
＜実施例５＞
以下の手順に従って用意した絶縁層付きガラス基板を加飾層付きガラス基板の代わりに使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体５を製造した。
以下の手順に従って用意した絶縁層付きガラス基板を加飾層付きガラス基板の代わりに使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、積層体５を製造した。
（絶縁層付きガラス基板の製造）
上記で製造した加飾層付きガラス基板の加飾層がある側の表面に、Ｖ−９５１０（ＤＩＣ製を塗布して、絶縁層（平均厚み：３０μｍ）を形成して、絶縁層付きガラス基板を製造した。
上記で製造した加飾層付きガラス基板の加飾層がある側の表面に、Ｖ−９５１０（ＤＩＣ製を塗布して、絶縁層（平均厚み：３０μｍ）を形成して、絶縁層付きガラス基板を製造した。
＜実施例６＞
実施例１で作製したポリマー溶液にイソシアネート架橋剤としてコロネートＬ５５Ｅ（日本ポリウレタン製）を固形分で０．３質量％となるように添加してからよく攪拌し、得られた液体を、実施例１で使用した加飾層付きガラス基板上に、乾燥膜厚（粘着層の平均厚み）が７５μｍとなるようにアプリケーターにて塗布し、１００℃で３分乾燥して、粘着層を形成した。
次に、粘着層上に組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成し、積層体を製造した。
実施例１で作製したポリマー溶液にイソシアネート架橋剤としてコロネートＬ５５Ｅ（日本ポリウレタン製）を固形分で０．３質量％となるように添加してからよく攪拌し、得られた液体を、実施例１で使用した加飾層付きガラス基板上に、乾燥膜厚（粘着層の平均厚み）が７５μｍとなるようにアプリケーターにて塗布し、１００℃で３分乾燥して、粘着層を形成した。
次に、粘着層上に組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成し、積層体を製造した。
＜比較例１＞
加飾層付きガラス基板の加飾層側の表面に、組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成して、積層体１０を製造した。
この態様においては、粘着層が配置されていない。
加飾層付きガラス基板の加飾層側の表面に、組成物１をスピンコートして、８０℃にて５分間乾燥させ、被めっき層形成用層（平均厚み：０．２μｍ）を形成して、積層体１０を製造した。
この態様においては、粘着層が配置されていない。
＜視認性＞
各実施例および比較例にて作製した積層体の被めっき層形成用層の上部に、メッシュ状の被めっき層（具体的には、図７に示すように、開口部４０の一辺の長さＷ１が２００μｍであり、被めっき層４２の幅Ｗ２は５μｍ）が得られるようなフォトマスクを介し、ＵＶ照射（エネルギー量：２Ｊ、１０ｍＷ、波長：２５６ｎｍ）を行い、４０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して現像して、メッシュ状の被めっき層を製造した。フォトマスクは積層体表面の上部から５μｍ離れた位置に配置した。なお、比較例においては、粘着層が配置されていないため、図１に示すように、フォトマスクと、ガラス基板上に配置される被めっき層形成用層との距離は、加飾層の厚み分さらに離れていた。
次に、被めっき層を形成していないガラス基板の面を養生テープ（日東電工製）にてマスキングした後、被めっき層を有するガラス基板をＰｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したものに室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。次に、還元剤ＭＡＢ（上村工業製）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、活性化処理液ＭＥＬ−３（上村工業製）に室温にて５分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業製）に室温にてそれぞれ６０分浸漬した。マスキングしたテープを剥がし純水にて２回洗浄して、被めっき層上にメッシュ状銅層を備える導電性積層体を得た。なお、上記「Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したもの」には、パラジウムイオンを含む触媒付与液に該当し、そのｐＨは３．５であった。
