WO2016158419A1 - タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法、タッチパネルセンサー用導電性フィルム、および、タッチパネル - Google Patents

タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法、タッチパネルセンサー用導電性フィルム、および、タッチパネル Download PDF

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WO2016158419A1
WO2016158419A1 PCT/JP2016/058329 JP2016058329W WO2016158419A1 WO 2016158419 A1 WO2016158419 A1 WO 2016158419A1 JP 2016058329 W JP2016058329 W JP 2016058329W WO 2016158419 A1 WO2016158419 A1 WO 2016158419A1
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WO
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layer
group
conductive film
touch panel
lead
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Application number
PCT/JP2016/058329
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English (en)
French (fr)
Inventor
東　耕平
直樹 塚本
Original Assignee
富士フイルム株式会社
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    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a conductive film for a touch panel sensor, a conductive film for a touch panel sensor, and a touch panel including the conductive film for a touch panel sensor manufactured by the manufacturing method.
  • Patent Document 1 discloses a method for producing a conductive layer by applying an electroless plating catalyst or a precursor thereof to a graft polymer generation region having an interactive group and performing electroless plating.
  • the conductive layer can function as “leading wiring (leading wiring) connecting the electrode (detection electrode) in the touch panel and the driver”, but a description regarding the specific configuration is described. Absent. Further, as a means for electrically connecting the transparent electrode acting as the detection electrode and the lead-out wiring, there is a method of arranging the transparent electrode so as to overlap the end of the lead-out wiring.
  • the present inventors refer to the method described in Patent Document 1 so that the transparent electrode functioning as a sensor electrode and the lead-out wiring are overlapped on the end of the lead-out wiring as described above.
  • This invention makes it a subject to provide the manufacturing method of the electroconductive film for touchscreen sensors in which the adhesiveness of a transparent electrode and extraction wiring is excellent in view of the said situation, and the extraction wiring shows the outstanding electrical conductivity. . Moreover, this invention also makes it a subject to provide the touchscreen containing the electroconductive film for touchscreen sensors manufactured from the said manufacturing method, and the electroconductive film for touchscreen sensors.
  • the present inventors have found that the above problem can be solved by arranging a resist pattern in forming a transparent electrode at a predetermined position. That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.
  • a method for producing a conductive film for a touch panel sensor comprising: a substrate; a transparent electrode disposed on the substrate; and a lead wiring disposed on the substrate and connected to the transparent electrode.
  • a plating catalyst or a precursor thereof is applied to the patterned layer to be plated, and the patterning layer to which the plating catalyst or its precursor has been applied is subjected to a plating treatment, and a lead wiring is provided on the patterned layer to be plated.
  • Forming step C Forming a transparent conductive film on the substrate so as to overlap at least one end of the lead wiring; and A photosensitive resist layer is formed on the transparent conductive film, and the photosensitive resist layer is exposed so that a resist pattern is formed in the region where the lead-out wiring is arranged and the region where the transparent electrode is to be formed.
  • the exposed photosensitive resist layer is subjected to a development process to form a resist pattern; and Removing the transparent conductive film in the region where the resist pattern is not disposed by etching, and forming a transparent electrode; and A method for producing a conductive film for a touch panel sensor, comprising a step G of removing a resist pattern.
  • Compound X a functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof, and a compound composition having a polymerizable group Y: a compound having a functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof, and a polymerizable group
  • the manufacturing method of the conductive film for touchscreen sensors which a lead-out wiring shows the outstanding electroconductive characteristic can be provided.
  • the touch panel containing the electroconductive film for touch panel sensors manufactured by the said manufacturing method can also be provided.
  • FIG. 4 is a top view of the laminate obtained in step A.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a laminate obtained in step A.
  • FIG. 6 is a top view of the laminate obtained in step B.
  • disconnected by the AA line in FIG. 3A. 6 is a top view of the laminate obtained in step C.
  • FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 4. 6 is a top view of the laminate obtained in step D.
  • wire in FIG. 5A. 6 is a top view of the laminate obtained in step E.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a laminate obtained in step A.
  • FIG. 6 is a top view of the laminate obtained in step F.
  • FIG. It is sectional drawing cut
  • 6 is a top view of the laminate obtained in Step G.
  • FIG. It is sectional drawing cut
  • a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • a lead wire is manufactured by plating using a patterned plating layer, and one end portion of the lead wire and the transparent electrode are arranged so as to be in contact with each other.
  • the lead wiring formed by plating as described above has a rough surface as compared with a metal layer formed by a vapor phase growth method such as sputtering. For this reason, the adhesion between the lead-out wiring having a rough surface and the transparent electrode is improved.
  • the inventors of the present invention form a lead wiring on the substrate by plating, arrange a transparent conductive film so as to overlap the end of the lead wiring, and then etch the transparent conductive film to touch the touch panel.
  • the reason why the resistance value of the lead-out wiring was increased when the conductive film for the sensor was to be manufactured was examined. As a result, it has been found that when the transparent conductive film is etched, part of the lead-out wiring may be etched together. Therefore, before carrying out the etching process of the transparent conductive film, a resist pattern is arranged on the region where the lead wiring is arranged. Due to the presence of such a resist pattern, etching of the lead wiring is prevented during the etching process of the transparent conductive film, and as a result, an increase in the resistance value of the lead wiring is suppressed.
  • FIG. 1 is a flowchart which shows the manufacturing process in the suitable embodiment of the manufacturing method of the electroconductive film for touchscreen sensors of this invention.
  • the method for manufacturing a conductive film for a touch panel sensor includes a step A (layer formation step A for plating layer formation step) (S102) for forming a layer for forming a plating layer on a substrate, Step B for forming a plating layer (patterned layer forming step B) (S104), step C for carrying out plating to form a lead-out wiring (plating step C) (S106), step for forming a transparent conductive film D (transparent conductive film forming step D) (S108), a step E (resist pattern forming step E) (S110) for forming a resist pattern on the transparent conductive film, a step F (etching step) for etching the transparent conductive film F) (S112), and a process G (resist pattern removal process G) (S114) for removing the resist pattern.
  • step A layer formation step A
  • Step A is a step of forming a layer to be plated forming layer containing compound X or composition Y described later on the substrate.
  • the layer 12 for to-be-plated layer forming is formed on the board
  • the layer for forming a layer to be plated is a precursor layer that is subjected to a patterned exposure process to form a patterned layer to be plated.
  • the substrate is not particularly limited as long as it can support a transparent electrode and a lead-out wiring described later, and a known substrate can be used.
  • the substrate supports the transparent electrode in the central region and supports the lead-out wiring in the peripheral region.
  • the substrate include an insulating substrate, and more specifically, a resin substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, and the like.
  • the resin substrate material include polyester resins (polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate), polyethersulfone resins, polyacrylic resins, polyurethane resins, polycarbonate resins, polysulfone resins, polyamide resins, and polyarylate.
  • the thickness (mm) of the substrate is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 2 mm, more preferably 0.1 to 1 mm, from the viewpoint of balance between handleability and thinning.
  • the substrate preferably transmits light appropriately. Specifically, the total light transmittance of the substrate is preferably 85 to 100%.
  • a substrate surface-treated with a silane coupling agent may be used. That is, you may use the board
  • the layer for forming a layer to be plated is a layer disposed on the substrate, and is a layer for forming a patterned layer to be plated by performing a pattern exposure process.
  • the layer for forming a layer to be plated includes at least the following compound X or composition Y.
  • Compound X a functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor (hereinafter, also simply referred to as “interactive group”) and a compound composition having a polymerizable group Y: interaction with the plating catalyst or its precursor
  • interactive group a functional group that interacts with the plating catalyst or its precursor
  • a compound composition having a polymerizable group Y interaction with the plating catalyst or its precursor
  • Compound X is a compound having an interactive group and a polymerizable group.
  • the interactive group means a functional group capable of interacting with a plating catalyst or a precursor thereof applied to the patterned layer to be plated.
  • Examples of the interactive group include a functional group capable of forming an electrostatic interaction with a plating catalyst or a precursor thereof, and a nitrogen-containing functional group or a sulfur-containing functional group capable of coordinating with a plating catalyst or a precursor thereof. And oxygen-containing functional groups.
  • Nitrogen-containing functional groups such as nitro group, nitroso group, azo group, diazo group, azide group, cyano group, and cyanate group; ether group, hydroxyl group, phenolic hydroxyl group, carboxylic acid group, carbonate group, carbonyl Group, ester group, group containing N-oxide structure, S-oxide And oxygen-containing
  • Salts can also be used.
  • ionic polar groups such as carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, phosphoric acid groups, and boronic acid groups, ether groups, or A cyano group is preferable, and a carboxylic acid group (carboxyl group) or a cyano group is more preferable.
  • Compound X may contain two or more interactive groups.
  • the polymerizable group is a functional group capable of forming a chemical bond by exposure, and examples thereof include a radical polymerizable group and a cationic polymerizable group.
  • a radical polymerizable group is preferable from the viewpoint of more excellent reactivity.
  • radical polymerizable groups include acrylic acid ester groups (acryloyloxy groups), methacrylic acid ester groups (methacryloyloxy groups), itaconic acid ester groups, crotonic acid ester groups, isocrotonic acid ester groups, maleic acid ester groups, and the like.
  • Examples thereof include an unsaturated carboxylic acid ester group, a styryl group, a vinyl group, an acrylamide group, and a methacrylamide group.
  • a methacryloyloxy group, an acryloyloxy group, a vinyl group, a styryl group, an acrylamide group, or a methacrylamide group is preferable, and a methacryloyloxy group, an acryloyloxy group, or a styryl group is more preferable.
  • two or more polymerizable groups may be contained. Further, the number of polymerizable groups contained in the compound X is not particularly limited, and may be one or two or more.
  • the compound X may be a low molecular compound or a high molecular compound.
  • a low molecular weight compound intends a compound having a molecular weight of less than 1000, and a high molecular weight compound intends a compound having a molecular weight of 1000 or more.
  • the low molecular compound having a polymerizable group corresponds to a so-called monomer.
  • the polymer compound may be a polymer having a predetermined repeating unit. Moreover, as a compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • the weight average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1000 or more and 700,000 or less, and more preferably 2000 or more and 200,000 or less, from the viewpoint of better handleability such as solubility. In particular, it is more preferably 20000 or more from the viewpoint of polymerization sensitivity.
  • a method for synthesizing such a polymer having a polymerizable group and an interactive group is not particularly limited, and a known synthesis method (see paragraphs [0097] to [0125] of Patent Publication 2009-280905) is used.
  • a repeating unit having a polymerizable group represented by the following formula (a) (hereinafter also referred to as a polymerizable group unit as appropriate), and the following formula: Examples thereof include a copolymer containing a repeating unit having an interactive group represented by (b) (hereinafter also referred to as an interactive group unit as appropriate).
  • R 1 to R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group) Etc.).
  • the kind of substituent is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, and a fluorine atom.
  • R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.
  • R 2 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.
  • R 3 is preferably a hydrogen atom.
  • R 4 is preferably a hydrogen atom.
  • R 5 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.
  • X, Y, and Z each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group.
  • the divalent organic group include a substituted or unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 8 carbon atoms, for example, an alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, and a propylene group), substituted or unsubstituted Unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms, eg, phenylene group), —O—, —S—, —SO 2 —, —N (R) — (R: alkyl group) ), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, and a combination thereof (for example, an alkyleneoxy group, an alkyleneoxycarbonyl group, an alkylenecarbonyloxy group, and the like).
  • a single bond, an ester group (—COO—), an amide group (—CONH) is used because the synthesis of the polymer is easy and the adhesion between the patterned plated layer and the lead wiring is more excellent.
