CN109002206B - 触控结构、显示装置及触控结构的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种触控结构、显示装置及触控结构的制备方法，在基板上形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层直接电连接，所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，以传输所述触控层的信号，增加了触控结构的导通能力，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区，由于导通能力增大了，适应性缩小所述基板边框区的尺寸也能保证触控结构的导通性，可以满足窄边框的设计需求。

Description

触控结构、显示装置及触控结构的制备方法

技术领域

本发明涉及触摸屏制备技术领域，尤其涉及一种触控结构、显示装置及触控结构的制备方法。

背景技术

伴随近年来显示装置在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，显示装置一举成为现今成像显示设备的首选产品。

传统的显示装置的触控电极的材料通常为氧化铟锡(ITO)，其透光率较高，导电性能也不错，但是ITO的面电阻很大，其应用在大尺寸的显示装置上时，显示装置的导电性能及灵敏度无法保证。此外，ITO的整体制作成本非常昂贵，又极易被破坏。近年来，已被开发出的ITO替代材料有导电高分子、碳纳米管、石墨烯、多种金属纳米线等，其中，利用纳米金属线制备的透明导电薄膜表面平整、耐弯折，并且具有较好的导电性和透光性，被认为是首选的ITO替代材料。但是现有的纳米金属线触控结构无法同时满足导通性及窄边框的控制要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触控结构、显示装置及触控结构的制备方法，在保证导通性的同时能够缩小边框。

为了达到上述目的，本发明提供了一种触控结构，包括：基板，所述基板包括边框区；位于所述基板上的触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层电连接，以传输所述触控层的信号；所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区。

可选的，所述触控结构还包括对应设置于所述触控层上的增粘层。

可选的，所述辅助导电层的厚度与所述增粘层的厚度相同。

可选的，所述辅助导电层为金属辅助导电层。

可选的，所述金属辅助导电层呈网格状。

可选的，所述辅助导电层为整面ITO。

可选的，所述触控层为纳米金属线触控层。

本发明还提供了一种显示装置，包括所述触控结构。

可选的，所述触控结构的制备方法包括：

在一基板上分别形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层电连接，以传输所述触控层的信号；所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区。

可选的，形成所述触控层及所述辅助导电层的步骤包括：

在所述基板的部分边框区上形成所述辅助导电层，使所述辅助导电层靠近所述基板的边缘；

在剩余的所述基板上形成所述触控层。

可选的，在剩余的所述基板上形成所述触控层之后，所述触控结构的制备方法还包括：

在所述触控层上形成增粘层。

在本发明提供的触控结构、显示装置及触控结构的制备方法中，在基板的上形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层直接电连接，所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，以传输所述触控层的信号，并增加了触控结构的导通能力，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区，由于导通能力增大了，适应性缩小所述基板边框区的尺寸也能保证触控结构的导通性，可以满足窄边框的设计需求。

附图说明

图1为本发明实施例提供的触控结构的示意图；

图2为本发明实施例提供的触控结构的又一示意图；

图3为本发明实施例提供的形成辅助导电层后的示意图；

图4为本发明实施例提供的形成触控层及增粘层后的示意图；

图5为本发明实施例提供的形成走线层后的示意图；

其中，1-基板，11-边框区，12-可视区，2-辅助导电层，3-触控层，4-增粘层，5-走线层。

具体实施方式

发明人发现，传统的纳米金属线显示装置的制备工艺，通常是将纳米金属线溶液直接涂布在基板上以形成触控层，并在基板的边框区印刷金属材料来制作走线，所述走线与触控层搭接。但是，由于触控层中的纳米金属线呈网格状，导致触控层与走线的搭接面积有限，为了保证导通能力，需要保证边框区内的走线层与触控层的搭接面积足够大，所以边框区的面积通常需要大于0.25mm²。可见，传统的触控层制作方案，不利于进一步缩小基板的边框区。

有基于此，本发明提供了一种触控结构、显示装置及触控结构的制备方法，在基板的上形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层直接电连接，所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，以传输所述触控层的信号，并增加了触控结构的导通能力，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区，由于导通能力增大了，适应性缩小所述基板边框区的尺寸也能保证触控结构的导通性，可以满足窄边框的设计需求。

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的触控结构的示意图。所述触控结构包括：基板，所述基板包括边框区；位于所述基板上的触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层直接电连接，以传输所述触控层的信号；所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区。可选的，所述触控层的材料可以是金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钴(Co)、钯(Pd)等的纳米金属线，由于银具有导电性和透光性好等特点，所述触控层的材料优选为银纳米线(即纳米银线)。