得られたメッシュ状銅層をガラス基板上３０ｃｍの位置から目視して、以下の基準に沿って評価した。本評価は３人の試験者が実施し、後述する表２に示す数値は、３人の評価の平均値を表す。
「５」：視認部にメッシュ線がほぼ確認できず、非常に良好である
「４」：視認部にメッシュ線が僅かに確認できるが、良好である
「３」：視認部にメッシュ線が確認できるが、実用上問題ない
「２」：視認部にメッシュ線が確認できるが、実用上問題ある
「１」：視認部のメッシュ線が目立ち、実用上問題ある
なお、形成されたパターンが被めっき層のパターンがフォトマスクの形状と同じ場合には、そのパターン状被めっき層上に形成されるメッシュ線は視認できない程度である。一方、被めっき層のパターンがフォトマスクの形状よりも大きくなる（例えば、幅が広くなる）につれて、メッシュ線の視認されやすくなる。つまり、上記視認性を評価することにより、被めっき層のパターン形状の精度が把握できる。
各実施例および比較例にて作製した積層体の被めっき層形成用層の上部に、メッシュ状の被めっき層（具体的には、図７に示すように、開口部４０の一辺の長さＷ１が２００μｍであり、被めっき層４２の幅Ｗ２は５μｍ）が得られるようなフォトマスクを介し、ＵＶ照射（エネルギー量：２Ｊ、１０ｍＷ、波長：２５６ｎｍ）を行い、４０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して現像して、メッシュ状の被めっき層を製造した。フォトマスクは積層体表面の上部から５μｍ離れた位置に配置した。なお、比較例においては、粘着層が配置されていないため、図１に示すように、フォトマスクと、ガラス基板上に配置される被めっき層形成用層との距離は、加飾層の厚み分さらに離れていた。
次に、被めっき層を形成していないガラス基板の面を養生テープ（日東電工製）にてマスキングした後、被めっき層を有するガラス基板をＰｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したものに室温にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。次に、還元剤ＭＡＢ（上村工業製）に３６℃にて５分間浸漬し、純水にて２回洗浄した。その後、活性化処理液ＭＥＬ−３（上村工業製）に室温にて５分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業製）に室温にてそれぞれ６０分浸漬した。マスキングしたテープを剥がし純水にて２回洗浄して、被めっき層上にメッシュ状銅層を備える導電性積層体を得た。なお、上記「Ｐｄ触媒付与液ＭＡＴ−２（上村工業製）のＭＡＴ−２Ａのみを５倍に希釈したもの」には、パラジウムイオンを含む触媒付与液に該当し、そのｐＨは３．５であった。
得られたメッシュ状銅層をガラス基板上３０ｃｍの位置から目視して、以下の基準に沿って評価した。本評価は３人の試験者が実施し、後述する表２に示す数値は、３人の評価の平均値を表す。
「５」：視認部にメッシュ線がほぼ確認できず、非常に良好である
「４」：視認部にメッシュ線が僅かに確認できるが、良好である
「３」：視認部にメッシュ線が確認できるが、実用上問題ない
「２」：視認部にメッシュ線が確認できるが、実用上問題ある
「１」：視認部のメッシュ線が目立ち、実用上問題ある
なお、形成されたパターンが被めっき層のパターンがフォトマスクの形状と同じ場合には、そのパターン状被めっき層上に形成されるメッシュ線は視認できない程度である。一方、被めっき層のパターンがフォトマスクの形状よりも大きくなる（例えば、幅が広くなる）につれて、メッシュ線の視認されやすくなる。つまり、上記視認性を評価することにより、被めっき層のパターン形状の精度が把握できる。
＜パターン精度＞
上記視認性評価にて得られた被めっき層の幅Ｗ２を測定し、その幅が４〜６μｍである場合は「Ａ」、４μｍ未満または６μｍ超の場合を「Ｂ」とした。なお、上述したように、使用したフォトマスクにおいて、上記被めっき層が形成される部分の幅は５μｍであり、上記「Ａ」はフォトマスクの開口部からの変動が小さいことを意図する。
なお、上記幅Ｗ２は、任意の５点の被めっき層の幅を測定して、それらを算術平均した値である。
