JP2007332453A - 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させてカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板1上にカルボン酸塩ガスを供給してカルボン酸塩膜2を堆積させる工程と、カルボン酸塩膜2が堆積された基板1にエネルギーを与えてカルボン酸塩膜2を分解して金属膜3を形成する工程とを有する。
【選択図】図1
Description
2Cu(OCHO)2 → 2Cu(OCHO)+CO+CO2+H2O……(1)
第一蟻酸銅は、非特許文献3に報告されているように、非常に熱分解しやすい物質であるため、低温で以下の(2)式に示す反応式により第一蟻酸銅から容易にCu薄膜が成膜される。
2Cu(OCHO) → 2Cu +2CO2 + H2 ……(2)
この方法によれば、配位子であるフォルメート基(OCHO)はCO2やH2に熱分解して排気されやすいためにCu膜中に取り込まれ難い。そのため不純物を含まない、高純度のCu膜が生成されやすい。しかし、一般に固体原料から気化させたものをキャリアガスで運ぶ方法は、減圧下での固体原料容器内部の熱伝導状態に大きく影響され、安定した供給が難しい。また、固体原料容器内部で原料の第二蟻酸銅が熱分解してしまい、そこでCuが成膜されてしまう。つまり、原料の劣化が起こりやすい。
また、このような方法を実行させるプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを目的とする。
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、前記処理容器内に配置された、酸素含有金属化合物からなる部材と、前記反応容器内にカルボン酸ガスを供給するガス供給手段と、前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、前記処理容器内を排気する排気手段とを具備し、前記ガス供給手段から供給されたカルボン酸ガスと前記酸素含有金属化合物からなる部材とが反応してカルボン酸塩ガスが生成され、そのカルボン酸塩ガスが基板上に供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによってカルボン酸塩が分解して基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置を提供する。
まず、本発明に係る成膜方法の概念を説明する。図1は、本発明に係る成膜方法の概念を説明するための模式図である。
このときエネルギーとしては典型的には熱エネルギーを用いる。熱エネルギーは通常の成膜装置に用いられている抵抗発熱体や加熱ランプ等により与えることができるので適用が容易である。
以下、このようなCu膜の成膜方法について説明する。反応性が良好で必要な安定性を確保する観点からは、酸化銅として酸化第一銅を用いることが好ましいため、以下の説明では酸化第一銅を用いている。
Cu2O+2HCOOH → 2Cu(OCHO)+H2O ……(3)
(固体)(気体または液体) (気体) (気体)
このときエネルギーとしては典型的には熱エネルギーを用いる。熱エネルギーは通常の成膜装置に用いられている抵抗発熱体や加熱ランプ等により与えることができるので適用が容易である。上述したように第一蟻酸銅は不安定な物質であり、100〜250℃程度に加熱することにより、容易に銅に分解する。
図5は、第1の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
図5に示す成膜装置は、例えばアルミニウムなどにより円筒状あるいは箱状に成形されたチャンバ11を有しており、チャンバ11の内部には、被処理体である半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)Wを水平に支持するためのサセプタ12がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材13により支持された状態で配置されている。サセプタ12にはヒーター14が埋め込まれており、このヒーター14はヒーター電源15から給電されることにより被処理基板であるウエハWを所定の温度に加熱する。なお、サセプタ12はセラミックス例えばAlNで構成することができる。
まず、ゲートバルブ28を開にして、ウエハWを搬入出口27からチャンバ11内に搬入し、サセプタ12上に載置する。排気装置26により排気口24および排気管25を介してチャンバ11内を排気することによりチャンバ11内を所定の圧力にする。
次に、第2の実施形態について説明する。
図6は、第2の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
この成膜装置は、第一蟻酸銅を供給する機構が第1の実施形態に係る図3と異なっており、その他の構成は基本的に図5の装置と同じであるので、同じ部材については同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第3の実施形態について説明する。
図7は、第3の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
この成膜装置は、サセプタ上のウエハを加熱する機構および排気経路が第1の実施形態に係る図5と異なっており、その他の構成は基本的に図5の装置と同じであるので、同じ部材については同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第4の実施形態について説明する。
図8は、第4の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
この成膜装置は、蟻酸と酸化第一銅とのを反応させる手法およびその機構が第1の実施形態に係る図5と異なっており、その他の構成は基本的に図5の装置と同じであるので、同じ部材については同じ符号を付して説明を省略する。
次に、第5の実施形態について説明する。
図10は、第5の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
図10に示す成膜装置は、図5のチャンバ11と同様の材料で形成された扁平状のチャンバ61を有している。チャンバ61の底部にはウエハWを載置するサセプタ62が配置されている。サセプタ62はサセプタ12と同様の材料で構成され、温度制御用の冷媒流路19が設けられている。
次に、第6の実施形態について説明する。
図11は、第6の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
