TW202311555A - 最小化錫氧化物腔室清潔時間 - Google Patents

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Abstract

本文所述的技術關於使錫氧化物的腔室清潔時間最小化的方法及設備。在許多情況下，該腔室是用於在半導體基板上沉積錫氧化物的沉積腔室。該技術涉及將該腔室表面暴露至從第一電漿產生氣體產生的第一電漿，使該錫氧化物還原為錫，該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品，接著將該腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，以將該錫從該腔室表面移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。在一些情況下，用於將錫氧化物還原成錫的第一電漿更包括惰性氣體。

Description

最小化錫氧化物腔室清潔時間
本揭示整體關於錫氧化物腔室清潔時間的最小化。
半導體裝置的製造涉及各種處理(例如，沉積、微影、蝕刻等)的組合。複數不同材料是用於複數的不同目的。可使用的其中一材料為錫氧化物。
此處所提供之先前技術描述係為了一般性呈現本揭露之背景的目的。本案列名發明人的工作成果、至此先前技術段落的所述範圍、以及申請時可能不適格作為先前技術的實施態樣，均不明示或暗示承認為對抗本揭露內容的先前技術。
本文中的各種實施例是關於清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法、設備及系統。在許多情況下，腔室表面為沉積腔室的內部表面，該沉積腔室使是用於在半導體基板上沉積錫氧化物，但這些實施例不限於此。
在所揭示實施例的其中一態樣中，提供清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，該方法包括：將該腔室表面暴露至從第一電漿產生氣體產生的第一電漿，使該錫氧化物還原為錫粉末，該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品；以及將該腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，以將該錫粉末從該腔室表面移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。
在某些實施例中，可使用特定化學品。舉例而言，在各種實施例中，該第一還原性化學品及/或該第二還原性化學品可包括從元素氫(H 2)及氨(NH 3)所構成的群組中選擇的至少一物種。在這些或其他實施例中，該有機添加劑化學品可包括從甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、甲醇(CH 3OH)及乙醇(C 2H 5OH)所構成的群組中選擇的至少一物種。在許多情況下，該第一電漿產生氣體可實質無CH 4。此外，在各種實施例中，該第一電漿產生氣體實質無含碳物種。在這些或其他實施例中，該第一電漿產生氣體可更包括惰性氣體。該惰性氣體可包括從氦、氖、氬、氙及氮(N 2)所構成的群組中選擇的至少一氣體。在一些情況下，該第一電漿產生氣體可具有約5%至約50%惰性氣體的組成。在這些或其他實施例中，該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的比率可約為0.01至約100。舉例而言，該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的比率約為0.5至約20。
在一些情況下，可達成特定轉化速率及/或移除速率。在一些實施例中，當該腔室表面暴露至該第一電漿時，該錫氧化物至錫的轉化速率至少約為60Å/分。在一些如此的實施例中，該錫氧化物至錫的該轉化速率至少約為300Å/分。在這些或其他實施例中，在將該腔室表面暴露至該第一電漿及該第二電漿的進程期間，該錫氧化物得以至少約120Å/分的速率從該腔室表面移除。在一些實施例中，當該腔室表面暴露至該第一電漿時，在該腔室表面的不同部分之間的該錫氧化物至錫的轉化速率不會差超過10%。
在各種實施例中，該第一電漿及 第二電漿各自為電容耦合電漿。被進行清潔的該腔室表面包括沉積腔室的壁、天花板及/或地板，該沉積腔室是用於在半導體基板上沉積錫氧化物。
在所揭示實施例的另一態樣中，提供基板處理設備，該設備包括：處理腔室，具有位在該處理腔室的內部上的腔室表面；對於該處理腔室的輸入口，用於將反應物引進該處理腔室；對於該處理腔室的輸出口，用於將物種從該處理腔室移除；電漿產生器，配置以在該處理腔室中提供電漿；以及控制器，配置以造成：將該腔室表面暴露至從第一電漿產生氣體產生的第一電漿，使該腔室表面上的錫氧化物還原為錫粉末，該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品；以及將該腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，以將該錫粉末從該腔室表面移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。
在各種實施例中，該電漿產生器可為電容耦合電漿產生器。在這些或其他實施例中，該第一還原性化學品及/或該第二還原性化學品可包括從元素氫(H 2)及氨(NH 3)所構成的群組中選擇的至少一物種。在這些或其他實施例中，該有機添加劑化學品可包括從甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、甲醇(CH 3OH)及乙醇(C 2H 5OH)所構成的群組中選擇的至少一物種。在一些實施例中，該第一電漿產生氣體實質無含碳物種。在複數實施例中，該第一電漿產生氣體更包括惰性氣體。
在一些實行例中，該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的比率可約為0.5至約20。在這些或其他實施例中，該錫氧化物得以至少約60Å/分的速率轉化成錫。
這些及其他態樣係參照圖式而進一步描述於下。
在下方敘述中，數具體細節係闡述以提供對所呈現實施例的透徹理解。所揭露實施例可在不具一些或所有這些具體細節的情況下實施。在其他實例中，並未詳細描述習知的處理操作以免不必要地模糊所揭露的實施例。雖然所揭露實施例將結合特定實施例進行描述，但將能理解的是這些特定實施例的用意並非在於限制所揭露的實施例。
在半導體裝置的製造中其中一重要材料為錫氧化物。如本文所使用，錫氧化物係指SnO 2的化學計量及非化學計量形式。在某些情況下，在錫氧化物中可存在額外元素(例如，氫、碳及/或氮)。在許多情況下，錫氧化物係基於蒸汽技術(例如，化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積等)而加以沉積。此種沉積通常是在處理腔室(例如，沉積腔室)中進行。示例沉積腔室包括但不限於Striker ®產品家族及Vector ®產品家族中的沉積腔室，該等產品家族各自可取得自Lam Research Corporation of Fremont, CA。
在沉積的進程期間，錫氧化物(及其他材料，若存在的話)可能會堆積在處理腔室的壁及其他表面上。若沒有定期移除，則此材料可能會造成實質的處理問題及相關的低品質結果。舉例而言，在該材料足夠厚時，其可能會開始從腔室壁及其他表面剝落，而這是不樂見的。此外，若未適當清除該材料，其可能會在該腔室中進行處理的基板上形成實質的微粒缺陷。定期清潔該腔室有助於避免這些問題。此外，定期清潔使腔室的預期壽命改善，從而使隨時間的資本支出最小化。
本文中的各種實施例是關於從處理腔室內的壁及其他內部表面清除錫氧化物的方法及設備。本文中的許多實施例係在用於在一或更多半導體基板上沉積錫氧化物的沉積反應器進行清潔的背景中呈現。然而，這些實施例不受限於此。本文所述的技術可用於從可提供電漿的任何類型處理腔室的壁及其他內部表面移除錫氧化物。