  • An ether group (-O-), or a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group is preferable, and a single bond, an ester group (-COO-), or an amide group (-CONH-) More preferred.
  • L 1 and L 2 each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group.
  • a divalent organic group it is synonymous with the divalent organic group described by X, Y, and Z mentioned above.
  • L 1 is an aliphatic hydrocarbon group or a divalent organic group having a urethane bond or a urea bond in that the polymer is easily synthesized and the adhesion between the patterned plated layer and the lead-out wiring is better.
  • an aliphatic hydrocarbon group is preferable, and those having 1 to 9 carbon atoms are more preferable.
  • the total number of carbon atoms of L 1 means the total number of carbon atoms contained in the divalent organic group or a substituted or unsubstituted represented by L 1.
  • L 2 is a single bond, a divalent aliphatic hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, or these in terms of better adhesion between the patterned plated layer and the lead wiring.
  • a combined group is preferred.
  • L 2 preferably has a single bond or a total carbon number of 1 to 15.
  • the total number of carbon atoms of L 2 means the total number of carbon atoms contained in the divalent organic group or a substituted or unsubstituted represented by L 2.
  • the divalent organic group represented by L 2 is preferably unsubstituted.
  • W represents an interactive group.
  • the definition of the interactive group is as described above.
  • the content of the polymerizable group unit is preferably 5 to 50 mol% with respect to all repeating units in the polymer from the viewpoint of reactivity (curability, polymerization) and suppression of gelation during synthesis, 5 to 40 mol% is more preferable.
  • the content of the interactive group unit is preferably 5 to 95 mol%, preferably 10 to 95 mol%, based on the total repeating units in the polymer, from the viewpoint of adsorptivity to the plating catalyst or its precursor. More preferred.
  • a second preferred embodiment of the polymer includes a copolymer containing repeating units represented by the following formula (A), formula (B), and formula (C).
  • the repeating unit represented by the formula (A) is the same as the repeating unit represented by the above formula (a), and the description of each group is also the same.
  • R 5, X and L 2 in the repeating unit represented by formula (B) is the same as R 5, X and L 2 in the repeating unit represented by formula (b), a description of each group Is the same.
  • Wa in the formula (B) represents a group that interacts with the plating catalyst or its precursor, excluding the hydrophilic group represented by V described later or its precursor group. Of these, a cyano group or an ether group is preferable.
  • each R 6 independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group.
  • U represents a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group.
  • the definition of a bivalent organic group is synonymous with the divalent organic group represented by X, Y, and Z mentioned above.
  • U is a single bond, an ester group (—COO—), an amide group (—CONH—), an ether group in that the polymer is easily synthesized and the adhesion between the patterned plated layer and the lead-out wiring is better. (—O—) or a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group is preferred.
  • L 3 represents a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group.
  • the definition of a divalent organic group is synonymous with the divalent organic group represented by L 1 and L 2 described above.
  • L 3 is a single bond, a divalent aliphatic hydrocarbon group, or a divalent aromatic carbonization because it is easy to synthesize a polymer and has better adhesion between the patterned layer to be plated and the lead-out wiring. A hydrogen group or a combination of these is preferable.
  • V represents a hydrophilic group or a precursor group thereof.
  • the hydrophilic group is not particularly limited as long as it is a group exhibiting hydrophilicity, and examples thereof include a hydroxyl group and a carboxylic acid group.
  • the precursor group of the hydrophilic group means a group that generates a hydrophilic group by a predetermined treatment (for example, treatment with acid or alkali). For example, a carboxyl group protected with THP (2-tetrahydropyranyl group) An acid group etc. are mentioned.
  • the hydrophilic group is preferably an ionic polar group in terms of interaction with the plating catalyst or its precursor.
  • the ionic polar group examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, and a boronic acid group.
  • a carboxylic acid group is preferable from the viewpoint of moderate acidity (does not decompose other functional groups).
  • the preferred content of each unit in the second preferred embodiment of the polymer is as follows.
  • the content of the repeating unit represented by the formula (A) is 5 to 50 with respect to all the repeating units in the polymer from the viewpoint of reactivity (curability, polymerizability) and suppression of gelation during synthesis.
  • the mol% is preferable, and 5 to 30 mol% is more preferable.
  • the content of the repeating unit represented by the formula (B) is preferably 5 to 75 mol% with respect to all the repeating units in the polymer, from the viewpoint of adsorptivity to the plating catalyst or its precursor, and 10 to 70 mol. % Is more preferable.
  • the content of the repeating unit represented by the formula (C) is preferably from 10 to 70 mol%, preferably from 20 to 60 mol%, based on all repeating units in the polymer, from the viewpoints of developability with an aqueous solution and moisture-resistant adhesion. Is more preferable, and 30 to 50 mol% is more preferable.
  • the polymer can be prepared by known methods (eg, the methods in the literature listed above).
  • R 11 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group.
  • the unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.
  • the substituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, or a fluorine atom.
  • R 11 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 12 is preferably a hydrogen atom.
  • R 13 is preferably a hydrogen atom.
  • L 10 represents a single bond or a divalent organic group.
  • the divalent organic group include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms), —O —, —S—, —SO 2 —, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, and combinations thereof (for example, Alkyleneoxy group, alkyleneoxycarbonyl group, alkylenecarbonyloxy group, etc.).
  • a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group, or these groups are substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, or the like Those are preferred.
  • the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group an unsubstituted phenylene group or a phenylene group substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom or the like is preferable.
  • one preferred embodiment of L 10 includes —NH—aliphatic hydrocarbon group— or —CO—aliphatic hydrocarbon group—.
  • W is synonymous with the definition of W in Formula (b), and represents an interactive group.
  • Formula (X) as a suitable aspect of W, an ionic polar group is mentioned, A carboxylic acid group is more preferable.
  • composition Y is a composition containing a compound having an interactive group and a compound having a polymerizable group. That is, the layer for forming a layer to be plated includes two types of compounds, that is, a compound having an interactive group and a compound having a polymerizable group. The definitions of the interactive group and the polymerizable group are as described above.
  • the compound having an interactive group is a compound having an interactive group. The definition of the interactive group is as described above.
  • Such a compound may be a low molecular compound or a high molecular compound.
  • the polymer for example, polyacrylic acid
  • the polymer which has a repeating unit represented by the formula (b) mentioned above is mentioned.
  • the compound having an interactive group does not contain a polymerizable group.
  • the compound having a polymerizable group is a so-called monomer, and is preferably a polyfunctional monomer having two or more polymerizable groups in that the formed layer to be plated is more excellent in hardness.
  • the polyfunctional monomer is preferably a monomer having 2 to 6 polymerizable groups.
  • the molecular weight of the polyfunctional monomer used is preferably from 150 to 1,000, more preferably from 200 to 700, from the viewpoint of molecular mobility during the crosslinking reaction that affects the reactivity.
  • the distance (distance) between a plurality of polymerizable groups is preferably from 1 to 15 in terms of the number of atoms, and more preferably from 6 to 10.
  • the compound having a polymerizable group may contain an interactive group.
  • the mass ratio of the compound having an interactive group and the compound having a polymerizable group is not particularly limited. From the viewpoint of the balance between the strength of the plating layer and the plating suitability, 0.1 to 10 is preferable, and 0.5 to 5 is more preferable.
  • the content of compound X (or composition Y) in the layer for forming a layer to be plated is not particularly limited, but is preferably 50% by mass or more and 80% by mass or more with respect to the total mass of the layer for forming a layer to be plated. More preferred. Although an upper limit is not specifically limited, 99.5 mass% or less is preferable.
  • the layer for forming a layer to be plated may contain components other than the compound X and the composition Y.
  • the layer for forming a layer to be plated may contain a polymerization initiator.
  • the polymerization initiator By including the polymerization initiator, the reaction between the polymerizable groups during the exposure processing proceeds more efficiently.
  • a polymerization initiator A well-known polymerization initiator (what is called a photoinitiator) etc. can be used.
  • polymerization initiators examples include benzophenones, acetophenones, ⁇ -aminoalkylphenones, benzoins, ketones, thioxanthones, benzyls, benzyl ketals, oxime esters, anthrones, tetramethylthiuram monosulfide Bisacylphosphinoxides, acylphosphine oxides, anthraquinones, and azo compounds, and derivatives thereof.
  • the content of the polymerization initiator in the layer to be plated is not particularly limited, but is 0.01 to 1% by mass with respect to the total mass of the layer to be plated in terms of curability of the layer to be plated. It is preferably 0.1 to 0.5% by mass.
  • additives for the layer to be plated layer, other additives (for example, sensitizers, curing agents, polymerization inhibitors, antioxidants, antistatic agents, fillers, particles, flame retardants, surfactants, lubricants, and You may add a plasticizer etc. as needed.
  • the thickness of the layer for forming a layer to be plated is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 ⁇ m, more preferably 0.1 to 10 ⁇ m, and further preferably 0.1 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the layer for forming a layer to be plated is an average thickness, and is an arithmetic average value obtained by measuring the thickness of any 10 points of the layer for forming a layer to be plated.
  • the method of forming the layer for forming a layer to be plated on the substrate is not particularly limited, and a method (coating method) for forming the layer for forming a layer to be plated by applying the above-described composition containing various components on the substrate, Moreover, a method (transfer method) in which a layer for forming a layer to be plated is formed on a temporary substrate and transferred onto the substrate can be used. Among these, a coating method is preferable because the thickness can be easily controlled. Hereinafter, embodiments of the coating method will be described in detail.
  • the composition used in the coating method includes at least Compound X or Composition Y described above.
  • the other component (for example, polymerization initiator) mentioned above may be contained as needed.
  • a solvent is contained in a composition from the point of handleability.
  • Solvents that can be used are not particularly limited. For example, water, alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, nitrile solvents, ester solvents, carbonate solvents, ether solvents, glycol solvents, amine solvents, thiols.
  • the solvent include halogen solvents.
  • the content of the solvent in the composition is not particularly limited, but is preferably 50 to 98% by mass, more preferably 70 to 95% by mass with respect to the total amount of the composition. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of the layer for to-be-plated layer formation.
  • the method for coating the composition on the substrate is not particularly limited, and a known method (for example, spin coating, die coating, dip coating, etc.) can be used. From the viewpoint of handleability and production efficiency, there is an embodiment in which the composition is applied onto a substrate, and if necessary, a drying treatment is performed to remove the solvent remaining in the coating film to form a layer to be plated. preferable.
  • the conditions for the drying treatment are not particularly limited, but are preferably carried out at room temperature to 220 ° C. (preferably 50 to 120 ° C.) for 1 to 30 minutes (preferably 1 to 10 minutes) from the viewpoint of better productivity. .
  • Process B exposes the area where the lead wiring is to be formed (area where the lead wiring is to be formed) to the layer for forming the layer to be plated, removes the unexposed portion in the layer for forming the layer to be plated, This is a step of forming a to-be-plated layer.
  • the lead-out wiring is arranged on the patterned layer to be plated by performing a plating process. Therefore, in this step, as shown in FIGS. 3A and 3B, a patterned plated layer 14 is formed in a region where a lead wiring is to be formed by a plating process described later.
  • FIG. 3A and 3B a patterned plated layer 14 is formed in a region where a lead wiring is to be formed by a plating process described later.
  • pattern-like to-be-plated layers 14 are formed, the number is not specifically limited. More specifically, by performing exposure on a predetermined region of the layer for forming a layer to be plated (region where the lead-out wiring is to be formed), in the exposed region, polymerization between the polymerizable groups, and the substrate The reaction with the polymerizable group or the like proceeds, and the exposed layer for forming a layer to be plated is cured to become an insoluble part. This insoluble part becomes what is called a pattern-like to-be-plated layer. Next, a pattern-form to-be-plated layer is formed by removing the unexposed part (part which is not light-irradiated (exposure process)) of the to-be-plated layer forming layer.