この成膜装置は、蟻酸貯留容器31から配管32を介して蟻酸を直接チャンバ61に供給しチャンバ61内で第一蟻酸銅を生成する他は、基本的に図10に示す第5の実施形態の装置と同じである。すなわち、配管32がチャンバのガス導入口66まで延び、チャンバ61内のガス導入口66の近傍に酸化第一銅含有部材67が配置されている。酸化第一銅含有部材67は、少なくともその表面が酸化第一銅で形成されている。具体的には、酸化第一銅含有部材67は、ステンレス鋼等の他の材料のベースの表面に酸化第一銅がコーティングされたものであってもよいし、銅製のプレートの少なくとも表面部分を熱酸化して酸化第一銅としたものであってもよい。酸化第一銅含有部材67の内部にヒーター68が埋設されており、これにより、酸化第一銅含有部材67を第一蟻酸銅の生成に適した50〜150℃に保持可能となっている。
次に、第7の実施形態について説明する。
図12は、第7の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す断面図である。
図12に示す成膜装置は、第1の実施形態に係る図5の成膜装置において、サセプタ12にヒーターを設ける代わりにチャンバ11の上部にランプ加熱ユニット50を設け、シャワーヘッドを設ける代わりにチャンバ11の天壁にガス導入口71を設け、その内面にヒーター71aを設けている。その他の構成は基本的に図5と同じであり、図5と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
第1〜第7の実施形態では、一つのチャンバ内で酸化第一銅の吸着工程と、加熱による銅膜の形成工程の両方を行う例を示したが、本実施形態ではスループットおよび処理の自由度等の観点から、これらの工程を異なるチャンバで実施するようにし、装置をクラスター化した例を示す。
図15は本発明に係る銅膜の成膜方法による効果を確認するための実験装置の概略図である。
2;カルボン酸塩膜
3;金属膜
4;第一蟻酸銅膜
5;銅膜
11,61;チャンバ
12,62;サセプタ
14;ヒーター
19;冷媒流路
20;シャワーヘッド
20a,35a,37a,71a;ヒーター
22,22′;シャワープレート
22b;酸化第一銅含有プレート
31;蟻酸貯留容器
32,37,41;配管
35;反応容器
36;酸化第一銅粉末
43;酸化第一銅膜
50;ランプ加熱ユニット
57,68;プレートヒーター
80;プロセスコントローラ
81;ユーザーインターフェース
82;記憶部
101;吸着処理ユニット
102;アニールユニット
103;冷却ユニット
119;制御部
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (62)
- カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、
基板上に前記金属のカルボン酸塩ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記酸素含有金属化合物は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することによりカルボン酸塩ガスを得ることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 真空に保持された処理容器内に基板を配置する工程と、
カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属のカルボン酸塩ガスを生成する工程と、
前記処理容器内の基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給されたカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記カルボン酸塩ガスは、前記処理容器外でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
- 酸素含有金属化合物粉末にカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することによりカルボン酸金属ガスを生成させることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記配管として内面に 酸素含有金属化合物をコーティングしたものを用い、その配管にカルボン酸ガスを通流させることによりカルボン酸塩ガスを生成させることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- カルボン酸塩ガスは、前記処理容器内でカルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて生成されることを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。
- 前記処理容器内に酸化銅からなる部材を配置し、その部材にカルボン酸ガスを供給することによりカルボン酸塩ガスを生成させることを特徴とする請求項7に記載の成膜方法。
- 基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給することにより基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、
前記カルボン酸塩が堆積された基板にエネルギーを与えることにより基板上のカルボン酸塩を分解することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給しながら、基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、Ag2O2(酸化第二銀)のいずれかであることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 蟻酸と酸素含有銅化合物とを反応させて蟻酸銅ガスを生成する工程と、
基板上に蟻酸銅ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給された蟻酸銅を分解して銅膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記酸素含有銅化合物は粉末状であり、これに蟻酸ガスまたは液体状の蟻酸を供給することにより蟻酸銅ガスを得ることを特徴とする請求項14に記載の成膜方法。
- 真空に保持された処理容器内に基板を配置する工程と、
蟻酸と酸素含有銅化合物とを反応させて蟻酸銅ガスを生成する工程と、
前記処理容器内の基板上に蟻酸銅ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給された蟻酸銅を分解して銅膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 蟻酸銅ガスは、前記処理容器外で蟻酸と酸素含有銅化合物とを反応させて形成し、配管を介して前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
- 酸素含有銅化合物粉末に蟻酸ガスまたは液体状の蟻酸を供給することにより蟻酸銅ガスを生成させることを特徴とする請求項17に記載の成膜方法。
- 前記配管として内面に 酸素含有銅化合物をコーティングしたものを用い、その配管に蟻酸ガスを通流させることにより蟻酸銅ガスを生成させることを特徴とする請求項17に記載の成膜方法。