具体而言，如图1所示，所述基板1包括边框区11及可视区12，所述边框区11围绕所述可视区12。所述可视区11通常用于透光显示，所述边框区12通常不透光。所述基板1例如呈矩形，所述边框区11位于所述基板1的边缘，呈“回”字形。所述触控层3及所述辅助导电层2均位于所述基板1上且二者位于同一层，即，所述辅助导电层2与所述触控层3并排设置。所述触控层3覆盖所述基板1的可视区12及部分边框区11，所述辅助导电层2覆盖所述边框区11剩余的部分，且所述辅助导电层2位于所述触控层3的外侧以环绕所述触控层3。

请继续参阅图1，可选的，进一步，所述辅助导电层2与所述触控层3相接触以实现电连接，所述触控层3中具有多条纳米金属线，多条所述纳米金属线相互搭接以形成导电网络。

所述触控层3上还可以形成增粘层4，所述增粘层4与所述辅助导电层2位于不同层，且所述增粘层4在其厚度方向上至少部分嵌入所述触控层3中。所述增粘层4具有粘性，能够增大所述触控层3与所述基板1之间的附着力。可选的，所述辅助导电层2的厚度与所述增粘层4的厚度相同，且所述增粘层4与触控层3的厚度之和可以等于所述辅助导电层2的厚度，以使所述触控结构表面的平整度更好。本实施例中，可以在触控层3表面涂布丙烯酸酯低聚物，固化后形成所述增粘层4。

可选的，所述基板1的边框区11上还可以形成一走线层5，所述走线层5覆盖所述辅助导电层2及部分所述触控层3，使得所述走线层5的一部分与辅助导电层2搭接，另一部分与所述触控层3搭接。虽然所述触控层3与所述走线层5仍然是点与面的搭接，但是所述走线层5与所述辅助导电层2是面与面的搭接，所以，整个所述边框区11的搭接面积实际上相比于传统方案有所增加，进而提高了导通能力。

所述辅助导电层2具体可以是整面的ITO(氧化铟锡)或是由导电金属制成的金属网格(Metal-Mesh，MM)，所述金属网格可以采用如银、金、钛或铜等导电金属中的一种或多种制成。

进一步，所述辅助导电层2较所述触控层3更远离所述基板1的中心，即所述辅助导电层2更靠近所述基板1的外边缘，以利于所述触控层3的制备，简化了制备的工艺。具体的，如图2所示，所述辅助导电层2环绕所述触控层3，当所述边框区呈“回”字形的情况下，所述辅助导电层2也呈“回”字形，所述辅助导电层2与部分所述触控层3共同覆盖所述边框区11的基板1。可选的，所述辅助导电层2在所述基板1上投影的截面宽度与所述触控层3在所述基板1上投影的截面宽度相等，并各占所述边框区11的一半。可以理解的是，此处所指的“截面宽度”是指辅助导电层2或触控层3沿着所述基板1的中心线剖切开后，所述辅助导电层2或触控层3在所述中心线方向上的宽度。当然，所述辅助导电层2在所述基板1上投影的截面宽度与所述触控层3在所述基板1上投影的截面宽度也可以不相等，本发明不作限制。

请参考图3-图5，其为本实施例提供的触控结构的制备方法的流程图，所述触控结构的制备方法包括：

在一基板1上分别形成触控层3及辅助导电层2，所述辅助导电层2与所述触控层3直接电连接，以传输所述触控层3的信号；所述辅助导电层2位于所述触控层3的外侧并与所述触控层3同层设置，且所述辅助导电层2位于所述基板1的边框区11。

具体的，请参阅图3，首先提供基板1，所述基板1为整个所述触控结构提供支撑，可选的，所述基板1的材料可以采用如玻璃、金属、或陶瓷材料形成的刚性基板，也可以是采用如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PBT)、聚苯乙烯(PS)、或玻璃纤维增强塑料等任意合适的绝缘材料形成的柔性基板，本发明不作限制。在所述基板1上确定好边框区11及可视区12的位置与尺寸。继续参阅图3，接着，在所述边框区11的基板1上形成所述辅助导电层2。可选的，采用氧化铟锡薄膜制备工艺(ITO薄膜制备工艺)在所述基板1上形成ITO薄膜；或者，采用金属网格工艺在所述基板1上形成所述金属网格。本实施例中，制成所述金属网格的导电金属为银。

接下来，请参阅图4，本实施例在所述边框区11远离所述可视区12一侧的基板1上形成所述辅助导电层2，使所述辅助导电层2更靠近所述基板1的外边缘，以便于在所述基板1上形成所述触控层3时可以整片一次形成。具体的，在所述辅助导电层2内侧的基板1上涂布纳米金属线溶液，所述纳米金属线溶液为纳米金属线溶在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等，所述溶剂中还可以含有如分散剂、表面活性剂、交联剂、稳定剂、润湿剂或增稠剂等添加剂，在所述基板1上涂布好纳米金属线溶液，进行加热烘干，以对所述基板1上涂布的纳米金属线溶液进行固化，形成所述触控层3，所述触控层3包括基质及嵌入所述基质中的纳米金属线，所述纳米金属线之间通过分子力搭接以形成导电网络，所述基质用于保护所述纳米金属线不被腐蚀、磨损等外界环境的影响。此时，所述触控层3既覆盖部分所述边框区11的基板1(除开所述辅助导电层2的部分)，又覆盖整个所述可视区12的基板1。