  • the unexposed part part which is not light-irradiated (exposure process)
  • exposure process exposure with light having an optimum wavelength is performed according to the material of the layer for forming a layer to be used.
  • UV (ultraviolet light) lamps and light irradiation with visible light or the like are used.
  • the light source include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a chemical lamp, and a carbon arc lamp.
  • an electron beam, an X-ray, an ion beam, a far infrared ray, etc. can be used.
  • the exposure time varies depending on the reactivity of the material of the layer for forming a layer to be plated and the light source, but is usually between 10 seconds and 5 hours.
  • the exposure energy may be about 10 to 8000 mJ, preferably 50 to 3000 mJ.
  • the method for performing the exposure process in a pattern is not particularly limited, and a known method is employed.
  • the exposure layer may be irradiated with exposure light through a mask having a predetermined opening.
  • the exposed region is a region where a lead wiring is to be formed.
  • the region where the lead wire is to be formed is a region where the lead wire is to be formed (a region where the lead wire is to be formed when observed from the normal direction of the substrate), and a layer for forming a layer to be plated in this region
  • the exposure process is performed. That is, when observed from the normal direction of the substrate, the position where the lead wiring formation scheduled area and the exposure area coincide with each other.
  • “matching” not only completely matches, but also may have an experimental error (in other words, may be substantially matching).
  • the lead-out wiring is formed in the peripheral region of the substrate, and the exposure region is often located in the peripheral region.
  • the peripheral region is a region close to the outer peripheral edge extending from the outer peripheral edge of the substrate to the center side.
  • the unexposed portion of the layer for forming a layer to be plated is removed to form a patterned layer to be plated.
  • the method of removing an unexposed part is not specifically limited, The method of making the solvent in which the layer for to-be-plated layer formation melt
  • a method (immersion method) of immersing a substrate having a layer for forming a layer to be plated, which has been subjected to exposure processing, in the alkaline solution, and formation of the layer to be plated The method (application
  • the dipping time is preferably about 1 to 30 minutes from the viewpoint of productivity and workability.
  • step C a plating catalyst or a precursor thereof is applied to the patterned layer to be plated, and the plating treatment is performed on the patterned layer to which the plating catalyst or the precursor is applied.
  • step C a step of forming a lead-out wiring.
  • the lead-out wiring 16 is formed on the patterned layer 14 to be plated.
  • the lead-out wiring is composed of a metal layer formed by plating.
  • the one end part by the side connected with the transparent electrode of the lead-out wiring 16 has a T-shape, it is not limited to this aspect.
  • process X which provides a plating catalyst or its precursor to a pattern-like to-be-plated layer
  • process Y process of performing a plating process with respect to the pattern-like to-be-plated layer to which the plating catalyst or its precursor was provided.
  • a plating catalyst or a precursor thereof is applied to the patterned layer to be plated.
  • the interactive group derived from the compound X or the composition Y adheres (adsorbs) the applied plating catalyst or its precursor depending on its function.
  • a plating catalyst or a precursor thereof is applied on the surface of the patterned layer to be plated.
  • the plating catalyst or a precursor thereof functions as a catalyst for the plating treatment and an electrode. Therefore, the type of plating catalyst or precursor used is appropriately determined depending on the type of plating treatment.
  • the plating catalyst used or its precursor is an electroless plating catalyst or its precursor.
  • the electroless plating catalyst or its precursor will be described in detail.
  • any catalyst can be used as long as it becomes an active nucleus at the time of electroless plating.
  • a metal having a catalytic ability for an autocatalytic reduction reaction (a metal known as a metal capable of electroless plating having a lower ionization tendency than Ni) can be used. More specifically, examples thereof include Pd, Ag, Cu, Ni, Pt, Au, and Co. Of these, Ag, Pd, Pt, or Cu is preferable because of its high catalytic ability.
  • a metal colloid may be used as the electroless plating catalyst.
  • the electroless plating catalyst precursor used in this step is not particularly limited as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction.
  • the metal ions of the metals mentioned as the electroless plating catalyst are mainly used.
  • the metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction.
  • the metal ion that is the electroless plating catalyst precursor may be changed to a zero-valent metal by a reduction reaction separately to be used as an electroless plating catalyst.
  • the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.
  • the metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is preferably applied to the patterned layer to be plated using a metal salt.
  • the metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion).
  • a metal ion the thing which said metal salt dissociated can be used suitably.
  • Ag ion, Cu ion, Ni ion, Co ion, Pt ion, and Pd ion are mentioned.
  • metal ions capable of multidentate coordination are preferable, and Ag ions, Pd ions, or Cu ions are particularly preferable in terms of the number of types of functional groups capable of coordination and catalytic ability.
  • a zero-valent metal can also be used as a catalyst used for direct electroplating without electroless plating.
  • Examples of a method for applying a plating catalyst or a precursor thereof to a patterned layer to be plated include, for example, preparing a solution in which the plating catalyst or its precursor is dispersed or dissolved in an appropriate solvent, and using the solution as a patterned layer to be plated. What is necessary is just to immerse the board
  • the solvent water or an organic solvent is appropriately used.
  • the concentration of the plating catalyst or its precursor in the solution is not particularly limited, but is preferably 0.001 to 50% by mass, and more preferably 0.005 to 30% by mass.
  • the contact time is preferably about 30 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 1 hour.
  • the amount of adsorption of the plating catalyst or precursor of the patterned layer to be plated varies depending on the type of plating bath used, the type of catalyst metal, the interaction type of the patterned layer to be plated, and the method of use, etc. From the viewpoint of the precipitating property, 5 to 1000 mg / m 2 is preferable, 10 to 800 mg / m 2 is more preferable, and 20 to 600 mg / m 2 is more preferable.
  • a plating treatment is performed on the patterned layer to which the plating catalyst or its precursor is applied.
  • the method of the plating treatment is not particularly limited, and examples thereof include electroless plating treatment or electrolytic plating treatment (electroplating treatment).
  • the electroless plating process may be performed alone, or after the electroless plating process, the electrolytic plating process may be further performed.
  • the procedures of the electroless plating process and the electrolytic plating process will be described in detail.
  • the electroless plating treatment refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
  • a substrate having a pattern-like plated layer provided with an electroless plating catalyst is washed with water to remove excess electroless plating catalyst (metal), and then the washed substrate is used. It is preferable to carry out by immersing in an electroless plating bath.
  • a known electroless plating bath can be used as the electroless plating bath.
  • a substrate having a patterned plating layer provided with an electroless plating catalyst precursor is immersed in an electroless plating bath with the electroless plating catalyst precursor adsorbed or impregnated on the patterned plating layer
  • the substrate is washed with water to remove excess electroless plating catalyst precursor (such as metal salt), and then the washed substrate is immersed in an electroless plating bath.
  • reduction of the electroless plating catalyst precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath.
  • the electroless plating bath used here a known electroless plating bath can be used as described above.
  • the reduction of the electroless plating catalyst precursor may be performed as a separate step before electroless plating by preparing a catalyst activation liquid (reducing liquid) separately from the embodiment using the electroless plating liquid as described above. Is possible.
  • composition of a general electroless plating bath in addition to a solvent (for example, water), 1. 1. metal ions for plating; 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included.
  • the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
  • the organic solvent used in the electroless plating bath is preferably a solvent capable of water, and ketones such as acetone, and alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol are more preferable.
  • the immersion time in the electroless plating bath is preferably about 1 minute to 6 hours, and more preferably about 1 minute to 3 hours.
  • the electroplating layer to which the catalyst or its precursor is applied Plating can be performed.
  • an electroplating process can be performed as needed after the said electroless-plating process.
  • the thickness of the formed lead wiring can be adjusted as appropriate.
  • a method of electroplating a conventionally known method can be used.
  • the metal used for electroplating include copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc. From the viewpoint of conductivity, copper, gold, or silver is preferable, and copper Is more preferable.
  • the thickness of the lead-out wiring produced by the above procedure is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 ⁇ m, more preferably 0.1 to 10 ⁇ m, and further preferably 0.1 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the above-described lead wiring is an average thickness, and is an arithmetic average value obtained by measuring the thickness of any ten points of the lead wiring.
  • Step D is a step of forming a transparent conductive film on the substrate so as to overlap at least one end portion of the lead-out wiring.
  • 5A and 5B show a mode in which the transparent conductive film 18 is disposed on the entire surface of the substrate 10. That is, in FIGS. 5A and 5B, the transparent conductive film 18 is disposed on the substrate 10 and on the lead wiring 16.
  • the constituent material of the transparent conductive film is not particularly limited, for example, a group consisting of indium, tin, zinc, gallium, antimony, titanium, silicon, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, copper, palladium, tungsten, and cadmium.
  • the metal oxide of the at least 1 sort (s) of metal selected more is mentioned.
  • the metal oxide for example, ITO (indium tin oxide), ATO (antimony tin oxide), ZnO, SnO, or CTO (cadmium tin oxide) is preferable, and ITO is more preferable.
  • ITO preferably contains 80 to 99% by mass of indium oxide and 1 to 20% by mass of tin oxide.
  • the thickness of the transparent conductive film is not particularly limited, but is often about 10 to 200 nm. From the viewpoint of the thin film, the thickness is preferably 15 to 40 nm, more preferably 20 to 30 nm.
  • the method for producing the transparent conductive film is not particularly limited.
  • known methods such as vacuum vapor deposition, physical vapor deposition such as sputtering, and chemical vapor deposition such as chemical vapor deposition (CVD) are known.
  • a membrane method is mentioned.
  • a photosensitive resist layer is formed on the transparent conductive film, and the resist pattern is formed on the photosensitive resist layer so that the resist pattern is formed in the region where the lead-out wiring is arranged and the region where the transparent electrode is to be formed.
  • the exposed photosensitive resist layer is exposed to light and developed to form a resist pattern.
  • a resist pattern is formed at a predetermined position on the transparent conductive film. More specifically, as shown in FIGS. 6A to 6C, the first resist pattern 20A disposed in the region where the lead-out wiring 16 is disposed and the second resist pattern disposed in the region where the transparent electrode is to be formed.
  • a resist pattern 20 composed of the resist pattern 20B is formed.
  • the first resist pattern 20 ⁇ / b> A is disposed so as to coincide with the lead-out wiring 16 when observed from the normal direction of the substrate 10.
  • the second resist pattern 20B is arranged so as to coincide with a region where the transparent electrode is to be formed when observed from the normal direction of the substrate 10.
  • the region where the transparent electrode is to be formed is a region where the transparent electrode is to be formed (a region where the transparent electrode is to be formed when observed from the normal direction of the substrate).
  • the process is divided into a process of forming a photosensitive resist layer on the transparent conductive film (process Z) and a process of forming a resist pattern (process W).
  • the photosensitive resist layer is intended to be a layer that is exposed to light of a predetermined wavelength and is cured
  • the resist pattern is intended to be a patterned film obtained by curing the photosensitive resist layer. To do.
  • Step Z is a step of forming a photosensitive resist layer on the transparent conductive film.
  • the manufacturing method of a photosensitive resist layer is not specifically limited, A well-known method can be used. Examples thereof include a method of providing a photosensitive resist layer by laminating a dry film resist on a transparent conductive film, and a method of providing a photosensitive resist layer by applying a photosensitive liquid resist on the transparent conductive film.
  • the photosensitive resist layer may be a positive photosensitive resist layer or a negative photosensitive resist layer, but is more preferably a negative photosensitive resist layer.