圖1A呈現從處理腔室的內部表面清除錫氧化物的方法的流程圖。圖1A的方法係參照圖1B而加以描述，圖1B顯示在清潔進程期間的腔室表面150，該腔室表面150塗覆著錫氧化物152。在許多情況下，在錫氧化物152被移除之前，其在一或更多腔室表面150上具有約2 μm的厚度。在一些情況下，錫氧化物152可據有較大的厚度，例如在某些實施例中高達約4或5 μm。圖1A的方法從操作101開始，其中將腔室表面150暴露至電漿，該電漿產生自氫(H 2)及甲烷(CH 4)。如圖1B所顯示，此電漿暴露將錫氧化物152的一部分從腔室表面150移除。然而，然而錫氧化物152正在被移除時，碳聚合物154的層同時形成在其上方。在一些時間後，碳聚合物154的層會妨礙額外錫氧化物152的移除。
請回到圖1A，在操作103處，執行氣體沖洗以將H 2及CH 4從腔室，以及從對該腔室進料的輸送線移除。該氣體沖洗可藉由將一或更多惰性氣體流入該腔室，從而將相關化學品從該腔室沖除而加以完成。替代或另外的，可使用真空連接件抽空腔室以將相關化學品從該腔室移除。接著，在操作105處，將腔室表面150暴露至從氧(O 2)產生的電漿，該電漿與碳聚合物154反應並將其移除，如圖1B所示。此時的錫氧化物152比該方法剛開始時的錫氧化物152更薄。
在操作107處，判斷是否存在要從腔室表面150移除的額外錫氧化物152。此判斷可基於經過的時間、經過的循環數量、被移除的材料厚度、每一循環所移除的材料厚度等而加以作成。此判斷亦可基於計量學(例如，基於測量值，其提供與腔室內的特定位置處的材料的存在及/或厚度有關的資訊)而加以作成。在大多數情況下，要進行圖1A顯示的方法的複數循環(例如，約5-10循環)以將錫氧化物152從腔室表面150充分移除。
若在操作107中判斷存在要移除的額外錫氧化物，該方法接續進行操作109，其中執行第二氣體沖洗以從腔室，以及從對該腔室進料的輸送線移除O 2。接著，從操作101開始進行以重複進行該方法。當在操作107中判斷不存在要移除的額外錫氧化物時，則完成該方法。
使用關於圖1A及圖1B描述的清潔方法，需要大約17小時以從腔室表面150移除約2 μm的錫氧化物152。這種長的清潔時間是不樂見的。該清潔時間如此長的其中一原因在於操作103及109中執行的氣體沖洗。這些氣體沖洗是用以避免H 2/CH 4與O 2之間的非所欲反應。該清潔時間如此長的另一原因在於碳聚合物154的堆積限制了在各循環期間可移除的錫氧化物152量。
圖2A為流程圖，描述從處理腔室的內部表面清除錫氧化物的改良方法。圖2A的方法係參照圖2B而加以描述，其中圖2B顯示在清潔進程期間塗覆著錫氧化物252的腔室表面250。如上所述，在許多情況下錫氧化物252在被移除之前在一或更多腔室表面250上具有約為2 μm的厚度。腔室表面可為鋁(例如，元素鋁)、鋁氧化物(例如，AlO 3)及/或陶瓷材料。在各種實施例中，錫氧化物在被移除之前可具有至少約1 μm、至少約2 μm、至少約3 μm、至少約4 μm，或至少約5 μm厚度。在這些或其他實施例中，錫氧化物252在被移除之前可具有約5 μm以下，例如約4 μm以下、約3 μm以下，或約2.5 μm以下的厚度。在各種實施例中，錫氧化物累積/厚度係基於在特定處理腔室中的基板上沉積的錫氧化物的累積厚度(例如，而不是特定腔室表面上的錫氧化物厚度)而加以測量。此累積厚度是從處理腔室最近一次進行清潔(例如，產生裸腔室表面)的時間點開始測量。因此，在某些實行例中，在上方表列的錫氧化物厚度可與在腔室清潔之間沉積在基板上的錫氧化物的累積厚度有關。
圖2A的方法從操作201開始，其中將上方具有錫氧化物252的腔室表面250暴露至從第一電漿產生氣體所產生的第一電漿，其中該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品及一或更多任選惰性氣體。示例還原性化學品可包括下列所構成的群組中的一或更多物種：元素氫(H 2)、氫伴隨或不伴隨合適催化劑(例如，Lindlar催化劑)、氨(NH 3)、二硼烷(B 2H­ 6)、二氧化硫(SO 2)、亞硫酸鹽(例如，包含SO 2- 3的物種)、碘化物(例如，包括I -的物種，其中一示例為KI)、聯胺(N 2H 4)、氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)、亞磷酸鹽(例如，包括(HPO 3) 2-或(H 2PO 3) -的物種)、次磷酸鹽(例如，包括(H 2PO 2) -的物種)、磷酸(H 3PO 3)、一氧化碳(CO)及氰化物(例如，包括CN -或-CN的物種)。示例惰性氣體可包括下列所構成的群組中的一或更多物種：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氙(Xe)及元素氮(N 2)。尤其，在許多情況下，與圖1A的清潔方法不同的是，第一電漿是無甲烷(CH 4)及其他含碳物種的。然而，在一些情況下，含碳物種可被包括在還原性化學品中，其在上方表列的特定示例包括但不限於氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)、一氧化碳(CO)及氰化物(例如，包括CN -或-CN的物種)。該第一電漿係操作以還原錫氧化物252，而形成錫粉末253，如圖2B所示。錫烷(SnH 4)亦可形成自錫氧化物252。SnH 4是相對不穩定，且通常被轉化為錫粉末253或以其他方式(例如，以蒸汽形式)從腔室表面250移除。當腔室表面250暴露至第一電漿時，大多數或所有的錫粉末253存留在腔室表面250上。在某些實施例中，該第一電漿係產生自如上所述的還原性化學品及惰性氣體。在操作201中使第一電漿中包括惰性氣體會實質增加錫氧化物還原成錫粉末的速率，從而使清潔時間最小化。此外，使第一電漿中包括惰性氣體使溫度效應減低或消除，其中該溫度效應會在不同溫度下導致腔室表面上不均勻的移除速率。這些優點進一步論述於下。
接著，在操作203處，將腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，從而將錫粉末253從腔室表面250移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。該還原性化學品可包括下列所構成的群組中的一或更多物種：氨(NH 3)及氫(H 2)。第二電漿產生氣體中的還原性化學品與第一電漿產生氣體中的還原性化學品可為相同或不同的。在各種實施例中，有機添加劑化學品可包括下列所構成的群組中的至少一有機物種：烷類、醇、羧酸及乙酸鹽。在複數情況下，有機添加劑化學品包括具有相對短的碳原子鏈的有機物種。在許多實施例中，有機添加劑化學品可具有約1至約6個碳原子的鏈。該鏈可為分枝或直的。在各種情況下，烷類可具有C nH 2n+2化學式。示例烷類包括但不限於甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、丙烷(C 3H 8)、丁烷(C 4H 10)、戊烷(C 5H 12)、己烷(C 6H 14)等。醇可具有化學式R-OH。示例醇包括但不限於甲醇(CH 3OH)、乙醇(C 2H 5OH)、丙醇(C 3H 7OH)、丁醇(C 4H 9OH)、戊醇(C 5H 11OH)、己醇(C 6H 13OH)等。在一些情況下，可使用二元醇、三元醇等。羧酸可具有化學式R-COOH。示例羧酸包括但不限於甲酸(HCOOH)、乙酸(CH 3COOH)、丙酸(CH 3CH 2COOH)、丁酸(CH 3(CH 2) 2COOH)、戊酸(CH 3(CH 2) 3COOH)、己酸(CH 3(CH 2) 4COOH)等。在使用羧酸的一些情況下，有機添加劑化學品可包括二羧酸、三羧酸等。乙酸鹽可包括乙酸鹽陰離子(CH 3CO 2 -)。在一些實施例中，乙酸鹽可提供作為乙酸鹽或乙酸酯。
此刻，腔室表面250是乾淨的，如圖2B所示。
圖2A的方法具有勝過圖1A的方法的複數優點。舉例而言，由於操作201中的第一電漿係實質無CH 4(及其他含碳物種)，因此不會形成碳聚合物的層。由於不存在碳聚合物，故其無法如關於圖1A及圖1B所解釋地限制錫氧化物的移除。因此，不需要進行將錫氧化物逐部分逐漸移除的循環處理。作為替代，錫氧化物的整體層可在單一暴露至操作201中的第一電漿期間轉化成錫粉末。