请继续参阅图4，在所述触控层3上形成增粘层4。可选的，所述增粘层4的材料可以是如高分子聚合物、树脂、透明光学胶、氧化物、类光阻等材料中的一种或多种。本实施例中，所述增粘层4的材料为透明光学胶，本实施例中形成所述增粘层4的步骤可以是：将透明光学胶溶液采用喷涂工艺涂布在所述触控层3上；再对所述触控层3上的透明光学胶溶液进行加热烘干，固化形成所述增粘层4，所述透明光学胶溶液具有流动性，而所述触控层3呈网状，在未固化前，所述透明光学胶溶液会渗入所述触控层3中，使得固化后形成的增粘层4在其厚度方向上至少部分会嵌入所述触控层3中，使所述触控层3更好的附着在所述基板1上，并且所述纳米金属线之间不易发生游移，搭接更加牢固，进而增加了所述触控结构导电率和灵敏性。

接着，请参阅图5，在所述边框区11的触控层3及所述辅助导电层2上形成走线层5，所述走线层5覆盖所述触控层3及所述辅助导电层2，所述走线层5的材料可以是银、金、氧化铟锡、金属筛网或石墨烯中的一种或多种。所述走线层5的部分与所述触控层3搭接，剩余部分与所述边框区11的触控层3搭接。可选的，本实施例在形成所述走线层5后，还采用了激光刻蚀工艺对所述走线层5进行刻蚀，以在所述边框区11上形成多条走线，然后刻蚀所述可视区12的增粘层4及触控层3，形成多个分立的导电结构，所述可视区12中的各增粘层4及触控层3的层叠体构成感应电极，通过后续的工艺将多条所述走线与所述感应电极搭接。

有鉴于此，本实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括所述触控结构、盖板及贴合层，所述贴合层位于所述触控结构及所述盖板之间以将所述触控结构及所述盖板贴合。所述边框区11的盖板上可以涂覆不透光的装饰材料，以突出所述可视区12显示的图形。

可选的，所述触控显示屏可以用于手机、游戏机、平板电脑等移动终端，也可以用于笔记本电脑、台式电脑、公共信息查询设备、等各种电子产品。

综上，在本发明实施例提供的触控结构、显示装置及触控结构的制备方法中，在基板的边框区上形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层直接电连接，所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，所述辅助导电层与所述触控层同层设置以传输所述触控层的信号，增加了触控结构的导通能力，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区，由于导通能力增大了，适应性缩小所述基板边框区的尺寸也能保证触控结构的导通性，可以满足窄边框的设计需求。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种触控结构，其特征在于，包括：基板，所述基板包括边框区；位于所述基板上的触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层电连接，以传输所述触控层的信号；所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区；

所述触控层为纳米金属线触控层，所述辅助导电层为整面ITO；

所述基板的边框区上形成有走线层，所述走线层覆盖所述辅助导电层及部分所述触控层。

2.如权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控结构还包括对应设置于所述触控层上的增粘层。

3.如权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述辅助导电层的厚度与所述增粘层的厚度相同。

4.如权利要求1-3中任一项所述的触控结构，其特征在于，所述辅助导电层为金属辅助导电层。

5.如权利要求4所述的触控结构，其特征在于，所述金属辅助导电层呈网格状。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的触控结构。

7.一种触控结构的制备方法，其特征在于，所述触控结构的制备方法包括：

在一基板上分别形成触控层及辅助导电层，所述辅助导电层与所述触控层电连接，以传输所述触控层的信号；所述辅助导电层位于所述触控层的外侧并与所述触控层同层设置，且所述辅助导电层位于所述基板的边框区；

所述触控层为纳米金属线触控层，所述辅助导电层为整面ITO；

所述基板的边框区上形成有走线层，所述走线层覆盖所述辅助导电层及部分所述触控层。

8.如权利要求7所述的触控结构的制备方法，其特征在于，形成所述触控层及所述辅助导电层的步骤包括：

在所述基板的部分边框区上形成所述辅助导电层，使所述辅助导电层靠近所述基板的边缘；

在剩余的所述基板上形成所述触控层。

9.如权利要求8所述的触控结构的制备方法，其特征在于，在剩余的所述基板上形成所述触控层之后，所述触控结构的制备方法还包括：

在所述触控层上形成增粘层。

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