  • the material of the photosensitive resist layer used at this process is not specifically limited, A well-known material can be used.
  • the negative photosensitive resist layer is preferably one that can be dissolved and removed with an aqueous developer containing an alkaline aqueous solution as a main component except for the portion that has been exposed to light and insoluble.
  • the film thickness of the photosensitive resist layer is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less, and further preferably 3 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the film thickness is preferably 0.5 ⁇ m or more in order to ensure the necessary resist performance and uniformly apply the photosensitive liquid resist without any defects.
  • the application methods include, for example, dip coating, slide coating, curtain coating, bar coating, air knife coating, roll coating, gravure coating, spray coating, etc.
  • a quantitative application method can be used.
  • step W the photosensitive resist layer is exposed so that a resist pattern is formed in the region where the lead-out wiring is arranged and the region where the transparent electrode is to be formed, and the photosensitive resist layer is developed.
  • the procedure of this step is not particularly limited as long as the resist pattern is disposed in a predetermined region (a region where the lead wiring is disposed and a region where the transparent electrode is to be formed). In other words, when the substrate is observed from the normal direction, any method can be used as long as the region where the resist pattern is located matches the region where the lead-out wiring is disposed and the region where the transparent electrode is to be formed. Good.
  • the photosensitive resist layer when a negative photosensitive resist layer is used as the photosensitive resist layer, the photosensitive resist layer may be exposed through a mask having an opening that exposes the predetermined region.
  • the photosensitive resist layer When a positive photosensitive resist layer is used as the photosensitive resist layer, the photosensitive resist layer may be exposed through a mask having an opening in which the predetermined area is not exposed.
  • the light used for the exposure varies depending on the type of the photosensitive resist layer, and includes the light exemplified in the above-described step B.
  • development processing is performed on the photosensitive resist layer.
  • the photosensitive resist layer is a negative photosensitive resist layer
  • unexposed portions are removed by carrying out development processing
  • the photosensitive resist layer is a positive photosensitive resist layer
  • exposure is carried out by carrying out development processing. Part is removed.
  • the development processing method include known methods, for example, a method in which the exposed photosensitive resist layer and an alkaline developer are brought into contact with each other and developed.
  • Step F is a step of forming a transparent electrode by removing the transparent conductive film in the region where the resist pattern is not disposed by etching.
  • the transparent conductive film other than the region where the resist pattern 20 is disposed is removed, and the transparent electrode 22 is formed on the substrate 10 with the lead-out wiring 16.
  • a wiring-like transparent conductive film 24 is formed between the resist pattern 20A. That is, in FIG. 7A, the transparent conductive film remains only on the lower side (substrate side) of the region where the resist pattern 20 is present.
  • the transparent electrode 22 is disposed on the substrate 10 and is electrically connected to the lead-out wiring 16 and the wiring-like transparent conductive film 24.
  • the transparent electrode 22 functions as a sensor electrode in the touch panel sensor.
  • a wiring-like transparent conductive film 24 is disposed on the lead-out wiring 16, and the shape of the wiring-like transparent conductive film 24 is the same as that of the lead-out wiring 16. That is, when observed from the normal direction of the substrate 10, the shape of the wiring-like transparent conductive film 24 on the lead-out wiring 16 matches the shape of the lead-out wiring 16.
  • the method for etching the transparent conductive film is not particularly limited, and a known method can be adopted, for example, by bringing a known etching solution into contact with the transparent conductive film.
  • Step G is a step of removing the resist pattern.
  • the substrate 10, the transparent electrode 22 disposed on the substrate 10, and the substrate 10 are electrically connected to the transparent electrode 22,
  • a conductive film 100 for a touch panel sensor is formed, which includes the lead-out wiring 16 disposed around the area where the transparent electrode 22 is formed.
  • a wiring-like transparent conductive film 24 connected to the end of the transparent electrode 22 is disposed on the lead wiring 16.
  • the method for removing the resist pattern is not particularly limited, and a known method can be employed, and examples thereof include a method of bringing a known resist stripping solution into contact with the resist pattern.
  • a predetermined conductive film for a touch panel sensor is formed through the above steps.
  • the substrate 10, the plurality of transparent electrodes 22 disposed in the central region of the substrate 10, and the peripheral region outside the central region of the substrate are electrically connected to the transparent electrode 22.
  • the lead-out wiring 16 is disposed on the patterned plated layer 14.
  • One end side of the transparent electrode 22 is located on the substrate 10, and the other end side is electrically connected to the lead-out wiring 16.
  • a wiring-like transparent conductive film 24 is disposed on the lead wiring 16, and the wiring-like transparent conductive film 24 is disposed in the same pattern as the lead wiring 16.
  • the conductive film for a touch panel sensor of the present invention is suitably used for producing a touch panel sensor.
  • the conductive film for touch panel sensors may further have a printed wiring board.
  • a combination of a touch panel sensor formed of the conductive film for a touch panel sensor and various display devices is referred to as a touch panel.
  • a so-called capacitive touch panel is preferably exemplified.
  • the transparent electrode and the lead-out wiring are arranged only on one surface of the substrate
  • the transparent electrode is formed on both surfaces of the substrate by performing the above-described processing on both surfaces of the substrate.
  • a lead wiring may be arranged.
  • the transparent conductive film 18 is formed on the entire surface of the substrate 10.
  • the transparent conductive film 18 is not limited to this embodiment.
  • the transparent conductive film 18 may be disposed only in the central region of the substrate 10. If it is such an aspect, in the conductive film for touchscreen sensors obtained, a wiring-like transparent conductive film will be arrange
  • the ethyl acetate phase in the obtained solution is recovered, the ethyl acetate phase is washed four times with 300 mL of distilled water, and then the obtained ethyl acetate solution is dried over magnesium sulfate, and the ethyl acetate is further distilled off.
  • 80 g of the raw material A was obtained.
  • 47.4 g of raw material A, 22 g of pyridine, and 150 mL of ethyl acetate were placed in a 500 mL three-necked flask, and the three-necked flask was cooled in an ice bath.
  • a 500 mL three-necked flask was charged with 8 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 65 ° C. under a nitrogen stream.
  • monomer M1 14.3 g, acrylonitrile (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 3.0 g, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 6.5 g, V-65 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 4 g of N, N-dimethylacetamide 8 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was further stirred for 3 hours.
  • the obtained polymer 1 was identified using an IR (infrared absorption) measuring machine (manufactured by Horiba, Ltd.). The measurement was performed by dissolving the polymer in acetone and using KBr crystals. As a result of IR measurement, a peak was observed in the vicinity of 2240 cm ⁇ 1 , and it was found that acrylonitrile, which is a nitrile unit, was introduced into the polymer. Further, it was found from the acid value measurement that acrylic acid was introduced as a carboxylic acid group-containing unit. Further, it was dissolved in heavy DMSO (dimethyl sulfoxide) and measured by Bruker 300 MHz NMR (Nuclear Magnetic Resonance) (AV-300). 4.
  • IR infrared absorption
  • compositions 1 and 2 were prepared according to Table 1, and compositions 1 and 2 were obtained.
  • IPA isopropanol
  • MVA polyacrylic acid
  • MCA methylenebisacrylamide
  • IRGACURE127 manufactured by BASF
  • UV irradiation energy amount: 1 J, 10 mW, wavelength: 256 nm
  • the pattern-form to-be-plated layer was formed by developing using sodium bicarbonate (see FIGS. 3A to 3B).
  • a glass substrate having a patterned layer to be plated is immersed in a 5-fold diluted MAT-2A of Pd catalyst application liquid MAT-2 (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) for 5 minutes at room temperature, and then the glass substrate is taken out. And washed twice with pure water.
  • the obtained glass substrate was immersed in a reducing agent MAB (manufactured by Uemura Kogyo) at 36 ° C. for 5 minutes, and then the glass substrate was taken out and washed twice with pure water. Thereafter, the obtained glass substrate is immersed in an activation treatment solution MEL-3 (manufactured by Uemura Kogyo) at room temperature for 5 minutes, and then the glass substrate is taken out and washed without electrolysis plating solution sulcup PEA (manufactured by Uemura Kogyo). ) For 60 minutes at room temperature.
  • a reducing agent MAB manufactured by Uemura Kogyo
  • the glass substrate is taken out and washed twice with pure water to obtain a decorated glass substrate having a patterned copper layer (corresponding to a lead-out wiring, thickness: 1.2 ⁇ m) on the patterned plating layer.
  • a patterned copper layer corresponding to a lead-out wiring, thickness: 1.2 ⁇ m
  • an ITO layer is formed on the entire surface of the obtained decorated glass substrate by sputtering using an indium oxide-tin oxide target having an indium oxide and tin oxide composition of 95: 5 in mass ratio and a filling density of 98%.
  • the ITO layer was disposed so as to cover the entire surface of the patterned copper layer.
  • the photosensitive resist material was apply
  • Example 2 A conductive film for a touch panel sensor was produced according to the same procedure as in Example 1 except that the composition 2 was used instead of the composition 1.
  • Example 1 A conductive film for a touch panel sensor was produced according to the same procedure as in Example 1 except that the resist pattern was not arranged in the region where the patterned copper layer (leading wiring) was arranged.
  • a conductive film for a touch panel sensor was produced according to the same procedure as in Example 2 except that the resist pattern was not arranged in the region where the patterned copper layer (lead wiring) was arranged.
  • a copper layer was formed on a decorated glass substrate (Corning) by sputtering to a thickness of about 1.5 ⁇ m.
  • a negative photosensitive resist was applied on the surface of the copper layer with a thickness of about 4 ⁇ m, and then dried at 90 ° C. for 30 minutes to form a negative photosensitive resist layer.
  • the negative photosensitive resist layer is irradiated with UV (100 mJ / cm 2 ) in the atmosphere through a negative mask having a pattern with a line width of 10 ⁇ m, and developed with 3% sodium carbonate.
  • UV 100 mJ / cm 2
  • the exposed portion of the copper layer was removed by etching using a ferric chloride solution having a specific gravity of 1.45, and the remaining resist pattern was peeled off. Thereby, a glass substrate with a decoration provided with a patterned copper layer (corresponding to a lead-out wiring. Thickness: 1.5 ⁇ m) was obtained.
  • an ITO layer is formed on the entire surface of the obtained decorated glass substrate by sputtering using an indium oxide-tin oxide target having an indium oxide and tin oxide composition of 95: 5 in mass ratio and a filling density of 98%. did. The ITO layer was disposed so as to cover the entire surface of the patterned copper layer.
  • the photosensitive resist material was apply
  • exposure processing is performed on the photosensitive resist layer in the area where the previously formed patterned copper layer (lead-out wiring) and the area where the desired ITO pattern part is to be formed, and then development processing is performed
  • patterning was performed by a photolithography method so that a resist pattern remained on the region.
  • the resist pattern was removed and the conductive film for touchscreen sensors which has a patterned ITO layer (corresponding to a transparent electrode) was manufactured.
  • the pattern-like to-be-plated layer is not used, but the pattern-like copper layer is formed from the copper layer formed by sputtering.
  • the resistance value between the ends of the patterned copper layer in the conductive film for a touch panel sensor obtained in each example and each comparative example was measured using a milliohm high tester 3540 (manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.). The evaluation was performed according to the criteria. In addition, the resistance value between the edge parts of ten patterned copper layers was measured for evaluation, and it evaluated using those average resistance values. “A”: When the average resistance value is 10 ⁇ or less “B”: When the average resistance value exceeds 10 ⁇
  • Peripheral wiring protective film indicates whether or not a resist pattern is disposed in a region where a patterned copper layer (leading wiring) is disposed, and “Yes” indicates that the resist pattern is disposed. “No” means that no resist pattern is arranged.