圖2A的方法的相關優點在於不需將腔室表面暴露至O 2電漿。由於不會形成碳聚合物，故無需使用O 2電漿將其移除。因此，可完全去除O 2電漿步驟。
圖2A的方法的另一優點在於無需執行任何氣體沖洗，原因在於不存在不同化學品之間的非所欲反應的風險。相對地，在圖1A的方法中，在各循環期間需要進行二個氣體沖洗(例如，操作103及109)，以防止H 2/CH 4化學品與O 2化學品之間的非所欲反應。將氣體沖洗去除允許更快速進行清潔處理，原因在於不需等待將相關化學品從腔室及對腔室進料的輸送線沖除。
與圖1A的方法相比，圖2A的方法可用於大幅減低從腔室表面清除錫氧化物所需的時間。如上所述，圖1A的方法通常需要約17小時來移除大約2μm的錫氧化物累積。換言之，移除速率受限於約0.12μm/小時，其等於約2nm/分。相對地，當使用圖2A的方法時(例如，不具任選惰性氣體)，在大約一半的時間(例如，大約8小時)移除相同量的錫氧化物。在此情況下，移除速率提升至約0.25μm/小時，其等於約4nm/分或約40Å/分。此外，在操作201中將惰性氣體添加至第一電漿時，操作201的持續時間可進一步減少6倍。因此，在操作201中將惰性氣體添加至第一電漿時，可在約2小時內移除具有約2μm的累積/厚度的錫氧化物。這包括在操作201中將錫氧化物轉化成錫粉末所花費的時間，以及在操作203中將錫粉末移除所花費的時間。這提供大約1.0μm/小時的錫氧化物移除速率，其等於約16nm/分或約160Å/分。使用習知清潔方法無法達成此種高的移除速率。進一步的實驗結果是呈現於下。在各種實施例中，錫氧化物移除速率(包括操作201及203)可至少約為50Å/分，例如至少約為100Å/分，或至少約為120Å/分，或至少約為150Å/分。
可根據本文所提供的示例處理條件來控制一或更多處理條件。參照圖2A的方法，可在操作201及203各者期間控制電漿產生條件。示例條件包括電漿產生頻率(或複數頻率)、各頻率下的電漿產生功率、電漿工作循環，以及處理氣體(或複數氣體)的流率及組成。此外，可控制處理腔室內的壓力，以及處理腔室中的各種構件/表面的溫度。
在操作201中的第一電漿步驟期間，可使用約400W至約4000W的RF功率，在約400kHz至約40MHz的頻率下產生第一電漿。
在操作201期間，第一電漿係產生自第一電漿產生氣體，其中該第一電漿產生氣體至少包括還原性化學品，例如H 2及/或NH 3。第一電漿產生氣體還可包括一或更多惰性氣體，以進一步提高錫氧化物被轉化成錫粉末的速率。在操作201期間的還原性化學品的流率可約為400 sccm至約20000 sccm，例如約2000 sccm至約8000 sccm。在操作201期間提供惰性氣體的情況下，其可具有約100 sccm至約20000 sccm，例如約2000 sccm至約8000 sccm的流率。
控制還原性化學品及任選惰性氣體的個別流率允許對在操作201期間的第一電漿產生氣體的組成進行控制。在一實施例中，第一電漿產生氣體在操作201期間是無或實質無惰性氣體的。在此實施例中，第一電漿產生氣體可為純H 2、純NH 3，或是僅H 2及NH 3的組合。在其他實施例中，第一電漿產生氣體除了還原性化學品之外，還包括一或更多惰性氣體。在此情況下，第一電漿產生氣體可具有至少約5%惰性氣體(例如，至少約10%或至少約25%)的組成。在這些或其他實施例中，第一電漿產生氣體可具有約99%以下惰性氣體(例如，約95%以下、約90%以下、約75%以下、約50%以下、約25%以下或約10%以下)的組成。舉例來說，包括以100 sccm提供的H 2及以200 sccm提供的惰性氣體的第一電漿產生氣體是被理解為約67%的惰性氣體。所記載的用於操作201第一電漿產生氣體中的惰性氣體的最小及最大濃度可依據特定實施例的需求而加以組合。舉例而言，在一些實施例中第一電漿產生氣體可約為5%至約50%惰性氣體。在各種實施例中，操作201中的第一電漿產生氣體僅包括還原性化學品及任選惰性氣體。舉例來說，具有至少約10%惰性氣體的組成的第一電漿產生氣體還可包括約90%以下的還原性化學品。在一些其他實施例中，除了還原性化學品及任選惰性氣體之外，還可在第一電漿產生氣體中提供一或更多物種。
在操作201期間，可將處理腔室中的壓力控制至約0.5 Torr至約10 Torr。可使用真空連接件將錫粉末之外的反應產物(例如，氣相反應產物)從處理腔室移除。在清潔期間，處理腔室中的一或更多構件(及/或形成該處理腔室自身的構件)可例如使用一或更多加熱及/或冷卻構件而受溫度控制，以在所欲位置處達成所欲溫度。可受溫度控制的示例構件包括但不限於腔室壁、腔室地板、腔室天花板、基板支撐件、噴淋頭等。在一些情況下，可控制一或更多構件的溫度，以例如提高其溫度，及/或減低處理腔室的不同部分之間(及/或構件內)的溫度差異。此溫度控制可促進更均勻的錫氧化物移除速率，尤其是在操作201期間未提供惰性氣體的情況下。在其他實施例中，在清潔期間並未主動控制構件的溫度。在各種實施例中，在操作201期間，處理腔室及/或其中的一或更多構件可具有約25°C至約430°C的溫度。溫度效應是在下方的實驗章節中進一步論述。
在一些實施例中，在操作201中可將正在被清潔的腔室表面暴露至第一電漿持續約10分鐘至約300分鐘。如上所解釋，在操作201期間包括惰性氣體會導致從錫氧化物到錫粉末的實質較高轉化速率，從而實現較短的清潔週期。通常，較厚的錫氧化物沉積物將會花費更多時間來轉化為錫粉末。
當腔室表面暴露至第二電漿時，在操作203期間得以類似方式控制各種處理條件。舉例來說，第二電漿可在約400 kHz至約40 MHz的頻率下，使用約400 W至約4000 W的RF功率而產生。
在操作203期間，第二電漿產生自第二電漿產生氣體，該第二電漿產生氣體至少包括還原性化學品及添加劑化學品。示例化學品提供於上方。操作203中的第二電漿產生氣體與操作201中的第一電漿產生氣體具有不同組成，至少是因為在操作201的第一電漿產生氣體中省略有機添加劑化學品(及所有的其他含碳物種)，但在操作203的第二電漿產生氣體中是有包括的。第二電漿產生氣體亦可包括一或更多惰性氣體。在操作203期間的還原性化學品的流率可約為400 sccm至約20000 sccm，例如約2000 sccm至約8000 sccm。在操作203期間的有機添加劑化學品的流率可約為10 sccm至約10000 sccm，例如約400 sccm至約6000 sccm。在操作203期間提供惰性氣體的情況下，惰性氣體的流率可約為10 sccm至約40000 sccm，例如約4000 sccm至約10000 sccm。
控制還原性化學品，有機添加劑化學品及任選惰性氣體的個別流率及同一性(identity)允許控制操作203期間的第二電漿產生氣體的組成。在一實施例中，在操作203期間，第二電漿產生氣體無或實質無惰性氣體。在一些如此實施例中，第二電漿產生氣體可完全為H 2/CH 4(或是本文所述的還原性化學品及有機添加劑化學品的另一組合)。電漿產生氣體中的還原性化學品:有機添加劑化學品的比率(例如，在一實施例中為H 2:CH 4的比率)(以sccm測量)可受控制。舉例來說，包括200 sccm的H 2及100 sccm的CH 4的第二電漿產生氣體具有2:1的H 2:CH 4比率，此比率可被更簡易記載為2。在各種實施例中，第二電漿產生氣體中的還原性化學品:有機添加劑化學品的比率可被控制為約0.01至約100(例如，約1:100至約100:1)，例如約0.1至約50(例如，約1:10至約50:1)，或約0.5至約20(例如，約1:2至約20:1)。同樣地，在操作203期間於第二電漿產生氣體中存在惰性氣體的情況下，還原性氣體:惰性氣體(例如，在一些實施例中為H 2:惰性氣體)的比率可約為0.1至約10(例如，約1:10至約10:1)，而有機添加劑化學品:惰性氣體(例如，在一些實施例中為CH 4:惰性氣體)的比率可約為0.02至約10(例如，約1:50至約10:1)。
在一些實施例中，在操作203中可將正在被清潔的腔室表面暴露至第二電漿持續約2分鐘至約240分鐘。通常，較厚錫氧化物沉積物將會造成較厚的錫粉末層，而較厚的錫粉末層會花費相對較長的時間來進行移除。