- 蟻酸銅ガスは、前記処理容器内で蟻酸と酸素含有銅化合物とを反応させて生成されることを特徴とする請求項16に記載の成膜方法。
- 前記処理容器内に酸化銅からなる部材を配置し、その部材に蟻酸ガスを供給することにより蟻酸銅ガスを生成させることを特徴とする請求項20に記載の成膜方法。
- 基板上に蟻酸銅ガスを供給することにより基板上に蟻酸銅を堆積させ、
蟻酸銅が堆積された基板にエネルギーを与えることにより基板上の蟻酸銅を分解することを特徴とする請求項14から請求項21のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 基板上に蟻酸銅ガスを供給しながら、基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項14から請求項21のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)のいずれかであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項14から請求項23のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 基板に与えられるエネルギーは、熱エネルギーであることを特徴とする請求項1から請求項24のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 基板を支持する基板支持部材に設けられた抵抗発熱体により基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項25に記載の成膜方法。
- 基板から離れた位置に設けられた加熱ランプにより基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項25に記載の成膜方法。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させて当該金属のカルボン酸塩ガスを生成するガス生成手段と、
前記処理容器内の基板上に前記カルボン酸塩ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記ガス供給手段により基板上にカルボン酸塩が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによってカルボン酸塩が分解して基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス生成手段は、カルボン酸塩ガスを生成するカルボン酸塩ガス生成機構と、酸素含有金属化合物を含み前記カルボン酸塩ガス生成機構で生成されたカルボン酸と酸素含有金属化合物との反応によりカルボン酸金属ガスを生成する反応部と、カルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管とを有し、前記カルボン酸塩ガスを供給する手段は、生成されたカルボン酸塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸塩導入部を有することを特徴とする請求項28に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、酸素含有金属化合物粉末を貯留する反応容器を有することを特徴とする請求項29に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、酸素含有金属化合物からなる部材を有することを特徴とする請求項29に記載の成膜装置。
- 前記反応部の酸素含有金属化合物からなる部材は、前記カルボン酸ガス供給配管の内面に設けられた酸素含有金属化合物からなる内面層であることを特徴とする請求項31に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸塩導入部は、カルボン酸塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項29から請求項32のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
前記処理容器内に配置された、酸素含有金属化合物からなる部材と、
前記反応容器内にカルボン酸ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記ガス供給手段から供給されたカルボン酸ガスと前記酸素含有金属化合物からなる部材とが反応してカルボン酸塩ガスが生成され、そのカルボン酸塩ガスが基板上に供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによってカルボン酸塩が分解して基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス供給手段は、カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、カルボン酸ガスを前記処理容器に供給するカルボン酸ガス供給配管と、カルボン酸ガスを前記処理容器内に導入するカルボン酸ガス導入部とを有することを特徴とする請求項34に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有金属化合物からなる部材は前記カルボン酸ガス導入部に設けられていることを特徴とする請求項35に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有金属化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された蟻酸ガスが前記吐出孔を通過する際に酸素含有金属化合物と反応してカルボン酸塩ガスを吐出することを特徴とする請求項36に記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された酸素含有金属化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有金属化合物からなる部材として機能することを特徴とする請求項37に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上にカルボン酸塩ガスが供給されてカルボン酸塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって基板上に堆積したカルボン酸塩が分解することを特徴とする請求項28から請求項38のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上にカルボン酸塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項28から請求項38のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記金属は銅または銀であることを特徴とする請求項28から請求項40のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス生成手段で用いられる酸素含有金属化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、水酸化第二銅(Cu(OH)2)、酸化第一銀(Ag2O)、酸化第二銀(Ag2O2)のいずれかであることを特徴とする請求項41に記載の成膜装置。