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Abstract

　本発明は、透明電極と引き出し配線との密着性が優れると共に、引き出し配線が優れた導電特性を示す、透明電極を有するタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法、タッチパネルセンサー用導電性フィルム、および、タッチパネルを提供する。本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法は、基板上に、被めっき層形成用層を形成する工程Ａと、被めっき層形成用層に対して、引き出し配線が形成されるべき領域に露光を行い、パターン状被めっき層を形成する工程Ｂと、パターン状被めっき層上に引き出し配線を形成する工程Ｃと、少なくとも引き出し配線の一端上に重なるように、基板上に透明導電膜を形成する工程Ｄと、透明導電膜上の所定位置にレジストパターンを形成する工程Ｅと、レジストパターンが配置されていない領域の透明導電膜をエッチング処理にて除去し、透明電極を形成する工程Ｆと、レジストパターンを除去する工程Ｇと、を有する。

Description

タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法、タッチパネルセンサー用導電性フィルム、および、タッチパネル
　本発明は、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法、タッチパネルセンサー用導電性フィルム、並びに、この製造方法より製造されたタッチパネルセンサー用導電性フィルムを含むタッチパネルに関する。
　基板上に導電性細線が配置された導電性フィルムは、種々の用途に使用されており、特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、タッチパネルセンサー用の導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
　タッチパネルセンサー用の導電性フィルムに含まれる引き出し配線として機能する導電層の作製方法としては種々の方法が提案されている。例えば、特許文献１においては相互作用性基を有するグラフトポリマー生成領域に無電解めっき触媒またはその前駆体を付与し、無電解めっきを行い、導電層を作製する方法が開示されている。
特開２００８－２０７４０１号公報
　特許文献１においては、「タッチパネル内における電極（検出電極）とドライバとをつなぐ引き回し配線（引き出し配線）」として導電層が機能し得る点は記載されているが、その具体的な構成に関する記載はない。
　また、検出電極として作用する透明電極と、引き出し配線とを電気的に接続させる手段としては、引き出し配線の端部上に透明電極が重なるように配置する方法が挙げられる。
　そこで、本発明者らは、特許文献１に記載の方法を参照して、センサー電極として機能する透明電極と、引き出し配線とを、上記のような引き出し配線の端部上に透明電極が重なるように配置させて、タッチパネルセンサー用導電性フィルムを作製しようとした。具体的には、基板上に引き出し配線を形成し、その引き出し配線の端部上に重なるように透明導電膜を配置して、次に、透明導電膜をエッチングしてタッチパネルセンサー用導電性フィルムを作製しようとした。その際、引き出し配線において抵抗値が上昇してしまい、導電特性が劣化するという問題があることを見出した。
　また、上記のように、引き出し配線と透明電極とを接触させて電気的導通を図る場合は、両者の密着性が優れることも求められる。
　本発明は、上記実情に鑑みて、透明電極と引き出し配線との密着性が優れると共に、引き出し配線が優れた導電特性を示す、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記製造方法より製造されるタッチパネルセンサー用導電性フィルム、および、そのタッチパネルセンサー用導電性フィルムを含むタッチパネルを提供することも課題とする。
　本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、透明電極を形成する際のレジストパターンを所定の位置に配置することにより、上記課題を解決できることを見出した。
　つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１）　基板と、基板上に配置された透明電極と、基板上に配置され、透明電極に接続された引き出し配線とを備える、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法であって、
　基板上に、化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層を形成する工程Ａと、
　被めっき層形成用層に対して、引き出し配線が形成されるべき領域に露光を行い、被めっき層形成用層の未露光部を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程Ｂと、
　パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に引き出し配線を形成する工程Ｃと、
　少なくとも引き出し配線の一端上に重なるように、基板上に透明導電膜を形成する工程Ｄと、
　透明導電膜上に感光性レジスト層を形成し、引き出し配線が配置されている領域および透明電極が形成されるべき領域にレジストパターンが形成されるように、感光性レジスト層に対して露光を行い、露光された感光性レジスト層に現像処理を施して、レジストパターンを形成する工程Ｅと、
　レジストパターンが配置されていない領域の透明導電膜をエッチング処理にて除去し、透明電極を形成する工程Ｆと、
　レジストパターンを除去する工程Ｇと、を有する、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
（２）　めっき処理が、無電解めっき処理である、（１）に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
（３）　透明電極が、酸化インジウムスズを含む、（１）または（２）に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
（４）　引き出し配線が、Ｃｕ、Ａｕ、ＮｉおよびＡｇからなる群から選択される少なくとも１種を含む、（１）～（３）のいずれかに記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
（５）　（１）～（４）のいずれかに記載の製造方法より製造されたタッチパネルセンサー用導電性フィルムを含むタッチパネル。
　本発明によれば、透明電極と引き出し配線との密着性が優れると共に、引き出し配線が優れた導電特性を示す、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法を提供することができる。
　また、本発明によれば、上記製造方法より製造されるタッチパネルセンサー用導電性フィルムを含むタッチパネルを提供することもできる。
本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法の好適実施態様の製造工程を示すフローチャートである。 工程Ａで得られた積層体の上面図である。 工程Ａで得られた積層体の断面図である。 工程Ｂで得られた積層体の上面図である。 図３Ａ中のＡ－Ａ線で切断した断面図である。 工程Ｃで得られた積層体の上面図である。 図４中のＢ－Ｂ線で切断した断面図である。 工程Ｄで得られた積層体の上面図である。 図５Ａ中のＣ－Ｃ線で切断した断面図である。 工程Ｅで得られた積層体の上面図である。 図６Ａ中のＤ－Ｄ線で切断した断面図である。 図６Ａ中のＥ－Ｅ線で切断した断面図である。 工程Ｆで得られた積層体の上面図である。 図７Ａ中のＦ－Ｆ線で切断した断面図である。 図７Ａ中のＧ－Ｇ線で切断した断面図である。 図７Ａ中のＨ－Ｈ線で切断した断面図である。 工程Ｇで得られた積層体の上面図である。 図８Ａ中のＩ－Ｉ線で切断した断面図である。 図８Ａ中のＪ－Ｊ線で切断した断面図である。 図８Ａ中のＫ－Ｋ線で切断した断面図である。 工程Ｄの変形例を示す図であり、工程Ｄで得られた積層体の上面図である。 図９Ａ中のＬ－Ｌ線で切断した断面図である。
　以下に、本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法について詳述する。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本発明の特徴点としては、まず、パターン状被めっき層を用いためっき処理により、引き出し配線を製造し、引き出し配線の一端部と透明電極とが接触するように配置している点が挙げられる。上記のような、めっき処理により形成される引き出し配線は、スパッタリング処理などの気相成長法により形成される金属層と比較すると、その表面が粗い。そのため、表面の粗い引き出し配線と透明電極との密着性が良好となる。
　また、本発明者らは、基板上にめっき処理により引き出し配線を形成し、その引き出し配線の端部上に重なるように透明導電膜を配置して、次に、透明導電膜をエッチングしてタッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造しようとした際に、引き出し配線の抵抗値が上昇する原因について検討を行った。その結果、透明導電膜をエッチング処理する際に、引き出し配線の一部も合わせてエッチングされてしまう場合があることを知見している。そこで、透明導電膜のエッチング処理を実施する前に、引き出し配線が配置されている領域上にレジストパターンを配置させている。このようなレジストパターンの存在によって、透明導電膜のエッチング処理の際に、引き出し配線のエッチングが防止され、結果として、引き出し配線の抵抗値の上昇を抑制している。
　図１は、本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法の好適実施態様における製造工程を示すフローチャートである。
　図１に示すように、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法は、基板上に被めっき層形成用層を形成する工程Ａ（被めっき層形成用層形成工程Ａ）（Ｓ１０２）、パターン状被めっき層を形成する工程Ｂ（パターン状被めっき層形成工程Ｂ）（Ｓ１０４）、めっき処理を行い、引き出し配線を形成する工程Ｃ（めっき処理工程Ｃ）（Ｓ１０６）、透明導電膜を形成する工程Ｄ（透明導電膜形成工程Ｄ）（Ｓ１０８）、透明導電膜上にレジストパターンを形成する工程Ｅ（レジストパターン形成工程Ｅ）（Ｓ１１０）、透明導電膜にエッチング処理を施す工程Ｆ（エッチング処理工程Ｆ）（Ｓ１１２）、および、レジストパターンを除去する工程Ｇ（レジストパターン除去工程Ｇ）（Ｓ１１４）を備える。
　図２Ａ～図８Ｄは、本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法の好適実施態様を工程順に示す図である。
　以下に、図面を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。
＜工程Ａ（被めっき層形成用層形成工程Ａ）＞
　工程Ａは、基板上に、後述する化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、基板１０（全面）上に被めっき層形成用層１２が形成される。被めっき層形成用層は、パターン状の露光処理が施されてパターン状被めっき層を形成するための前駆体層である。
　以下では、まず、本工程で使用される各部材および各材料について詳述し、その後、工程の手順を詳述する。
（基板）
　基板は、後述する透明電極および引き出し配線などを支持することができれば特にその種類の限定はなく、公知の基板を使用することができる。なお、タッチパネルセンサー用導電性フィルムにおいて、基板は、中央領域において透明電極を支持し、周縁領域において引き出し配線を支持する。
　基板としては、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板などが挙げられる。
　樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂などが挙げられる。
　基板の厚み（ｍｍ）は特に限定されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５～２ｍｍが好ましく、０．１～１ｍｍがより好ましい。
　また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５～１００％であることが好ましい。
　基板としては、シランカップリング剤で表面処理された基板を使用してもよい。つまり、その表面にシランカップリング剤層を有する基板を使用してもよい。このような基板を使用することにより、後述するパターン状被めっき層と基板との密着性が向上する。
（被めっき層形成用層）
　被めっき層形成用層は、上記基板上に配置される層であり、パターン状の露光処理が施されてパターン状被めっき層を形成するための層である。
　被めっき層形成用層は、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを少なくとも含む。
化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、単に「相互作用性基」とも称する）、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
　以下では、まず、被めっき層形成用層に含まれる材料について詳述する。
（化合物Ｘ）
　化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。
　相互作用性基とは、パターン状被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図する。相互作用性基としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、並びに、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、および、含酸素官能基などが挙げられる。
　相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、および、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ－オキシド構造を含む基、Ｓ－オキシド構造を含む基、および、Ｎ－ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、および、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフォート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、および、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素原子、および、臭素原子などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
　なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、およびボロン酸基などのイオン性極性基、エーテル基、または、シアノ基が好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がより好ましい。
　化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。
　重合性基は、露光により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、および、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、および、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、または、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、または、スチリル基がより好ましい。
　化合物Ｘ中には、重合性基が２種以上含まれていてもよい。また、化合物Ｘ中に含まれる重合性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
　上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
　なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
　また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、溶解性など取り扱い性がより優れる点で、１０００以上７０万以下が好ましく、２０００以上２０万以下がより好ましい。特に、重合感度の点から、２００００以上であることがさらに好ましい。
　このような重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（特許公開２００９－２８０９０５号の段落［００９７］～［０１２５］参照）が使用される。
（ポリマーの好適態様１）
　上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜重合性基ユニットとも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する）を含む共重合体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ1～Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）を表す。なお、置換基の種類は特に限定されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、および、フッ素原子などが挙げられる。
　なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