在操作203期間，得以上方關於操作201所描述的方式控制處理腔室內的壓力。在許多情況下，操作201及203係在實質相同的壓力進行。然而，在一些情況下，操作203可在比執行操作201的壓力更低或更高的壓力下執行。類似地，在操作203期間，得以與上方關於操作201所述類似的方式控制處理腔室(及/或其中的一或更多構件)的溫度。在一些情況下，在操作201或203任一者期間並未主動控制處理腔室及其中構件的溫度。在其他情況下，在操作201及203的至少一者期間可控制處理腔室及/或其中的一或更多構件的溫度。在一些情況下，操作201及203中的溫度控制是實質相同的。在其他情況下，可將一或更多構件的溫度在操作201期間控制在較低溫度，而在操作203期間控制在較高溫度，或是反之亦然。 設備
本文中的實施例可實施在任何合適設備上。合適設備通常包括至少一處理腔室，其中半導體基板是在該處理腔室中進行處理。此外，合適設備配備著或以其他方式耦接電漿產生器，該電漿產生器係配置以在處理腔室中提供電漿。在許多情況下，該設備是用於在半導體基板上沉積錫氧化物，但實施例不限於此。通常，只要可提供合適的化學品/電漿，本文中的技術可用於從任何類型的處理腔室移除錫氧化物。
圖3示意性顯示處理站300的實施例，其中該處理站300可被用於使用原子層沉積(ALD)及/或化學氣相沉積(CVD)以沉積錫氧化物及其他材料，其中ALD或CVD的任一者可為經電漿增強的。為簡潔起見，處理站300係被繪示為獨立處理站，其具有維持低壓力環境所用的處理腔室本體302。然而，將能理解的是，複數處理站300可被包括在如關於圖4及圖5所描述的公共處理工具環境中。此外，將能理解的是，在一些實施例中，可藉由一或更多電腦控制器以編程方式調整處理站300的一或更多硬體參數，包括詳細描述於下的那些硬體參數。
處理站300係與反應物輸送系統301流體連通以將處理氣體輸送至分佈噴淋頭306。反應物輸送系統301包括混合容器304，用於將輸送至噴淋頭306的處理氣體進行混合及/或調節。一或更多混合容器輸入口閥320可控制對於混合容器304的處理氣體引進。類似地，噴淋頭輸入口閥305可控制對於噴淋頭306的處理氣體引進。在一些實施例中 ，可修改反應物輸送系統，以確保反應物在進入處理腔室本體302之前不會混合。
某些反應物得以液體形式儲存，並在汽化後接著輸送至處理站。舉例而言，圖3的實施例包括汽化點303，用於將待供應至混合容器304的液體反應物汽化。在一些實施例中，汽化點303可為加熱式汽化器。從此種汽化器產生的反應物蒸汽可在下游輸送管路中冷凝。將不相容的氣體暴露於冷凝反應物可產生小微粒。這些小微粒可能會使管路堵塞、妨礙閥操作、使基板汙染等。解決這些問題的一些方法涉及將該輸送管路進行掃除及/或抽空，以移除殘留的反應物。然而，將該輸送管路進行掃除可能會增加處理站的循環時間，而這會使處理站產量降低。因此，在一些實施例中，可對汽化點303下游的輸送管路進行熱追跡。在一些示例中，亦可對混合容器304進行熱追跡。在一非限制性示例中，汽化點303下游的管路具有從大約100°C延伸至混合容器304處的大約150°C的上升溫度輪廓。
在一些實施例中，可在液體注射器處將反應物液體汽化。舉例而言，液體注射器可將液體反應物的脈衝注入混合容器上游的承載氣流中。在一方案中，液體注射器可藉由將液體從較高壓力閃現至較低壓力使反應物汽化。在另一方案中，液體注射器可將液體原子化為分散微滴，而該等分散微滴後續在加熱式輸送管路中被汽化。將能理解的是，較小的液滴比起較大的液滴可更快速地被汽化，而這減低液體注射與完全汽化之間的延遲。較快的汽化可減低汽化點303下游的管道長度。在一方案中，液體注射器可直接安裝至混合容器304。在另一方案中，液體注射器可直接安裝至噴淋頭306。
在一些實施例中，可提供位在汽化點303上游的液體流量控制器，用於控制汽化及輸送至處理站300所用的液體質量流。舉例而言，液體流量控制器(LFC)可包括位於該LFC下游的熱性質量流計(MFM)。接著，可響應於回饋控制信號而調整該LFC的柱塞閥，其中該回饋控制信號係由與該MFM電性連通的比例-積分-微分(PID)控制器提供。然而，使用回饋控制來穩定液體流動可能需耗費一或更多秒。這可能會延長液體反應物的配劑時間。因此，在一些實施例中，可將該LFC在回饋控制模式與直接控制模式之間動態切換。在一些實施例中，可藉由使該LFC的感測管及該PID控制器失效，以將該LFC從回饋控制模式動態切換至直接控制模式。
噴淋頭306將處理氣體分佈朝向基板312。在圖3中顯示的實施例中，基板312位於噴淋頭306下方，並被顯示為坐落在基座308上。將能理解的是，噴淋頭306可具有任何合適的形狀，並可具有任何合適的埠口數量及配置，以將處理氣體分佈至基板312。噴淋頭306及相關的反應物輸送系統301亦使用本文所述的技術以將清潔處理腔室本體302的表面的處理氣體進行分布，以移除錫氧化物。
在一些實施例中，微容積307位於噴淋頭306下方。在微容積中(而不是處理站的整體容積中)進行ALD及/或CVD處理可減低反應物暴露及掃除次數、可減低處理條件(例如，壓力、溫度等)的變更次數、可限制處理站機器人對於處理氣體的暴露等。示例性的微容積尺寸包括但不限於約0.1公升與約2公升之間的容積。此種微容積亦對生產量造成影響。當每循環的沉積速率降低時，循環時間同時減少。在某些情況下，對於給定的目標膜厚度來說，後者的影響是足夠劇烈以改善模組的總生產量。
在一些實施例中，可將基座308升起或降下，以將基板312及/或相關處理化學品暴露至微容積307，及/或以改變微容積307的容量。舉例而言，在基板轉移階段，可將基座308降下以允許將基板312裝載於基座308上。在沉積處理階段期間，可將基座308升起以將基板312定位在該微容積307內。在一些實施例中，在沉積處理期間微容積307可完全包圍著基板312，以及基座308的一部分，以產生高流量阻抗區域。
任選地，在沉積處理的部分期間可將基座308在微容積307內降下及/或升起，以調節處理壓力、反應物濃度等。在清潔處理期間可進行類似調整。在沉積處理期間將處理腔室本體302維持在基本壓力的一方案中，使基座308降下可允許將微容積307抽真空。微容積比處理腔室容積的示例比率包括但不限於約1:300至約1:10的容積比。將能理解的是，在一些實施例中，可藉由合適的電腦控制器以編程方式調整基座高度。
在另一方案中，調整基座308的高度可允許在沉積或清潔處理中所包括的電漿活化及/或處理循環期間改變電漿密度。在沉積處理階段結束時，可在另一基板轉移階段期間將基座308降下，以允許將基板312從基座308移除。清潔通常是當處理腔室本體302中無基板時進行。
雖然本文所述的示例性微容積變更例指的是可調整高度的基座，但將能理解的是，在一些實施例中，可調整噴淋頭306相對於基座308的位置以改變微容積307的容量。此外，將能理解的是，可藉由本揭露範圍內的任何合適機制來變更基座308及/或噴淋頭306的垂直位置。在一些實施例中，基座308可包括轉動軸，用於轉動該基板312的位向。將能理解的是，在一些實施例中，可藉由一或更多合適的電腦控制器以編程方式執行這些示例性調整的一或更多者。
請回到圖3中顯示的實施例，噴淋頭306及基座308係與RF電源314及匹配網路316電性連通而為電漿供電。在一些實施例中，可藉由控制處理站壓力、氣體濃度、RF來源功率、RF來源頻率及電漿功率脈衝時間的其中一或更多者而控制電漿能量。舉例而言，可在任何合適功率操作RF電源314及匹配網路316，以形成具有所欲自由基物種組成的電漿。合適功率的示例係包括於上。同樣地，RF電源314可提供任何合適頻率的RF功率。在一些實施例中，可將RF電源314配置以彼此獨立地控制高頻率及低頻率RF功率源。示例性低頻率RF頻率可包括但不限於約50 kHz與約300 kHz之間的頻率。示例性高頻率RF頻率可包括但不限於約1.8 MHz與約2.45 GHz之間的頻率。將能理解的是，可分開或連續地調整任何合適的參數以提供所欲反應而用的電漿能量。在一非限制性示例中，可將電漿功率間歇地進行脈衝，以相對於連續供電的電漿而減低對於相關表面的離子轟擊。
在一些實施例中，可藉由一或更多電漿監測器而原位監測電漿。在一方案中，可藉由一或更多電壓、電流感測器(例如，VI探針)而監測電漿功率。在另一方案中，可藉由一或更多光學發射光譜(OES)感測器而測量電漿密度及/或處理氣體濃度。在一些實施例中，可基於得自此種原位電漿監測器的量測值而以編程方式調整一或更多電漿參數。舉例而言，可將OES感測器用於回饋迴路中以提供對於電漿功率的編程控制。將能理解的是，在一些實施例中，可使用其他監測器來監測電漿及其他處理的特性。此種監測器可包括但不限於紅外線(IR)監測器、聲學監測器及壓力轉換器。