- 前記ガス生成手段で用いられるカルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項28から請求項42のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
蟻酸と酸化銅とを反応させて蟻酸銅ガスを生成するガス生成手段と、
前記処理容器内の基板上に蟻酸銅ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記ガス供給手段により基板上に蟻酸銅が供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって蟻酸銅が分解して基板上に銅膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス生成手段は、蟻酸ガスを生成する蟻酸ガス生成機構と、酸素含有銅化合物を含み前記蟻酸ガス生成機構で生成された蟻酸と酸素含有銅化合物との反応により蟻酸銅ガスを生成する反応部と、蟻酸ガスを前記反応部に供給する蟻酸ガス供給配管とを有し、前記蟻酸銅ガスを供給する手段は、生成された蟻酸銅ガスを前記処理容器に導く蟻酸銅導入部を有することを特徴とする請求項42から請求項44のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、酸素含有銅化合物粉末を貯留する反応容器を有することを特徴とする請求項45に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、酸素含有銅化合物からなる部材を有することを特徴とする請求項45に記載の成膜装置。
- 前記反応部の酸素含有銅化合物からなる部材は、前記蟻酸ガス供給配管の内面に設けられた酸素含有銅化合物からなる内面層であることを特徴とする請求項47に記載の成膜装置。
- 前記蟻酸銅導入部は、蟻酸銅ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項45から請求項48のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
前記処理容器内に配置された、酸素含有銅化合物からなる部材と、
前記反応容器内に蟻酸ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記ガス供給手段から供給された蟻酸ガスと前記酸素含有銅化合物からなる部材とが反応して蟻酸銅ガスが生成され、その蟻酸銅ガスが基板上に供給され、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって蟻酸銅が分解して基板上に銅膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス供給手段は、蟻酸ガスを生成する蟻酸ガス生成機構と、蟻酸ガスを前記処理容器に供給する蟻酸ガス供給配管と、蟻酸ガスを前記処理容器内に導入する蟻酸ガス導入部とを有することを特徴とする請求項50に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有銅化合物からなる部材は前記蟻酸ガス導入部に設けられていることを特徴とする請求項51に記載の成膜装置。
- 前記蟻酸ガス導入部は、複数の吐出孔を有する吐出部材を有するシャワーヘッドを備え、前記酸素含有銅化合物からなる部材は、前記吐出部材の一部または全部を構成し、前記シャワーヘッドに導入された蟻酸ガスが前記吐出孔を通過する際に酸素含有銅化合物と反応して蟻酸銅ガスを吐出することを特徴とする請求項52に記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッドの吐出部材は、基材と基材表面に形成された酸素含有銅化合物からなるコーティング層とを有し、該コーティング層が前記酸素含有銅化合物からなる部材として機能することを特徴とする請求項53に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に蟻酸銅ガスが供給されて蟻酸銅が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって基板上に堆積した蟻酸銅が分解することを特徴とする請求項44から請求項54のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に蟻酸銅ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項44から請求項54のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記酸素含有銅化合物は、酸化第一銅(Cu2O)、酸化第二銅(CuO)、および水酸化第二銅(Cu(OH)2)のいずれかであり、前記蟻酸銅は第一蟻酸銅であることを特徴とする請求項44から請求項56のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項28から請求項57のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材に設けられた抵抗発熱体を有することを特徴とする請求項58に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板支持部材から離隔して設けられた加熱ランプを有することを特徴とする請求項58に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置されて、配置された基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第1の処理容器と、
真空に保持され、前記第1の処理容器内でカルボン酸塩膜が堆積された基板が配置されて、配置された基板にエネルギーを与えて基板上のカルボン酸塩を分解し、基板上に金属膜を形成する第2の処理容器と、
前記第1の処理容器から前記第2の処理容器へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構と
を具備することを特徴とする成膜装置。 - コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項27のいずれかの成膜方法が実施されるようにコンピュータに成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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