　上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換または無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１～８。例えば、メチレン基、エチレン基、および、プロピレン基などのアルキレン基）、置換または無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６～１２。例えば、フェニレン基）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2－、－Ｎ(Ｒ)－（Ｒ：アルキル基）、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、および、これらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
　Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、パターン状被めっき層と引き出し配線との密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、エーテル基（－Ｏ－）、または、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（－ＣＯＯ－）、または、アミド基（－ＣＯＮＨ－）がより好ましい。
　上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ1およびＬ2は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた２価の有機基と同義である。
　Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、パターン状被めっき層と引き出し配線との密着性がより優れる点で、脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましく、総炭素数１～９であるものがより好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
　また、Ｌ2は、パターン状被めっき層と引き出し配線との密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、もしくはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ2は、単結合、または、総炭素数が１～１５であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ2の総炭素数とは、Ｌ2で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。また、Ｌ２で表される２価の有機基は、無置換であることが好ましい。
　上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
　上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～５０モル％が好ましく、５～４０モル％がより好ましい。
　また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～９５モル％が好ましく、１０～９５モル％がより好ましい。
（ポリマーの好適態様２）
　上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
　式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
　式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基、または、エーテル基が好ましい。
　式（Ｃ）中、Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
　式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、パターン状被めっき層と引き出し配線との密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、エーテル基（－Ｏ－）、または置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
　式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される２価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、パターン状被めっき層と引き出し配線との密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。
　式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、および、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２－テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボン酸基などが挙げられる。
　親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基であることが好ましい。イオン性極性基としては、具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
　上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
　式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～５０モル％が好ましく、５～３０モル％がより好ましい。
　式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５～７５モル％が好ましく、１０～７０モル％がより好ましい。
　式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による現像性と耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０～７０モル％が好ましく、２０～６０モル％がより好ましく、３０～５０モル％がさらに好ましい。
　上記ポリマーの具体例としては、例えば、特開２００９－００７５４０号公報の段落［０１０６］～［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６－１３５２７１号公報の段落［００６５］～［００７０］に記載のポリマー、ＵＳ２０１０－０８０９６４号の段落［００３０］～［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
　このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
（モノマーの好適態様）
　上記化合物がいわゆるモノマーである場合、モノマーの好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（Ｘ）中、Ｒ11～Ｒ13は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基が挙げられる。なお、Ｒ11としては、水素原子、またはメチル基が好ましい。Ｒ12としては、水素原子が好ましい。Ｒ13としては、水素原子が好ましい。
　Ｌ10は、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換または無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１～８）、置換または無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６～１２）、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ2－、－Ｎ(Ｒ)－（Ｒ：アルキル基）、－ＣＯ－、－ＮＨ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、および、これらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
　置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
　置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
　式（Ｘ）中、Ｌ10の好適態様の一つとしては、－ＮＨ－脂肪族炭化水素基－、または、－ＣＯ－脂肪族炭化水素基－が挙げられる。
　Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。
　式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。
（組成物Ｙ）
　組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、被めっき層形成用層が、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
　相互作用性基を有する化合物とは、相互作用性基を有する化合物である。相互作用性基の定義は上述の通りである。このような化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有する高分子（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれない。
　重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２～６個の重合性基を有するモノマーであることが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０～１０００が好ましく、２００～７００がより好ましい。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１～１５であることが好ましく、６以上１０以下であることがより好ましい。
　重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。
　なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に限定されないが、形成される被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１～１０が好ましく、０．５～５がより好ましい。
　被めっき層形成用層中の化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に限定されないが、被めっき層形成用層全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に限定されないが、９９．５質量％以下が好ましい。
　被めっき層形成用層には、上記化合物Ｘおよび上記組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
　被めっき層形成用層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
　重合開始剤としては特に限定はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α－アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、および、アゾ化合物等、並びに、その誘導体が挙げられる。
　被めっき層形成用層中における重合開始剤の含有量は特に限定されないが、被めっき層の硬化性の点で、被めっき層形成用層全質量に対して、０．０１～１質量％であることが好ましく、０．１～０．５質量％であることがより好ましい。
　被めっき層形成用層には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、および、可塑剤など）を必要に応じて添加してもよい。
　被めっき層形成用層の厚みは特に限定されないが、０．０１～２０μｍが好ましく、０．１～１０μｍがより好ましく、０．１～５μｍがさらに好ましい。
　上記の被めっき層形成用層の厚みは平均厚みであり、被めっき層形成用層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
（工程の手順）
　上記基板上に被めっき層形成用層を形成する方法は特に限定されず、基板上に上述した各種成分を含む組成物を塗布して被めっき層形成用層を形成する方法（塗布法）、および、仮基板上に被めっき層形成用層を形成して、基板上に転写する方法（転写法）などが挙げられる。なかでも、厚みの制御がしやすい点、塗布法が好ましい。
　以下、塗布法の態様について詳述する。
　塗布法で使用される組成物には、上述した化合物Ｘまたは組成物Ｙが少なくとも含まれる。必要に応じて、上述した他の成分（例えば、重合開始剤）が含まれていてもよい。
　なお、組成物には、取り扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
　使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、ニトリル系溶剤、エステル系溶剤、カーボネート系溶剤、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、および、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
　組成物中の溶剤の含有量は特に限定されないが、組成物全量に対して、５０～９８質量％が好ましく、７０～９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、被めっき層形成用層の層厚の制御がしやすい。
　塗布法の場合に、組成物を基板上に塗布する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）を使用できる。
　取り扱い性および製造効率の点からは、組成物を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥処理を行って塗膜に残存する溶剤を除去して、被めっき層形成用層を形成する態様が好ましい。
　なお、乾燥処理の条件は特に限定されないが、生産性がより優れる点で、室温～２２０℃（好ましくは５０～１２０℃）で、１～３０分間（好ましく１～１０分間）実施することが好ましい。
＜工程Ｂ（パターン状被めっき層形成工程Ｂ）＞
　工程Ｂは、被めっき層形成用層に対して、引き出し配線が形成されるべき領域（形成される領域）に露光を行い、被めっき層形成用層中の未露光部を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程である。上述したように、引き出し配線は、めっき処理を実施することによりパターン状被めっき層上に配置される。そこで、本工程では、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、後述するめっき処理により引き出し配線が形成されるべき領域に、パターン状被めっき層１４を形成する。なお、図３Ａにおいては、５本のパターン状被めっき層１４が形成されているが、その数は特に限定されない。
　より具体的には、被めっき層形成用層の所定の領域（引き出し配線が形成されるべき領域）に露光を実施することにより、露光領域においては、重合性基間の重合、および、基板と重合性基との反応などが進行し、露光された被めっき層形成用層が硬化して、不溶部となる。この不溶部は、いわゆるパターン状被めっき層となる。次に、被めっき層形成用層の未露光部（光照射（露光処理）がされていない部分）を除去することにより、パターン状被めっき層が形成される。
　以下では、まず、露光処理の方法について詳述し、その後、未露光部の除去処理について詳述する。
　露光処理（光照射処理）では、使用される被めっき層形成用層の材料に応じて最適な波長の光での露光が実施される。例えば、ＵＶ（紫外光）ランプ、および、可視光線などによる光照射が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、および、カーボンアーク灯などが挙げられる。また、電子線、Ｘ線、イオンビーム、および、遠赤外線なども使用可能である。
　露光時間としては、被めっき層形成用層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒～５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０～８０００ｍＪ程度であればよく、好ましくは５０～３０００ｍＪの範囲である。
　なお、上記露光処理をパターン状に実施する方法は特に限定されず、公知の方法が採用される。例えば、所定の開口部を有するマスクを介して露光光を被めっき層形成用層に照射すればよい。
　上述したように、露光が施された領域は、引き出し配線が形成されるべき領域である。引き出し配線が形成されるべき領域とは引き出し配線の形成予定領域（基板の法線方向から観察した際に、引き出し配線が形成されるべき領域）であり、この領域にある被めっき層形成用層に露光処理が実施される。つまり、基板の法線方向から観察した際、引き出し配線の形成予定領域と、露光領域とはその位置が一致する。
　なお、本明細書において「一致する」とは、完全に一致するだけのみならず、実験上の誤差（ズレ）があってもよい（言い換えれば、略一致であってもよい）。
　通常、引き出し配線は基板の周縁領域に形成され、露光領域も周縁領域に位置する場合が多い。なお、周縁領域とは基板の外周縁から中央側に延びる外周縁に近接した領域である。
　次に、被めっき層形成用層の未露光部を除去して、パターン状被めっき層を形成する。
　未露光部を除去する方法は特に限定されないが、被めっき層形成用層が溶解する溶剤を被めっき層形成用層に接触させる方法が挙げられる。