在一些實施例中，可經由輸入/輸出控制(IOC)序列指令而控制電漿。在一示例中，設定電漿處理階段的電漿條件所用的指令可被包括在沉積處理配方及/或清潔處理配方的相應電漿活化配方階段中。在一些情況下，可將處理配方階段依序編排，使得用於特定處理階段的所有指令係與該處理階段同時執行。在一些實施例中，用於設定一或更多電漿參數的指令可被包括在電漿處理階段之前的配方階段中。舉例而言，第一配方階段可包括用於設定惰性氣體及/或反應物氣體的流率的指令、用於將電漿產生器設定至功率設定點的指令，以及用於該第一配方階段的時間延遲指令。後續的第二配方階段可包括用於啟動電漿產生器的指令，以及用於該第二配方階段的時間延遲指令。第三配方階段可包括用於停用電漿產生器的指令，以及用於該第三配方階段的時間延遲指令。將能理解的是，這些配方階段可在本揭露的範圍內以任何合適的方式進一步細分及/或重複。
在一些電漿處理中，電漿擊打持續數秒以上的一段時間。在某些實行例中，可使用非常短暫的電漿擊打(例如，這在基板上的沉積期間可為特別實用的)。這些非常短暫的電漿擊打為10 ms至1秒的量級，通常約為20至80 ms，其中50 ms為具體示例。此種非常短暫的RF電漿擊打需要極快速地穩定電漿。為達成此事項，可將電漿產生器進行配置，使得阻抗匹配係預設至特定電壓，同時允許頻率浮動。習慣上，高頻率電漿係在約13.56MHz的RF頻率產生。在本文所揭露的各種實施例中，該頻率係被允許浮動至與標準值不同的數值。透過准許該頻率浮動同時將阻抗匹配固定於預定電壓，可非常快速地穩定電漿，其結果對於在使用與一些沉積循環類型相關的非常短暫電漿擊打時可為重要的。
在一些實施例中，可經由加熱器310對基座308進行溫度控制。此外，在一些實施例中，可藉由蝶形閥318提供對沉積處理站300的壓力控制。如圖3的實施例中顯示，蝶形閥318調節由下游真空幫浦(未顯示)所提供的真空。然而，在一些實施例中，還可藉由改變被引進處理站300的一或更多氣體的流率而調整處理站300的壓力控制。合適的控制器係進一步論述於下。
可理解的是，複數處理站可被包括在如圖4所示的多站處理工具環境中，其中圖4繪示多站處理工具的實施例的示意圖。處理設備400使用積體電路製造腔室463，該腔室463包括複數製造處理站，其中該複數製造處理站的各者可用於在基板上執行處理操作，該基板被固持在特定處理站處的晶圓固持件(例如，基座)中。在圖4的實施例中，積體電路製造腔室463是顯示以具有四個處理站451、452、453及454。其他類似的多站處理設備可具有更多或更少的處理站，取決於實行例及例如所欲的平行晶圓處理層級、尺寸/間隔限制、成本限制等。圖4中還顯示基板搬運機器人475，其可在系統控制器490的控制下進行操作，配置以將基板從晶舟(未顯示於圖4中)從裝載埠口480移動進入積體電路製造腔室463，且到達處理站451、452、453及454上。
圖4還繪示系統控制器490的實施例，其中該系統控制器490係用於控制處理設備400的處理條件及硬體狀態。系統控制器490可包括本文中所述的一或更多記憶裝置、一或更多大量儲存裝置，以及一或更多處理器。
RF子系統495可產生RF功率，並經由射頻輸入埠口467將該RF功率傳遞至積體電路製造腔室463。在特定實施例中，積體電路製造腔室463還可包括除射頻輸入埠口467之外的輸入埠口(額外輸入埠口未顯示於圖4中)。因此，積體電路製造腔室463可使用8個RF輸入埠口。在特定實施例中，積體電路製造腔室165的處理站451-454可各自使用第一及第二輸入埠口，其中第一輸入埠口可傳遞具有第一頻率的信號，而第二輸入埠口可傳遞具有第二頻率的信號。使用雙重頻率可實現增強的電漿特性。
如上所述，一或更多處理站可被包括在多站處理工具中。圖5顯示多站處理工具500之實施例的示意圖，該多站處理工具500具有入站(inbound)負載鎖室502以及出站(outbound)負載鎖室504，其中的一者或兩者可包括遠端電漿來源。處於大氣壓力下的機器人506係配置以將基板從透過傳送盒508進行裝載的晶舟通過大氣埠口510進到入站負載鎖室502中。藉由機器人506將基板放置在入站負載鎖室502中的基座512上，將大氣埠口510關閉並且將負載鎖室進行抽氣。在該入站負載鎖室502包括遠端電漿來源的情況下，可在基板被導引至處理腔室514中之前將該基板暴露於負載鎖室內的遠端電漿處理。此外，還可在入站負載鎖室502中對基板進行加熱，以例如移除濕氣及所吸附的氣體。接下來，開啟往處理腔室514的腔室傳輸埠口516，且另一機器人(未顯示)將基板放入反應器中且位於該反應器中所顯示的第一站的基座上以進行處理。雖然在圖5中所繪示的實施例係包括負載鎖室，但將能理解的是，在一些實施例中，可將基板直接提供至處理站中。在各種實施例中，浸泡氣體是在基板被機器人506放置在基座512上時引入站中。
所繪示的處理腔室514包括四個處理站，在圖5中所顯示的實施例中係從1到4進行編號。各站具有加熱式基座(顯示為站1的518)，以及氣體管線入口。將能理解的是，在一些實施例中，各處理站可具有不同或複數用途。舉例來說，在一些實施例中，處理站可在ALD與PEALD處理模式之間切換。額外地或替代地，在一些實施例中，處理腔室514可包括ALD及電漿增強ALD處理站的一或更多匹配對。雖然所繪示的處理腔室514包括四個站，但將能理解的是，根據本揭露的處理腔室可具有任何合適數量的站。舉例來說，在一些實施例中，處理腔室可具有五或更多站；而在其他實施例中，處理腔室可具有三或更少站。
圖5還繪示晶圓搬運系統590的實施例以在處理腔室514內傳輸基板。在一些實施例中，晶圓搬運系統590可在各種處理站之間，及/或在處理站與負載鎖室之間傳輸基板。將能理解的是，可使用任何合適的晶圓搬運系統。非限制性示例包括晶圓旋轉料架(carousel)及晶圓搬運機器人。圖5還繪示系統控制器550的實施例，用以控制處理工具500的處理條件與硬體狀態。系統控制器550可包括一或更多記憶裝置556、一或更多大量儲存裝置554，以及一或更多處理器552。處理器552可包括CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接件、步進馬達控制器板等。在一些實施例中，系統控制器550包括用於執行操作(如本文所述的操作)的機器可讀指令。
在一些實施例中，系統控制器550控制著處理工具500的所有活動。系統控制器550執行系統控制軟體558，其中該系統控制軟體558係儲存在大量儲存裝置554中、載入至記憶裝置556中，以及在處理器552上執行。或者，可將控制邏輯硬編碼在系統控制器550中。特殊應用積體電路、可編程邏輯裝置(例如，場可編程閘極陣列或FPGA)等可用於這些目的。在以下敘述中，無論何處使用「軟體」或「編碼」，皆可在該處使用功能可相比的硬編碼邏輯。系統控制軟體558可包括複數指令，用於控制：時間、氣體混合、腔室及/或站的壓力、腔室及/或站的溫度、基板溫度、目標功率層級、RF功率層級、RF頻率、基板基座、卡盤及/或承受器位置，以及由處理工具500所執行的特定處理之其他參數。系統控制軟體558得以任何合適的方式進行配置。舉例而言，可將各種處理工具構件的子程式或控制物件進行編寫，以對執行各種處理工具的處理所用的處理工具構件之操作進行控制。系統控制軟體558可在任何合適的電腦可讀編程語言中進行編碼。
在一些實行例中，控制器550為系統的一部份且該系統可為上述示例的一部分。此系統可包括半導體處理設備，而該半導體處理設備包括一或更多處理工具、一或更多腔室、一或更多處理平台，及/或特定處理構件(晶圓基座、氣體流動系統等)。可將這些系統與電子元件進行整合，以在處理半導體晶圓或基板之前、期間及之後控制它們的操作。所述電子元件可被稱為「控制器」，其可控制一或更多系統的各種構件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，可將控制器550進行編程以控制本文所揭露的任何處理，包括處理氣體的運輸、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、一些系統中的射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體運輸設定、定位及操作設定、與特定系統連接或接合的一工具及其他傳輸工具及/或負載鎖室的晶圓傳輸進出。