上記視認性評価にて得られた被めっき層の幅Ｗ２を測定し、その幅が４〜６μｍである場合は「Ａ」、４μｍ未満または６μｍ超の場合を「Ｂ」とした。なお、上述したように、使用したフォトマスクにおいて、上記被めっき層が形成される部分の幅は５μｍであり、上記「Ａ」はフォトマスクの開口部からの変動が小さいことを意図する。
なお、上記幅Ｗ２は、任意の５点の被めっき層の幅を測定して、それらを算術平均した値である。
表２中、「製造方法」欄では、「１」は転写フィルムを用いて積層体を製造したことを意図し、「２」は各層を順に塗布して積層体を作製した場合を意図する。
上記表２に示すように、本発明の積層体では、優れたパターン精度にてパターン状被めっき層を形成することができ、結果として、所定の形状のメッシュ線を形成することができ、結果として視認性にも優れていた。
特に、実施例１〜３の比較より、被めっき層形成用層の平均厚みが２μｍ未満の場合、より効果が優れることが確認された。
一方、粘着層を使用していない比較例１では、所望の効果は得られなかった。
特に、実施例１〜３の比較より、被めっき層形成用層の平均厚みが２μｍ未満の場合、より効果が優れることが確認された。
一方、粘着層を使用していない比較例１では、所望の効果は得られなかった。
＜タッチパネルの動作性評価＞
実施例１にて作製した積層体の被めっき層形成用層の上部に、図５に示すような、検出電極および引き出し配線を配したフォトマスクを配置して、ＵＶ照射（エネルギー量：２Ｊ、１０ｍＷ、波長：２５６ｎｍ）を行い、４０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して現像して、パターン状の被めっき層を製造した。
得られたパターン状の被めっき層に対して、＜視認性＞評価にて実施した同様のめっき処理を行い、図５に示すような形状の第１検出電極および第１引き出し配線を作製した。
次に、図６に示すように、形成された第１検出電極および第１引き出し配線上に、粘着層Ａおよび第２検出電極および第２引き出し配線を配置した。なお、第１検出電極は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極であり、第２検出電極は、第２方向（Ｙ方向）に延び、第２方向と直交する第１方向（Ｘ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
上記で作製した第１検出電極および第２検出電極を有する積層体を、粘着層Ａを介して表示装置上に貼り合せて、ガラス基板がタッチ面を構成するタッチパネルを作製した。
なお、実施例１で使用した積層体の代わりに、実施例２〜６で作製した積層体を用いて、上記手順に従って、それぞれタッチパネルを作製した。
実施例１にて作製した積層体の被めっき層形成用層の上部に、図５に示すような、検出電極および引き出し配線を配したフォトマスクを配置して、ＵＶ照射（エネルギー量：２Ｊ、１０ｍＷ、波長：２５６ｎｍ）を行い、４０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して現像して、パターン状の被めっき層を製造した。
得られたパターン状の被めっき層に対して、＜視認性＞評価にて実施した同様のめっき処理を行い、図５に示すような形状の第１検出電極および第１引き出し配線を作製した。
次に、図６に示すように、形成された第１検出電極および第１引き出し配線上に、粘着層Ａおよび第２検出電極および第２引き出し配線を配置した。なお、第１検出電極は、第１方向（Ｘ方向）に延び、第１方向と直交する第２方向（Ｙ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極であり、第２検出電極は、第２方向（Ｙ方向）に延び、第２方向と直交する第１方向（Ｘ方向）に所定の間隔をあけて配列された電極である。
上記で作製した第１検出電極および第２検出電極を有する積層体を、粘着層Ａを介して表示装置上に貼り合せて、ガラス基板がタッチ面を構成するタッチパネルを作製した。
なお、実施例１で使用した積層体の代わりに、実施例２〜６で作製した積層体を用いて、上記手順に従って、それぞれタッチパネルを作製した。
また、実施例１の積層体を用いて、被めっき層のパターン形状を制御して、＜視認性＞評価にて実施した同様のめっき処理を行い、粘着層Ａの片面側のみにＸ方向およびＹ方向の検出が可能な検出電極および各検出電極に接続された引き出し配線を作製し、実施例７の積層体を得た。
得られた積層体を用いて、ガラス基板がタッチ面を構成するタッチパネルを作製した。
得られた積層体を用いて、ガラス基板がタッチ面を構成するタッチパネルを作製した。