　より具体的には、アルカリ性溶液を現像液として用いる方法が挙げられる。アルカリ性溶液を用いて、未露光部を除去する場合は、露光処理が施された被めっき層形成用層を有する基板をアルカリ性溶液中に浸漬させる方法（浸漬方法）、および、その被めっき層形成用層上にアルカリ性溶液を塗布する方法（塗布方法）などが挙げられ、浸漬方法が好ましい。浸漬方法の場合、浸漬時間としては生産性および作業性などの点から、１～３０分程度が好ましい。
＜工程Ｃ（めっき処理工程Ｃ）＞
　工程Ｃは、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、パターン状被めっき層上に引き出し配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、パターン状被めっき層１４上に、引き出し配線１６が形成される。引き出し配線は、めっき処理により形成される金属層より構成される。なお、引き出し配線１６の透明電極と接続される側の一端部はＴ字状の形状をしているが、この態様には限定されない。
　以下では、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（工程Ｘ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う工程（工程Ｙ）とに分けて説明する。
（工程Ｘ：めっき触媒付与工程）
　本工程では、まず、パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。上記化合物Ｘまたは組成物Ｙ由来の相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。より具体的には、パターン状被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体が付与される。
　めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒および電極として機能するものである。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
　なお、用いられるめっき触媒またはその前駆体は、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。
　本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができる。具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。より具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、および、Ｃｏなどが挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、または、Ｃｕが好ましい。
　この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
　本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に限定ない。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはパターン状被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
　無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いてパターン状被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に限定はなく、例えば、Ｍ(ＮＯ3)n、ＭＣｌn、Ｍ2/n(ＳＯ4)、および、Ｍ3/n(ＰＯ4)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、および、Ｐｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能な金属イオンが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、または、Ｃｕイオンが好ましい。
　本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用することもできる。
　めっき触媒またはその前駆体をパターン状被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を適切な溶剤に分散または溶解させた溶液を調製し、その溶液をパターン状被めっき層上に塗布するか、または、その溶液中にパターン状被めっき層を有する基板を浸漬すればよい。上記溶剤としては、水または有機溶剤が適宜使用される。
　溶液中のめっき触媒またはその前駆体の濃度は特に限定されないが、０．００１～５０質量％であることが好ましく、０．００５～３０質量％であることがより好ましい。
　また、接触時間としては、３０秒～２４時間程度であることが好ましく、１分～１時間程度であることがより好ましい。
　パターン状被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、パターン状被めっき層の相互作用性基種、および、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の点から、５～１０００ｍｇ／ｍ2が好ましく、１０～８００ｍｇ／ｍ2がより好ましく、２０～６００ｍｇ／ｍ2がさらに好ましい。
（工程Ｙ：めっき処理工程）
　次に、めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行う。
　めっき処理の方法は特に限定されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
　以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。
　無電解めっき処理とは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
　本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与されたパターン状被めっき層を有する基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、水洗された基板を無電解めっき浴に浸漬することにより行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
　また、無電解めっき触媒前駆体が付与されたパターン状被めっき層を有する基板を、無電解めっき触媒前駆体がパターン状被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、水洗した基板を無電解めっき浴中へ浸漬させることが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
　なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
　一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
　無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤であることが好ましく、アセトンなどのケトン類、並びに、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールなどのアルコール類がより好ましい。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、および、ロジウムが知られており、なかでも、導電性の点からは、銅、銀、または、金が好ましく、銅がより好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、および、添加剤が選択される。
　無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分～６時間程度であることが好ましく、１分～３時間程度であることがより好ましい。
　本工程おいては、パターン状被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対して、電気めっきを行うことができる。
　なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される引き出し配線の厚みを適宜調整可能である。
　電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛などが挙げられ、導電性の点から、銅、金、または、銀が好ましく、銅がより好ましい。
　上記手順により作製された引き出し配線の厚みは特に限定されず、０．０１～２０μｍが好ましく、０．１～１０μｍがより好ましく、０．１～５μｍがさらに好ましい。
　上記の引き出し配線の厚みは平均厚みであり、引き出し配線の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
＜工程Ｄ（透明導電膜形成工程Ｄ）＞
　工程Ｄは、少なくとも引き出し配線の一端部上に重なるように、基板上に透明導電膜を形成する工程である。図５Ａおよび図５Ｂにおいては、基板１０の全面に透明導電膜１８を配置した態様を示す。つまり、図５Ａおよび図５Ｂにおいては、透明導電膜１８は、基板１０上、および、引き出し配線１６上に配置される。
　透明導電膜の構成材料は特に限定されず、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、珪素、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム、タングステン、および、カドミウムからなる群より選択される少なくとも１種の金属の金属酸化物が挙げられる。金属酸化物としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＡＴＯ（酸化アンチモン錫）、ＺｎＯ、ＳｎＯ、または、ＣＴＯ（酸化カドミウムスズ）などが好ましく、ＩＴＯがより好ましい。
　ＩＴＯとしては、酸化インジウム８０～９９質量％および酸化スズ１～２０質量％を含有することが好ましい。
　透明導電膜の厚みは特に限定されないが、１０～２００ｎｍ程度の場合が多く、薄膜の点からは、１５～４０ｎｍが好ましく、２０～３０ｎｍでより好ましい。
　透明導電膜の製造方法は特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気相析出法、および、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の化学的気相析出法等の公知の成膜方法が挙げられる。
＜工程Ｅ（レジストパターン形成工程Ｅ）＞
　本工程は、透明導電膜上に感光性レジスト層を形成し、引き出し配線が配置されている領域、および、透明電極が形成されるべき領域にレジストパターンが形成されるように感光性レジスト層に対して露光を行い、露光された感光性レジスト層に現像処理を施して、レジストパターンを形成する工程である。本工程を実施することにより、透明導電膜上の所定の位置にレジストパターンが形成される。
　より具体的には、図６Ａ～図６Ｃに示すように、引き出し配線１６が配置されている領域に配置された第１レジストパターン２０Ａと、透明電極が形成されるべき領域に配置された第２レジストパターン２０Ｂとからなるレジストパターン２０が形成される。なお、第１レジストパターン２０Ａは、基板１０の法線方向から観察した際に、引き出し配線１６と一致するように配置される。また、第２レジストパターン２０Ｂは、基板１０の法線方向から観察した際に、透明電極が形成されるべき領域と一致するように配置される。なお、透明電極が形成されるべき領域とは、透明電極の形成予定領域（基板の法線方向から観察した際に、透明電極が形成されるべき領域）である。
　以下では、透明導電膜上に感光性レジスト層を形成する工程（工程Ｚ）と、レジストパターンを形成する工程（工程Ｗ）とに分けて説明する。
　なお、本明細書においては、感光性レジスト層とは所定の波長の光により感光して硬化する層を意図し、レジストパターンとは感光性レジスト層が硬化して得られるパターン状の膜を意図する。
（工程Ｚ）
　工程Ｚは、透明導電膜上に感光性レジスト層を形成する工程である。
　感光性レジスト層の製造方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、ドライフィルムレジストを透明導電膜上にラミネートすることにより感光性レジスト層を設ける方法、および、感光性液状レジストを透明導電膜上に塗布して感光性レジスト層を設ける方法が挙げられる。
　感光性レジスト層としては、ポジ型感光性レジスト層であっても、ネガ型感光性レジスト層であってもよいが、ネガ型感光性レジスト層であることがより好ましい。
　本工程で使用される感光性レジスト層の材料は特に限定されず、公知の材料を使用することができる。例えば、ネガ型感光性レジスト層としては、感光して不溶となった部分以外を、アルカリ水溶液を主成分とする水系現像液で溶解除去できるものが好ましい。
　感光性レジスト層の膜厚としては、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がさらに好ましい。膜厚の下限値は、必要なレジスト性能を確保し、感光性液状レジストの塗布を均一に欠点無く行うために、０．５μｍ以上が好ましい。
　感光性液状レジストを塗布して感光性レジスト層を設ける場合には、塗布方法として、例えば、ディップコーティング、スライドコーティング、カーテンコーティング、バーコーティング、エアーナイフコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、スプレーコーティングなどの定量塗布方式を用いることができる。
（工程Ｗ）
　工程Ｗは、引き出し配線が配置されている領域、および、透明電極が形成されるべき領域にレジストパターンが形成されるように感光性レジスト層に対して露光を行い、感光性レジスト層に現像処理を施して、レジストパターンを形成する工程である。
　本工程の手順は、レジストパターンが所定の領域（引き出し配線が配置されている領域、および、透明電極が形成されるべき領域）に配置されれば特に限定されない。つまり、基板を法線方向から観察した際に、レジストパターンがある領域と、引き出し配線が配置されている領域および透明電極が形成されるべき領域とが一致していれば、どのような方法でもよい。
　例えば、感光性レジスト層としてネガ型感光性レジスト層を使用する場合は、上記所定の領域が露光されるような開口部を有するマスクを介して、感光性レジスト層を露光すればよい。また、感光性レジスト層としてポジ型感光性レジスト層を使用する場合は、上記所定の領域が未露光となるような開口部を有するマスクを介して、感光性レジスト層を露光すればよい。
　露光に使用される光としては感光性レジスト層の種類によって異なり、上述した工程Ｂで例示した光が挙げられる。
　露光処理後に、感光性レジスト層に対して、現像処理を行う。感光性レジスト層がネガ型感光性レジスト層の場合、現像処理を実施することにより未露光部が除去され、感光性レジスト層がポジ型感光性レジスト層の場合、現像処理を実施することにより露光部が除去される。現像処理の方法としては、公知の方法が挙げられ、例えば、露光された感光性レジスト層とアルカリ性現像液とを接触させて現像する方法が挙げられる。
＜工程Ｆ（エッチング処理工程Ｆ）＞
　工程Ｆは、レジストパターンが配置されていない領域の透明導電膜をエッチング処理にて除去し、透明電極を形成する工程である。本工程を実施することにより、図７Ａ～図７Ｄに示すように、レジストパターン２０が配置されている領域以外の透明導電膜が除去されて、基板１０上に透明電極２２が、引き出し配線１６とレジストパターン２０Ａとの間には配線状透明導電膜２４が形成される。つまり、図７Ａにおいては、レジストパターン２０がある領域の下部側（基板側）にのみ、透明導電膜が残存する。透明電極２２は基板１０上に配置され、引き出し配線１６および配線状透明導電膜２４と電気的に接続している。なお、透明電極２２は、タッチパネルセンサーにおいてセンサー電極として作用する。
　また、引き出し配線１６上には配線状透明導電膜２４が配置され、配線状透明導電膜２４の形状は、引き出し配線１６と同一の形状を有する。つまり、基板１０の法線方向から観察した際には、引き出し配線１６上の配線状透明導電膜２４の形状は、引き出し配線１６の形状と一致している。
　透明導電膜をエッチング処理する方法は特に限定されず、公知の方法が採用され、例えば、公知のエッチング液と透明導電膜とを接触させることにより実施することができる。
＜工程Ｇ（レジストパターン除去工程Ｇ）＞
　工程Ｇは、レジストパターンを除去する工程である。本工程を実施することにより、図８Ａ～図８Ｄに示すように、基板１０と、基板１０上に配置された透明電極２２と、基板上に配置され、透明電極２２と電気的に接続し、透明電極２２が形成された領域の周囲に配置される引き出し配線１６とを備える、タッチパネルセンサー用導電性フィルム１００が形成される。なお、引き出し配線１６上には、透明電極２２の端部と連なっている配線状透明導電膜２４が配置される。
　レジストパターンを除去する方法は特に限定されず、公知の方法を採用でき、例えば、公知のレジスト剥離液とレジストパターンとを接触させる方法などが挙げられる。
＜タッチパネルセンサー用導電性フィルム＞
　上記工程を経て、所定のタッチパネルセンサー用導電性フィルムが形成される。
　タッチパネルセンサー用導電性フィルム１００においては、基板１０と、基板１０の中央領域に配置された複数の透明電極２２と、基板の中心領域の外側の周縁領域に配置され、透明電極２２と電気的に接続された複数の引き出し配線１６とを有する。
　引き出し配線１６は、パターン状被めっき層１４上に配置されている。また、透明電極２２の一端側は基板１０上に位置し、他端側は引き出し配線１６と電気的に接続する。
　引き出し配線１６上には配線状透明導電膜２４が配置されており、配線状透明導電膜２４は引き出し配線１６と同一のパターンで配置されている。
　本発明のタッチパネルセンサー用導電性フィルムは、タッチパネルセンサーを製造するために好適に用いられる。タッチパネルセンサー用導電性フィルムは、さらにプリント配線基板を有していてもよい。