廣義來說，可將控制器定義成具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子元件，以接收指令、發送指令、控制操作、啟用清潔操作、啟用端點測量等。所述積體電路可包括以韌體形式儲存程式指令的晶片、數位訊號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片，及/或執行程式指令(例如，軟體)的一或更多微處理器或微控制器。程式指令得為以各種獨立設定(或程式檔案)形式而被傳送至控制器的指令，而定義出用於在半導體晶圓上、針對半導體晶圓，或對系統執行特定步驟的操作參數。在一些實施例中，操作參數可為製程工程師所定義之配方的一部分，以在將一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒的製造期間完成一或更多的處理步驟。
在一些實行例中，控制器可為電腦的一部分或耦接至電腦，所述電腦係與所述系統整合、耦接至所述系統、以其他方式網路與所述系統連接，或是其組合。例如，控制器可位於「雲端」，或是FAB主電腦系統的全部或一部分中而可允許基板處理的遠端存取。電腦可使對系統的遠端存取能夠監控加工操作的當前進程、檢視過去加工操作的歷史、檢視來自複數加工操作的趨勢或性能度量、變更當前處理的參數、設定當前處理之後的處理步驟，或是開始新的處理。在一些示例中，遠端電腦(例如，伺服器)可透過網路向系統提供處理配方，其中該網路可包括區域網路或網際網路。遠端電腦可包括使用者介面，而能夠對參數及/或設定進行輸入或編程，所述參數及/或設定則接著從遠端電腦傳送至系統。在一些示例中，控制器接收數據形式的指令，其中所述指令係指明一或更多操作期間待執行之各處理步驟所用的參數。應當理解的是，所述參數可特定於待執行的步驟類型，以及控制器所配置以連接或控制的工具類型。因此，如上所述，控制器可例如藉由包括一或更多離散控制器而進行分佈，其中所述離散控制器係彼此以網路連接且朝向共同的目的(例如本文所述的步驟與控制)而運作。為此目的所分佈的控制器之示例將係位於腔室上的一或更多積體電路，其與遠端設置(例如，位於平台層或作為遠端電腦的一部分)、且結合以控制腔室上之處理的一或更多積體電路連通。
不具限制地，示例性系統可包括電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉-淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清潔腔室或模組、晶邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組，以及可能有關於或使用於半導體晶圓之加工及/或製造中的任何其他半導體處理系統。
如上所述，取決於工具所待執行的一或更多處理步驟，控制器可連通至一或更多其他工具電路或模組、其他工具組件、群集式工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、遍布於工廠的工具、主電腦、另一控制器或材料輸送中所使用的工具，而將基板的容器帶進及帶出半導體製造工廠的工具位置及/或裝載埠口。 實驗
本文所述的技術可用於大幅減低將錫氧化物從處理腔室的內部表面移除所需的時間。圖6A-圖6D繪示塗覆著錫氧化物且根據本文所述的不同技術加以清潔的表面(例如，金屬表面，其類比於處理腔室的內部表面)。圖6A繪示使用產生自H 2/CH 4的電漿進行清潔(如圖1A的方法中所述)的表面。圖6A顯示在單獨暴露至H 2/CH 4電漿過後，且在暴露至O 2電漿之前的表面。總清潔時間約為50分鐘。在此示例中，該表面包括大量的未反應錫氧化物，其中該錫氧化物塗覆著碳聚合物層。為了進一步清潔該表面，可將該表面暴露至氧電漿以移除碳聚合物，如圖1A所述。
圖6B繪示藉由暴露至純H 2電漿而進行清潔的表面。這繪示介於圖2A的方法中的操作201及203之間的表面。在此示例中，該表面係被持續約10分鐘的一段時間。圖6B顯示錫氧化物已被轉化成錫粉末(例如，大圓圈繪示錫粉末)。由於大量錫粉末存留在該表面上，故H 2電漿步驟本身不足以產生乾淨表面。額外的實驗結果(未顯示)確認到，即使當清潔時間大幅延長至例如約70分鐘時，錫粉末仍然會存留在該表面上。
圖6C顯示藉由暴露至從電漿產生氣體產生的電漿所進行清潔的表面，其中該電漿產生氣體包括5% CH 4及95% H 2。此示例與圖6A中顯示的示例類似，除了圖6C所使用的電漿產生氣體比起圖6A所使用的電漿產生氣體具有較低的CH 4含量。在圖6C的示例中，在清潔過後，存在著存留在表面上的大量碳聚合物。圖6C中的清潔持續時間約為70分鐘。這些結果確認到，使用單一電漿步驟未能成功移除錫氧化物，即使電漿包括相對低的碳含量。
圖6D顯示藉由暴露至從H 2產生的第一電漿，接著暴露至從H 2/CH 4產生的第二電漿而進行清潔的表面，如圖2A的方法中所述。對於約為50分鐘的總清潔持續時間，該表面暴露至第一電漿約10分鐘的持續時間，以及暴露至第二電漿約40分鐘的持續時間。圖6D的結果繪示乾淨的表面，而無任何殘餘的錫氧化物或錫粉末。
圖7繪示實驗結果，其顯示在不同溫度下的錫氧化物至錫粉末的轉化速率。參照圖2A的方法，此為在操作201期間當基板暴露至第一電漿(例如，在此示例中為H 2電漿)時所達成的轉化速率。在第一電漿為純還原性化學品的情況下，在不同溫度下的轉化速率具有大幅差異，其中較低溫度的轉化速率較低，而較高溫度的轉化速率較高。舉例來說，如圖7所示，85°C的轉化速率約為67Å/分，而120°C的轉化速率約為338Å/分。此為大幅差異，並且可能造成不同溫度的處理腔室的不同部分的轉化速率不均勻。腔室表面在清潔期間經常處於不均勻的溫度，其中該腔室的一些部分處於較低溫度，而該腔室的其他部分處於較高溫度。
如上所述，減低溫度對於轉化速率的效應的其中一方法為在操作201中的第一電漿中包括惰性氣體。如圖7所顯示，當第一電漿包括惰性氣體(例如，在此情況下惰性氣體為氦)時，85°C及120°C二者的轉化速率提升至約400Å/分。因此，與純還原性化學品電漿(例如，純H 2電漿)相比，在第一電漿中包括惰性氣體促進橫跨不同溫度的較高轉化速率及較均勻的轉化速率。與使用純還原性化學品電漿的案例相比，這允許較快速且較均勻的清潔結果。這二種選項(例如，純還原性化學品及還原性化學品/惰性氣體)均被視為落在所揭示實施例的範圍內。
在各種實施例中，從錫氧化物至錫粉末的轉化速率至少約為60Å/分，例如至少約為100Å/分、至少約為200Å/分、至少約為300Å/分或至少約為400Å/分。在這些或其他實施例中，腔室表面的不同部分處的轉化速率可為實質均勻的。舉例來說，腔室表面的不同部分處的轉化速率可差異不超過約10%(在一些情況下，不超過約5%或不超過約1%)。 結論
雖然前述實施例已為了清楚理解的目的而描述些許細節，但將顯而易知的是，可在隨附申請專利範圍的範疇內進行某些變更及修改。應注意的是，存在著許多實行所呈現實施例之處理、系統及設備的替代方法。因此，所呈現實施例係被視為說明性而非限制性的，且實施例並不受限於本文所給定的細節。
101,103,105,107,109:操作 150:腔室表面 152:錫氧化物 154:碳聚合物 201,203:操作 250:腔室表面 252:錫氧化物 253:錫粉末 300:處理站 301:反應物輸送系統 302:處理腔室本體 303:汽化點 304:混合容器 305:噴淋頭輸入口閥 306:噴淋頭 307:微容積 308:基座 312:基板 314:RF電源 316:匹配網路 318:蝶形閥 320:混合容器輸入口閥 400:處理設備 451-454:處理站 463:積體電路製造腔室 467:射頻輸入埠口 475:基板搬運機器人 480:裝載埠口 490:系統控制器 495:RF子系統 500:多站處理工具 502:入站(inbound)負載鎖室 504:出站(outbound)負載鎖室 506:機器人 508:傳送盒 510:大氣埠口 512:基座 514:處理腔室 516:腔室傳輸埠口 518:加熱式基座 550:系統控制器 552:處理器 554:大量儲存裝置 556:記憶裝置 558:系統控制軟體 590:晶圓搬運系統