得られたタッチパネルを用いて、以下の基準に沿って評価した。なお、本評価は３人の試験者が実施し、後述する表３に示す数値は、３人の評価の平均値を表す。
「５」：高速のフリック動作などに問題なく追従する。
「４」：高速のフリック動作などにほぼ問題なく追従する
「３」：外周近辺で若干の動作遅れを感じるが実用上問題ない
「２」：パネル全体で若干の動作遅れ、または誤動作が発生するなど、実用上問題ある
「１」：誤動作がひどく、実用上問題ある
「５」：高速のフリック動作などに問題なく追従する。
「４」：高速のフリック動作などにほぼ問題なく追従する
「３」：外周近辺で若干の動作遅れを感じるが実用上問題ない
「２」：パネル全体で若干の動作遅れ、または誤動作が発生するなど、実用上問題ある
「１」：誤動作がひどく、実用上問題ある
表３中、「タッチパネルの構成」欄において、「両面」とは図６に示すように粘着層を介してＸ方向に延びる検出電極とＹ方向に延びる検出電極とが対向している態様を意図しており、「片面」とは、Ｘ方向およびＹ方向の検出が可能な検出電極が、パターン状被めっき層がある粘着層Ａの片面側にのみ配置される態様を意図する。
上記表３に示すように、本発明の積層体を用いて形成されるタッチパネルでは、所定の電極パターンを形成することができ、動作性に優れることが確認された。
１０ 積層体
１２ 基板
１４ 加飾層
１６，３２ 粘着層
１８ 被めっき層形成用層
２０ 露光領域
２２ パターン状被めっき層
２４ 金属層
２６，１２６ 導電性積層体
２８，３４ 検出電極
３０ 引き出し配線
４０ 開口部
４２ 被めっき層
５０ マスク
１２ 基板
１４ 加飾層
１６，３２ 粘着層
１８ 被めっき層形成用層
２０ 露光領域
２２ パターン状被めっき層
２４ 金属層
２６，１２６ 導電性積層体
２８，３４ 検出電極
３０ 引き出し配線
４０ 開口部
４２ 被めっき層
５０ マスク
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
前記基板および前記加飾層上に配置され、前記加飾層の段差を吸収する粘着層と、
前記粘着層上に配置された、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層と、を有する、積層体。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物 - 前記粘着層に酸基が実質的に含まれない、請求項１に記載の積層体。
- 前記基板がガラス基板である、請求項１または２に記載の積層体。
- 前記被めっき層形成用層の厚みが０．０１〜２０μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体。
- 前記粘着層の厚みと前記加飾層の厚みとの比が２以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体。なお、上記比は、粘着層の厚み／加飾層の厚みを表す。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体中の前記被めっき層形成用層に対してパターン状に露光処理を実施し、前記被めっき層形成用層の未露光領域を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程と、
前記パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、前記めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、前記パターン状被めっき層上に金属層を形成する工程と、を備える、導電性積層体の製造方法。 - 基板と、
前記基板上の周縁領域に配置された加飾層と、
前記基板および前記加飾層上に配置され、前記加飾層の段差を吸収する粘着層と、
前記粘着層上に配置された、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有するパターン状被めっき層と、
前記パターン状被めっき層上に配置された金属層と、を有する、導電性積層体。 - 請求項７に記載の導電性積層体を含む、タッチパネルセンサー。
- 請求項７に記載の導電性積層体を含む、タッチパネル。
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