　なお、本明細書においては、上記タッチパネルセンサー用導電性フィルムより形成されるタッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置）を組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。
　上記図２Ａ～図８Ｄにおいては、基板の一方の表面上にのみ透明電極および引き出し配線を配置する態様を述べたが、基板の両面に対して上記処理を実施して、基板の両面に透明電極および引き出し配線を配置してもよい。
＜好適実施態様の変形例＞
　上記好適実施態様の工程Ｄ（透明導電膜形成工程Ｄ）においては、基板１０の全面に透明導電膜１８を形成したが、この態様には限定されず、透明導電膜１８は引き出し配線１６の一端部上に重なっていればよく、例えば、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、基板１０の中心領域にのみ透明導電膜１８が配置されていてもよい。
　このような態様であれば、得られるタッチパネルセンサー用導電性フィルムにおいて、配線状透明導電膜が引き出し配線の一端部上にのみ配置される。
　以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（合成例１：ポリマー１）
　２Ｌの三口フラスコに酢酸エチル１Ｌ、２－アミノエタノール１５９ｇを入れ、三口フラスコを氷浴にて冷却した。三口フラスコ内の溶液に、２－ブロモイソ酪酸ブロミド１５０ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温（２５℃）まで上昇させて２時間反応させた。反応終了後、三口フラスコ内の溶液に蒸留水３００ｍＬを追加して反応を停止させた。その後、得られた溶液中の酢酸エチル相を回収し、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄し、その後、得られた酢酸エチル溶液を硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Ａを８０ｇ得た。
　次に、５００ｍＬの三口フラスコに、原料Ａ４７．４ｇ、ピリジン２２ｇ、酢酸エチル１５０ｍＬを入れて、三口フラスコを氷浴にて冷却した。三口フラスコ内の溶液に、アクリル酸クロライド２５ｇを内温２０℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温に上げて３時間反応させた。反応終了後、三口フラスコ内の溶液に蒸留水３００ｍＬを追加し、反応を停止させた。その後、得られた溶液中の酢酸エチル相を回収し、酢酸エチル相を蒸留水３００ｍＬで４回洗浄し、その後、得られた酢酸エチル溶液を硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去し、生成物を得た。その後、カラムクロマトグラフィーにて、得られた生成物から以下のモノマーＭ１（２０ｇ）を分離した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　５００ｍＬの三口フラスコに、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド８ｇを入れ、窒素気流下、６５℃まで加熱した。三口フラスコ内の溶液に、モノマーＭ１：１４．３ｇ、アクリロニトリル（東京化成工業（株）製）３．０ｇ、アクリル酸（東京化成製）６．５ｇ、Ｖ－６５（和光純薬製）０．４ｇのＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。
　滴下終了後、さらに反応溶液を３時間撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド４１ｇを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、４－ヒドロキシＴＥＭＰＯ（東京化成製）０．０９ｇ、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）５４．８ｇを加え、室温で１２時間反応を行った。その後、反応溶液に７０質量％メタンスルホン酸水溶液５４ｇ加えた。反応終了後、反応溶液を水に加える再沈処理を行い、その後、析出した固形物を取り出し、ポリマー１を１２ｇ得た。
　得られたポリマー１の同定をＩＲ（infrared absorption）測定機（（株）堀場製作所製）を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させＫＢｒ結晶を用いて行った。ＩＲ測定の結果、２２４０ｃｍ-１付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されていることが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸基含有ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）に溶解させ、ブルカー製３００ＭＨｚのＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）（ＡＶ－３００）にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが２．５－０．７ｐｐｍ（５Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが７．８－８．１ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．８－５．６ｐｐｍ（１Ｈ分）、５．４－５．２ｐｐｍ（１Ｈ分）、４．２－３．９ｐｐｍ（２Ｈ分）、３．３－３．５ｐｐｍ（２Ｈ分）、２．５－０．７ｐｐｍ（６Ｈ分）にブロードに観察され、カルボン酸基含有ユニットに相当するピークが２．５－０．７ｐｐｍ（３Ｈ分）にブロードに観察され、重合性基含有ユニット：ニトリル基含有ユニット：カルボン酸基含有ユニット＝３０：３０：４０（ｍｏｌ％）であることが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
＜組成物の調製＞
　イソプロパノール（ＩＰＡ）、ポリマー１、ポリアクリル酸、メチレンビスアクリルアミド（ＭＢＡ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（ＢＡＳＦ製）を表１に従って調液し、組成物１～２を得た。
　なお、表１中、各成分の含有量は、組成物全量に対する質量％として表示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
＜実施例１＞
　加飾付きガラス基板（コーニング製）に、シランカップリング組成物（１ｗｔ％　３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越シリコーン社製ＫＢＭ５１０３）溶液（溶媒として、１質量％酢酸水溶液：ＩＰＡ＝１：１））をスピンコートして、シランカップリング組成物が塗布されたガラス基板を乾燥した。
　その後、得られたガラス基板上に組成物１（上記）をスピンコートして、組成物１が塗布されたガラス基板を８０℃にて５分間乾燥させて、被めっき層形成用層を形成した。その後、ライン幅が１０μｍのパターンを有するネガ型用のマスク越しに被めっき層形成用層に対して大気下にてＵＶ照射（エネルギー量：１Ｊ、１０ｍＷ、波長：２５６ｎｍ）し、さらに、１％の炭酸水素ナトリウムを用いて現像することで、パターン状被めっき層（厚み：０．４μｍ）を形成した（図３Ａ～図３Ｂ参照）。
　パターン状被めっき層を有するガラス基板をＰｄ触媒付与液ＭＡＴ－２（上村工業製）のＭＡＴ－２Ａのみを５倍に希釈したものに室温にて５分間浸漬し、その後、ガラス基板を取り出して、純水にて２回洗浄した。次に、得られたガラス基板を還元剤ＭＡＢ（上村工業製）に３６℃にて５分間浸漬し、その後、ガラス基板を取り出して、純水にて２回洗浄した。その後、得られたガラス基板を活性化処理液ＭＥＬ－３（上村工業製）に室温にて５分間浸漬し、その後、ガラス基板を取り出し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップＰＥＡ（上村工業製）に室温にて６０分間浸漬した。その後、ガラス基板を取り出して、純水にて２回洗浄して、パターン状被めっき層上にパターン状銅層（引き出し配線に該当。厚み：１．２μｍ）を備える加飾付きガラス基板を得た（図４Ａ～図４Ｂ参照）。
　次に、酸化インジウムと酸化錫が質量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム－酸化錫ターゲットを用いるスパッタリング法によって、得られた加飾付きガラス基板上の全面にＩＴＯ層を形成した（図５Ａ～図５Ｂ参照）。なお、ＩＴＯ層は、パターン状銅層全面を覆うように配置された。
　その後、感光性レジスト材料をＩＴＯ層上に塗布して、感光性レジスト層を形成した。その後、先に形成したパターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域、および、所望のＩＴＯパターン部分を形成させるべき領域の感光性レジスト層に露光処理を行い、その後、現像処理を実施して、上記領域上にレジストパターンが残るように、フォトリソグラフィー法でパターニングを行った（図６Ａ～図６Ｃ参照）。
　その後、レジストパターンが配置されていない領域のＩＴＯ層をエッチングした後、レジストパターンを除去して（図７Ａ～図７Ｄ参照）、パターン状のＩＴＯ層（透明電極に該当）を有するタッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した（図８Ａ～図８Ｄ参照）。
＜実施例２＞
　組成物１の代わりに、組成物２を用いた以外は、実施例１と同様の手順に従って、タッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した。
＜比較例１＞
　パターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域にレジストパターンを配置しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、タッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した。
＜比較例２＞
　パターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域にレジストパターンを配置しなかった以外は、実施例２と同様の手順に従って、タッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した。
＜比較例３＞
　加飾付きガラス基板（コーニング製）にスパッタ法にて、銅層を約１．５μｍの厚みとなるように成膜した。次いで、ネガ型感光性レジストを、銅層の表面上に４μｍ程度の厚みで塗布した後、９０℃で３０分乾燥し、ネガ型感光性レジスト層を形成した。その後、ライン幅が１０μｍのパターンを有するネガ型用のマスク越しにネガ型感光性レジスト層に対して大気下にてＵＶ照射（１００ｍＪ／ｃｍ２）し、３％の炭酸ナトリウムを用いて現像することで、引き出し配線に対応する部分にレジストパターンが形成され、それ以外の部分のレジストパターンが除去された。次に、比重１．４５の塩化第二鉄液を用いて、銅層の露出部をエッチング除去し、残ったレジストパターンを剥離した。これによりパターン状銅層（引き出し配線に該当。厚み：１．５μｍ）を備える加飾付きガラス基板を得た。
　次に、酸化インジウムと酸化錫が質量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム－酸化錫ターゲットを用いるスパッタリング法によって、得られた加飾付きガラス基板上の全面にＩＴＯ層を形成した。なお、ＩＴＯ層は、パターン状銅層全面を覆うように配置された。
　その後、感光性レジスト材料をＩＴＯ層上に塗布して、感光性レジスト層を形成した。その後、先に形成したパターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域、および、所望のＩＴＯパターン部分を形成させるべき領域の感光性レジスト層に露光処理を行い、その後、現像処理を実施して、上記領域上にレジストパターンが残るように、フォトリソグラフィー法でパターニングを行った。
　その後、レジストパターンが配置されていない領域のＩＴＯ層をエッチングした後、レジストパターンを除去して、パターン状のＩＴＯ層（透明電極に該当）を有するタッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した。
　上記比較例３においては、パターン状被めっき層が使用されておらず、パターン状銅層はスパッタリングにより形成される銅層から形成されている。
＜比較例４＞
　パターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域にレジストパターンを配置しなかった以外は、比較例３と同様の手順に従って、タッチパネルセンサー用導電性フィルムを製造した。
＜各種評価＞
（密着性評価）
　各実施例および各比較例にて得られたタッチパネルセンサー用導電性フィルム中のＩＴＯ層に対して、テープ剥離試験を行い、パターン状銅層上に位置するＩＴＯ層の残存率（％）｛（テープ剥離後に残存するパターン状銅層上に位置するＩＴＯ層の面積／テープ剥離前のパターン状銅層上に位置するＩＴＯ層の面積）×１００｝を以下の基準に従って、評価した。なお、テープ剥離試験は、ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に従って、実施した。
「Ａ」：残存率が８０～１００％であった場合
「Ｂ」：残存率が８０％未満であった場合
（配線抵抗測定）
　各実施例および各比較例にて得られたタッチパネルセンサー用導電性フィルム中のパターン状銅層の端部間の抵抗値を、ミリオームハイテスタ３５４０（日置電機社製）を用いて測定し、以下の基準に沿って評価した。なお、評価には１０本のパターン状銅層の端部間の抵抗値を測定し、それらの平均抵抗値を用いて、評価した。
「Ａ」：平均抵抗値が１０Ω以下の場合
「Ｂ」：平均抵抗値が１０Ω超の場合
　表２中、「周辺配線保護膜」とは、パターン状銅層（引き出し配線）が配置されている領域にレジストパターンを配置したか否かを示すものであり、「有」はレジストパターンを配置したことを意図し、「無」はレジストパターンを配置しなかったことを意図する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表２に示すように、本発明の製造方法より得られるタッチパネルセンサー用導電性フィルムにおいては、所望の効果が得られた。
　一方、所定のレジストパターンを設けなかった比較例１および２においては、引き出し配線の抵抗値が悪化し、パターン状被めっき層を使用せず、引き出し配線をスパッタリング処理およびエッチング処理により製造した比較例３および４においては、引き出し配線と透明電極との密着性に劣っていた。
　１０　　基板
　１２　　被めっき層形成用層
　１４　　パターン状被めっき層
　１６　　引き出し配線
　１８　　透明導電膜
　２０　　レジストパターン
　２２　　透明電極
　２４　　配線状透明導電膜
　１００　　タッチパネルセンサー用導電性フィルム
 

Claims (6)

  1. 　基板と、前記基板上に配置された透明電極と、前記基板上に配置され、前記透明電極に接続された引き出し配線とを備える、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法であって、
    　基板上に、化合物Ｘまたは組成物Ｙを含む被めっき層形成用層を形成する工程Ａと、
    　前記被めっき層形成用層に対して、前記引き出し配線が形成されるべき領域に露光を行い、前記被めっき層形成用層の未露光部を除去して、パターン状被めっき層を形成する工程Ｂと、
    　前記パターン状被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与して、前記めっき触媒またはその前駆体が付与されたパターン状被めっき層に対してめっき処理を行い、前記パターン状被めっき層上に前記引き出し配線を形成する工程Ｃと、
    　少なくとも前記引き出し配線の一端上に重なるように、前記基板上に透明導電膜を形成する工程Ｄと、
    　前記透明導電膜上に感光性レジスト層を形成し、前記引き出し配線が配置されている領域および前記透明電極が形成されるべき領域にレジストパターンが形成されるように、前記感光性レジスト層に対して露光を行い、その後、露光された前記感光性レジスト層に現像処理を施して、レジストパターンを形成する工程Ｅと、
    　前記レジストパターンが配置されていない領域の前記透明導電膜をエッチング処理にて除去し、前記透明電極を形成する工程Ｆと、
    　前記レジストパターンを除去する工程Ｇと、を有する、タッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
    化合物Ｘ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、および、重合性基を有する化合物
    組成物Ｙ：めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
  2. 　前記めっき処理が、無電解めっき処理である、請求項１に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
  3. 　前記透明電極が、酸化インジウムスズを含む、請求項１または２に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
  4. 　前記引き出し配線が、Ｃｕ、Ａｕ、ＮｉおよびＡｇからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムの製造方法。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の製造方法より製造されたタッチパネルセンサー用導電性フィルム。
  6. 　請求項５に記載のタッチパネルセンサー用導電性フィルムを含むタッチパネル。
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