圖1A為流程圖，其描述從處理腔室的內部表面清除錫氧化物的方法。
圖1B繪示在進行圖1A所述的清潔步驟時的處理腔室的內部表面。
圖2A為流程圖，其描述根據各種實施例從處理腔室的內部表面清除錫氧化物的方法。
圖2B繪示在進行圖2A所述的清潔步驟時的處理腔室的內部表面。
圖3繪示根據某些實施例的處理站。
圖4及圖5繪示根據某些實施例的多站處理設備。
圖6A-6D顯示不同清潔方法的實驗結果。
圖7顯示實驗結果，其與在不同溫度下使用不同清潔方法的錫氧化物至錫粉末的轉化有關。
201,203:操作

Claims (60)

  1. 一種清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，包括： 將該腔室表面暴露至從第一電漿產生氣體產生的第一電漿，使該錫氧化物還原為錫，該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品；以及 將該腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，以將該錫從該腔室表面移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。
  2. 如請求項1之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)、氨(NH 3)、二硼烷(B 2H 6)、二氧化硫(SO 2)、聯胺(N 2H 4)、氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)、一氧化碳(CO)、亞硫酸鹽、碘化物、亞磷酸鹽、次磷酸鹽及氰化物所構成的群組中選擇的至少一物種。
  3. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)、氨(NH 3)、二硼烷(B 2H 6)、二氧化硫(SO 2)、聯胺(N 2H 4)、氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)及一氧化碳(CO)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  4. 如請求項3之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)及氨(NH 3)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  5. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該亞硫酸鹽。
  6. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該碘化物。
  7. 如請求項6之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該碘化物包括碘化鉀(KI)。
  8. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該亞磷酸鹽。
  9. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該次磷酸鹽。
  10. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該氰化物。
  11. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括從烷類、醇、羧酸及乙酸鹽所構成的群組中選擇的至少一物種。
  12. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括具有約1至約6個碳原子的物種。
  13. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括該烷類。
  14. 如請求項13之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該烷類係選自於甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、丙烷(C 3H 8)、丁烷(C 4H 10)、戊烷(C 5H 12)及己烷(C 6H 14)所構成的群組。
  15. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括該醇。
  16. 如請求項15之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該醇係選自於甲醇(CH 3OH)、乙醇(C 2H 5OH)、丙醇(C 3H 7OH)、丁醇(C 4H 9OH)、戊醇(C 5H 11OH)及己醇(C 6H 13OH)所構成的群組。
  17. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括該羧酸。
  18. 如請求項17之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該羧酸係選自於甲酸(HCOOH)、乙酸(CH 3COOH)、丙酸(CH 3CH 2COOH)、丁酸(CH 3(CH 2) 2COOH)、戊酸(CH 3(CH 2) 3COOH)及己酸(CH 3(CH 2) 4COOH)所構成的群組。
  19. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括該乙酸鹽。
  20. 如請求項19之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該乙酸鹽是被提供為乙酸鹽類或乙酸酯。
  21. 如請求項11之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該有機添加劑化學品包括從甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、甲醇(CH 3OH)及乙醇(C 2H 5OH)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  22. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一電漿產生氣體實質無CH 4。
  23. 如請求項2之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一電漿產生氣體實質無含碳物種。
  24. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一電漿產生氣體更包括惰性氣體。
  25. 如請求項24之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該惰性氣體包括從氦、氖、氬、氙及氮(N 2)所構成的群組中選擇的至少一氣體。
  26. 如請求項25之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一電漿產生氣體具有約5%至約50%惰性氣體的組成。
  27. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的比率約為0.01至約100。
  28. 如請求項27之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的該比率約為0.5至約20。
  29. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中當該腔室表面暴露至該第一電漿時，該錫氧化物至錫的轉化速率至少約為60Å/分。
  30. 如請求項29之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該錫氧化物至錫的該轉化速率至少約為300Å/分。
  31. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中當該腔室表面暴露至該第一電漿時，在該腔室表面的不同部分之間的該錫氧化物至錫的轉化速率不會差超過10%。
  32. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該第一電漿及 第二電漿各自為電容耦合電漿。
  33. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中在將該腔室表面暴露至該第一電漿及該第二電漿的進程期間，該錫氧化物係以至少約120Å/分的速率從該腔室表面移除。
  34. 如請求項1至10中任一項之清潔腔室表面以將錫氧化物從該腔室表面移除的方法，其中該腔室表面包括沉積腔室的壁、天花板或地板的其中至少一者，該沉積腔室是用於在半導體基板上沉積錫氧化物。
  35. 一種基板處理設備，包括： 處理腔室，具有位在該處理腔室的內部上的腔室表面； 對於該處理腔室的輸入口，用於將反應物引進該處理腔室； 對於該處理腔室的輸出口，用於將物種從該處理腔室移除； 電漿產生器，配置以在該處理腔室中提供電漿；以及 控制器，配置以造成： 將該腔室表面暴露至從第一電漿產生氣體產生的第一電漿，使該腔室表面上的錫氧化物還原為錫，該第一電漿產生氣體包括第一還原性化學品；以及 將該腔室表面暴露至從第二電漿產生氣體產生的第二電漿，以將該錫從該腔室表面移除，該第二電漿產生氣體包括第二還原性化學品及有機添加劑化學品。
  36. 如請求項35之基板處理設備，其中該電漿產生器為電容耦合電漿產生器。
  37. 如請求項35之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)、氨(NH 3)、二硼烷(B 2H 6)、二氧化硫(SO 2)、聯胺(N 2H 4)、氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)、一氧化碳(CO)、亞硫酸鹽、碘化物、亞磷酸鹽、次磷酸鹽及氰化物所構成的群組中選擇的至少一物種。
  38. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)、氨(NH 3)、二硼烷(B 2H 6)、二氧化硫(SO 2)、聯胺(N 2H 4)、氫化二異丁基鋁((i-Bu 2AlH) 2)、甲酸(HCOOH)及一氧化碳(CO)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  39. 如請求項38之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括從元素氫(H 2)及氨(NH 3)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  40. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該亞硫酸鹽。
  41. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該碘化物。
  42. 如請求項41之基板處理設備，其中該碘化物包括碘化鉀(KI)。
  43. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該亞磷酸鹽。
  44. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該次磷酸鹽。
  45. 如請求項37之基板處理設備，其中該第一還原性化學品或該第二還原性化學品的其中至少一者包括該氰化物。
  46. 如請求項35至45中任一項之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括從烷類、醇、羧酸及乙酸鹽所構成的群組中選擇的至少一物種。
  47. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括具有約1至約6個碳原子的物種。
  48. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括該烷類。
  49. 如請求項48之基板處理設備，其中該烷類係選自於甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、丙烷(C 3H 8)、丁烷(C 4H 10)、戊烷(C 5H 12)及己烷(C 6H 14)所構成的群組。
  50. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括該醇。
  51. 如請求項50之基板處理設備，其中該醇係選自於甲醇(CH 3OH)、乙醇(C 2H 5OH)、丙醇(C 3H 7OH)、丁醇(C 4H 9OH)、戊醇(C 5H 11OH)及己醇(C 6H 13OH)所構成的群組。
  52. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括該羧酸。
  53. 如請求項52之基板處理設備，其中該羧酸係選自於甲酸(HCOOH)、乙酸(CH 3COOH)、丙酸(CH 3CH 2COOH)、丁酸(CH 3(CH 2) 2COOH)、戊酸(CH 3(CH 2) 3COOH)及己酸(CH 3(CH 2) 4COOH)所構成的群組。
  54. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括該乙酸鹽。
  55. 如請求項54之基板處理設備，其中該乙酸鹽是被提供為乙酸鹽類或乙酸酯。
  56. 如請求項46之基板處理設備，其中該有機添加劑化學品包括從甲烷(CH 4)、乙烷(C 2H 6)、甲醇(CH 3OH)及乙醇(C 2H 5OH)所構成的群組中選擇的至少一物種。
  57. 如請求項46之基板處理設備，其中該第一電漿產生氣體實質無含碳物種。
  58. 如請求項57之基板處理設備，其中該第一電漿產生氣體更包括惰性氣體。
  59. 如請求項35至45中任一項之基板處理設備，其中該第二電漿產生氣體中的還原性化學品：有機添加劑化學品的比率約為0.5至約20。
  60. 如請求項35至45中任一項之基板處理設備，其中該錫氧化物係以至少約60Å/分的速率轉化成錫。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4750980A (en) * 1986-11-07 1988-06-14 Texas Instruments Incorporated Process for etching tin oxide
US5843277A (en) * 1995-12-22 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Dry-etch of indium and tin oxides with C2H5I gas
US9824893B1 (en) * 2016-06-28 2017-11-21 Lam Research Corporation Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
US10840082B2 (en) * 2018-08-09 2020-11-17 Lam Research Corporation Method to clean SnO2 film from chamber
JP7320085B2 (ja) * 2019-06-27 2023-08-02 ラム リサーチ コーポレーション 交互のエッチングプロセスおよび不動態化プロセス

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